JP2002534813A - 光子装置の密閉封止方法と装置 - Google Patents

光子装置の密閉封止方法と装置

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JP2002534813A
JP2002534813A JP2000592918A JP2000592918A JP2002534813A JP 2002534813 A JP2002534813 A JP 2002534813A JP 2000592918 A JP2000592918 A JP 2000592918A JP 2000592918 A JP2000592918 A JP 2000592918A JP 2002534813 A JP2002534813 A JP 2002534813A
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photonic device
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photon
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ゾウ，ピン
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ハネウエル・インコーポレーテッド
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Abstract

(57)【要約】 密閉封止光子装置サブマウントは基板材上に取付て柔軟な密閉封止内に封止された光子装置を含む。一形態において光子装置は基板材を介して発光あるいは受光する形状とされる。この形態では接着剤層とその上に付着した金属層とで覆われる。他の形態では光子装置は基板材からほぼ垂直上方向に発光あるいは受光する形状とされる。この形態においては光子装置にカバーが掛けられ、次いでカバーば接着剤層とその上に付着した金属層とによって基板材に密閉封止される。いずれの形態においても複数の光子装置サブマウントを別個のパッケージを用いずに基板材上に、本発明の多種の形式に従って密閉封止される。従って所望数の密閉封止光子装置のサブマウントを本発明を用いてウェーハ上に大量生産し得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （発明の属する技術分野） 本発明は一般に視力・電気装置を密閉封止する方法と装置に関する。特に本発
明は垂直空洞面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）、光検出器等の光子装置（ｐｈｏｔｏ
ｎｉｃｄｅｖｉｃｅｓ）を密閉封止する方式に関する。
【０００２】 （関連技術の記載） ＶＣＳＥＬ若しくは光検出器のような光子装置の使用は通信並びに電子産業に
おいて大きく普及してる。概してＶＣＳＥＬは代表的に取付面に対して垂直に発
光する半導体レーザであり、光検出器は代表的にＶＣＳＥＬが送る光を受ける。
一般には光子装置は並列伝送とネットワーク計算用のデタリンクを形成する光フ
ァイバーに光パルスの形でデータを送るために用いられる。光子装置はウェーハ
上で加工処理し、試験し、選別することができ、高収量と従って低コスト生産を
容易とするので特に望ましい。
【０００３】 しかしながら光子装置の性能はほこり、湿気、産業化学製品の環境汚染を受け
ることが判明している。例えば湿気は光子装着の性能を損じる、あるいはひどく
格下げする。従って光子装着を密閉封止してほこり、湿気若しくは他の環境汚染
物から保護することが望ましい。
【０００４】 従来の光子装着の封止方法にはエポキシ内に光子装着を被覆させることを含む
。しかしながら湿気はなおエポキシ封止を通過し得るため、本当の密閉を形成し
ない。他の光子装着密閉封止法は代表的に光子装着をＴＯ缶パッケージ、代表的
に光子窓を有するコバール金属缶内に収容し、溶接等によりパッケージを封止す
る。しかしながら一般にはこれら方法を用いても一度に１つの光子装着しか密閉
封止できない。従ってこれらの方法は一般にコスト高で、時間集中的である。
【０００５】 （発明の開示） 本発明は垂直空洞面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）あるいは光検出器等の光子装着
の密閉封止に関する。本発明の典型的な実施形態の一によれば、光子装着は基板
材上に取付られ、柔軟性の密閉封止内に封止される。一形態において光子装着は
基板材を介して発光と受光を行う。この形態では光子装着は接着剤層とその上に
付着させた金属層で覆われる。他の形態では光子装置は基板材からほぼ垂直上方
に発光あるいは受光する形状にされる。この形態ではカバーが光子装置を覆い、
このカバーを基板材に接着剤層とその上に付着させた金属層とで密閉封止する。
両形態において光子装置は別個のパッケージを用いずに基板材上に、本発明の種
々の形に従って密閉封止される。従って適宜の数の密閉封止光子装置のサブマウ
ントを本発明を用いてウェーハ上に大量生産できる。
【０００６】 （発明を実施するための最良の形態） 本発明の主題事項は本明細書の結論部において端的に明瞭に請求される。しか
しながら本発明はその構成と動作方法の双方について添付の請求範囲と図面とを
共に参照して下記の説明を読めば充分に理解されよう。図中、同一の構成部材は
同一の符号で説明する。
【０００７】 本発明の主題事項はＶＣＳＥＬや光検知器等の光子装置に用いて特に適切であ
る。結果として、本発明の代表的実施態様はその文脈で記載される。しかしなが
らここでの記載が本発明の使用または応用の限定を企図するものではなく、典型
的実施の充分かつ完全の説明を可能とするためのものである。
【０００８】 本発明の各種の形態による柔軟性密閉封止方式はガラス、シリコン、セラミッ
ク、プラスチック、印刷回路板等の基板材上への光子装置の密閉封止を適切に供
給する。簡潔化のために以下の記載と関連図面の符号は本発明の各種の形に従う
単独の光子装置サブマウントの封止を示す。しかしながら下記に詳述するように
、本発明方式は大量生産のために所望の数の光子装置サブマウントをウエーハ上
に封止するために用い得る。
【０００９】 図１ないし図３を参照すれば本発明の各種の形に従って、光子装置サブマウント
１００は望ましくは適切に基板材１０２に取付けられて適切に密閉封止１０８内
に封止した光子装置１０１を含む。典型的実施例では、光子装置１０１はその発
光子（図示しない）または受光子（図示しない）を下に向け、光を基板材（１０
２）を介して発するか受けるように取付けることが望ましい。従って本実施形態
では基板材１０２はガラス、プラスチック等の光透過性材料で形成することが望
ましい。
【００１０】 図３については光抵抗層３０２が基板材１０２の裏側に、光学ファイバを付着
する整列孔３０４と共に適切に形成される。代わりに図４について光抵抗層３０
２は光学ファイバ列を付着する整列スロット４０２と共に形成し得る。加えて光
抵抗層３０２は単線の発光子群または受光子群をもつ光子装置１０１に用いるも
のとして示されるが、光抵抗層３０２は適宜の数の線または列の発光子群または
受光子群を有する光子装置１０１に用いるように複数列の整列孔３０４または整
列スロット４０２と共に形成し得る。
【００１１】 本発明の各種の形態による光抵抗層３０２は整列孔３０４または整列スロット
４０２との光子ファイバの受動的整合を促進する。従って光子装置１０１は光子
ファイバを光子装置１０１の発光子または受光子と整合させるために能動化する
必要がない。反対に能動的整合では光子装置１０１は光学ファイバに送るあるい
は光学ファイバから受ける信号の価を決めるために能動化されねばならない。従
って光学ファイバの受動的整合は低コスト、短時間消費と、能動的整合よりも量
産方式に資する点で有利である。
【００１２】 図１と図２について光学装置１０１を基板材１０２の上面側に取付るに先立っ
て結合パッド１１２が適宜方法を用いて基板材１０２上に適切に形成される。加
えて信号線１０４も適宜方法を用いて基板材１０２上に適切に形成される。本実
施形態では、金、銀、銅、チタン、クロム等の導電材料が結合パッド１１２と信
号線１０４の形成のために付着される。
【００１３】 下記に詳述するように光子装置１０１は信号線１０４を介して他の構成要素、
他の通信装置等と連絡される。従って通信線１０４の数と形は特定の応用に応じ
て変化されることが理解されよう。例えば光子装置１０１を１個の発光子または
受光子と共に形成する場合、１本または２本のみの信号線１０４で光子装置１０
１を他の構成要素、通信装置等と接続すればよい。加えて本実施形態では信号線
１０４は基板材１０２の一方の側のみから延びるように示されるが、信号線１０
４は何本でも基板材１０２の何面側からでも延ばし得ることが認められよう。
【００１４】 信号線１０４の形成後、誘電層１０６が光子装置１０１を取付る領域近辺と信
号線１０４上とに形成される。特に図２について誘電層１０６は信号線１０４を
柔軟性密閉封止１０８から電気的に絶縁する。従って誘電層１０６は便宜な方法
でいずれかの適切な不導電材で形成し得る。本実施形態ではガラスの付加層が誘
電層１０６の適切な形成のために基板材１０２上に付着される。図１では誘電層
１０６は光子装置１０１を取り巻いて示されるが、誘電層１０６は光子装置１０
１を取り巻かずに信号線１０４を覆うように形成できる。従って誘電層１０６の
形状は特定の応用に応じて変化し得る。
【００１５】 下記に詳述するように柔軟性密閉封止１０８は接着剤層上に金属の複数層を付
着させて、本発明の各種の形に従って形成される。従って除去可能な「離昇」層
１１０が付着材料から開放されて残る領域に適切に形成される。柔軟性密閉封止
１０８の形成後、除去可能な離昇層１１０を剥がして保護領域を露出する。例え
ば本実施形態では除去可能離昇層１１０は誘電層１０６を越えて延びる信号線１
０４の一部上に適切に形成される。柔軟性密閉封止１０８の形成後、除去可能離
昇層１１０を剥がし、信号線１０４の露出部分を他の構成要素あるいは通信装置
等との接続用に用いる。他の方法として除去可能離昇層１１０は基板材１０２と
誘電層１０６の全面に形成し、次いで柔軟性密閉封止１０８で覆うべき領域を便
宜の方法でエッチング除去しても良い。本実施形態では除去可能離昇層１１０は
フォトレジスト、テープ等を含む。
【００１６】 これまでに述べた処理工程は平面処理として行える。即ち上述の処理工程はウ
ェーハのような大きい基板領域上に形成した光子装置サブマウントの何個に対し
てでも施工し得る。従って図７において複数の光子装置サブマウント７０２がウ
ェーハ７００上に行と列で形成される。ウェーハ７００の底部と上部の処理の順
序は本発明の精神と範囲から逸脱することなく変更し得ることは理解されよう。
従ってウェーハ７００の上部を光子装置サブマウント７０２の適切な形成のため
に処理し、次いでウェーハ７００の底部を処理して光子装置サブマウント７０２
の各々について整合孔３０４または整合スロット４０２を適切に形成し得る（図
３および図４）。
【００１７】 図２に戻って便宜の方法により光子装置１０１が結合パッド１１２上に適切に
取り付けれらる。本実施形態では光子装置１０１は望ましくはクリップチップ法
で結合パッド１１２に結合される。図３と図４をも参照すれば、光子装置１０１
の発光子あるいは受光子が基板材１０２の底面に形成した整合孔３０４あるいは
整合スロット４０２と適切に整合される。
【００１８】 光子装置１０１が基板材１０２上に取り付けられた後、密閉封止１０８が光子
装置１０１を封止するため適切に形成される。特に接着剤層２０２が光子装置１
０１を覆って付着される。本実施形態では接着剤層２０２は高温エポキシのよう
な光学級耐湿性接着剤である。接着剤層２０２は次いで適宜方法で硬化される。
例えば接着剤層２０２はオーブン中に置いて硬化させ得る。接着剤層２０２の硬
化に要する温度と加熱時間は使用した接着剤に大きく依存する。
【００１９】 接着剤層２０２が適切に硬化すると、金属層２０４が次いで、ｅ−ビーム付着
、温度付着、スパッタリング等の便宜の方法を用いて接着剤層２０２の上面に付
着させる。金属層２０４は接着剤層２０２に接着して光学装置１０１を密閉封止
する。本発明の各種の形によれば金属層２０４はクロム、金、銀、ニッケル、チ
ップ等のうちのいずれかの金属あるいはそれらの組み合わせを含み得る。加えて
金属層２０４はまた金属はんだも含み得る。本実施形態では望ましくは金属層２
０４はクロムである。
【００２０】 本実施形態の一形態においては金属層２０４の上面に金属層２０６が適切に付
着される。この金属層２０６は金属層２０４に適切に接着してより強く柔軟な密
閉封止を提供する。本実施形態では金属層２０６を望ましくは金とするが、金属
層２０４および２０６はいかなる応用の場合もいかなる金属ないしはそれらの組
み合わせをも含み得ることは理解されよう。加えて金属層２０６はいかなる組み
合わせの方法を用いても形成し得ることは理解されよう。例えば金属層２０６が
金であれば、比較的薄い金属を付着法によって形成し得る。一実施形態では望ま
しくは約２０００の層が付着される。金のより厚い層が次いで電気メッキ法を用
いて、初めの薄い金属の上面に厚い金の層を形成する。この付着法と電気メッキ
法の組み合わせは、特に金のような貴金属の場合、電気メッキ法の方が一般に付
着法によるよりもコストが低いため、金の厚い層の形成コストを減少する利点が
ある。
【００２１】 図５における本実施形態の別の形態では、本発明の各種の形によるはんだ層５
０２が適宜の方法で金属層２０６の上面に適切に付着される。例えばはんだ層５
０２が金属層２０６に電気メッキされ、次いで溶融されて金属層２０６と混合す
る。金属層２０４をクロムとした本実施形態では、金属層２０６は２つの金属の
層、即ちクロムの層（金属層２０４）の上面のニッケル層と、ニッケル層の上面
の金の層を含む。従ってはんだ層５０２が溶融すると、はんだ層５０２は金属層
２０６の金の層と混合されて金属層２０６のニッケル層と結合する。このように
してコストの高い金の量を増やすことなく密閉封止１０８の寸法を増加できる。
【００２２】 図６の本実施形態の他の変更形態においては、本発明の各種の形による保護層
６０２が、金属層２０６との混合のためのはんだ層５０２の溶融後のはんだ層５
０２の上に適切に配置される。保護層６０２は望ましくはエポキシ、ポリアミド
等のような従順で柔軟な材料で、金属層２０４と２０６およびはんだ層５０２を
かき傷若しくはクラッキングに耐して保護する。この保護層６０２は、金属層２
０２と２０４のみを用いる場合（図２）には金属層２０６に適切に適用し得る。
同様に金属層２０２のみを用いる場合は保護層６０２は金属層２０２に適切にに
適用し得る。
【００２３】 上述したように図１および図２において、密閉封止１０８が適切に形成された
後、離昇層１１０が除去されて、密閉封止１０８の形成に用いた金属付着法から
保護されていた光子装置サブマウント１００の領域が露出される。特に図２のよ
うに他の構成要素あるいは装置等の接続用の信号線１０４を露出するために離昇
層１１０が除去される。加えて図３および図４のように、他の要素あるいは装置
等との接続のために光学ファイバが整列孔３０４または整列スロット４０２と整
列され接続される。
【００２４】 図８Ａについて本発明の各種の形による光子装置サブマウント１００がフェル
ール８００内に適切に形成される。特に光子装置サブマウント１００はフェルー
ル８００の一端に、信号線１０４が電線８０２を介して他の要素と適切に接続さ
れるように適切に取り付けられる。従って光学ファイバは図８に示されるように
フェルール８００内に向けられた光子装置サブマウント１００の底面側に接続さ
れる。フェルール８００にはＭＴフェルールのようないかなる便宜なフェルール
をも含め得ることが理解されよう。加えて光子装置サブマウント１００は図８で
は一列の電線８０２に接続して示されるが、光子装置サブマウント１００を接続
する電線８０２は何本でも良い。例えば図８Ｂでは光子装置サブマウント１００
は１本の電線と接続される。
【００２５】 図７について上述のように、複数の光子装置サブマウント７０２がウェーハ７
００上に形成される。これについては基板材１０２上に光子装置サブマウント１
００を取り付けし密閉封止するための上述の工程（図１および図２）がウェーハ
７００上の光子装置サブマウント７０２の個々について反復される。光子装置サ
ブマウント７０２が次いで線引きあるいはひき切り等のような便宜の方法で分離
される。このようにして密閉封止した光子装置サブマウントが適切に量産される
。
【００２６】 本発明の各種の形による柔軟な密閉封止法はこれまで、特に基板材１０２を介
して発光または受光するに適した光子装置サブマウント（図１および図２）につ
いて記載して来た。しかしながら本発明は特定の応用に応じてどのような型の光
子装置サブマウントとでも組み合わせて使用し得る。例えば後続の説明と関連図
面は光を直接光学ファイバについてではなく、レンズを介して発するあるいは受
ける自由空間光子装置サブマウントに関するものである。加えて簡潔のために以
下の記載は例えば光子装置をＶＣＳＥＬとした、光伝送用の発光子と共に形成し
た光子装置に関する。しかしながら下記の光子装置は例えば光子装置が光検出器
である場合に受光子と組み合わせたものでもり得ることは認められよう。
【００２７】 図９および図１０について本発明の各種の形によれば光子装置サブマウント９
００は望ましくは基板材９０２に適切に取り付けられ、適切に柔軟性密閉封止９
０８内に封止された光子装置９０１を含む。上述のように、この実施形態では光
子装置９０１はその発光子９１６が基板材１０２からほぼ垂直上方に向いている
。従って基板材１０２は不透明セラミックあるいはシリコン等の光不透過性の適
切な剛性材を含み得る。しかしながら、基板材１０２はまたガラスあるいは透明
プラスチック等の光透過性の材料をも含み得ることは認められよう。加えて光子
装置９０１は本発明の精神とはんいを逸脱することなく、発光子を何行でも、ま
た何列でも含み得ることは認められよう。
【００２８】 上述した先行の実施形態と同様、結合パッド９０１と信号線９０４が付着、ス
クリーン印刷等のいずれか便宜な方法で基板材９０２上に適切に形成される。本
実施形態では信号線９０４は基板材９０２側からのみ延びるものとして示される
が、信号線９０４は何本でも、基板材９０２はどの側面からでも延出させ得る。
【００２９】 再び前述の実施形態と同様に信号線９０４を基板材９０２上に形成した後で、
誘電層９０６が光子装置９０１を取り付けるべき領域近辺と信号線９０４上とに
適切に形成される。特に図１０について誘電層９０６は信号線９０４を柔軟性密
閉封止９０８から電気的に隔離する。従って誘電層９０６はいずれかの便宜な方
法でいずれかの適宜の非導通材で形成し得る。誘電層９０６は図９では光子装置
９０１を取り囲むものとして示されるが、誘電層９０６は光子装置９０１を囲ま
ずに信号線９０４を覆って形成される。従って誘電層９０６の形状は特定の応用
によって変更し得ることは理解されよう。
【００３０】 下記に更に詳述のように柔軟性密閉封止９０８は本発明の各種の形に従って接
着剤層上に金属の層を付着させて形成される。従って除去可能な離昇層９１０が
付着金属から離れて残るべき領域に適切に形成される。柔軟性密閉封止９０８を
形成した後に、除去可能な離昇層９１０を剥がして、保護領域を露出する。例え
ば本実施形態では除去可能離昇層９１０は誘電層９０６を越えて延びる信号線９
０４の一部上に適切に形成される。柔軟性密閉封止９０８を形成した後で、除去
可能離昇層９１０が剥がされ、信号線９０４の露出された部分を他の要素あるい
は通信装置等との接続に用いられる。他の方法として除去可能離昇層９１０を基
板材９０２と誘電層９０６の全面に形成し、次いで柔軟性密閉封止９０８で覆う
べき領域を便宜の方法でエッチング除去し得る。本実施形態では除去可能離昇層
９１０はフォトレジスト、テープ等を含む。
【００３１】 前述の実施形態と同様に処理工程は平板処理としてこれまでは行い得る、即ち
前述の処理工程はウェーハのような大基板面に形成した光子装置の何個にでも行
い得る。従って図１３について、複数の光子装置サブマウント１３０２がウェー
ハ１３００上に行と列で形成される。
【００３２】 再び図９および図１０について光子装置９０１はフリップチップ結合法のよう
ないずれかの便宜な方法を用いて結合パッド９１２上に適切に取り付けられる。
次いでスペーサ９１４を適切に位置させてカバー１０１０を光子装置９０１が覆
われるように支持する。加えて本発明の各種の形に従うスペーサ９１４は光子装
置９０１とカバー１０１０との間にギャップを提供する。従って光子装置９０１
とカバー１０１０の間のギャップの量はスペーサ９１４の高さの調整で調整し得
る。光子装置９０１とカバー１０１０との間の適切なギャップ量は特定する応用
に大きく依存することは認められよう。スペーサ９１４は適切ないかなる剛性材
料からでも形成でき、またカバー１０１０を支持するいかなる寸法と形状にでも
形成できる。加えてスペーサ９１４は望ましくはセラミックあるいはガラス等の
熱膨張特性の小さい、あるいは基板材９０１と類似の熱膨張特性の材料で形成す
る。
【００３３】 カバー１０１０は光子装置９０１からの発光を通過させるレンズ群１００８を
含む。従ってレンズ群１００８は光子装置９０１の各発光子９１６と整列する用
にカバー１０１０上に形成する。レンズ群１００８はディジタルレンズや文書用
レンズ等のいずれの便宜的レンズをも含む得、いかなる光透過性材料からでも形
状し得る。加えてカバー１０１０もまた光透過性材料から形状し、その場合レン
ズ１００８はカバー１０１０にエッチングで形成し得る。代わりにカバー１０１
０を光不透過性材料で形成でき、この場合各レンズ１００８はカバー１０１０内
に適切に固定される。
【００３４】 カバー１０１０とスペーサ９１４はキャップとして単一のユニットに形成し得
る。加えてピンやリング等のような位置決めガイド（図示せず）誘電層９０６上
に配置してスペーサ９１４の誘電層９０６上の位置決めを助ける。代わりに図１
４において、光子装置サブマウント１４００は凹部１４１４を有する基板１４０
２と共に構成し得る。従ってスペーサを使用せずに平坦なカバー１４１０が光子
装置１４０１を覆う密閉封止１４０８と共に封止し得る。
【００３５】 また図９および図１０において、カバー１０１０が光子装置９０１を覆って配
置された後、カバー１０１０は適切に離昇層で覆ってこれを保護し、次いで柔軟
性密閉封止９０８を適切に形成して光子装置９０１を封止すると共にカバー１０
１０を光子装置９０１上の位置に保持する。特に接着剤層１００２をスペーサ９
１４に近接し且つカバー１０１０の縁に付着させる。接着剤層１００２は硬化さ
れるまでは柔軟性を保つから、カバー１０１０は各レンズ１００８が光子装置９
０１上の各発光子９１６と整合することを確実にするよう調整し得る。本実施形
態では接着剤層１００２が高温エポキシのような光学級の耐湿性接着剤である。
接着剤層１００２は次いでいずれか便宜の方法を持て硬化される。例えば接着剤
層１００２はオーブン内に置いてこれを硬化し得る。接着剤層１００２の硬化に
要するオーブン温度と加熱時間は使用した接着剤に大きく依存する。
【００３６】 接着剤層１００２が硬化した後、金属層１００４が次いで接着剤層１００２上
面にｅ−ビーム付着、温度付着、スパッタリング等のうちのいずれか便宜の方法
を用いて付着される。この金属層１００４は金属層１００２に接着して光学装置
９０１を密閉封止する。金属層１００４はクロム、金、ニッケル、銀、チタン等
のいずれかの金属またはそれらの組み合わせを含み得る。加えて金属層１００４
はまた金属はんだを含み得る。本実施形態では金属層１００４は望ましくはクロ
ムとする。
【００３７】 本実施形態の一では金属層１００６が、次いで金属層１００４上面に適切に付
着される。金属層１００６はｅ−ビーム付着、温度付着、スパッタリング等のい
ずれか便宜の方法を用いて付着し得る。金属層１００６は適切に金属層１００４
に接着してより強く柔軟な密閉封止を提供する。本実施形態では金属層１００６
は金とすることが望ましいが、各金属層１００４と１００６は特定の応用のため
のいずれかの金属、または金属の組み合わせとし得る。加えて金属層１００６は
いずれかの方法の組み合わせを用いて形成し得る。例えば金属層１００６を金と
する時は金の比較的薄い層を付着法で形成し得る。一実施形態では約２０００の
層が望ましくは付着される。更に厚い金の層を次いで電気メッキ法で形成して初
めに形成した金の薄い層の上面に金の更に厚い層を形成する。この付着法と電気
メッキ法の組み合わせは、特に金のような貴金属については電気メッキ法の方が
付着法よりも一般に安価であるため、金の厚い層の形成のコストを下げる点で有
利である。
【００３８】 図１１について本実施形態の他の形態でははんだ層１１０２がいずれかの便宜
な方法で金属層１００６の上面に適切に付着される。例えばはんだ層１１０２は
金属層１００６に対して電気メッキされ、次いで溶融されて金属層１００６と混
合される。金属層１００４をクロムとした本実施形態では金属層１００６は金属
の２つの層、即ちクロム層（金属層１００４）の上面のニッケル層とこのニッケ
ル層の上面の金の層とを含む。はんだ層１１０２が溶融されると、はんだ層１１
０２は金属層１００６内の金の層と混合し、金属層１００６内のニッケルの層と
結合する。このようにして密閉封止９０８の寸法は高価となる金の追加分なしで
増加する。
【００３９】 図１２について本実施形態の他のものでは保護層１２０２がはんだ層１００２
の溶融後のはんだ層１１０２上に適切に配置され、金属層１００６と混合される
。この保護層１２０２はエポキシあるいはポリアミド等の従順で柔軟な材料でな
り、すり傷あるいは温度変化によるクラッキングに対して金属層１００４および
１００６とはんだ層１１０２を保護する。保護層１２０２は、金属層１００２お
よび１００４のみが使用される時（図１０）は金属層１００６に対して適用し得
ることが認められよう。同様に保護層１２０２は金属層１００２のみが使用され
る時は金属層１００２に適用し得る。
【００４０】 上述したように図９および図１０について密閉封止９０８が適切に形成された
後、離昇層９１０が除去されて、密閉封止９０８の形成に用いた金属付着法から
保護されていた光子装置サブマウント９００の領域が露出される。特に図１０に
おいて離昇層９１０が除去されて信号線９０４が他の構成要素あるいは他の装置
等との接続のために露出される。加えてカバー１０１０上面にある離昇層も除去
される。
【００４１】 図１３について上述のように複数の光子装置サブマウント１３０２がウェーハ
１３００上に形成され得る。これについては基板材９０２上に光子装置９０１を
取付て密閉封止する上述の工程（図９および１０）がウェーハ１３００上の光子
装置サブマウント１３０２の各々に対して反復される。光子装置サブマウント１
３０２は次いで線引きあるいはひき切り等の便宜の方法で分離される。このよう
にして密閉封止した光子装置サブマウントが適切に量産され得る。
【００４２】 本発明を添付の図面に示す実施形態に関連して説明したが、各種の変更が本発
明の精神と範囲を逸脱することなく可能である。従って本発明は図面と条規の記
載に示される特定の形式に限定されるものと解釈されるべきではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は本発明の種々の形に従って密閉封止した光子装置サブマウントの平面図
である。
【図２】 図２は図１に示す光子装置サブマウントの側面図である。
【図３】 図３は図１に示す光子装置サブマウントの底面図である。
【図４】 図４は図１に示す光子装置サブマウントの他の形態の底面図である。
【図５】 図５は図１に示す光子装置サブマウントの他の形態の側面図である。
【図６】 図６は図１に示す光子装置サブマウントの他の形態の側面図である。
【図７】 図７は本発明の各種の形に従ってウエーハ上に形成した複数の光子装置の上面
図である。
【図８】 図８Ａと図８Ｂは本発明の各種の形に従ってフェルール内に取付けた光子装置
サブマウントの斜視図である。
【図９】 図９は本発明の各種の形に従って柔軟に且つ密閉して封止した他の光子装置サ
ブマウントの上面図である。
【図１０】 図１０は図９に示す光子装置サブマウントの側面図である。
【図１１】 図１１は図９に示す光子装置の他の形態の側面図である。
【図１２】 図１２は図９に示す光子装置のサブマウントの更に他の形態の側面図である。
【図１３】 図１３は本発明の各種の形に従ってウエーハ上に形成した複数の光子装置サブ
マウントの上面図である。
【図１４】 図１４は本発明の各種の形に従って密閉封止した光子装置サブマウントの側面
図である。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 上面を有する基板材と、基板材上面に取付た光子装置と、基
    板材上面の光子装置を密閉封止する密閉封止部とを備える密閉封止付き光子装置
    サブマウント。
  2. 【請求項２】 基板材は光透過性であり、光子装置は基板材を介して発光ま
    たは受光の構成として請求項１の密閉封止光子装置サブマウント。
  3. 【請求項３】 光子装置は基板材から実質的に垂直上方に発光または受光す
    る構成とした請求項１の密閉封止光子装置サブマウント。
  4. 【請求項４】 密閉封止は接着剤層とこの接着剤層上に配置した第１の金属
    層とでなる請求項１の密閉封止光子装置サブマウント。
  5. 【請求項５】 基板材の上面に配置した複数の信号線と、複数の信号線およ
    び密閉封止の間に配置した誘電層とを更に備える請求項１の密閉封止光子装置サ
    ブマウント。
  6. 【請求項６】 上面を有する基板材と、基板材の上面に取付た光子装置と、
    光子装置を覆って配置したカバーであって光子装置はこのカバーを介して発光ま
    たは受光する構成としたものと、カバーを基板材に対して密閉封止する密閉封止
    とを備える密閉封止光子装置サブマウント。
  7. 【請求項７】 光子装置を基板材の上面に取付ける工程と、密閉封止によっ
    て光子装置を基板材上面に封止する工程とを備える光子装置を基板材上に密閉封
    止する方法。
  8. 【請求項８】 基板材の上面に信号線を形成する工程と、基板材上面に形成
    した信号線を覆う誘電層を形成する工程と、封止工程から保護すべき基板材と誘
    電層を覆う離昇層を付着させる工程とを更に備え、前記の信号線形成、誘電層形
    成および離昇層形成の各工程は基板材上面に光子装置を取付ける工程に先立って
    行われる請求項７の光子装置を基板材上に密閉封止する方法。
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