JPH08241900A - フリップチップ実装体の樹脂封止方法 - Google Patents
フリップチップ実装体の樹脂封止方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 フリップチップ実装体の樹脂封止方法に関
し、半導体素子と基板との間隙の樹脂封止を短時間に行
なう。 【構成】 半導体素子１と基板３とを接続したフリップ
チップ実装体４の一側部に、封止樹脂６を塗布し、これ
を密閉した容器８のホットプレート７上に配置する。ホ
ットプレート７を加熱するとともに、容器８の空気をロ
ータリーポンプ９により外部に排出する。粘度の低下し
た封止樹脂６は、圧力差による空気の流れを利用するこ
とによって、急速に間隙を充たす。
し、半導体素子と基板との間隙の樹脂封止を短時間に行
なう。 【構成】 半導体素子１と基板３とを接続したフリップ
チップ実装体４の一側部に、封止樹脂６を塗布し、これ
を密閉した容器８のホットプレート７上に配置する。ホ
ットプレート７を加熱するとともに、容器８の空気をロ
ータリーポンプ９により外部に排出する。粘度の低下し
た封止樹脂６は、圧力差による空気の流れを利用するこ
とによって、急速に間隙を充たす。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子を基板上に
フリップチップ実装した後に、その半導体素子と基板と
の間を樹脂で封止する、フリップチップ実装体の樹脂封
止方法に関するものである。
フリップチップ実装した後に、その半導体素子と基板と
の間を樹脂で封止する、フリップチップ実装体の樹脂封
止方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体実装技術は高密度化の方向
に進んでおり、実装面積の低減や半導体素子の電極の増
加に対応するためには、フリップチップ実装（ベアチッ
プのフェースダウン実装）が最も有利であると言われて
いる。
に進んでおり、実装面積の低減や半導体素子の電極の増
加に対応するためには、フリップチップ実装（ベアチッ
プのフェースダウン実装）が最も有利であると言われて
いる。
【０００３】フリップチップ実装においては、半導体素
子と基板とを接合した後、両者の約数十μｍの隙間に封
止樹脂を充填することが一般に行なわれている。この理
由は、例えばアイエムシー・１９９２・プロシーディン
グス・横浜，１９９２年６月３〜５日，１４４〜１４９
頁（ＩＭＣ １９９２ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ Ｙｏ
ｋｏｈａｍａ）で報告されているように、熱衝撃などに
より半導体素子と基板との熱膨張係数の差から生じる応
力が、半導体素子上の突起電極に集中するのを防ぎ、封
止樹脂全体に応力を分散させるためである。樹脂封止し
ないフリップチップ実装体に比べ、接続信頼性が飛躍的
に向上することが知られており、現在のフリップチップ
実装技術に欠かせない工程である。
子と基板とを接合した後、両者の約数十μｍの隙間に封
止樹脂を充填することが一般に行なわれている。この理
由は、例えばアイエムシー・１９９２・プロシーディン
グス・横浜，１９９２年６月３〜５日，１４４〜１４９
頁（ＩＭＣ １９９２ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ Ｙｏ
ｋｏｈａｍａ）で報告されているように、熱衝撃などに
より半導体素子と基板との熱膨張係数の差から生じる応
力が、半導体素子上の突起電極に集中するのを防ぎ、封
止樹脂全体に応力を分散させるためである。樹脂封止し
ないフリップチップ実装体に比べ、接続信頼性が飛躍的
に向上することが知られており、現在のフリップチップ
実装技術に欠かせない工程である。
【０００４】そこで従来の樹脂封止の方法について図２
を用いて説明する。まず図２（ａ）に示されるように、
半導体素子１上に、例えば特開平４−２６３４３３号公
報等に示される方法で、突起電極としての半田バンプ２
を形成する。半導体素子１をフェースダウンにより基板
３に位置合わせして配置する。その後リフロー処理など
の熱処理を施すことで、半田バンプ２を溶融させて、半
導体素子１と基板３と接合し、フリップチップ実装体４
を完成する。
を用いて説明する。まず図２（ａ）に示されるように、
半導体素子１上に、例えば特開平４−２６３４３３号公
報等に示される方法で、突起電極としての半田バンプ２
を形成する。半導体素子１をフェースダウンにより基板
３に位置合わせして配置する。その後リフロー処理など
の熱処理を施すことで、半田バンプ２を溶融させて、半
導体素子１と基板３と接合し、フリップチップ実装体４
を完成する。
【０００５】次に洗浄後、図２（ｂ）に示されるよう
に、水平面よりある角度を持たせたホットプレート７上
に、フリップチップ実装体４を配置し、その片隅にディ
スペンサー５により封止樹脂６を塗布する。
に、水平面よりある角度を持たせたホットプレート７上
に、フリップチップ実装体４を配置し、その片隅にディ
スペンサー５により封止樹脂６を塗布する。
【０００６】ホットプレート７を加熱することにより、
粘度の低下した封止樹脂６は、自重と毛細管現象によ
り、図２（ｃ）に示すように、半導体素子１と基板３と
の隙間を満たす。その後約１５０℃で封止樹脂６を硬化
させると樹脂封止が完了する（図２−（ｄ））。
粘度の低下した封止樹脂６は、自重と毛細管現象によ
り、図２（ｃ）に示すように、半導体素子１と基板３と
の隙間を満たす。その後約１５０℃で封止樹脂６を硬化
させると樹脂封止が完了する（図２−（ｄ））。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の方法では以下のような問題点がある。すなわち、樹脂
が少しでも速く充填されるように、ホットプレートに角
度を持たせているのだがそれでも侵入速度が遅く、例え
ば１２ｍｍ×１２ｍｍの大きさを持つ半導体素子で、半
導体素子と基板との隙間が６０μｍのフリップチップ実
装体では、樹脂が間隙を充たすまでに約１５分を要して
しまう。
の方法では以下のような問題点がある。すなわち、樹脂
が少しでも速く充填されるように、ホットプレートに角
度を持たせているのだがそれでも侵入速度が遅く、例え
ば１２ｍｍ×１２ｍｍの大きさを持つ半導体素子で、半
導体素子と基板との隙間が６０μｍのフリップチップ実
装体では、樹脂が間隙を充たすまでに約１５分を要して
しまう。
【０００８】また、毛細管現象による封止樹脂の侵入速
度は、半導体素子と基板との隙間の大きさに依存するた
め、隙間の大きさの違うフリップチップ実装体では、封
止完了までの時間が異なり、製造工程上非常に扱いにく
い。
度は、半導体素子と基板との隙間の大きさに依存するた
め、隙間の大きさの違うフリップチップ実装体では、封
止完了までの時間が異なり、製造工程上非常に扱いにく
い。
【０００９】加えて、毛細管現象という非常に微小な力
を利用して、半導体素子と基板との間を充填するため、
充填完了後でも、半導体素子と基板との隙間にボイド
（気泡）が残りやすく、このボイドにより半導体素子と
基板間の接続の信頼性が低下してしまうこともある。
を利用して、半導体素子と基板との間を充填するため、
充填完了後でも、半導体素子と基板との隙間にボイド
（気泡）が残りやすく、このボイドにより半導体素子と
基板間の接続の信頼性が低下してしまうこともある。
【００１０】本発明は、樹脂封止に要する時間を短縮し
て、その時間のばらつきも低減するとともに、気泡に起
因する不良もなくすることを目的とするものである。
て、その時間のばらつきも低減するとともに、気泡に起
因する不良もなくすることを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のフリップチップ実装体の樹脂封止方法は、
フリップチップ実装体の一側部に封止樹脂を塗布し、こ
れを密閉した容器内に配置する。そして容器中の封止樹
脂を加熱するとともに、容器内の圧力を減圧する。この
時に生じる空気の流れを利用することにより、封止樹脂
の侵入速度を速めようとするものである。
に、本発明のフリップチップ実装体の樹脂封止方法は、
フリップチップ実装体の一側部に封止樹脂を塗布し、こ
れを密閉した容器内に配置する。そして容器中の封止樹
脂を加熱するとともに、容器内の圧力を減圧する。この
時に生じる空気の流れを利用することにより、封止樹脂
の侵入速度を速めようとするものである。
【００１２】
【作用】上記方法によれば、容器内の空気を吸引して容
器外に排出するなどして、圧力を減圧すると、その圧力
差により空気の流れが生じるため、封止樹脂の侵入速度
が著しく速くなり、時間を短縮できる。
器外に排出するなどして、圧力を減圧すると、その圧力
差により空気の流れが生じるため、封止樹脂の侵入速度
が著しく速くなり、時間を短縮できる。
【００１３】このため隙間の大きさの異なるフリップチ
ップ実装体間でも、充填完了までの時間のバラツキが少
なくなり、またボイドも減圧の際に容器外に排気される
ので皆無となる。
ップ実装体間でも、充填完了までの時間のバラツキが少
なくなり、またボイドも減圧の際に容器外に排気される
ので皆無となる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明のフリップチップ実装体の樹脂
封止方法について、その実施例を図面を参照しながら具
体的に説明する。
封止方法について、その実施例を図面を参照しながら具
体的に説明する。
【００１５】図１（ａ）において、従来と同様にしてフ
リップチップ実装体４を形成したが、本実施例では特
に、半田バンプ２として６３Ｓｎ−３７Ｐｂなる組成の
ものを用い、また基板３としては低温焼成多層セラミッ
ク基板を用いた。
リップチップ実装体４を形成したが、本実施例では特
に、半田バンプ２として６３Ｓｎ−３７Ｐｂなる組成の
ものを用い、また基板３としては低温焼成多層セラミッ
ク基板を用いた。
【００１６】次に洗浄工程を経て、図１（ｂ）に示すよ
うに、基板３との間隙を塞ぐように、ディスペンサー５
を用いて封止樹脂６を半導体素子１の一辺に沿って塗布
する。本実施例では、封止樹脂６としては、熱硬化性樹
脂であるエポキシ樹脂を主成分として約４０重量％含有
し、フィラー（酸化珪素）を約６０重量％含有するもの
を用いた。またフィラー径は平均１５μｍであった。
うに、基板３との間隙を塞ぐように、ディスペンサー５
を用いて封止樹脂６を半導体素子１の一辺に沿って塗布
する。本実施例では、封止樹脂６としては、熱硬化性樹
脂であるエポキシ樹脂を主成分として約４０重量％含有
し、フィラー（酸化珪素）を約６０重量％含有するもの
を用いた。またフィラー径は平均１５μｍであった。
【００１７】次に図１（ｃ）に示すように、封止樹脂６
を塗布したフリップチップ実装体４を、密閉された容器
８内のホットプレート７上に配置する。なお、容器８に
はロータリーポンプ９とつながる排気孔を設けてある。
を塗布したフリップチップ実装体４を、密閉された容器
８内のホットプレート７上に配置する。なお、容器８に
はロータリーポンプ９とつながる排気孔を設けてある。
【００１８】この状態でホットプッレート７を約５０〜
６０℃に加熱し、ロータリーポンプ９を作動させて容器
８内の空気を外部に排気させると、加熱によって粘度の
低下した封止樹脂６は、圧力差によって生じる空気の流
れによって、数秒で半導体素子１と基板３の隙間を充填
する。そしてフリップチップ実装体４を容器８から取り
出し、１５０℃の雰囲気中で３時間放置すると、封止樹
脂６は硬化し樹脂封止が完了する（図１（ｄ））。
６０℃に加熱し、ロータリーポンプ９を作動させて容器
８内の空気を外部に排気させると、加熱によって粘度の
低下した封止樹脂６は、圧力差によって生じる空気の流
れによって、数秒で半導体素子１と基板３の隙間を充填
する。そしてフリップチップ実装体４を容器８から取り
出し、１５０℃の雰囲気中で３時間放置すると、封止樹
脂６は硬化し樹脂封止が完了する（図１（ｄ））。
【００１９】本実施例では、１２ｍｍ×１２ｍｍの大き
さの半導体素子１で、半導体素子と基板３との隙間が６
０μｍのフリップチップ実装体４を用いた場合、約０．
１ｃｃの封止樹脂を塗布し、容器８内のホットプレート
を５５℃に加熱し、１００ｌ／ｍｉｎの能力を持つロー
タリーポンプ９で排気したところ、およそ１０秒で封止
樹脂６を充填することができた。また、封止樹脂６が硬
化した後、ｘ線にてボイドの発生を調べたが皆無であっ
た。
さの半導体素子１で、半導体素子と基板３との隙間が６
０μｍのフリップチップ実装体４を用いた場合、約０．
１ｃｃの封止樹脂を塗布し、容器８内のホットプレート
を５５℃に加熱し、１００ｌ／ｍｉｎの能力を持つロー
タリーポンプ９で排気したところ、およそ１０秒で封止
樹脂６を充填することができた。また、封止樹脂６が硬
化した後、ｘ線にてボイドの発生を調べたが皆無であっ
た。
【００２０】なお、本実施例では、半田バンプ２に６３
Ｓｎ−３７Ｐｂの組成をもつ合金を用いたが、半田バン
プ材料は上記組成に限定されるものではなく、錫（Ｓ
ｎ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉ
ｎ）を主とする合金または金属単体でも良い。また、基
板３として低温焼成多層セラミック基板を用いたが、ガ
ラスエポキシ基板に代表される有機樹脂基板やフレキシ
ブルプリント基板にも応用できることは言うまでもな
い。
Ｓｎ−３７Ｐｂの組成をもつ合金を用いたが、半田バン
プ材料は上記組成に限定されるものではなく、錫（Ｓ
ｎ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉ
ｎ）を主とする合金または金属単体でも良い。また、基
板３として低温焼成多層セラミック基板を用いたが、ガ
ラスエポキシ基板に代表される有機樹脂基板やフレキシ
ブルプリント基板にも応用できることは言うまでもな
い。
【００２１】また、本実施例では、容器８内に１つのフ
リップチップ実装体しか配置しなかったが、容器の大き
さに応じて複数個のフリップチップ実装体を配置すれ
ば、効率的な作業が行える。
リップチップ実装体しか配置しなかったが、容器の大き
さに応じて複数個のフリップチップ実装体を配置すれ
ば、効率的な作業が行える。
【００２２】さらに、本実施例では容器８内にホットプ
レート７を設け、ホットプレート７上に配置したフリッ
プチップ実装体４を加熱することにより、封止樹脂６を
加熱していたが、容器８内にヒーターなどの発熱体を設
け、容器８内全体を加熱するようにしても良い。
レート７を設け、ホットプレート７上に配置したフリッ
プチップ実装体４を加熱することにより、封止樹脂６を
加熱していたが、容器８内にヒーターなどの発熱体を設
け、容器８内全体を加熱するようにしても良い。
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、短時間で
ボイドのない樹脂封止が可能となり、効率的な作業が行
えるとともに、信頼性の高いフリップチップ実装体を提
供することができる。
ボイドのない樹脂封止が可能となり、効率的な作業が行
えるとともに、信頼性の高いフリップチップ実装体を提
供することができる。
【図１】本発明のフリップチップ実装体の樹脂封止方法
の一実施例における各工程の断面図
の一実施例における各工程の断面図
【図２】従来のフリップチップ実装体の樹脂封止方法に
おける各工程を示す断面図
おける各工程を示す断面図
１ 半導体素子 ２ 半田バンプ ３ 基板 ４ フリップチップ実装体 ５ ディスペンサー ６ 封止樹脂 ７ ホットプレート ８ 容器 ９ ロータリーポンプ
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子を基板に接合したフリップチッ
プ実装体の一側部に樹脂を塗布し、これを密閉した容器
内に配置して、前記樹脂を加熱するとともに、前記容器
内の圧力を減圧することにより、前記半導体素子と基板
との間隙に、前記樹脂を封入することを特徴とするフリ
ップチップ実装体の樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7042888A JPH08241900A (ja) | 1995-03-02 | 1995-03-02 | フリップチップ実装体の樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7042888A JPH08241900A (ja) | 1995-03-02 | 1995-03-02 | フリップチップ実装体の樹脂封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08241900A true JPH08241900A (ja) | 1996-09-17 |
Family
ID=12648580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7042888A Pending JPH08241900A (ja) | 1995-03-02 | 1995-03-02 | フリップチップ実装体の樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08241900A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6792178B1 (en) | 2000-01-12 | 2004-09-14 | Finisar Corporation | Fiber optic header with integrated power monitor |
| US6932522B2 (en) | 1998-12-30 | 2005-08-23 | Finisar Corporation | Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices |
| US7022554B2 (en) | 2002-11-14 | 2006-04-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for fabricating circuit module |
| JP2007180361A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Toyota Motor Corp | 半導体装置の検査方法および半導体装置 |
| US7919359B2 (en) | 2006-10-18 | 2011-04-05 | Panasonic Corporation | Semiconductor mounting substrate and method for manufacturing the same |
-
1995
- 1995-03-02 JP JP7042888A patent/JPH08241900A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6932522B2 (en) | 1998-12-30 | 2005-08-23 | Finisar Corporation | Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices |
| US6792178B1 (en) | 2000-01-12 | 2004-09-14 | Finisar Corporation | Fiber optic header with integrated power monitor |
| US7022554B2 (en) | 2002-11-14 | 2006-04-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for fabricating circuit module |
| JP2007180361A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Toyota Motor Corp | 半導体装置の検査方法および半導体装置 |
| US7919359B2 (en) | 2006-10-18 | 2011-04-05 | Panasonic Corporation | Semiconductor mounting substrate and method for manufacturing the same |
| US8217515B2 (en) | 2006-10-18 | 2012-07-10 | Panasonic Corporation | Semiconductor mounting substrate and method for manufacturing the same |
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