JPS60180183A - 光半導体素子気密パツケ−ジ - Google Patents
光半導体素子気密パツケ−ジInfo
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- JPS60180183A JPS60180183A JP59034393A JP3439384A JPS60180183A JP S60180183 A JPS60180183 A JP S60180183A JP 59034393 A JP59034393 A JP 59034393A JP 3439384 A JP3439384 A JP 3439384A JP S60180183 A JPS60180183 A JP S60180183A
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- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、小型で簡易構造であり、しかも組立て作業性
および長期安定性に優れた光半導体素子気密パッケージ
に関するものである０ 〔従来技術〕 第１図および第２図に従来の光半導体素子気密パッケー
ジの代表例を示す。これら実施例はレーザダイオード（
以下ＬＤと略す）チップを収納する気密パッケージの例
である。第１図はピグテイルファイバ（片端に光コネク
タ３−３が設けられた被覆光ファイバ）を付与したタイ
プでオシ、第２図はパッケージに直接光コネクタレセプ
タクルを付与したタイプである。
および長期安定性に優れた光半導体素子気密パッケージ
に関するものである０ 〔従来技術〕 第１図および第２図に従来の光半導体素子気密パッケー
ジの代表例を示す。これら実施例はレーザダイオード（
以下ＬＤと略す）チップを収納する気密パッケージの例
である。第１図はピグテイルファイバ（片端に光コネク
タ３−３が設けられた被覆光ファイバ）を付与したタイ
プでオシ、第２図はパッケージに直接光コネクタレセプ
タクルを付与したタイプである。
第１図のパッケージにおいては、ＬＤチップ１は放熱基
板２に搭載されてお夛、この放熱基板２拡ステム８へ接
合されている０金属ケース←ヤツス５はその円周縁部５
″がステム８の円周縁部へ接合されている。被覆付き光
ファイバ３はその被接部３−１および裸ファイバ部３−
２ともにスリーブ４に形成されている細孔に高分子接着
剤６を用いて固定されている。このスリーブ４はＬＤチ
ップ１と対向して配置され、ＬＤ出力光が効率良く光フ
ァイバ３−２に導入されるように微調整された後、金属
ケース５の開孔部分５に高分子接着剤またはＰｂ−８ｎ
系はんだ材７を用いて接着固定される。
板２に搭載されてお夛、この放熱基板２拡ステム８へ接
合されている０金属ケース←ヤツス５はその円周縁部５
″がステム８の円周縁部へ接合されている。被覆付き光
ファイバ３はその被接部３−１および裸ファイバ部３−
２ともにスリーブ４に形成されている細孔に高分子接着
剤６を用いて固定されている。このスリーブ４はＬＤチ
ップ１と対向して配置され、ＬＤ出力光が効率良く光フ
ァイバ３−２に導入されるように微調整された後、金属
ケース５の開孔部分５に高分子接着剤またはＰｂ−８ｎ
系はんだ材７を用いて接着固定される。
９はＬＤチップ１への電気接続を行う導線、１０はパッ
ケージ外部への電気端子である。３−３は光ファイバ３
の光コネクタである。
ケージ外部への電気端子である。３−３は光ファイバ３
の光コネクタである。
つぎに、第２図のパッケージにおいては、セルフォック
円柱レンズ１１がケース１２に高分子扱高分子接着剤１
５を用いて接合されることによシステム１４上の放熱基
板１６に取シつけたＬＤチップ１７の気密封止を行って
いる。なお、ケース１２にはレセプタクル１８を固着し
ておき、このレセプタクル１８に図示せざる光フアイバ
コネクタを取シ付けることによって、このコネクタに接
続した光ファイバへＬＤ出射光を導入させる。１９は割
シスリーブ、２０はＬＤチップ１７への電気接続を行う
導線、２１はパッケージ外部への電気端子である。
円柱レンズ１１がケース１２に高分子扱高分子接着剤１
５を用いて接合されることによシステム１４上の放熱基
板１６に取シつけたＬＤチップ１７の気密封止を行って
いる。なお、ケース１２にはレセプタクル１８を固着し
ておき、このレセプタクル１８に図示せざる光フアイバ
コネクタを取シ付けることによって、このコネクタに接
続した光ファイバへＬＤ出射光を導入させる。１９は割
シスリーブ、２０はＬＤチップ１７への電気接続を行う
導線、２１はパッケージ外部への電気端子である。
これら従来の気密パッケージは以下のような欠点を有す
る。
る。
まず、ＬＤ出射光の取出し法としてピグテイルファイバ
または光コネクタレセプタクルが用いられておシ、これ
がため、パッケージの小型化および組立て作業性の向上
を図ることが困難であるとともに、パッケージの実装条
件に制約を受けることに々る。すなわち、かかるパッケ
ージと他の光部品とを相互接続するにあたり、コネクタ
付光フ。
または光コネクタレセプタクルが用いられておシ、これ
がため、パッケージの小型化および組立て作業性の向上
を図ることが困難であるとともに、パッケージの実装条
件に制約を受けることに々る。すなわち、かかるパッケ
ージと他の光部品とを相互接続するにあたり、コネクタ
付光フ。
アイバを用いる必要がア如、実装スペースの縮小を図る
ことが困難である０ 造 つぎに構放上の欠点に付き言及する０第１図お１よび第
２図に示したパッケージにおいては、光ファイバ３やセ
ルフォックレンズ１１は高分子接着剤６や１３を用いて
スリーブ４またはケース１２に固定されておシ、かつこ
れら接着固定部分が気密封止を担っている０まだ、光フ
ァイバ３やセル（５） フォックレンズ１１を接着固定したケース５または１２
はＰｂ−８ｎ系はんだ材または高分子接着剤を用いてス
テム８または１４に接合されている。
ことが困難である０ 造 つぎに構放上の欠点に付き言及する０第１図お１よび第
２図に示したパッケージにおいては、光ファイバ３やセ
ルフォックレンズ１１は高分子接着剤６や１３を用いて
スリーブ４またはケース１２に固定されておシ、かつこ
れら接着固定部分が気密封止を担っている０まだ、光フ
ァイバ３やセル（５） フォックレンズ１１を接着固定したケース５または１２
はＰｂ−８ｎ系はんだ材または高分子接着剤を用いてス
テム８または１４に接合されている。
これらの光ファイバ３およびセルフォックレンズ１１の
固定法に起因する欠点はつぎの通シである０すなわち、
高分子接着剤を使用する場合には、接着剤の硬化に長時
間を有し、組立て作業性に劣るとともに高分子接着剤の
熱膨張係数が数１０ＸＩＯ−’（１／Ｕ）であシ、光フ
ァイバの熱膨張係数（さ０．５Ｘ１０ ” （１／℃）
）との差が大きくパッケージの温度特性を劣化させ易い
。しかもまた、Ｐｂ−８ｎ系はんだ材の使用は、はんだ
材のクリープ現象によりＬＤチップと光ファイバとの間
の光軸整合状態を長期にわたって保証することが困難と
なる。
固定法に起因する欠点はつぎの通シである０すなわち、
高分子接着剤を使用する場合には、接着剤の硬化に長時
間を有し、組立て作業性に劣るとともに高分子接着剤の
熱膨張係数が数１０ＸＩＯ−’（１／Ｕ）であシ、光フ
ァイバの熱膨張係数（さ０．５Ｘ１０ ” （１／℃）
）との差が大きくパッケージの温度特性を劣化させ易い
。しかもまた、Ｐｂ−８ｎ系はんだ材の使用は、はんだ
材のクリープ現象によりＬＤチップと光ファイバとの間
の光軸整合状態を長期にわたって保証することが困難と
なる。
そこで、本発明の目的は、上述した欠点を解決し１１組
立て作業性および長期安定性ならびに温度特性の著しく
向上した光半導体素子気密パッケージを提供することに
ある。
立て作業性および長期安定性ならびに温度特性の著しく
向上した光半導体素子気密パッケージを提供することに
ある。
（６）
本発明は、金属コート光フアイバ片をセラミツ導体素子
の気密封止を行う。
の気密封止を行う。
すなわち、本発明は、光半導体素子および該光半導体素
子と光学的に結合される光ファイバを収納する気密パッ
ケージにおいて、内側にキャビティ部を有するセラミッ
ク容器と、 該セラミック容器内に配置され、前記光半導体素子を載
置した基板と、 前記光半導体素子に接続される複数個の電気端子と、 前記光半導体素子に結合される少なくとも１本の金属コ
ート光フアイバ片と、 前記セラミック容器の上に配置されるシールリング部材
と、 峡シールリング部材を覆う蓋とを具え、前記電気端子お
よび前記金属コート光フアイバ片の各々の一端が前記セ
ラミック容器のキャビティ部分内に位置するように、前
記セラミック容器の外周縁部と前記シールリング部材と
を低融点ガラス材を用いて固着し、前記光半導体素子を
載置した前記基板を前記セラミック容器のキャビティ部
に形成されているメタライズ部分に接合し、前記蓋の周
辺部分を前記シールリング部材に接合して前記光半導体
素子を気密封止するように構成したことを特徴とする０ 〔実施例〕 以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
子と光学的に結合される光ファイバを収納する気密パッ
ケージにおいて、内側にキャビティ部を有するセラミッ
ク容器と、 該セラミック容器内に配置され、前記光半導体素子を載
置した基板と、 前記光半導体素子に接続される複数個の電気端子と、 前記光半導体素子に結合される少なくとも１本の金属コ
ート光フアイバ片と、 前記セラミック容器の上に配置されるシールリング部材
と、 峡シールリング部材を覆う蓋とを具え、前記電気端子お
よび前記金属コート光フアイバ片の各々の一端が前記セ
ラミック容器のキャビティ部分内に位置するように、前
記セラミック容器の外周縁部と前記シールリング部材と
を低融点ガラス材を用いて固着し、前記光半導体素子を
載置した前記基板を前記セラミック容器のキャビティ部
に形成されているメタライズ部分に接合し、前記蓋の周
辺部分を前記シールリング部材に接合して前記光半導体
素子を気密封止するように構成したことを特徴とする０ 〔実施例〕 以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第３図（５）および０３）は、本発明の一実施例として
、レーザダイオードチップを収納する気密パッケージの
構造の斜視図および断面図をそれぞれ示す。
、レーザダイオードチップを収納する気密パッケージの
構造の斜視図および断面図をそれぞれ示す。
かかるパッケージは、レーザダイオードチップ３１、こ
のレーザダイオードチップ３１を載置した基板、例えば
放熱基板（例えばＳｔ基板）３２、金属コート光フアイ
バ片からなシ、レーザダイオードチップ３１と対向して
配置された光端子３３および３４、基板３２とチップ３
１を収容し、光端子３３および３４を突出させたセラミ
ック容器３５、外部接続用電気端子３６、セラミック容
器３５に低融点ガラスｗ３７を介して配置したコバール
（ＫＯＶＡＲ）またはセラミック製のシールリング、例
えば額縁形状のシールリング３８、このシールリング３
８を覆うコバールまたはセラミック製封止用キャップ３
９から構成される。
のレーザダイオードチップ３１を載置した基板、例えば
放熱基板（例えばＳｔ基板）３２、金属コート光フアイ
バ片からなシ、レーザダイオードチップ３１と対向して
配置された光端子３３および３４、基板３２とチップ３
１を収容し、光端子３３および３４を突出させたセラミ
ック容器３５、外部接続用電気端子３６、セラミック容
器３５に低融点ガラスｗ３７を介して配置したコバール
（ＫＯＶＡＲ）またはセラミック製のシールリング、例
えば額縁形状のシールリング３８、このシールリング３
８を覆うコバールまたはセラミック製封止用キャップ３
９から構成される。
なお、セラミック容器３５の内側のキャビティ部表面に
は、図示してはいないがＡｕメタライズ層を形成してお
く。また、２本の光端子３３および３４は、それぞれ、
レーザチップ３１からの光信号出力端子および光出力の
モニタ端子として用いられる。
は、図示してはいないがＡｕメタライズ層を形成してお
く。また、２本の光端子３３および３４は、それぞれ、
レーザチップ３１からの光信号出力端子および光出力の
モニタ端子として用いられる。
以上の構成の気密パッケージの組立て工程は以下の通シ
である。
である。
まず、所定の長さの光端子３３と３４および複数の電気
端子３６を低融点ガラス材（接合温度４５０〜５００℃
）３７によってセラミック容器３５の外周縁凸部とシー
ルリング３８との間にサンドイッチ状に接着固定する。
端子３６を低融点ガラス材（接合温度４５０〜５００℃
）３７によってセラミック容器３５の外周縁凸部とシー
ルリング３８との間にサンドイッチ状に接着固定する。
なお、光端子３３および３４は前述のごとく金属コート
光フアイバ片であシ、その両端には光学的研磨を施して
おく０こ（９） の金属コート膜は、例えば裸光ファイバの円周表面へ真
空蒸着法によＪＴｉ／Ａｕ の薄膜を形成し、その後電
気メツキ法によって所望の金属を所定の厚さに形成する
ことによって容易に作製することができる。この電着金
属膜としては、後述するごとく、高温（約５００℃）に
おいてその硬度が低下するとともにＰｂ−８ｎ系はんだ
材に対してぬれ性が良好である金属が望ましく、例えば
Ａｕが適切である。また、光端子３３および３４の固定
に際しては、図示せざる治具を用いて両ファイバ３３お
よび３４の光軸の中心をほぼ一致させる。
光フアイバ片であシ、その両端には光学的研磨を施して
おく０こ（９） の金属コート膜は、例えば裸光ファイバの円周表面へ真
空蒸着法によＪＴｉ／Ａｕ の薄膜を形成し、その後電
気メツキ法によって所望の金属を所定の厚さに形成する
ことによって容易に作製することができる。この電着金
属膜としては、後述するごとく、高温（約５００℃）に
おいてその硬度が低下するとともにＰｂ−８ｎ系はんだ
材に対してぬれ性が良好である金属が望ましく、例えば
Ａｕが適切である。また、光端子３３および３４の固定
に際しては、図示せざる治具を用いて両ファイバ３３お
よび３４の光軸の中心をほぼ一致させる。
電気端子３６については、第３図（５）および（Ｂ）に
おいては、フォーミング形成後の形状が示されているが
、固定前には、慣例のように、外枠の付いたリードフレ
ーム形状となっており、固定後にそのリードフレームを
除去してフォーミングが行われる。
おいては、フォーミング形成後の形状が示されているが
、固定前には、慣例のように、外枠の付いたリードフレ
ーム形状となっており、固定後にそのリードフレームを
除去してフォーミングが行われる。
電気端子３６および光端子３３および３４の接着固定は
以下のように行われる。まず、セラミック容器３５の外
周縁曲゛部表面およびシールリング（１０） ３８の片方の表面に低融点ガラスペーストをスクリーン
印刷法によって塗布する。次いで、低融点ガラスペース
トは仮焼成され、含有するバインダーが除去される。こ
の工程の後、光端子３３および３４、および電気端子３
６はセラミック容器３５の外周縁凸部とシールリング３
８との間に配置され、約５００℃において本焼されて低
融点ガラス材３７によシ接着されて固定される。
以下のように行われる。まず、セラミック容器３５の外
周縁曲゛部表面およびシールリング（１０） ３８の片方の表面に低融点ガラスペーストをスクリーン
印刷法によって塗布する。次いで、低融点ガラスペース
トは仮焼成され、含有するバインダーが除去される。こ
の工程の後、光端子３３および３４、および電気端子３
６はセラミック容器３５の外周縁凸部とシールリング３
８との間に配置され、約５００℃において本焼されて低
融点ガラス材３７によシ接着されて固定される。
つぎに、この光端子３３および３４、および電気端子３
６が接着固定されたセラミック容器３５の内側キャビテ
ィ部の図示せざるメタライズ部分へ、あらかじめ放熱基
板３２へ接合しておいたレーザダイオードチップ３１を
配置する。その際に、レーザダイオードチップ３１０発
光中心と光端子３３の光軸中心とが一致するように放熱
基板３２を微動させた後にセラミック容器３５へ接合す
る。
６が接着固定されたセラミック容器３５の内側キャビテ
ィ部の図示せざるメタライズ部分へ、あらかじめ放熱基
板３２へ接合しておいたレーザダイオードチップ３１を
配置する。その際に、レーザダイオードチップ３１０発
光中心と光端子３３の光軸中心とが一致するように放熱
基板３２を微動させた後にセラミック容器３５へ接合す
る。
放熱基板３２をセラミック容器３５へ接合する際には、
レーザダイオードチップ３１を放熱基板３２へ接合する
ときの接合用ろう材の融点と同等かもしくはそれ以下の
融点を有するろう材を用いる。
レーザダイオードチップ３１を放熱基板３２へ接合する
ときの接合用ろう材の融点と同等かもしくはそれ以下の
融点を有するろう材を用いる。
このような接合用ろう材の組み合わせによって、放熱基
板３２を接合する際に温度上昇に伴うレーザダイオード
チップ３１の位置ずれを防ぐことが可能となる。また、
所定の厚さを有するシート状のろう材を放熱基板３２と
セラミック容器３５のキャビティ部のメタライズ部分と
の間に配置して接合することにより、レーザダイオード
３１と光端子３３との光軸整合に際してレーザダイオー
ドチップ３１の活性層と垂直方向の光軸合わせを接合時
に行うことが可能となる。
板３２を接合する際に温度上昇に伴うレーザダイオード
チップ３１の位置ずれを防ぐことが可能となる。また、
所定の厚さを有するシート状のろう材を放熱基板３２と
セラミック容器３５のキャビティ部のメタライズ部分と
の間に配置して接合することにより、レーザダイオード
３１と光端子３３との光軸整合に際してレーザダイオー
ドチップ３１の活性層と垂直方向の光軸合わせを接合時
に行うことが可能となる。
以上のようにして、レーザダイオードチップ３１を搭載
したセラミック容器３５にはキャップ３９がシールリン
グ３８へ接合されて気密封止され、以上により気密パッ
ケージの組立てが完成する。
したセラミック容器３５にはキャップ３９がシールリン
グ３８へ接合されて気密封止され、以上により気密パッ
ケージの組立てが完成する。
なお、キャップ３９の接合方法として、電流溶接法を用
いる場合には、シールリング３８およびキャップ３９の
材質としてコバールを用いればよい。
いる場合には、シールリング３８およびキャップ３９の
材質としてコバールを用いればよい。
また、Ａｕ −Ｓｎ共晶合金、Ｐｂ −Ｓｎ系はんだ材
を用いてキャップ３９を接合する場合には、シールリン
グ３８およびキャップ３９ともにＡｕメタライズを施し
たセラミックまたはコバールを用雰 いればよい。なお、キャップ３９の接合はＮ２奪囲気中
で行うものとする。
を用いてキャップ３９を接合する場合には、シールリン
グ３８およびキャップ３９ともにＡｕメタライズを施し
たセラミックまたはコバールを用雰 いればよい。なお、キャップ３９の接合はＮ２奪囲気中
で行うものとする。
金属コート光フアイバ片からなる光端子３３および３４
を低融点ガラス材３７によって接着固定するときには、
金属膜として硬質材料（例えばＮｉ）を用いると、ガラ
ス材の残留応力によって光端子３３．３４の金属膜の劣
化や光ファイバからのはく離が生じて気密性能を著しく
劣化させ易い０そこで、かかる金属膜の材料としては、
接着固定時に応力を吸収できる金属を選定するのが好ま
しい。
を低融点ガラス材３７によって接着固定するときには、
金属膜として硬質材料（例えばＮｉ）を用いると、ガラ
ス材の残留応力によって光端子３３．３４の金属膜の劣
化や光ファイバからのはく離が生じて気密性能を著しく
劣化させ易い０そこで、かかる金属膜の材料としては、
接着固定時に応力を吸収できる金属を選定するのが好ま
しい。
例えば、Ａｕ膜は高温時においてその硬度が低下し、従
って、この目的に合致するものである０また、パッケー
ジ外部に伸びている光端子３３，３４の接合を行うに際
しても、Ａｕ膜は各種のはんだ材に対してぬれ性が良く
、この点からも好ましいものである。
って、この目的に合致するものである０また、パッケー
ジ外部に伸びている光端子３３，３４の接合を行うに際
しても、Ａｕ膜は各種のはんだ材に対してぬれ性が良く
、この点からも好ましいものである。
第３図に示した本発明の実施例は半導体レーザダイオー
ドの収納を対象としたパッケージであって、半導体レー
ザダイオード出力モニタ用の光端（１３） 子片３４を設けているが、かかる光端子３４に代えて、
第４図に示すごとく半導体レーザダイオードチップ３１
と対向してＰＩＮフォトダイオード４０を収納し、かか
る半導体レーザダイオードチップ３１の後方出力光のモ
ニターを行うことも可能である。図中、４１および４２
は、それぞれ、ＬＤチップ３１およびＰＩＮダイオード
４０を電気端子３６に接続する導線である。
ドの収納を対象としたパッケージであって、半導体レー
ザダイオード出力モニタ用の光端（１３） 子片３４を設けているが、かかる光端子３４に代えて、
第４図に示すごとく半導体レーザダイオードチップ３１
と対向してＰＩＮフォトダイオード４０を収納し、かか
る半導体レーザダイオードチップ３１の後方出力光のモ
ニターを行うことも可能である。図中、４１および４２
は、それぞれ、ＬＤチップ３１およびＰＩＮダイオード
４０を電気端子３６に接続する導線である。
第３図囚、（Ｂ）および第４図の実施例では単一のレー
ザダイオード収納用気密パッケージを示したが、本発明
による光半導体素子気密パッケージの構造はこれら実施
例にのみ拘束されるものではなく、例えば複数の発光素
子および受光素子とこれらの素子と光学的に結合する複
数の光フアイバ端子とからなる多端子パッケージ構造や
、発光素子および受光素子とともに電子回路素子を同一
セラミック容器内に混載した光／電気混成パッケージの
構成も可能である。
ザダイオード収納用気密パッケージを示したが、本発明
による光半導体素子気密パッケージの構造はこれら実施
例にのみ拘束されるものではなく、例えば複数の発光素
子および受光素子とこれらの素子と光学的に結合する複
数の光フアイバ端子とからなる多端子パッケージ構造や
、発光素子および受光素子とともに電子回路素子を同一
セラミック容器内に混載した光／電気混成パッケージの
構成も可能である。
以上に詳述した本発明による光半導体素子気密パッケー
ジを実装する際の形態の一例を第５図に（１４） 示す。同図は光半導体素子気密パッケージ１００と他の
光部品、例えば光スィッチや光合分波器等２００とを同
一基板３００に実装した例であ夛、両部品１００と２０
０との間の相互接続をこれら両部品１００および２００
にそれぞれ設けている金属コート光フアイバ片からなる
光端子１０１と２０１同志を接続することによって行っ
ている。これら金属コート光フアイバ片１０１と２０１
同志はＶ溝接続器４００を用いて容易に接続することが
できる。なお、かかる■溝接続器４００を、金属または
メタライズが施されたセラミックによって構成すること
によシ、金属コートファイバ片１０１と２０１との接続
に際しては、はんだ付は接合法、熱圧着法などの接合技
術を適用することができる。なお、光部品１００および
２００はこれら各光部品に設けである電気端子１０２お
よび２０２を基板３００に設けであるスルーホール３０
１に紘んだ接合することによシ固定する。
ジを実装する際の形態の一例を第５図に（１４） 示す。同図は光半導体素子気密パッケージ１００と他の
光部品、例えば光スィッチや光合分波器等２００とを同
一基板３００に実装した例であ夛、両部品１００と２０
０との間の相互接続をこれら両部品１００および２００
にそれぞれ設けている金属コート光フアイバ片からなる
光端子１０１と２０１同志を接続することによって行っ
ている。これら金属コート光フアイバ片１０１と２０１
同志はＶ溝接続器４００を用いて容易に接続することが
できる。なお、かかる■溝接続器４００を、金属または
メタライズが施されたセラミックによって構成すること
によシ、金属コートファイバ片１０１と２０１との接続
に際しては、はんだ付は接合法、熱圧着法などの接合技
術を適用することができる。なお、光部品１００および
２００はこれら各光部品に設けである電気端子１０２お
よび２０２を基板３００に設けであるスルーホール３０
１に紘んだ接合することによシ固定する。
図中の２０３および２０４は光部品２００の金属コート
光フアイバ片である。
光フアイバ片である。
以上説明したように、本発明による光半導体素子気密パ
ッケージは、光フアイバ端子片をセラミック容器周縁部
とシールリングとの間へ低融点ガラス材を用いて電気端
子とともに接着固定し、光半導体素子を、その発光また
は受光中心が光フアイバ端子の光軸中心に一致するよう
にしてセラミック容器に接合し、さらに気密封止用蓋を
シールリングへ接合する構造とすることによシ次に列挙
する利点を有する。
ッケージは、光フアイバ端子片をセラミック容器周縁部
とシールリングとの間へ低融点ガラス材を用いて電気端
子とともに接着固定し、光半導体素子を、その発光また
は受光中心が光フアイバ端子の光軸中心に一致するよう
にしてセラミック容器に接合し、さらに気密封止用蓋を
シールリングへ接合する構造とすることによシ次に列挙
する利点を有する。
まず、光フアイバ端子片の接着固定には低融点ガラス材
を用い、気密封止用蓋の接合に際しては電流溶接法また
はろう付は法を用いるので、接合時の作業時間が短縮さ
れる。
を用い、気密封止用蓋の接合に際しては電流溶接法また
はろう付は法を用いるので、接合時の作業時間が短縮さ
れる。
また、低融点ガラス材の熱膨張係数は約７ＸＩＱ−’（
１／℃）であり、従来光ファイバの固定に際して用いら
れている高分子接着剤またはＰｂ−８ｎ系はんだ材と比
べて約１桁小さいことから、光フアイバ端子と光半導体
素子との間の光学的特性の温度安定性が著しく向上する
。
１／℃）であり、従来光ファイバの固定に際して用いら
れている高分子接着剤またはＰｂ−８ｎ系はんだ材と比
べて約１桁小さいことから、光フアイバ端子と光半導体
素子との間の光学的特性の温度安定性が著しく向上する
。
さらにまた、本発明パッケージには、金属コート光フア
イバ片が設けられているため、パッケージの小型化に適
するとともに、その実装性においても実装スペースの縮
小および実装作業性の向上が図られるという利点を有し
ている。
イバ片が設けられているため、パッケージの小型化に適
するとともに、その実装性においても実装スペースの縮
小および実装作業性の向上が図られるという利点を有し
ている。
第１図および第２図はレーザダイオードを収納する従来
の気密パッケージの２例を示す断面図、第３図囚および
（Ｂ）は本発明によるレーザダイオード収納用気密パッ
ケージの一実施例を示す、それぞれ、部分破断斜視図お
よび断面図、第４図は本発明によるレーザダイオードお
よびフォトダイオードを収納する気密パッケージの構造
の一例を、その蓋を除いて示す斜視図、第５図は本発明
によるパッケージの実装例を示す平面図である。 １・・・レーザダイオードチップ ２・−・レーザダイオードチップ搭載用放熱基板３・−
・光ファイバ ３−１・・・被覆付き光ファイバ ３−２・−・裸光ファイバ （１７） ３−３・・・光コネクタ ４・・・スリーブ ５・・・キャップ ５′・・・キャップ開孔部 ５′・・・キャップ周縁部 ６・・・高分子接着層 ７・・・高分子接着層またはＰｂ−８ｎｎ接接層８・・
・ステム ９・・・導線 １０・・・電気端子 １１・・・セルフォック円柱レンズ １２・・・ケース １３・・・高分子接着剤 １４・・・ステム １５・・・Ｐｂ−８ｎ系はんだ材または高分子接着剤１
６・・・放熱基板 １７・・・レーザダイオードチップ １８・・・レセプタクル １９・・・割９スリーブ ２０・・・導線 （１８） ２１・・・電気端子 ３１・・・レーザダイオードテップ ３２・・・放熱基板 ３３・・・光出力端子 ３４・・・光モニタ端子 ３５・・・セラミック容器 ３６・・・電気端子 ３７・・・低融点ガラス層 ３８・・・シールリング ３９・・・キャップ ４０・・・フォトダイオード ４１．４２・・・導線 １００・・・光半導体素子気密パッケージ１０１・・・
光端子 １０２・・・電気端子 ２００・・・光端子付き光部品 ２０１、２０３．２０４・・・光端子 ２０２・・・電気端子 ３００・・・基板 ３０１・・・スルーホール ４００・・・Ｖ溝接続器。 特許出願人 日本電信電話公社
の気密パッケージの２例を示す断面図、第３図囚および
（Ｂ）は本発明によるレーザダイオード収納用気密パッ
ケージの一実施例を示す、それぞれ、部分破断斜視図お
よび断面図、第４図は本発明によるレーザダイオードお
よびフォトダイオードを収納する気密パッケージの構造
の一例を、その蓋を除いて示す斜視図、第５図は本発明
によるパッケージの実装例を示す平面図である。 １・・・レーザダイオードチップ ２・−・レーザダイオードチップ搭載用放熱基板３・−
・光ファイバ ３−１・・・被覆付き光ファイバ ３−２・−・裸光ファイバ （１７） ３−３・・・光コネクタ ４・・・スリーブ ５・・・キャップ ５′・・・キャップ開孔部 ５′・・・キャップ周縁部 ６・・・高分子接着層 ７・・・高分子接着層またはＰｂ−８ｎｎ接接層８・・
・ステム ９・・・導線 １０・・・電気端子 １１・・・セルフォック円柱レンズ １２・・・ケース １３・・・高分子接着剤 １４・・・ステム １５・・・Ｐｂ−８ｎ系はんだ材または高分子接着剤１
６・・・放熱基板 １７・・・レーザダイオードチップ １８・・・レセプタクル １９・・・割９スリーブ ２０・・・導線 （１８） ２１・・・電気端子 ３１・・・レーザダイオードテップ ３２・・・放熱基板 ３３・・・光出力端子 ３４・・・光モニタ端子 ３５・・・セラミック容器 ３６・・・電気端子 ３７・・・低融点ガラス層 ３８・・・シールリング ３９・・・キャップ ４０・・・フォトダイオード ４１．４２・・・導線 １００・・・光半導体素子気密パッケージ１０１・・・
光端子 １０２・・・電気端子 ２００・・・光端子付き光部品 ２０１、２０３．２０４・・・光端子 ２０２・・・電気端子 ３００・・・基板 ３０１・・・スルーホール ４００・・・Ｖ溝接続器。 特許出願人 日本電信電話公社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光半導体素子および該光半導体素子と光学的に結合され
る光ファイバを収納する気密パッケージにおいて、内側
にキャビティ部を有するセラミック容器と、 該セラミック容器内に配置され、前記光半導体素子を載
置した基板と、 前記光半導体素子に接続される複数個の電気端子と、 前記光半導体素子に結合される少なくとも１本の金属コ
ート光フアイバ片と、 前記セラミック容器の上に配置されるシールリング部材
と、 該シールリング部材を覆う蓋とを具え、前記電気端子お
よび前記金属コート光フアイバ片の各々の一端が前記セ
ラミック容器のキャビティ部分内に位置するように、前
記セラミック容器の外周縁部と前記シールリング部材と
を低融点ガラス材を用いて固着し、前記光半導体素子を
載置した前記基板を前記セラミック容器のキャビティ部
に形成されているメタライズ部分に接合し、前記蓋の周
辺部分を前記シールリング部材に接合して前記光半導体
素子を気密封止するように構成したことを特徴とする光
半導体素子気密パッケージ。 （以下余白）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59034393A JPS60180183A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 光半導体素子気密パツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59034393A JPS60180183A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 光半導体素子気密パツケ−ジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60180183A true JPS60180183A (ja) | 1985-09-13 |
Family
ID=12412927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59034393A Pending JPS60180183A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 光半導体素子気密パツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60180183A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63501185A (ja) * | 1985-10-28 | 1988-04-28 | アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− | 多層セラミックレ−ザパッケ−ジ |
| JPH0727685U (ja) * | 1993-11-04 | 1995-05-23 | 株式会社ヒーロー | 玩 具 |
| WO1998035410A1 (en) * | 1997-02-07 | 1998-08-13 | Coherent, Inc. | Composite laser diode enclosure and method for making the same |
| JPH1174611A (ja) * | 1997-08-27 | 1999-03-16 | Kyocera Corp | 光半導体装置 |
| US6061374A (en) * | 1997-02-07 | 2000-05-09 | Coherent, Inc. | Laser diode integrating enclosure and detector |
| WO2003025652A1 (en) * | 2001-09-15 | 2003-03-27 | Rapidus, Inc. | Hermetically sealed package container for optical module |
| GB2381594A (en) * | 2002-08-07 | 2003-05-07 | Bookham Technology Plc | Hermetically sealed optic fibre block preparation |
| JP2003209268A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-07-25 | Mitsubishi Electric Corp | 光モジュール |
| US6792178B1 (en) | 2000-01-12 | 2004-09-14 | Finisar Corporation | Fiber optic header with integrated power monitor |
| US6932522B2 (en) | 1998-12-30 | 2005-08-23 | Finisar Corporation | Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices |
| US6959140B2 (en) | 2001-02-02 | 2005-10-25 | Schlumberger Technology Corporation | Light path |
-
1984
- 1984-02-27 JP JP59034393A patent/JPS60180183A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63501185A (ja) * | 1985-10-28 | 1988-04-28 | アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− | 多層セラミックレ−ザパッケ−ジ |
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| US6932522B2 (en) | 1998-12-30 | 2005-08-23 | Finisar Corporation | Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices |
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| KR100413848B1 (ko) * | 2001-09-15 | 2004-01-03 | 주식회사 래피더스 | 광모듈용 밀폐형 패키지 |
| JP2003209268A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-07-25 | Mitsubishi Electric Corp | 光モジュール |
| GB2381594A (en) * | 2002-08-07 | 2003-05-07 | Bookham Technology Plc | Hermetically sealed optic fibre block preparation |
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