JPH10154849A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュールInfo
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- JPH10154849A JPH10154849A JP8310368A JP31036896A JPH10154849A JP H10154849 A JPH10154849 A JP H10154849A JP 8310368 A JP8310368 A JP 8310368A JP 31036896 A JP31036896 A JP 31036896A JP H10154849 A JPH10154849 A JP H10154849A
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Abstract
信頼性の高い半導体レーザモジュール及びその組み立て
方法を提供する。 【解決手段】半導体レーザモジュール100は、レーザ
ダイオード1と、フォトダイオード2と、レーザダイオ
ード1と光学的に結合されて光伝送を行う単一モードフ
ァイバである光ファイバ3と、これを内挿し支持固定す
る光ファイバ支持部材7と、支持部材7をゴム状弾性を
有する接着剤12を介して保持する円筒状支持部材11
と、レーザダイオード1及びフォトダイオード2が搭載
され、光ファイバ支持部材7を設置するためのV溝8が
形成されたSi基板からなるステム5と、光ファイバ支
持部材7の押さえ基板4と、ステム5が接合固定される
リード端子付きフレーム基板19とを備え、レーザダイ
オード1とフォトダイオード2及び光ファイバ3の光結
合部が透明なゲル状樹脂10で覆われ、さらに全体がL
SIパッケージと同様にモールド樹脂9でパッケージン
グされる。
Description
ールに関する。
に係わる技術として、例えば1996年電子情報通信学
会総合大会C−216の報告がある。
モールドで形成しており、このケース内に異方性エッチ
ングで設けたV溝付のSi基板を配置している。レーザ
素子と光ファイバの光結合は、Si基板上の所定位置に
レーザ素子を搭載し、V溝部分に光ファイバを固定する
パッシブアライメント方式で行っている。パッケージケ
ースから取り出される部分の光ファイバの固定及びパッ
ケージケースへのキャップ固定は紫外線硬化樹脂で行っ
ており、この樹脂固定によりパッケージケース内の気密
封止をとっている。
は、以下の問題点が存在する。
を樹脂モールドで形成したモジュール構成であることか
ら、パッケージケースから取り出される光ファイバ固定
部分に外力が加わると樹脂接着部分で剥離が起き、これ
により光ファイバの断線,光結合の劣化及びパッケージ
ケース内の気密不良等を引き起こしやすくなる。また、
パッケージケース内の気密不良は、ケース内への湿気の
浸入を発生させ、これによりレーザ素子の特性変動を生
じさせる原因となる。また、樹脂接着部分での剥離は光
ファイバに外力が加わることで起きるものだけでなく、
温度変化や樹脂の径年劣化によっても生じやすく、特に
樹脂モールド材や光ファイバのジャケット材等の樹脂や
ナイロンとの接着性が優れないために剥離が発生しやす
い。また、パッケージケース内の気密封止は、光ファイ
バの取り出し部分とキャップを樹脂接着することで行っ
ており内部が空洞状態であるため、高温下でのケース内
圧力上昇により気密不良が生じやすくなる。さらに、パ
ッケージケースには光ファイバ取り出し用の溝を設ける
必要がありケースを複雑形状化している等の問題があ
る。
ジケースを構成したモジュール構造では、光ファイバの
取り出し部分の接着やケース内部の気密封止等に問題が
あり、信頼性の点で十分な配慮がされていないモジュー
ル構造である。
に光結合する光ファイバの実装を容易にし、かつ組み立
てや取り扱い性及び量産性に優れ、信頼性の高い半導体
レーザモジュール及びその組み立て方法を提供すること
にある。
は光通信の光源に用いられ半導体レーザ素子と光ファイ
バを光学的に結合させるものである。半導体レーザモジ
ュールを低コスト化するには、モジュールの部品や製造
コストを低減する必要があるが、従来のように主に金属
材料で構成されていたモジュール部品をろう付けやはん
だ接合あるいはレーザ溶接により組み立てていたモジュ
ール構造では低コスト化に限界があった。近年、半導体
レーザ素子と光ファイバをSi基板上にハイブリッド実
装するモジュール構造の提案,開発が活発化し、これに
よりモジュールの低コスト化を図ることができるように
なったが、Si基板上に実装したモジュールをパッケー
ジングする際の光ファイバの取り出し方法や気密封止構
造に問題があった。
ーザ素子とこれに光結合する光ファイバを容易かつ高精
度にパッケージングし、しかも組み立てや取り扱い性及
び量産性に優れ、高い信頼性を得るモジュール構造とし
たものである。
導体素子と光学的に結合され光伝送を行うための光ファ
イバを有した半導体レーザモジュールであり、前記半導
体素子である半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素
子に光学的に結合され光伝送を行う光ファイバと、この
光ファイバを保持固定する光ファイバ支持部材と、前記
半導体レーザ素子と前記光ファイバ支持部材とを同一基
板上に搭載する基板部材と、前記半導体レーザ素子と電
気的に接続し外部接続するリード端子を備えたフレーム
基板とを有し、これら全体がモールド樹脂でパッケージ
ングされた半導体レーザモジュールにおいて、前記光フ
ァイバ支持部材にはゴム状弾性を有する接着剤を介して
円筒状支持部材が取り付けられていることを特徴とする
半導体レーザモジュールが提供される。
いずれかを特徴とする。
を行うための光ファイバを有した半導体レーザモジュー
ルであり、前記半導体素子である半導体レーザ素子と、
この半導体レーザ素子に光学的に結合され光伝送を行う
光ファイバと、この光ファイバを保持固定する光ファイ
バ支持部材と、前記半導体レーザ素子と前記光ファイバ
支持部材とを同一基板上に搭載する基板部材と、前記半
導体レーザ素子と電気的に接続し外部接続するリード端
子を備えたフレーム基板とを有し、これら全体がモール
ド樹脂でパッケージングされた半導体レーザモジュール
において、前記光ファイバ支持部材にはゴム状弾性を有
する接着剤を介して円筒状支持部材が取り付けられてい
ること。
周には、溝あるいは段差が設けられており、この溝内あ
るいは段差内に前記モールド樹脂が入り込んでいるこ
と。
ケージングされた半導体レーザモジュールの一端からは
前記光ファイバ支持部材及び前記円筒状支持部材が取り
出されていること。
基板部材設置部分には、電気的に接続された前記リード
端子を少なくとも1本備えていること。
ム基板は銅合金部材で構成されていること。
属,セラミックス,プラスチック及びゴムのいずれか一
つの部材で構成されたこと。
み立て方法は、前記半導体レーザ素子を前記基板部材の
所定位置に接合固定するとともに、前記光ファイバを内
設し、かつ前記円筒状支持部材を備えた前記光ファイバ
支持部材を前記基板部材に形成したV溝に、光ファイバ
先端が前記半導体レーザ素子と対向するように設置し、
さらに光ファイバ支持部材を上部から押さえ付けるよう
押さえ基板を設置し、これらを搭載した基板部材を前記
リード端子付きフレーム基板上の所定位置に接合固定し
た後、前記半導体レーザ素子と前記フレーム基板のリー
ド端子とを電気的に接続するように夫々ワイヤボンディ
ングリード接続を行い、前記半導体レーザ素子と前記光
ファイバとの光結合部を透明なゲル状樹脂で覆った後、
この半導体レーザモジュールを金型内に設置し、LSI
と同様に全体をモールド樹脂でパッケージングするこ
と。
ールは、前記リード端子付フレーム基板と前記円筒状支
持部材が金型で保持されてモールドすること。
支持部材を保持する段差部を設けていること。
光ファイバ及び前記光ファイバ支持部材を取り出す溝が
断熱部材で構成されていること。
レーザモジュールをモールド樹脂でパッケージングして
構成し、かつ光ファイバ支持部材をゴム状弾性を有する
接着剤を介して円筒状支持部材で保持固定することによ
り、パッケージケースをモールド樹脂で形成して光ファ
イバを取り出す従来のような構成ではなくなるので、ケ
ース部分に光ファイバを樹脂固定する必要がなく、光フ
ァイバに外力が加わっても光ファイバの断線や光結合の
劣化,気密封止不良等を起こす危険性はない。また、モ
ジュール全体をモールド樹脂でパッケージングしてモジ
ュール内部に空洞を設けないため湿気浸入によるレーザ
素子の特性変動を引き起こすことはなく、さらにケース
構成の必要がなく容易な組み立てが可能となり部品点数
を低減でき低コスト化を図ることができる。
を有する接着剤を介して円筒状支持部材を取り付けてお
り、金型でモジュールをクランプ保持する部分を円筒状
支持部材の外周部分としているため、金型クランプ時の
外力をゴム状接着剤で吸収し光ファイバ支持部材に外力
が直接加わらないようにしている。これにより、クラン
プ保持した時のモジュール変形を防止でき、半導体レー
ザ素子と光ファイバとの位置ずれをなくすることができ
るとともに、パッケージング時の残留ひずみを低減した
状態でモジュールを組み立てられるので、安定かつ信頼
性の高い半導体レーザモジュールを得ることができる。
さらに、モールド樹脂でパッケージングしたモジュール
構造としているため取り扱いや量産性に優れ、かつ表面
実装形状であるためプリント基板への実装を容易にする
ことができる。
結合する光ファイバの実装を容易にでき、しかも組み立
てや取り扱い性及び量産性に優れ、かつ信頼性の高い半
導体レーザモジュール及びその組み立て方法を得ること
ができる。
説明する。なお、煩雑を避けるために一部の電極配線や
ワイヤボンディングリード等の電気的な接続配線及び接
着剤の図示を省略している。
6により説明する。
ル100の構造を表す縦断面図を図1に、内部構造を表
す斜視図を図2に示す。
100は、レーザダイオード1と、フォトダイオード2
と、レーザダイオード1と光学的に結合されて光伝送を
行う単一モードファイバである光ファイバ3と、これを
内挿し支持固定する光ファイバ支持部材7と、支持部材
7をゴム状弾性を有する接着剤12を介して保持する円
筒状支持部材11と、レーザダイオード1及びフォトダ
イオード2が搭載され、光ファイバ支持部材7を設置す
るためのV溝8が形成されたSi基板からなるステム5
と、光ファイバ支持部材7の押さえ基板4と、ステム5
が接合固定されるリード端子付きフレーム基板19とを
備え、レーザダイオード1とフォトダイオード2及び光
ファイバ3の光結合部が透明なゲル状樹脂10で覆わ
れ、さらに全体がLSIパッケージと同様にモールド樹
脂9でパッケージングされる。
の一つであるリード端子付きフレーム基板19の上面に
はステム5が接合固定されている。ステム5の上面には
V溝8が異方性エッチングにより形成されており、この
V溝8部に光ファイバ3を内挿し、かつ円筒状支持部材
11を取り付けた光ファイバ支持部材7が接着剤14に
より設置されている。さらに、この光ファイバ支持部材
7は、下面にV溝を設けた押さえ基板4で上部から押さ
え付けられるように接合固定される。一方、ステム5の
上面には、メタライズ電極配線16がパターンニングさ
れており、この配線16上にレーザダイオード1とフォ
トダイオード2がそれぞれ所定位置に搭載されている。
レーザダイオード1及びフォトダイオード2は、ステム
5上面の電極配線16上にあらかじめ形成されたマーカ
(図示せず)を目印に位置合せされ接合するパッシブア
ライメント方式で搭載される。レーザダイオード1及び
フォトダイオード2には、フレーム基板19のリード端
子18と電気的に接続するようにステム5上面の電極配
線16を介してそれぞれワイヤーボンディングリード1
7が取り付けられている。ステム5と押さえ基板4を構
成する材料は、ここではシリコンを使用している。ステ
ム5に形成するV溝8は、光ファイバ支持部材7を設置
した際に光ファイバ3の中心軸がステム5上面に搭載し
たレーザダイオード1のレーザ出射軸と同一軸となるよ
うに所定の幅と深さで形成されている。レーザダイオー
ド1と光ファイバ3の光結合部及びフォトダイオード2
は、レーザ光の透過性の高い透明なゲル状樹脂10で覆
われ、さらにフレーム基板19を含む全体をLSIパッ
ケージと同様にモールド樹脂9で覆いパッケージングさ
れている。なお、ここでは、リード端子付フレーム基板
19を構成する材料に銅合金を使用しており、中央部の
フレーム基板19を両側のリード端子18で支える構造
で、フレーム基板19と接続しているリード端子18は
少なくとも片側1本となっている。また、透明なゲル状
樹脂10は、ここではシリコーン樹脂を使用している。
蒸着により電極配線16が形成されており、この電極配
線16上にレーザダイオード1とフォトダイオード2が
パッシブアライメント方式により接合固定され、夫々ワ
イヤーボンディングリード17で接続されている。レー
ザダイオード1は、ステム5に設けられたV溝8に設置
される光ファイバ支持部材7に内設された光ファイバ3
中心軸とレーザダイオード1のレーザ出射軸とが一致す
るように位置調整されて接合固定される。また、レーザ
ダイオード1は、ステム5上面に接合固定するときのレ
ーザ出射位置の高さばらつきを低減するようにレーザ出
射位置がステム5上面側に配置されて搭載されている。
あり、軸中心位置近くに設けられた貫通孔に光ファイバ
3が樹脂被覆15部分を内設するように内挿され接着剤
(図示せず)が充填され接合固定されている。光ファイ
バ支持部材7を構成する材料は、ここではジルコニアセ
ラミックスを使用している。
設けた形状で構成されており、光ファイバ支持部材7に
ゴム状接着剤12を介して保持固定されている。外周部
に設けた溝13部にはパッケージングした時にモールド
樹脂9が入り込むようになっており、円筒状支持部材1
1が容易に抜けないように構成されている。円筒状支持
部材11を構成する材料は、ここでは金属材料であるス
テンレス鋼を使用している。
00をモールド樹脂9でパッケージングする組み立て手
順を以下に説明する。本実施例の組み立てプロセスを表
す縦断面図を図3から図5に示す。組み立て完成後の半
導体レーザモジュール100の斜視図を図6に示す。
ル100のレーザダイオード1と光結合している光ファ
イバ3及びフォトダイオード2を覆うようにゲル状樹脂
10をポッティングしたモジュール100を金型20,
21内の所定位置に設置する(図3)。次に、金型2
0,21でモジュール100を保持するように、円筒状
支持部材11の外周部22及びフレーム基板23を上金
型20及び下金型21でクランプ保持する。光ファイバ
被覆15は金型20,21に設けられた取り出し部分2
7から外部に出され、金型20,21で挟まれないよう
に設置する。なお、光ファイバ被覆15を取り出す金型
部分27には光ファイバの被覆15部分が接触しても溶
けないように断熱部材26を取り付けた構成となってい
る。金型20,21でモジュール100をクランプ保持
した状態で荷重を加え、その状態でモールド樹脂9を注
入口25から流し込む(図4)。このときの金型20,
21の温度は150度に設定している。金型20,21
内にモールド樹脂9を流し込んだ後、その状態を数分間
保持しモールド樹脂9を十分に硬化させる。モールド樹
脂9が硬化した後、上金型20と下金型21を分離し、
金型20,21内からモールド樹脂9でパッケージング
した半導体レーザモジュール100を取り出す(図
5)。その後、リード端子18同士を接続しているフレ
ーム19部分を切断し、リード端子18の折り曲げを行
い、半導体レーザモジュール100が完成する(図
6)。
体レーザモジュール100をモールド樹脂9でパッケー
ジングして構成し、かつ光ファイバ支持部材7をゴム状
接着剤12を介して円筒状支持部材11で保持すること
により、パッケージケースを樹脂モールドで形成して光
ファイバ3を取り出す従来のような構成ではなくなるの
で、ケース部分に光ファイバ被覆15を樹脂固定する必
要がなく、光ファイバ被覆15部分に外力が加わっても
光ファイバ3の断線や光結合の劣化,気密封止不良等の
危険性はない。また、モジュール100全体をモールド
樹脂9でパッケージングしてモジュール100内部に空
洞を設けないため湿気浸入によるレーザダイオード1の
特性変動を引き起こすことはなく、さらにケース構成の
必要がなく容易な組み立てが可能となり部品点数を低減
でき低コスト化を図ることができる。また、光ファイバ
支持部材7にはゴム状接着剤12を介して円筒状支持部
材11を取り付けており、金型20,21でモジュール
100をクランプ保持する部分を円筒状支持部材11の
外周部分としているため、金型20,21でモジュール
100をクランプした時の外力をゴム状接着剤12で吸
収し光ファイバ支持部材7に外力が直接加わらないよう
にしている。これにより、金型20,21でクランプ保
持した時のモジュール変形を防止でき、レーザダイオー
ド1と光ファイバ3との位置ずれをなくすることができ
るとともに、モールド樹脂9でパッケージングした後の
残留ひずみをなくした状態でモジュール100を組み立
てられるので、安定かつ信頼性の高い半導体レーザモジ
ュール100を得ることができる。さらに、モールド樹
脂9でパッケージングしたモジュール100構造として
いるため取り扱いや量産性に優れ、かつ表面実装形状で
あるためプリント基板への実装を容易にすることができ
る。
に光結合する光ファイバ3の実装を容易にでき、しかも
組み立てや取り扱い性及び量産性に優れ、かつ信頼性の
高い半導体レーザモジュール100及びその組み立て方
法を得ることができる。
る。本実施例は、光ファイバ支持部材7に保持固定する
円筒状支持部材をゴム製キャップ24で構成したもので
ある。
00の縦断面を表す構造を図7に示す。
が前記第1の実施例のモジュール100と異なる点は、
金属部材の円筒状支持部材11をゴム製のキャップ24
に変更した点で、このゴム製キャップ24の一端を含む
ようにモールド樹脂9でパッケージングする。
ば、光ファイバ被覆15に外力が加わってもゴム製キャ
ップ24がその外力を吸収するため、光ファイバ3の断
線や光結合の劣化等の危険性はない。また、金属部材に
変えてゴム製キャップ24を用いているため部品コスト
を低減でき低コスト化を図ることができる。さらに、金
型20,21でモジュール200をクランプ保持する部
分をゴム製キャップ24の外周部分としているため、金
型20,21でモジュール200をクランプしても光フ
ァイバ支持部材7に外力が加わらず、モジュール変形を
防止できるとともに、レーザダイオード1と光ファイバ
3との位置ずれをなくすることができる。また、本実施
例は第1の実施例と同様の構成であるため、第1の実施
例と同様の効果を得ることができる。
部材11を金属部材で構成しているが、これに限定され
るものでなく、例えばセラミックス及びプラスチック等
で構成しても良く、これらの場合でも上記実施例と同様
の効果を得る。
筒状支持部材11及びゴム製キャップ24と光ファイバ
支持部材7とをゴム状弾性を有する接着剤12で保持固
定しているが、これに限定されるものでなく、弾性率の
低い他の接着剤でも良く、例えばシリコーン接着剤やア
クリル接着剤等でも良く、これらの場合でも上記実施例
と同様の効果を得る。
ファイバ支持部材7をジルコニアセラミックスで構成し
ているが、これに限定されるものでなく、例えば、ガラ
ス,プラスチック及び樹脂等で構成しても良く、これら
の場合も同様の効果を得る。
ファイバ支持部材7,ステム5及び押さえ基板4のそれ
ぞれを樹脂14で固定しており、この場合、接着力,耐
湿性及び耐熱性に優れた樹脂を使用するのが望ましく、
例えば紫外線硬化樹脂,熱硬化性樹脂,熱可塑性樹脂に
よって接合固定するのが好ましい。これらの場合も同様
の効果を得る。
るモールド樹脂9は、低温度硬化,低熱膨張及び高熱伝
導を備えたものが望ましく、例えば150度以下で2〜
4分程度で硬化し、10ppm 以下の熱膨張率を有するモ
ールド樹脂9が好ましい。これらの場合も同様の効果を
得る。
ルをモールド樹脂でパッケージングして構成し、かつ光
ファイバ支持部材をゴム状弾性を有する接着剤を介して
円筒状支持部材で保持することにより、パッケージケー
スを樹脂モールドで形成して光ファイバを取り出す従来
のような構成ではなくなるので、ケース部分に光ファイ
バを樹脂固定する必要がなく、光ファイバに外力が加わ
っても光ファイバの断線や光結合の劣化,気密封止不良
等を起こす危険性はない。また、全体をモールド樹脂で
パッケージングしてモジュール内部に空洞を設けないた
め湿気浸入によるレーザダイオードの特性変動を引き起
こすことはなく、さらにケース構成の必要がなく容易な
組み立てが可能となり部品点数を低減でき低コスト化を
図ることができる。また、円筒状支持部材をゴム状接着
剤を介して取り付け、金型でモジュールをクランプ保持
する部分を円筒状支持部材の外周部分としているため、
クランプした時の外力を光ファイバ支持部材に加わらな
いようにしている。これにより、クランプ時のモジュー
ル変形を防止でき、レーザダイオードと光ファイバとの
位置ずれをなくすることができるとともに、パッケージ
ング時の残留ひずみをなくした状態でモジュールを組み
立てられるので、安定かつ信頼性の高い半導体レーザモ
ジュールを得ることができる。さらに、モールド樹脂で
パッケージングしたモジュール構造としているため取り
扱いや量産性に優れ、かつ表面実装形状であるためプリ
ント基板への実装を容易にすることができる。
する光ファイバの実装を容易にでき、しかも組み立てや
取り扱い性及び量産性に優れ、かつ信頼性の高い半導体
レーザモジュール及びその組み立て方法を得ることがで
きる。
ュールの構造を表す縦断面図。
ュールの構造を表す斜視図。
ュールの組み立て構造を表す縦断面図。
ュールの組み立て構造を表す縦断面図。
ュールの組み立て構造を表す縦断面図。
ュールの斜視図。
ュールの構造を表す縦断面図。
ファイバ、4…押さえ基板、5…ステム、6…フレーム
基板、7…光ファイバ支持部材、8…V溝、9…モール
ド樹脂、10…ゲル状樹脂、11…円筒状支持部材、1
2…ゴム状接着剤、13…溝、14…接着剤、15…光
ファイバ被覆、100…半導体レーザモジュール。
Claims (1)
- 【請求項1】半導体素子と光学的に結合され光伝送を行
うための光ファイバを有した半導体レーザモジュールで
あり、前記半導体素子である半導体レーザ素子と、前記
半導体レーザ素子に光学的に結合され光伝送を行う光フ
ァイバと、前記光ファイバを保持固定する光ファイバ支
持部材と、前記半導体レーザ素子と前記光ファイバ支持
部材とを同一基板上に搭載する基板部材と、前記半導体
レーザ素子と電気的に接続し外部接続するリード端子を
備えたフレーム基板とを有し、これら全体がモールド樹
脂でパッケージングされた半導体レーザモジュールにお
いて、前記光ファイバ支持部材にはゴム状弾性を有する
接着剤を介して円筒状支持部材が取り付けられているこ
とを特徴とする半導体レーザモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31036896A JP3881074B2 (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | 半導体レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31036896A JP3881074B2 (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | 半導体レーザモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10154849A true JPH10154849A (ja) | 1998-06-09 |
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ID=18004410
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31036896A Expired - Fee Related JP3881074B2 (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3881074B2 (ja) |
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