JP3336199B2 - 光半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
光半導体素子収納用パッケージInfo
- Publication number
- JP3336199B2 JP3336199B2 JP20262196A JP20262196A JP3336199B2 JP 3336199 B2 JP3336199 B2 JP 3336199B2 JP 20262196 A JP20262196 A JP 20262196A JP 20262196 A JP20262196 A JP 20262196A JP 3336199 B2 JP3336199 B2 JP 3336199B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical semiconductor
- semiconductor element
- layer
- light
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光半導体素子を収容
するための光半導体素子収納用パッケージに関するもの
である。
するための光半導体素子収納用パッケージに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、光半導体素子を収容するための光
半導体素子収納用パッケージは、一般に鉄−ニッケル−
コバルト合金や銅−タングステン合金等の金属から成
り、上面中央部に光半導体素子が載置される載置部を有
し、該載置部周辺に複数の外部リード端子が絶縁部材を
介し上面から下面に貫通するようにして固定された金属
基体と、前記光半導体素子搭載部を囲繞するようにして
金属基体上に銀ロウ等のロウ材を介して接合され、側部
に貫通孔を有する金属枠体と、前記金属枠体の貫通孔に
取着され、内側に光半導体素子と外部との光信号の授受
を行う光ファイバーが挿着される鉄−ニッケル−コバル
ト合金等の金属から成る筒状の固定部材と、前記固定部
材の一端に取着され、筒状固定部材の内側を塞ぐサファ
イアから成る透光性部材と、前記金属枠体の上面に接合
され、光半導体素子を気密に封止する蓋部材とから構成
されており、前記絶縁基体の光半導体素子搭載部に光半
導体素子を接着固定するとともに該光半導体素子の各電
極をボンディングワイヤを介して外部リード端子に電気
的に接続し、しかる後、前記金属枠体の上面に蓋部材を
接合させ、金属基体と金属枠体と蓋部材とから成る容器
内部に光半導体素子を気密に収容するとともに筒状固定
部材の内部に光ファイバーを挿着させることによって製
品としての光半導体装置となる。
半導体素子収納用パッケージは、一般に鉄−ニッケル−
コバルト合金や銅−タングステン合金等の金属から成
り、上面中央部に光半導体素子が載置される載置部を有
し、該載置部周辺に複数の外部リード端子が絶縁部材を
介し上面から下面に貫通するようにして固定された金属
基体と、前記光半導体素子搭載部を囲繞するようにして
金属基体上に銀ロウ等のロウ材を介して接合され、側部
に貫通孔を有する金属枠体と、前記金属枠体の貫通孔に
取着され、内側に光半導体素子と外部との光信号の授受
を行う光ファイバーが挿着される鉄−ニッケル−コバル
ト合金等の金属から成る筒状の固定部材と、前記固定部
材の一端に取着され、筒状固定部材の内側を塞ぐサファ
イアから成る透光性部材と、前記金属枠体の上面に接合
され、光半導体素子を気密に封止する蓋部材とから構成
されており、前記絶縁基体の光半導体素子搭載部に光半
導体素子を接着固定するとともに該光半導体素子の各電
極をボンディングワイヤを介して外部リード端子に電気
的に接続し、しかる後、前記金属枠体の上面に蓋部材を
接合させ、金属基体と金属枠体と蓋部材とから成る容器
内部に光半導体素子を気密に収容するとともに筒状固定
部材の内部に光ファイバーを挿着させることによって製
品としての光半導体装置となる。
【０００３】かかる光半導体装置は外部電気回路から供
給される駆動信号によって光半導体素子に光励起させ、
該励起した光をサファイアから成る透光性部材を通して
光ファイバーに授受させるとともに該光ファイバー内を
伝達させることによって高速光通信等に使用される光半
導体装置として機能する。
給される駆動信号によって光半導体素子に光励起させ、
該励起した光をサファイアから成る透光性部材を通して
光ファイバーに授受させるとともに該光ファイバー内を
伝達させることによって高速光通信等に使用される光半
導体装置として機能する。
【０００４】尚、前記透光性部材の筒状固定部材への取
着は透光性部材を構成するサファイアに従来周知のＭｏ
−Ｍｎ法によりモリブデン−マンガン（Ｍｏ−Ｍｎ）か
ら成るメタライズ層を約１５００℃の温度で焼き付け、
しかる後、このメタライズ層と筒状固定部材とを金−錫
合金等から成るロウ材を介しロウ付けすることによって
行われている。
着は透光性部材を構成するサファイアに従来周知のＭｏ
−Ｍｎ法によりモリブデン−マンガン（Ｍｏ−Ｍｎ）か
ら成るメタライズ層を約１５００℃の温度で焼き付け、
しかる後、このメタライズ層と筒状固定部材とを金−錫
合金等から成るロウ材を介しロウ付けすることによって
行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の光半導体素子収納用パッケージにおいては、光半導
体素子の励起する光を透光性部材を通して光ファイバー
に授受させる場合、透光性部材を形成するサファイアの
結晶軸に関連して光半導体素子の励起した光が透光性部
材で複屈折を起こし、光の一部のみが光ファイバーに授
受されることになって光ファイバーへの光の授受の効率
が悪くなるとともに光信号の伝送効率が悪化するという
欠点を有していた。
来の光半導体素子収納用パッケージにおいては、光半導
体素子の励起する光を透光性部材を通して光ファイバー
に授受させる場合、透光性部材を形成するサファイアの
結晶軸に関連して光半導体素子の励起した光が透光性部
材で複屈折を起こし、光の一部のみが光ファイバーに授
受されることになって光ファイバーへの光の授受の効率
が悪くなるとともに光信号の伝送効率が悪化するという
欠点を有していた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記欠点に鑑み
案出されたもので、その目的は光半導体素子が励起した
光の光ファイバーへの授受を効率良くし、光信号の伝送
効率を高いものとした光半導体素子収納用パッケージを
提供することにある。
案出されたもので、その目的は光半導体素子が励起した
光の光ファイバーへの授受を効率良くし、光信号の伝送
効率を高いものとした光半導体素子収納用パッケージを
提供することにある。
【０００７】本発明は、上面に光半導体素子が載置され
る光半導体素子載置部を有する基体と、該基体上で前記
光半導体素子載置部を囲繞するように取着され、側部に
貫通孔を有する枠体と、該枠体の前記貫通孔に外表面の
一部をロウ材を介し接合させて取着され、内部に光ファ
イバーが挿着される筒状の固定部材と、該固定部材の前
記枠体の内側に位置する一端側に取着される透光性部材
と、前記枠体の上面に取着され、光半導体素子を気密に
封止する蓋部材とから成る光半導体素子収納用パッケー
ジであって、前記透光性部材は非晶質ガラスから成る半
球もしくは非球面レンズであり、その一主面外周部に被
着させたメタライズ層が前記固定部材にロウ付けされて
いることを特徴とするものである。
る光半導体素子載置部を有する基体と、該基体上で前記
光半導体素子載置部を囲繞するように取着され、側部に
貫通孔を有する枠体と、該枠体の前記貫通孔に外表面の
一部をロウ材を介し接合させて取着され、内部に光ファ
イバーが挿着される筒状の固定部材と、該固定部材の前
記枠体の内側に位置する一端側に取着される透光性部材
と、前記枠体の上面に取着され、光半導体素子を気密に
封止する蓋部材とから成る光半導体素子収納用パッケー
ジであって、前記透光性部材は非晶質ガラスから成る半
球もしくは非球面レンズであり、その一主面外周部に被
着させたメタライズ層が前記固定部材にロウ付けされて
いることを特徴とするものである。
【０００８】本発明の光半導体素子収納用パッケージに
よれば、透光性部材を結晶軸を持たない非晶質ガラスで
形成したことから、光半導体素子が励起した光を透光性
部材を通して光ファイバーに伝達させる場合に、光半導
体素子の励起した光は透光性部材で複屈折を起こすこと
なくそのまま光ファイバーに授受され、これによって光
信号の伝送効率が高いものとなる。また、枠体の貫通孔
に外表面の一部をロウ材を介し接合させて取着され、内
部に光ファイバーが挿着される筒状の固定部材の枠体の
内側に位置する一端側に、透光性部材をその一主面外周
部に被着させたメタライズ層を固定部材にロウ付けして
取着されていることから、透光性部材の取着の信頼性が
高いものとなり、これによって固定部材の場所における
光半導体素子を収容する容器の気密封止が完全となるの
で、容器内部に収容する光半導体素子を長期間にわたり
正常、且つ安定に作動させることが可能となるとともに
光ファイバーと光半導体素子との間で光信号の授受を行
うことが可能となる。
よれば、透光性部材を結晶軸を持たない非晶質ガラスで
形成したことから、光半導体素子が励起した光を透光性
部材を通して光ファイバーに伝達させる場合に、光半導
体素子の励起した光は透光性部材で複屈折を起こすこと
なくそのまま光ファイバーに授受され、これによって光
信号の伝送効率が高いものとなる。また、枠体の貫通孔
に外表面の一部をロウ材を介し接合させて取着され、内
部に光ファイバーが挿着される筒状の固定部材の枠体の
内側に位置する一端側に、透光性部材をその一主面外周
部に被着させたメタライズ層を固定部材にロウ付けして
取着されていることから、透光性部材の取着の信頼性が
高いものとなり、これによって固定部材の場所における
光半導体素子を収容する容器の気密封止が完全となるの
で、容器内部に収容する光半導体素子を長期間にわたり
正常、且つ安定に作動させることが可能となるとともに
光ファイバーと光半導体素子との間で光信号の授受を行
うことが可能となる。
【０００９】また本発明の光半導体素子収納用パッケー
ジによれば、透光性部材を半球もしくは非球面レンズと
したことから光半導体素子が励起した光は透光性部材を
通過した後、絞られて光ファイバーに入り込むこととな
り、その結果、光半導体素子が励起した光の光ファイバ
ーへの授受を高効率とし、光信号の伝送効率を極めて高
いものとなすこともできる。
ジによれば、透光性部材を半球もしくは非球面レンズと
したことから光半導体素子が励起した光は透光性部材を
通過した後、絞られて光ファイバーに入り込むこととな
り、その結果、光半導体素子が励起した光の光ファイバ
ーへの授受を高効率とし、光信号の伝送効率を極めて高
いものとなすこともできる。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１及び図２は本発明の半導体素子収
納用パッケージの一実施例を示し、１は基体、２は枠
体、３は蓋部材である。この基体１と枠体２と蓋部材３
とで内部に光半導体素子４を収容するための容器が構成
される。
詳細に説明する。図１及び図２は本発明の半導体素子収
納用パッケージの一実施例を示し、１は基体、２は枠
体、３は蓋部材である。この基体１と枠体２と蓋部材３
とで内部に光半導体素子４を収容するための容器が構成
される。
【００１１】前記基体１は光半導体素子４を支持するた
めの支持部材として作用し、その上面の略中央部に光半
導体素子４を載置するための載置部１ａを有し、該載置
部１ａに光半導体素子４が間にペルチェ素子５等を挟ん
で金−シリコンロウ材等の接着剤により接着固定され
る。
めの支持部材として作用し、その上面の略中央部に光半
導体素子４を載置するための載置部１ａを有し、該載置
部１ａに光半導体素子４が間にペルチェ素子５等を挟ん
で金−シリコンロウ材等の接着剤により接着固定され
る。
【００１２】前記基体１は鉄−ニッケル−コバルト合金
や銅−タングステン合金等の金属材料から成り、例え
ば、鉄−ニッケル−コバルト合金から成る場合、鉄−ニ
ッケル−コバルト合金のインゴット（塊）に圧延加工法
や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施すこと
によって製作される。
や銅−タングステン合金等の金属材料から成り、例え
ば、鉄−ニッケル−コバルト合金から成る場合、鉄−ニ
ッケル−コバルト合金のインゴット（塊）に圧延加工法
や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施すこと
によって製作される。
【００１３】尚、前記基体１はその外表面に耐蝕性に優
れ、且つロウ材に対し濡れ性が良い金属、具体的には厚
さ２〜６μｍのニッケル層と厚さ０．５〜５μｍの金層
を順次、メッキ法により被着させておくと、基体１が酸
化腐食するのを有効に防止することができるとともに基
体１上面に光半導体素子４の下部に配されるペルチェ素
子５等を強固に接着固定させることができる。従って、
前記基体１は酸化腐食を有効に防止し、且つ上面に光半
導体素子４の下部に配されるペルチェ素子５等を強固に
接着固定させる場合にはその外表面に厚さ２〜６μｍの
ニッケル層と厚さ０．５〜５μｍの金層を順次、メッキ
法により被着させておくことが好ましい。
れ、且つロウ材に対し濡れ性が良い金属、具体的には厚
さ２〜６μｍのニッケル層と厚さ０．５〜５μｍの金層
を順次、メッキ法により被着させておくと、基体１が酸
化腐食するのを有効に防止することができるとともに基
体１上面に光半導体素子４の下部に配されるペルチェ素
子５等を強固に接着固定させることができる。従って、
前記基体１は酸化腐食を有効に防止し、且つ上面に光半
導体素子４の下部に配されるペルチェ素子５等を強固に
接着固定させる場合にはその外表面に厚さ２〜６μｍの
ニッケル層と厚さ０．５〜５μｍの金層を順次、メッキ
法により被着させておくことが好ましい。
【００１４】また前記基体１は光半導体素子４が載置さ
れる載置部１ａの周辺に該基体１を貫通する複数個の外
部リード端子６がガラス等の絶縁部材７を介して固定さ
れている。
れる載置部１ａの周辺に該基体１を貫通する複数個の外
部リード端子６がガラス等の絶縁部材７を介して固定さ
れている。
【００１５】前記外部リード端子６は光半導体素子４の
各電極を外部の電気回路に電気的に接続する作用をな
し、その一端に光半導体素子４の電極がボンディングワ
イヤ８を介して接続され、また他端側は外部電気回路に
半田等のロウ材を介して接続される。
各電極を外部の電気回路に電気的に接続する作用をな
し、その一端に光半導体素子４の電極がボンディングワ
イヤ８を介して接続され、また他端側は外部電気回路に
半田等のロウ材を介して接続される。
【００１６】尚、前記外部リード端子６は鉄−ニッケル
−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料から成
り、基体１への固定は、基体１に外部リード端子６より
若干大きな径の孔をあけておき、この孔にリング状のガ
ラスから成る絶縁部材７と外部リード端子６を挿通さ
せ、しかる後、前記ガラスから成る絶縁部材７を加熱溶
融させることによって行われる。
−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料から成
り、基体１への固定は、基体１に外部リード端子６より
若干大きな径の孔をあけておき、この孔にリング状のガ
ラスから成る絶縁部材７と外部リード端子６を挿通さ
せ、しかる後、前記ガラスから成る絶縁部材７を加熱溶
融させることによって行われる。
【００１７】また前記外部リード端子６はその表面にニ
ッケルメッキ層、金メッキ層等の耐蝕性に優れ、且つロ
ウ材と濡れ性の良いメッキ金属層を１．０μｍ乃至２０
μｍの厚みに被着させておくと外部リード端子６の酸化
腐食が有効に防止されるとともに外部リード端子６とボ
ンディングワイヤ８との接続を強固なものとなすことが
できる。従って、前記外部リード端子６はその表面にニ
ッケルメッキ層、金メッキ層等の耐蝕性に優れ、且つロ
ウ材と濡れ性が良いメッキ金属層を１．０μｍ乃至２０
μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。
ッケルメッキ層、金メッキ層等の耐蝕性に優れ、且つロ
ウ材と濡れ性の良いメッキ金属層を１．０μｍ乃至２０
μｍの厚みに被着させておくと外部リード端子６の酸化
腐食が有効に防止されるとともに外部リード端子６とボ
ンディングワイヤ８との接続を強固なものとなすことが
できる。従って、前記外部リード端子６はその表面にニ
ッケルメッキ層、金メッキ層等の耐蝕性に優れ、且つロ
ウ材と濡れ性が良いメッキ金属層を１．０μｍ乃至２０
μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。
【００１８】更に前記基体１の上面には、光半導体素子
４が載置される載置部１ａを囲繞するようにして枠体２
が接合されており、該枠体２の内側に光半導体素子４を
収容するための空所が形成されている。
４が載置される載置部１ａを囲繞するようにして枠体２
が接合されており、該枠体２の内側に光半導体素子４を
収容するための空所が形成されている。
【００１９】前記枠体２は鉄−ニッケル−コバルト合金
や鉄−ニッケル合金等の金属材料から成り、例えば、鉄
−ニッケル−コバルト合金等のインゴット（塊）をプレ
ス加工により枠状とすることによって形成され、基体１
への取着は基体１上面と枠体２の下面とを銀ロウ材を介
しロウ付けすることによって行われている。
や鉄−ニッケル合金等の金属材料から成り、例えば、鉄
−ニッケル−コバルト合金等のインゴット（塊）をプレ
ス加工により枠状とすることによって形成され、基体１
への取着は基体１上面と枠体２の下面とを銀ロウ材を介
しロウ付けすることによって行われている。
【００２０】前記枠体２はまたその側部に貫通孔２ａが
設けてあり、該貫通孔２ａには筒状の固定部材９が取着
されている。
設けてあり、該貫通孔２ａには筒状の固定部材９が取着
されている。
【００２１】前記筒状の固定部材９はその内側空所に光
ファイバー１０が光半導体素子４と対向するようにして
挿着され、光ファイバー１０と光半導体素子４の間で光
信号の授受を行い得るようになっている。
ファイバー１０が光半導体素子４と対向するようにして
挿着され、光ファイバー１０と光半導体素子４の間で光
信号の授受を行い得るようになっている。
【００２２】尚、前記筒状の固定部材９は例えば、鉄−
ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材
料から成り、枠体２の側部に設けた貫通孔２ａに挿入さ
せ、外表面の一部を枠体２に銀ロウ等のロウ材を介し接
合させることによって枠体２に取着される。
ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材
料から成り、枠体２の側部に設けた貫通孔２ａに挿入さ
せ、外表面の一部を枠体２に銀ロウ等のロウ材を介し接
合させることによって枠体２に取着される。
【００２３】また前記筒状の固定部材９はその一端、即
ち、枠体２の内側に位置する部位に透光性部材１１が取
着されており、該透光性部材１１は固定部材９の内側空
所を塞ぎ、容器の気密封止を保持するとともに容器内部
に収容された光半導体素子４の励起する光を通過させて
光ファイバー１０に授受させる作用をなす。
ち、枠体２の内側に位置する部位に透光性部材１１が取
着されており、該透光性部材１１は固定部材９の内側空
所を塞ぎ、容器の気密封止を保持するとともに容器内部
に収容された光半導体素子４の励起する光を通過させて
光ファイバー１０に授受させる作用をなす。
【００２４】前記透光性部材１１は例えば、酸化珪素、
酸化鉛を主成分とした鉛系の非晶質ガラスで形成されて
おり、該非晶質ガラスは結晶軸が存在しないことから光
半導体素子４の励起する光を透光性部材１１を通過させ
て光ファイバー１０に授受させる場合、光半導体素子４
の励起した光は透光性部材１１で複屈折を起こすことは
なくそのまま光ファイバー１０に授受されることとな
り、その結果、光半導体素子４が励起した光の光ファイ
バー１０への授受が高効率となって光信号の伝送効率を
高いものとなすことができる。
酸化鉛を主成分とした鉛系の非晶質ガラスで形成されて
おり、該非晶質ガラスは結晶軸が存在しないことから光
半導体素子４の励起する光を透光性部材１１を通過させ
て光ファイバー１０に授受させる場合、光半導体素子４
の励起した光は透光性部材１１で複屈折を起こすことは
なくそのまま光ファイバー１０に授受されることとな
り、その結果、光半導体素子４が励起した光の光ファイ
バー１０への授受が高効率となって光信号の伝送効率を
高いものとなすことができる。
【００２５】更に前記非晶質ガラスから成る透光性部材
１１は図２（ａ）（ｂ）に示すように半球レンズもしく
は非球面レンズを成しており、これによって光半導体素
子４が励起した光は透光性部材１１を通過した後、絞ら
れて光ファイバー１０に入り込むこととなり、その結
果、光半導体素子４が励起した光の光ファイバー１０へ
の授受をより高効率とし、光信号の伝送効率を極めて高
いものとなすことができる。
１１は図２（ａ）（ｂ）に示すように半球レンズもしく
は非球面レンズを成しており、これによって光半導体素
子４が励起した光は透光性部材１１を通過した後、絞ら
れて光ファイバー１０に入り込むこととなり、その結
果、光半導体素子４が励起した光の光ファイバー１０へ
の授受をより高効率とし、光信号の伝送効率を極めて高
いものとなすことができる。
【００２６】前記透光性部材１１の固定部材９への取着
は透光性部材１１の一主面外周部にメタライズ層１２を
被着させておき、該メタライズ層１２と固定部材９とを
金−錫合金等のロウ材を介しロウ付けすることによって
行われる。この場合、透光性部材１１の固定部材９への
取着が金−錫合金等によるロウ付けにより行われること
から取着の信頼性が高いものとなり、これによって固定
部材９の場所における光半導体素子４を収容する容器の
気密封止が完全となり、容器内部に収容する光半導体素
子４を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させること
が可能となる。
は透光性部材１１の一主面外周部にメタライズ層１２を
被着させておき、該メタライズ層１２と固定部材９とを
金−錫合金等のロウ材を介しロウ付けすることによって
行われる。この場合、透光性部材１１の固定部材９への
取着が金−錫合金等によるロウ付けにより行われること
から取着の信頼性が高いものとなり、これによって固定
部材９の場所における光半導体素子４を収容する容器の
気密封止が完全となり、容器内部に収容する光半導体素
子４を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させること
が可能となる。
【００２７】尚、前記メタライズ層１２は透光性部材１
１を構成する非晶質ガラスの融点が約７００℃と低く、
従来周知のＭｏ−Ｍｎ法でモリブデン−マンガンを焼き
付けることによって形成することができないことから、
非晶質ガラスに対して活性があり、強固に接合するチタ
ン、チタン−タングステン、窒化タンタルの少なくとも
１種から成る第１層１２ａと、この第１層１２ａが透光
性部材１１を固定部材９にロウ付けする際の熱によって
後述する第３層１２ｃに拡散し、メタライズ層１２の透
光性部材１１への接合強度が低下するのを有効に防止す
る白金、ニッケル、ニッケル−クロムの少なくとも１種
から成る第２層１２ｂと、メタライズ層１２に対するロ
ウ材の濡れ性を改善し、メタライズ層１２にロウ材を強
固に接合させて透光性部材１１を固定部材９に強固に取
着させる金、白金、銅の少なくとも１種から成る第３層
１２ｃとを順次、積層させて形成されており、特にチタ
ン−白金−金を順次積層させて形成したメタライズ層１
２は、透光性部材１１との接合強度が強く、且つロウ材
との濡れ性が良好で透光性部材１１を固定部材９にロウ
付けすることが可能なことから、メタライズ層１２とし
て極めて好適である。
１を構成する非晶質ガラスの融点が約７００℃と低く、
従来周知のＭｏ−Ｍｎ法でモリブデン−マンガンを焼き
付けることによって形成することができないことから、
非晶質ガラスに対して活性があり、強固に接合するチタ
ン、チタン−タングステン、窒化タンタルの少なくとも
１種から成る第１層１２ａと、この第１層１２ａが透光
性部材１１を固定部材９にロウ付けする際の熱によって
後述する第３層１２ｃに拡散し、メタライズ層１２の透
光性部材１１への接合強度が低下するのを有効に防止す
る白金、ニッケル、ニッケル−クロムの少なくとも１種
から成る第２層１２ｂと、メタライズ層１２に対するロ
ウ材の濡れ性を改善し、メタライズ層１２にロウ材を強
固に接合させて透光性部材１１を固定部材９に強固に取
着させる金、白金、銅の少なくとも１種から成る第３層
１２ｃとを順次、積層させて形成されており、特にチタ
ン−白金−金を順次積層させて形成したメタライズ層１
２は、透光性部材１１との接合強度が強く、且つロウ材
との濡れ性が良好で透光性部材１１を固定部材９にロウ
付けすることが可能なことから、メタライズ層１２とし
て極めて好適である。
【００２８】また前記チタン、チタン−タングステン、
窒化タンタルの少なくとも１種から成る第１層１２ａ
と、白金、ニッケル、ニッケル−クロムの少なくとも１
種から成る第２層１２ｂと、金、白金、銅の少なくとも
１種から成る第３層１２ｃとの３層構造を有するメタラ
イズ層１２は、その各々の金属材料や窒化物を透光性部
材１１の一主面外周部にスパッタリング法や蒸着法、イ
オンプレーティング法、メッキ法等により順次、所定厚
みに被着させることによって形成される。
窒化タンタルの少なくとも１種から成る第１層１２ａ
と、白金、ニッケル、ニッケル−クロムの少なくとも１
種から成る第２層１２ｂと、金、白金、銅の少なくとも
１種から成る第３層１２ｃとの３層構造を有するメタラ
イズ層１２は、その各々の金属材料や窒化物を透光性部
材１１の一主面外周部にスパッタリング法や蒸着法、イ
オンプレーティング法、メッキ法等により順次、所定厚
みに被着させることによって形成される。
【００２９】更に前記メタライズ層１２をチタン、チタ
ン−タングステン、窒化タンタルの少なくとも１種から
成る第１層１２ａと、白金、ニッケル、ニッケル−クロ
ムの少なくとも１種から成る第２層１２ｂと、金、白
金、銅の少なくとも１種から成る第３層１２ｃとで形成
する場合、第１層１２ａの層厚は５００オングストロー
ム未満となるとメタライズ層１２の透光性部材１１に対
する接合強度が弱くなる傾向にあり、また２０００オン
グストロームを超えると透光性部材１１に第１層１２ａ
を被着させる際に第１層１２ａ中に大きな応力が内在
し、該内在応力によって第１層１２ａが透光性部材１１
より剥離し易くなる傾向があることから、第１層１２ａ
の厚みは５００オングストローム乃至２０００オングス
トロームの範囲としておくことが好ましく、第２層１２
ｂの層厚は、５００オングストローム未満となると透光
性部材１１を固定部材９にロウ付けする再の熱によって
第１層１２ａが第３層１２ｃに拡散するのを有効に防止
することができず、メタライズ層１２の透光性部材１１
に対する接合強度が低下してしまう危険性があり、また
１００００オングストロームを超えると第１層１２ａ上
に第２層１２ｂを被着させる際に第２層１２ｂ中に大き
な応力が内在し、該内在応力によって第２層１２ｂが第
１層１２ａより剥離し易くなる傾向にあることから、第
２層１２ｂの厚みは５００オングストローム乃至１００
００オングストロームの範囲としておくことが好まし
く、第３層１２ｃの層厚は、０．５μｍ未満であるとメ
タライズ層１２に対するロウ材の濡れ性が大きく改善さ
れず、透光性部材１１を固定部材９に強固にロウ付け取
着するのが困難となる傾向にあり、また５μｍを超える
と第２層１２ｂ上に第３層１２ｃを被着させる際に第３
層１２ｃ中に大きな応力が内在し、該内在応力によって
第３層１２ｃが第２層１２ｂより剥離し易くなる傾向に
あることから、第３層１２ｃの厚みは０．５μｍ乃至５
μｍの範囲としておくことが好ましい。
ン−タングステン、窒化タンタルの少なくとも１種から
成る第１層１２ａと、白金、ニッケル、ニッケル−クロ
ムの少なくとも１種から成る第２層１２ｂと、金、白
金、銅の少なくとも１種から成る第３層１２ｃとで形成
する場合、第１層１２ａの層厚は５００オングストロー
ム未満となるとメタライズ層１２の透光性部材１１に対
する接合強度が弱くなる傾向にあり、また２０００オン
グストロームを超えると透光性部材１１に第１層１２ａ
を被着させる際に第１層１２ａ中に大きな応力が内在
し、該内在応力によって第１層１２ａが透光性部材１１
より剥離し易くなる傾向があることから、第１層１２ａ
の厚みは５００オングストローム乃至２０００オングス
トロームの範囲としておくことが好ましく、第２層１２
ｂの層厚は、５００オングストローム未満となると透光
性部材１１を固定部材９にロウ付けする再の熱によって
第１層１２ａが第３層１２ｃに拡散するのを有効に防止
することができず、メタライズ層１２の透光性部材１１
に対する接合強度が低下してしまう危険性があり、また
１００００オングストロームを超えると第１層１２ａ上
に第２層１２ｂを被着させる際に第２層１２ｂ中に大き
な応力が内在し、該内在応力によって第２層１２ｂが第
１層１２ａより剥離し易くなる傾向にあることから、第
２層１２ｂの厚みは５００オングストローム乃至１００
００オングストロームの範囲としておくことが好まし
く、第３層１２ｃの層厚は、０．５μｍ未満であるとメ
タライズ層１２に対するロウ材の濡れ性が大きく改善さ
れず、透光性部材１１を固定部材９に強固にロウ付け取
着するのが困難となる傾向にあり、また５μｍを超える
と第２層１２ｂ上に第３層１２ｃを被着させる際に第３
層１２ｃ中に大きな応力が内在し、該内在応力によって
第３層１２ｃが第２層１２ｂより剥離し易くなる傾向に
あることから、第３層１２ｃの厚みは０．５μｍ乃至５
μｍの範囲としておくことが好ましい。
【００３０】また一方、前記枠体２の上面には、例えば
鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金
属材料から成る蓋部材３が接合され、これによって基体
１と枠体２と蓋部材３とから成る容器の内部に光半導体
素子４が気密に封止されることとなる。
鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金
属材料から成る蓋部材３が接合され、これによって基体
１と枠体２と蓋部材３とから成る容器の内部に光半導体
素子４が気密に封止されることとなる。
【００３１】前記蓋部材３の枠体２上面への接合は例え
ば、シームウエルド法等の溶接によって行われる。
ば、シームウエルド法等の溶接によって行われる。
【００３２】かくして本発明の光半導体素子収納用パッ
ケージによれば、基体１の光半導体素子載置部１ａに光
半導体素子４を間にペルチェ素子５等を挟んで載置固定
するとともに光半導体素子４の各電極をボンディングワ
イヤ８を介して外部リード端子６に電気的に接続し、次
に枠体２の上面に蓋部材３を接合させ、基体１と枠体２
と蓋部材３とから成る容器内部に光半導体素子４を収容
し、最後に枠体２の固定部材９に光ファイバー１０を挿
通させることによって最終製品としての光半導体装置と
なり、外部電気回路から供給される駆動信号によって光
半導体素子４に光を励起させ、該励起した光を非晶質ガ
ラスから成る透光性部材１１を通して光ファイバー１０
に授受させるとともに該光ファイバー１０内を伝達させ
ることによって高速光通信等に使用される。
ケージによれば、基体１の光半導体素子載置部１ａに光
半導体素子４を間にペルチェ素子５等を挟んで載置固定
するとともに光半導体素子４の各電極をボンディングワ
イヤ８を介して外部リード端子６に電気的に接続し、次
に枠体２の上面に蓋部材３を接合させ、基体１と枠体２
と蓋部材３とから成る容器内部に光半導体素子４を収容
し、最後に枠体２の固定部材９に光ファイバー１０を挿
通させることによって最終製品としての光半導体装置と
なり、外部電気回路から供給される駆動信号によって光
半導体素子４に光を励起させ、該励起した光を非晶質ガ
ラスから成る透光性部材１１を通して光ファイバー１０
に授受させるとともに該光ファイバー１０内を伝達させ
ることによって高速光通信等に使用される。
【００３３】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば上述の実施例では外部リ
ード端子６を基体１に固定したがこれを枠体２に固定し
てもよい。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば上述の実施例では外部リ
ード端子６を基体１に固定したがこれを枠体２に固定し
てもよい。
【００３４】
【発明の効果】本発明の光半導体素子収納用パッケージ
によれば、透光性部材を結晶軸を持たない非晶質ガラス
で形成したことから、光半導体素子が励起した光を透光
性部材を通して光ファイバーに伝達させる場合に、光半
導体素子の励起した光は透光性部材で複屈折を起こすこ
となくそのまま光ファイバーに授受され、これによって
光信号の伝送効率が高いものとなる。また、枠体の貫通
孔に外表面の一部をロウ材を介し接合させて取着され、
内部に光ファイバーが挿着される筒状の固定部材の枠体
の内側に位置する一端側に、透光性部材をその一主面外
周部に被着させたメタライズ層を固定部材にロウ付けし
て取着されていることから、透光性部材の取着の信頼性
が高いものとなり、これによって固定部材の場所におけ
る光半導体素子を収容する容器の気密封止が完全となる
ので、容器内部に収容する光半導体素子を長期間にわた
り正常、且つ安定に作動させることが可能となるととも
に光ファイバーと光半導体素子との間で光信号の授受を
行うことが可能となる。
によれば、透光性部材を結晶軸を持たない非晶質ガラス
で形成したことから、光半導体素子が励起した光を透光
性部材を通して光ファイバーに伝達させる場合に、光半
導体素子の励起した光は透光性部材で複屈折を起こすこ
となくそのまま光ファイバーに授受され、これによって
光信号の伝送効率が高いものとなる。また、枠体の貫通
孔に外表面の一部をロウ材を介し接合させて取着され、
内部に光ファイバーが挿着される筒状の固定部材の枠体
の内側に位置する一端側に、透光性部材をその一主面外
周部に被着させたメタライズ層を固定部材にロウ付けし
て取着されていることから、透光性部材の取着の信頼性
が高いものとなり、これによって固定部材の場所におけ
る光半導体素子を収容する容器の気密封止が完全となる
ので、容器内部に収容する光半導体素子を長期間にわた
り正常、且つ安定に作動させることが可能となるととも
に光ファイバーと光半導体素子との間で光信号の授受を
行うことが可能となる。
【００３５】また本発明の光半導体素子収納用パッケー
ジによれば、透光性部材を半球もしくは非球面レンズと
したことから光半導体素子が励起した光は透光性部材を
通過した後、絞られて光ファイバーに入り込むこととな
り、その結果、光半導体素子が励起した光の光ファイバ
ーへの授受を高効率とし、光信号の伝送効率を極めて高
いものとなすこともできる。
ジによれば、透光性部材を半球もしくは非球面レンズと
したことから光半導体素子が励起した光は透光性部材を
通過した後、絞られて光ファイバーに入り込むこととな
り、その結果、光半導体素子が励起した光の光ファイバ
ーへの授受を高効率とし、光信号の伝送効率を極めて高
いものとなすこともできる。
【図１】本発明の光半導体素子収納用パッケージの一実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
【図２】図１に示す光半導体素子収納用パッケージの要
部拡大断面図である。
部拡大断面図である。
１・・・基体 １ａ・・光半導体素子載置部 ２・・・枠体 ２ａ・・貫通孔 ３・・・蓋部材 ４・・・光半導体素子 ９・・・固定部材 １０・・・光ファイバー １１・・・透光性部材 １２・・・メタライズ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/022 H01L 23/02 H01L 31/02 H01L 33/00
Claims (1)
- 【請求項１】上面に光半導体素子が載置される光半導体
素子載置部を有する基体と、該基体上で前記光半導体素
子載置部を囲繞するように取着され、側部に貫通孔を有
する枠体と、該枠体の前記貫通孔に外表面の一部をロウ
材を介し接合させて取着され、内部に光ファイバーが挿
着される筒状の固定部材と、該固定部材の前記枠体の内
側に位置する一端側に取着される透光性部材と、前記枠
体の上面に取着され、光半導体素子を気密に封止する蓋
部材とから成る光半導体素子収納用パッケージであっ
て、前記透光性部材は非晶質ガラスから成る半球もしく
は非球面レンズであり、その一主面外周部に被着させた
メタライズ層が前記固定部材にロウ付けされていること
を特徴とする光半導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20262196A JP3336199B2 (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 光半導体素子収納用パッケージ |
| US08/923,928 US6036375A (en) | 1996-07-26 | 1997-07-24 | Optical semiconductor device housing package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20262196A JP3336199B2 (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 光半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1051036A JPH1051036A (ja) | 1998-02-20 |
| JP3336199B2 true JP3336199B2 (ja) | 2002-10-21 |
Family
ID=16460409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20262196A Expired - Lifetime JP3336199B2 (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-31 | 光半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3336199B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103185927A (zh) * | 2011-12-29 | 2013-07-03 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 光纤传输模组 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6426591B1 (en) * | 1998-09-28 | 2002-07-30 | Kyocera Corporation | Package for housing photosemiconductor element |
| JP3764599B2 (ja) * | 1999-03-24 | 2006-04-12 | 京セラ株式会社 | 光半導体素子収納用パッケージの製造方法 |
| JP2007048937A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザおよびその製法 |
-
1996
- 1996-07-31 JP JP20262196A patent/JP3336199B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103185927A (zh) * | 2011-12-29 | 2013-07-03 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 光纤传输模组 |
| CN103185927B (zh) * | 2011-12-29 | 2016-03-02 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 光纤传输模组 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1051036A (ja) | 1998-02-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08148594A (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| US6036375A (en) | Optical semiconductor device housing package | |
| US6426591B1 (en) | Package for housing photosemiconductor element | |
| JP3500304B2 (ja) | 半導体素子支持部材及びこれを用いた半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3336199B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2000183203A (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2001068691A (ja) | 光素子収納用パッケージ | |
| JP3285765B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3285766B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3512648B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2001015635A (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3285767B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3762122B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3285768B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3522129B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3297617B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2000106407A (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3706484B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3526518B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3488392B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3457906B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2750258B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2000106405A (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2000156427A (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3502756B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080802 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080802 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090802 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090802 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100802 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100802 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110802 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110802 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120802 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130802 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |