JPH08148594A - 光半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
光半導体素子収納用パッケージInfo
- Publication number
- JPH08148594A JPH08148594A JP29114294A JP29114294A JPH08148594A JP H08148594 A JPH08148594 A JP H08148594A JP 29114294 A JP29114294 A JP 29114294A JP 29114294 A JP29114294 A JP 29114294A JP H08148594 A JPH08148594 A JP H08148594A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical semiconductor
- semiconductor element
- optical
- window member
- sapphire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】光信号の伝送効率に優れた光半導体素子収納用
パッケージを提供する。 【構成】上面に光半導体素子４が載置される載置部１ａ
を有する基体１と、前記基体１上で光半導体素子載置部
１ａを囲繞するように取着され、側部に貫通孔２ａを有
する枠体２と、前記枠体２の貫通孔２ａに取着され、一
端に傾斜面を有し、且つ内部に光ファイバー１０が挿着
される筒状の固定部材９と、前記筒状固定部材９の傾斜
面に取着されるサファイアから成る窓部材１１と、前記
枠体２の上面に取着され、光半導体素子４を気密に封止
する蓋体３とから成る光半導体素子収納用パッケージで
あって、前記筒状固定部材９の傾斜面の傾斜角をθ1 、
筒状固定部材９の軸方向と窓部材１１を形成するサファ
イアのC 軸とが成す角度をθ2 、光半導体素子４の光の
波長に対する窓部材１１を形成するサファイアの屈折率
をαとした時、θ2 ≒θ1 −sin -1(1/ α・sin θ1 )
を満足する。
パッケージを提供する。 【構成】上面に光半導体素子４が載置される載置部１ａ
を有する基体１と、前記基体１上で光半導体素子載置部
１ａを囲繞するように取着され、側部に貫通孔２ａを有
する枠体２と、前記枠体２の貫通孔２ａに取着され、一
端に傾斜面を有し、且つ内部に光ファイバー１０が挿着
される筒状の固定部材９と、前記筒状固定部材９の傾斜
面に取着されるサファイアから成る窓部材１１と、前記
枠体２の上面に取着され、光半導体素子４を気密に封止
する蓋体３とから成る光半導体素子収納用パッケージで
あって、前記筒状固定部材９の傾斜面の傾斜角をθ1 、
筒状固定部材９の軸方向と窓部材１１を形成するサファ
イアのC 軸とが成す角度をθ2 、光半導体素子４の光の
波長に対する窓部材１１を形成するサファイアの屈折率
をαとした時、θ2 ≒θ1 −sin -1(1/ α・sin θ1 )
を満足する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光半導体素子を収容する
光半導体素子収納用パッケージに関し、より詳細には光
半導体素子を気密に封止し、且つ光半導体素子と光信号
の授受を行うための光ファイバーを固定可能な光半導体
素子収納用パッケージに関する。
光半導体素子収納用パッケージに関し、より詳細には光
半導体素子を気密に封止し、且つ光半導体素子と光信号
の授受を行うための光ファイバーを固定可能な光半導体
素子収納用パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光半導体素子を収容するための光
半導体素子収納用パッケージは、鉄ーニッケルーコバル
ト合金や銅ータングステン合金等の金属から成り、上面
中央部に光半導体素子を搭載する搭載部を有し、該搭載
部周辺に複数の外部リード端子が絶縁部材を介し上面か
ら下面に貫通するようにして固定された金属基体と、前
記光半導体素子搭載部を囲繞するようにして金属基体上
に銀ロウ等のロウ材を介して接合され、側部に貫通孔を
有する金属枠体と、前記金属枠体の貫通孔に取着され、
内側に光半導体素子と外部との光信号の授受を行う光フ
ァイバーが挿着される筒状の固定部材と、前記固定部材
の一端に取着されているサファイアから成る窓部材と、
前記金属枠体の上面に接合され、光半導体素子を気密に
封止する金属蓋体とから構成されており、前記金属基体
の光半導体素子搭載部に光半導体素子を接着固定すると
ともに該光半導体素子の各電極をボンディングワイヤを
介して外部リード端子に電気的に接続し、しかる後、前
記金属枠体の上面に金属蓋体を接合させ、金属基体と金
属枠体と金属蓋体とから成る容器内部に光半導体素子を
気密に収容するとともに筒状固定部材の内部に光ファイ
バーを挿着させることによって製品としての光半導体装
置となる。
半導体素子収納用パッケージは、鉄ーニッケルーコバル
ト合金や銅ータングステン合金等の金属から成り、上面
中央部に光半導体素子を搭載する搭載部を有し、該搭載
部周辺に複数の外部リード端子が絶縁部材を介し上面か
ら下面に貫通するようにして固定された金属基体と、前
記光半導体素子搭載部を囲繞するようにして金属基体上
に銀ロウ等のロウ材を介して接合され、側部に貫通孔を
有する金属枠体と、前記金属枠体の貫通孔に取着され、
内側に光半導体素子と外部との光信号の授受を行う光フ
ァイバーが挿着される筒状の固定部材と、前記固定部材
の一端に取着されているサファイアから成る窓部材と、
前記金属枠体の上面に接合され、光半導体素子を気密に
封止する金属蓋体とから構成されており、前記金属基体
の光半導体素子搭載部に光半導体素子を接着固定すると
ともに該光半導体素子の各電極をボンディングワイヤを
介して外部リード端子に電気的に接続し、しかる後、前
記金属枠体の上面に金属蓋体を接合させ、金属基体と金
属枠体と金属蓋体とから成る容器内部に光半導体素子を
気密に収容するとともに筒状固定部材の内部に光ファイ
バーを挿着させることによって製品としての光半導体装
置となる。
【０００３】かかる光半導体装置は外部電気回路から供
給される駆動信号によって光半導体素子に光を励起さ
せ、該励起した光をサファイアから成る窓部材を通して
光ファイバーに授受させるとともに該光ファイバー内を
伝達させることによって高速光通信等に使用される光半
導体装置として機能する。
給される駆動信号によって光半導体素子に光を励起さ
せ、該励起した光をサファイアから成る窓部材を通して
光ファイバーに授受させるとともに該光ファイバー内を
伝達させることによって高速光通信等に使用される光半
導体装置として機能する。
【０００４】尚、前記光半導体素子収納用パッケージの
筒状固定部材の一端に取着される窓部材は光半導体素子
が励起した光を光ファイバーに授受させる際、窓部材で
反射した光が光半導体素子に照射され、光半導体素子の
光の励起が不安定となるのを有効に防止するため筒状固
定部材の中心軸方向に対し所定の角度をもって斜めに取
着されている。
筒状固定部材の一端に取着される窓部材は光半導体素子
が励起した光を光ファイバーに授受させる際、窓部材で
反射した光が光半導体素子に照射され、光半導体素子の
光の励起が不安定となるのを有効に防止するため筒状固
定部材の中心軸方向に対し所定の角度をもって斜めに取
着されている。
【０００５】また前記サファイアから成る窓部材は、サ
ファイアの単結晶を従来周知のチョクラルスキー法やベ
ルヌイ法等の単結晶引き上げ方法によって形成するとと
もに該引き上げられたサファイア単結晶を引き上げ方向
(C軸方向) に対し垂直方向（結晶面方位を〔0001〕とな
るよう）に切断し、所定の板状となすことによって製作
されている。
ファイアの単結晶を従来周知のチョクラルスキー法やベ
ルヌイ法等の単結晶引き上げ方法によって形成するとと
もに該引き上げられたサファイア単結晶を引き上げ方向
(C軸方向) に対し垂直方向（結晶面方位を〔0001〕とな
るよう）に切断し、所定の板状となすことによって製作
されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の光半導体素子収納用パッケージにおいては、サアァ
イアが光半導体素子の励起する光に対し所定の屈折率を
有していること、筒状固定部材の傾斜面に該傾斜面に対
し結晶面方位を〔0001〕としたサファイアから成る窓部
材が取着されていること等から光半導体素子の励起する
光を窓部材を通して光ファイバーに授受させる場合、光
半導体素子の励起した光が窓部材で複屈折を起こして光
の一部のみが光ファイバーに授受されることとなり、そ
の結果、光ファイバーへの光の授受の効率が悪くなると
ともに光信号の伝送効率が悪化するという欠点を有して
いた。
来の光半導体素子収納用パッケージにおいては、サアァ
イアが光半導体素子の励起する光に対し所定の屈折率を
有していること、筒状固定部材の傾斜面に該傾斜面に対
し結晶面方位を〔0001〕としたサファイアから成る窓部
材が取着されていること等から光半導体素子の励起する
光を窓部材を通して光ファイバーに授受させる場合、光
半導体素子の励起した光が窓部材で複屈折を起こして光
の一部のみが光ファイバーに授受されることとなり、そ
の結果、光ファイバーへの光の授受の効率が悪くなると
ともに光信号の伝送効率が悪化するという欠点を有して
いた。
【０００７】
【発明の目的】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は光半導体素子の光半導体素子が励起した
光を窓部材を通して光ファイバに効率良く授受させ、光
信号の伝送効率を優れたものとなす光半導体素子収納用
パッケージを提供することにある。
で、その目的は光半導体素子の光半導体素子が励起した
光を窓部材を通して光ファイバに効率良く授受させ、光
信号の伝送効率を優れたものとなす光半導体素子収納用
パッケージを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上面に光半導体
素子が載置される載置部を有する基体と、前記基体上で
光半導体素子載置部を囲繞するように取着され、側部に
貫通孔を有する枠体と、前記枠体の貫通孔に取着され、
一端に傾斜面を有し、且つ内部に光ファイバーが挿着さ
れる筒状の固定部材と、前記筒状固定部材の傾斜面に取
着されるサファイアから成る窓部材と、前記枠体の上面
に取着され、光半導体素子を気密に封止する蓋体とから
成る光半導体素子収納用パッケージであって、前記筒状
固定部材の傾斜面の傾斜角をθ1 、筒状固定部材の軸方
向と窓部材を形成するサファイアのC 軸とが成す角度を
θ2 、光半導体素子の光の波長に対する窓部材を形成す
るサファイアの屈折率をαとした時、θ2 ≒θ1 −sin
-1(1/ α・sin θ1 ) を満足することを特徴とするもの
である。
素子が載置される載置部を有する基体と、前記基体上で
光半導体素子載置部を囲繞するように取着され、側部に
貫通孔を有する枠体と、前記枠体の貫通孔に取着され、
一端に傾斜面を有し、且つ内部に光ファイバーが挿着さ
れる筒状の固定部材と、前記筒状固定部材の傾斜面に取
着されるサファイアから成る窓部材と、前記枠体の上面
に取着され、光半導体素子を気密に封止する蓋体とから
成る光半導体素子収納用パッケージであって、前記筒状
固定部材の傾斜面の傾斜角をθ1 、筒状固定部材の軸方
向と窓部材を形成するサファイアのC 軸とが成す角度を
θ2 、光半導体素子の光の波長に対する窓部材を形成す
るサファイアの屈折率をαとした時、θ2 ≒θ1 −sin
-1(1/ α・sin θ1 ) を満足することを特徴とするもの
である。
【０００９】
【作用】本発明の光半導体素子収納用パッケージによれ
ば、筒状固定部材の傾斜面の傾斜角をθ1 、筒状固定部
材の軸方向と窓部材を形成するサファイアのC 軸とが成
す角度をθ2 、光半導体素子の光の波長に対する窓部材
を形成するサファイアの屈折率をαとした時、θ2 ≒θ
1 −sin -1(1/ α・sin θ1 ) を満足するようになした
ことから光半導体素子が励起した光は窓部材で複屈折を
起こすことなく、全てがそのまま光ファイバーに授受さ
れ、その結果、光ファイバーへの光の授受の効率が良好
となるとともに光信号の伝送効率が優れたものとなる。
ば、筒状固定部材の傾斜面の傾斜角をθ1 、筒状固定部
材の軸方向と窓部材を形成するサファイアのC 軸とが成
す角度をθ2 、光半導体素子の光の波長に対する窓部材
を形成するサファイアの屈折率をαとした時、θ2 ≒θ
1 −sin -1(1/ α・sin θ1 ) を満足するようになした
ことから光半導体素子が励起した光は窓部材で複屈折を
起こすことなく、全てがそのまま光ファイバーに授受さ
れ、その結果、光ファイバーへの光の授受の効率が良好
となるとともに光信号の伝送効率が優れたものとなる。
【００１０】
【実施例】次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明す
る。図１及び図２は本発明の光半導体素子収納用パッケ
ージの一実施例を示し、1は基体、２は枠体、３は蓋体
である。この基体１と枠体２と蓋体３とで内部に光半導
体素子４を収容するための容器が構成される。
る。図１及び図２は本発明の光半導体素子収納用パッケ
ージの一実施例を示し、1は基体、２は枠体、３は蓋体
である。この基体１と枠体２と蓋体３とで内部に光半導
体素子４を収容するための容器が構成される。
【００１１】前記基体１は光半導体素子４を支持する支
持部材として作用し、その上面の略中央部に光半導体素
子４を載置するための載置部１ａを有し、該載置部１ａ
に光半導体素子４が間にペルチェ素子５等を挟んで金ー
シリコンロウ材等の接着剤により接着固定される。
持部材として作用し、その上面の略中央部に光半導体素
子４を載置するための載置部１ａを有し、該載置部１ａ
に光半導体素子４が間にペルチェ素子５等を挟んで金ー
シリコンロウ材等の接着剤により接着固定される。
【００１２】前記基体１は鉄ーニッケルーコバルト合金
や銅ータングステン合金等の金属材料から成り、例え
ば、鉄ーニッケルーコバルト合金のインゴット（塊）に
圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法
を施すことによって製作される。
や銅ータングステン合金等の金属材料から成り、例え
ば、鉄ーニッケルーコバルト合金のインゴット（塊）に
圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法
を施すことによって製作される。
【００１３】また前記基体１は、光半導体素子４が載置
される載置部１ａの周辺に該基体１を貫通する複数個の
外部リード端子６がガラス等の絶縁部材７を介して固定
されている。
される載置部１ａの周辺に該基体１を貫通する複数個の
外部リード端子６がガラス等の絶縁部材７を介して固定
されている。
【００１４】前記外部リード端子６は光半導体素子４の
各電極を外部の電気回路に電気的に接続する作用を為
し、その一端に光半導体素子４の電極がボンディングワ
イヤ８を介して接続され、また他端側は外部電気回路に
半田等のロウ材を介して接続される。
各電極を外部の電気回路に電気的に接続する作用を為
し、その一端に光半導体素子４の電極がボンディングワ
イヤ８を介して接続され、また他端側は外部電気回路に
半田等のロウ材を介して接続される。
【００１５】尚、前記外部リード端子６は鉄ーニッケル
ーコバルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成
り、基体１への固定は、基体１に外部リード端子６より
若干大きな径の孔をあけておき、この孔にリング状のガ
ラスから成る絶縁部材７と外部リード端子６を挿通さ
せ、しかる後、前記ガラスから成る絶縁部材７を加熱溶
融させることによって行われる。
ーコバルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成
り、基体１への固定は、基体１に外部リード端子６より
若干大きな径の孔をあけておき、この孔にリング状のガ
ラスから成る絶縁部材７と外部リード端子６を挿通さ
せ、しかる後、前記ガラスから成る絶縁部材７を加熱溶
融させることによって行われる。
【００１６】また前記外部リード端子６はその表面にニ
ッケルメッキ層、金メッキ層等の耐蝕性に優れ、且つロ
ウ材と濡れ性が良いメッキ金属層を１．０乃至２０．０
μｍの厚みに層着させておくと外部リード端子６の酸化
腐食が有効に防止されるとともに外部リード端子６とボ
ンディングワイヤ８との接続を強固なものとなすことが
できる。従って、前記外部リード端子６はその表面にニ
ッケルメッキ層、金メッキ層等の耐蝕性に優れ、且つロ
ウ材と濡れ性が良いメッキ金属層を１．０乃至２０．０
μｍの厚みに層着させておくことが好ましい。
ッケルメッキ層、金メッキ層等の耐蝕性に優れ、且つロ
ウ材と濡れ性が良いメッキ金属層を１．０乃至２０．０
μｍの厚みに層着させておくと外部リード端子６の酸化
腐食が有効に防止されるとともに外部リード端子６とボ
ンディングワイヤ８との接続を強固なものとなすことが
できる。従って、前記外部リード端子６はその表面にニ
ッケルメッキ層、金メッキ層等の耐蝕性に優れ、且つロ
ウ材と濡れ性が良いメッキ金属層を１．０乃至２０．０
μｍの厚みに層着させておくことが好ましい。
【００１７】更に前記基体１の上面には、光半導体素子
４が載置される載置部１ａを囲繞するようにして枠体２
が接合されており、これにより内部に光半導体素子４を
収容するための空所が形成される。
４が載置される載置部１ａを囲繞するようにして枠体２
が接合されており、これにより内部に光半導体素子４を
収容するための空所が形成される。
【００１８】前記枠体２は例えば、鉄ーニッケルーコバ
ルト合金、鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、基
体１の上面に光半導体素子４が載置される載置部１ａを
囲繞するようにして銀ロウ等のロウ材を介して接合され
る。
ルト合金、鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、基
体１の上面に光半導体素子４が載置される載置部１ａを
囲繞するようにして銀ロウ等のロウ材を介して接合され
る。
【００１９】前記枠体２はまたその側部に貫通孔２ａが
設けてあり、該貫通孔２ａには筒状の固定部材９が取着
されている。
設けてあり、該貫通孔２ａには筒状の固定部材９が取着
されている。
【００２０】前記筒状の固定部材９はその内側空所に光
ファイバー１０が光半導体素子４と対向するようにして
挿着され、光ファイバー１０と光半導体素子４との間で
光信号の授受を行い得るようになっている。
ファイバー１０が光半導体素子４と対向するようにして
挿着され、光ファイバー１０と光半導体素子４との間で
光信号の授受を行い得るようになっている。
【００２１】尚、前記筒状の固定部材９は例えば、鉄ー
ニッケルーコバルト合金、鉄ーニッケル合金等の金属材
料から成り、枠体２の側部に設けた貫通孔２ａに挿入さ
せ、外表面の一部を枠体２に銀ロウ等のロウ材を介して
接合させることによって枠体２に取着される。
ニッケルーコバルト合金、鉄ーニッケル合金等の金属材
料から成り、枠体２の側部に設けた貫通孔２ａに挿入さ
せ、外表面の一部を枠体２に銀ロウ等のロウ材を介して
接合させることによって枠体２に取着される。
【００２２】また前記筒状の固定部材９はその一端、即
ち、枠体２の内側に位置する端部が所定の角度をもって
斜めに傾斜しており、該斜めに傾斜する面にサファイア
から成る窓部材１１が取着されている。
ち、枠体２の内側に位置する端部が所定の角度をもって
斜めに傾斜しており、該斜めに傾斜する面にサファイア
から成る窓部材１１が取着されている。
【００２３】前記筒状固定部材９の一端を斜めに傾斜さ
せるのは光半導体素子４が励起した光を窓部材１１を通
して光ファイバー１０に授受させる際、光の一部が窓部
材１１で反射されて光半導体素子４に照射されるのを有
効に防止するためであり、これによって光半導体素子４
は常に安定した光の励起ができ、光ファイバー１０との
間に正確な光信号の授受が可能となる。
せるのは光半導体素子４が励起した光を窓部材１１を通
して光ファイバー１０に授受させる際、光の一部が窓部
材１１で反射されて光半導体素子４に照射されるのを有
効に防止するためであり、これによって光半導体素子４
は常に安定した光の励起ができ、光ファイバー１０との
間に正確な光信号の授受が可能となる。
【００２４】また前記筒状固定部材９の斜めに傾斜して
いる一端に取着されている窓部材１１は光半導体素子４
が収容される容器の内部を気密に封止するとともに容器
内部に収容されている光半導体素子４が励起する光を容
器外部に取着されている光ファイバー１０に授受させる
作用を為し、透光性材料であるサファイアで形成されて
いる。
いる一端に取着されている窓部材１１は光半導体素子４
が収容される容器の内部を気密に封止するとともに容器
内部に収容されている光半導体素子４が励起する光を容
器外部に取着されている光ファイバー１０に授受させる
作用を為し、透光性材料であるサファイアで形成されて
いる。
【００２５】前記窓部材１１は図２に示すように、筒状
固定部材９の傾斜面の傾斜角をθ1、筒状固定部材９の
軸方向Ｘと窓部材１１を形成するサファイアのC 軸とが
成す角度をθ2 、光半導体素子４の光の波長に対する窓
部材１１を形成するサファイアの屈折率をαとした時、
θ2 ≒θ1 −sin -1(1/ α・sin θ1 ) を満足するよう
にして筒状固定部材９の斜めに傾斜している一端に取着
されており、これによって光半導体素子４が励起した光
は窓部材１１で複屈折を起こすことなく、全てがそのま
ま光ファイバー１０に授受され、その結果、光ファイバ
ー１０への光の授受の効率が良好となるとともに光信号
の伝送効率が優れたものとなる。
固定部材９の傾斜面の傾斜角をθ1、筒状固定部材９の
軸方向Ｘと窓部材１１を形成するサファイアのC 軸とが
成す角度をθ2 、光半導体素子４の光の波長に対する窓
部材１１を形成するサファイアの屈折率をαとした時、
θ2 ≒θ1 −sin -1(1/ α・sin θ1 ) を満足するよう
にして筒状固定部材９の斜めに傾斜している一端に取着
されており、これによって光半導体素子４が励起した光
は窓部材１１で複屈折を起こすことなく、全てがそのま
ま光ファイバー１０に授受され、その結果、光ファイバ
ー１０への光の授受の効率が良好となるとともに光信号
の伝送効率が優れたものとなる。
【００２６】前記サファイアから成る窓部材１１はサフ
ァイアの単結晶を従来周知のＥＦＧ法（Edge-defined F
ilm-fed Growth method)やチョクラルスキー法、ベルヌ
イ法等の単結晶引き上げ方法によって形成するとともに
該引き上げられたサファイア単結晶を上記式を満足する
よう所定角度に切断することによって製作される。
ァイアの単結晶を従来周知のＥＦＧ法（Edge-defined F
ilm-fed Growth method)やチョクラルスキー法、ベルヌ
イ法等の単結晶引き上げ方法によって形成するとともに
該引き上げられたサファイア単結晶を上記式を満足する
よう所定角度に切断することによって製作される。
【００２７】また更に前記枠体２の上面には、例えば鉄
ーニッケルーコバルト合金、鉄ーニッケル合金等の金属
から成る平板状の蓋体３が接合され、これにより基体１
と枠体２と蓋体３とから成る容器の内部に光半導体素子
４が気密に封止されることとなる。
ーニッケルーコバルト合金、鉄ーニッケル合金等の金属
から成る平板状の蓋体３が接合され、これにより基体１
と枠体２と蓋体３とから成る容器の内部に光半導体素子
４が気密に封止されることとなる。
【００２８】前記蓋体３の枠体２上面への接合は例え
ば、シームウエルド法等の溶接によって行われる。
ば、シームウエルド法等の溶接によって行われる。
【００２９】かくして本発明の光半導体素子収納用パッ
ケージによれば基体１の光半導体素子載置部１ａに光半
導体素子４を接着固定するとともに光半導体素子４の各
電極をボンディングワイヤ８を介して外部リード端子６
に電気的に接続し、次に枠体２の上面に蓋体３を接合さ
せ、基体１と枠体２と蓋体３とから成る容器内部に光半
導体素子４を収容し、最後に枠体２の固定部材９に光フ
ァイバー１０を挿着させることによって最終製品として
の光半導体装置となり、外部電気回路から供給される駆
動信号によって光半導体素子４に光を励起させ、該励起
した光をサファイアから成る窓部材１１を通して光ファ
イバー１０に授受させるとともに該光ファイバー１０内
を伝達させることによって高速光通信等に使用される。
ケージによれば基体１の光半導体素子載置部１ａに光半
導体素子４を接着固定するとともに光半導体素子４の各
電極をボンディングワイヤ８を介して外部リード端子６
に電気的に接続し、次に枠体２の上面に蓋体３を接合さ
せ、基体１と枠体２と蓋体３とから成る容器内部に光半
導体素子４を収容し、最後に枠体２の固定部材９に光フ
ァイバー１０を挿着させることによって最終製品として
の光半導体装置となり、外部電気回路から供給される駆
動信号によって光半導体素子４に光を励起させ、該励起
した光をサファイアから成る窓部材１１を通して光ファ
イバー１０に授受させるとともに該光ファイバー１０内
を伝達させることによって高速光通信等に使用される。
【００３０】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えばサファイアから成る窓部
材の表面に無反射コートを施しておくと光の透過性が向
上し、光ファイバーへの光の授受の効率がより一層良好
となる。従って、前記サファイアから成る窓部材の表面
には無反射コートを施しておくことが好ましい。この無
反射コートとしてはフッ化マグネシウムが好適に使用さ
れる。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えばサファイアから成る窓部
材の表面に無反射コートを施しておくと光の透過性が向
上し、光ファイバーへの光の授受の効率がより一層良好
となる。従って、前記サファイアから成る窓部材の表面
には無反射コートを施しておくことが好ましい。この無
反射コートとしてはフッ化マグネシウムが好適に使用さ
れる。
【００３１】
【発明の効果】本発明の光半導体素子収納用パッケージ
によれば、筒状固定部材の傾斜面の傾斜角をθ1 、筒状
固定部材の軸方向と窓部材を形成するサファイアのC 軸
とが成す角度をθ2 、光半導体素子の光が入射される窓
部材を形成するサファイアの屈折率をαとした時、θ2
≒θ1 −sin -1(1/ α・sin θ1 ) を満足するようにな
したことから光半導体素子が励起した光は窓部材で複屈
折を起こすことなく、全てがそのまま光ファイバーに授
受され、その結果、光ファイバーへの光の授受の効率が
良好となるとともに光信号の伝送効率が優れたものとな
る。
によれば、筒状固定部材の傾斜面の傾斜角をθ1 、筒状
固定部材の軸方向と窓部材を形成するサファイアのC 軸
とが成す角度をθ2 、光半導体素子の光が入射される窓
部材を形成するサファイアの屈折率をαとした時、θ2
≒θ1 −sin -1(1/ α・sin θ1 ) を満足するようにな
したことから光半導体素子が励起した光は窓部材で複屈
折を起こすことなく、全てがそのまま光ファイバーに授
受され、その結果、光ファイバーへの光の授受の効率が
良好となるとともに光信号の伝送効率が優れたものとな
る。
【図１】本発明の光半導体素子収納用パッケージの一実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体素子収納用パッケージの筒状
固定部材と窓部材を形成するサファイアの結晶軸方向と
の関係を説明するための図である。
固定部材と窓部材を形成するサファイアの結晶軸方向と
の関係を説明するための図である。
１・・・・・・基体 １ａ・・・・・光半導体素子載置部 ２・・・・・・枠体 ２ａ・・・・・貫通孔 ３・・・・・・蓋体 ４・・・・・・光半導体素子 ６・・・・・・外部リード端子 ９・・・・・・筒状の固定部材 １０・・・・・光ファイバー １１・・・・・窓部材
Claims (1)
- 【請求項１】上面に光半導体素子が載置される載置部を
有する基体と、前記基体上で光半導体素子載置部を囲繞
するように取着され、側部に貫通孔を有する枠体と、前
記枠体の貫通孔に取着され、一端に傾斜面を有し、且つ
内部に光ファイバーが挿着される筒状の固定部材と、前
記筒状固定部材の傾斜面に取着されるサファイアから成
る窓部材と、前記枠体の上面に取着され、光半導体素子
を気密に封止する蓋体とから成る光半導体素子収納用パ
ッケージであって、前記筒状固定部材の傾斜面の傾斜角
をθ1 、筒状固定部材の軸方向と窓部材を形成するサフ
ァイアのC 軸とが成す角度をθ2 、光半導体素子の光の
波長に対する窓部材を形成するサファイアの屈折率をα
とした時、θ2 ≒θ1 −sin -1(1/ α・sin θ1 ) を満
足することを特徴とする光半導体素子収納用パッケー
ジ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29114294A JPH08148594A (ja) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | 光半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29114294A JPH08148594A (ja) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | 光半導体素子収納用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08148594A true JPH08148594A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=17764991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29114294A Pending JPH08148594A (ja) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | 光半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08148594A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5945721A (en) * | 1997-07-30 | 1999-08-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Air-tightly sealed container for photosemiconductor, and photosemiconductor module |
| FR2788376A1 (fr) * | 1998-09-28 | 2000-07-13 | Kyocera Corp | Boitier pour element photosemi-conducteur |
| EP1184688A2 (en) * | 2000-09-01 | 2002-03-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical sapphire window |
| EP1263054A2 (en) * | 2001-05-30 | 2002-12-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Hermetically sealing package for optical semiconductor device and optical semiconductor module |
| US6588948B2 (en) | 2000-09-01 | 2003-07-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical communication module having a constant plane of polarization of transmitted light |
| JP2005136119A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | サファイア窓材 |
| JP2009003282A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Fujitsu Ltd | 光スイッチおよびｍｅｍｓパッケージ |
| US7706049B2 (en) | 2007-03-29 | 2010-04-27 | Fujitsu Limited | Mirror device and optical apparatus |
| US9632537B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-04-25 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
| US9678540B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-06-13 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
| US9692113B2 (en) | 2014-02-12 | 2017-06-27 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
| US10052848B2 (en) | 2012-03-06 | 2018-08-21 | Apple Inc. | Sapphire laminates |
| US10324496B2 (en) | 2013-12-11 | 2019-06-18 | Apple Inc. | Cover glass arrangement for an electronic device |
| US10406634B2 (en) | 2015-07-01 | 2019-09-10 | Apple Inc. | Enhancing strength in laser cutting of ceramic components |
-
1994
- 1994-11-25 JP JP29114294A patent/JPH08148594A/ja active Pending
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5945721A (en) * | 1997-07-30 | 1999-08-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Air-tightly sealed container for photosemiconductor, and photosemiconductor module |
| FR2788376A1 (fr) * | 1998-09-28 | 2000-07-13 | Kyocera Corp | Boitier pour element photosemi-conducteur |
| EP1184688A2 (en) * | 2000-09-01 | 2002-03-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical sapphire window |
| US6588948B2 (en) | 2000-09-01 | 2003-07-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical communication module having a constant plane of polarization of transmitted light |
| KR100405289B1 (ko) * | 2000-09-01 | 2003-11-12 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 광 모듈 |
| EP1263054A2 (en) * | 2001-05-30 | 2002-12-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Hermetically sealing package for optical semiconductor device and optical semiconductor module |
| EP1263054A3 (en) * | 2001-05-30 | 2003-05-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Hermetically sealing package for optical semiconductor device and optical semiconductor module |
| US6674143B2 (en) | 2001-05-30 | 2004-01-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Hermetically sealing package for optical semiconductor and optical semiconductor module |
| JP2005136119A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | サファイア窓材 |
| US7706049B2 (en) | 2007-03-29 | 2010-04-27 | Fujitsu Limited | Mirror device and optical apparatus |
| JP2009003282A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Fujitsu Ltd | 光スイッチおよびｍｅｍｓパッケージ |
| US7580599B2 (en) | 2007-06-22 | 2009-08-25 | Fujitsu Limited | Optical switch and MEMS package |
| US10052848B2 (en) | 2012-03-06 | 2018-08-21 | Apple Inc. | Sapphire laminates |
| US9632537B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-04-25 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
| US9678540B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-06-13 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
| US10324496B2 (en) | 2013-12-11 | 2019-06-18 | Apple Inc. | Cover glass arrangement for an electronic device |
| US10386889B2 (en) | 2013-12-11 | 2019-08-20 | Apple Inc. | Cover glass for an electronic device |
| US9692113B2 (en) | 2014-02-12 | 2017-06-27 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
| US10406634B2 (en) | 2015-07-01 | 2019-09-10 | Apple Inc. | Enhancing strength in laser cutting of ceramic components |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08148594A (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| US6036375A (en) | Optical semiconductor device housing package | |
| JP3199611B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| US6426591B1 (en) | Package for housing photosemiconductor element | |
| JPH11307692A (ja) | 半導体素子支持部材及びこれを用いた半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3336199B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2746809B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2001015635A (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3285765B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3522129B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3762122B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3526518B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3285766B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3512648B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3297617B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3285768B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2750258B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2000138323A (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3488392B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2000106407A (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2000156427A (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3457906B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3285767B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2000106445A (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH11186424A (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ |