JP2000183203A - 光半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
光半導体素子収納用パッケージInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】筒状の固定部材の内部に透光性部材を強固に接
合させるこができない。 【解決手段】上面に光半導体素子４が載置される載置部
１ａを有する基体１と、前記基体１上に光半導体素子載
置部１ａを囲繞するように取着され、側部に貫通孔２ａ
を有する枠体２と、前記貫通孔２ａに取着され、一端に
光ファイバー部材１１が接続される筒状の固定部材９
と、前記筒状の固定部材９の内部に取着され、筒状の固
定部材９の内部を塞ぐ透光性部材１０と、前記枠体２の
上面に取着され、光半導体素子４を気密に封止する蓋部
材３とから成る光半導体素子収納用パッケージであっ
て、前記透光性部材１０はサファイアから成り、かつ筒
状の固定部材９の３０〜４００℃における熱膨張係数が
透光性部材１０の熱膨張係数よりも０．０５×１０-6／
℃以上大きい。
合させるこができない。 【解決手段】上面に光半導体素子４が載置される載置部
１ａを有する基体１と、前記基体１上に光半導体素子載
置部１ａを囲繞するように取着され、側部に貫通孔２ａ
を有する枠体２と、前記貫通孔２ａに取着され、一端に
光ファイバー部材１１が接続される筒状の固定部材９
と、前記筒状の固定部材９の内部に取着され、筒状の固
定部材９の内部を塞ぐ透光性部材１０と、前記枠体２の
上面に取着され、光半導体素子４を気密に封止する蓋部
材３とから成る光半導体素子収納用パッケージであっ
て、前記透光性部材１０はサファイアから成り、かつ筒
状の固定部材９の３０〜４００℃における熱膨張係数が
透光性部材１０の熱膨張係数よりも０．０５×１０-6／
℃以上大きい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光半導体素子を収容
するための光半導体素子収納用パッケージに関するもの
である。
するための光半導体素子収納用パッケージに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、光半導体素子を収容するための光
半導体素子収納用パッケージは、一般に鉄ーニッケルー
コバルト合金や銅−タングステン合金等の金属から成
り、上面中央部に光半導体素子が載置される載置部を有
し、該載置部周辺に複数の外部リード端子が絶縁部材を
介し上面から下面に貫通するようにして固定された金属
基体と、前記光半導体素子搭載部を囲繞するようにして
金属基体上に銀ロウ等のロウ材を介して接合され、側部
に貫通孔を有する金属枠体と、前記金属枠体の貫通孔内
に金ー錫合金等のロウ材を介して取着され、一端に光フ
ァイバー部材が接続される鉄ーニッケルーコバルト合金
や鉄ーニッケル合金等の金属から成る筒状の固定部材
と、前記筒状の固定部材の内部に低融点ガラスやロウ材
を介して取着され、筒状の固定部材の内部を塞ぐサファ
イアから成る透光性部材と、前記金属枠体の上面に取着
され、光半導体素子を気密に封止する蓋部材とから構成
されており、前記金属基体の光半導体素子搭載部に光半
導体素子を接着固定するとともに該光半導体素子の各電
極をボンディングワイヤを介して外部リード端子に電気
的に接続し、しかる後、前記金属枠体の上面に蓋部材を
接合させ、金属基体と金属枠体と蓋部材とから成る容器
内部に光半導体素子を気密に収容するとともに筒状固定
部材の一端に光ファイバー部材を接続させることによっ
て製品としての光半導体装置となる。
半導体素子収納用パッケージは、一般に鉄ーニッケルー
コバルト合金や銅−タングステン合金等の金属から成
り、上面中央部に光半導体素子が載置される載置部を有
し、該載置部周辺に複数の外部リード端子が絶縁部材を
介し上面から下面に貫通するようにして固定された金属
基体と、前記光半導体素子搭載部を囲繞するようにして
金属基体上に銀ロウ等のロウ材を介して接合され、側部
に貫通孔を有する金属枠体と、前記金属枠体の貫通孔内
に金ー錫合金等のロウ材を介して取着され、一端に光フ
ァイバー部材が接続される鉄ーニッケルーコバルト合金
や鉄ーニッケル合金等の金属から成る筒状の固定部材
と、前記筒状の固定部材の内部に低融点ガラスやロウ材
を介して取着され、筒状の固定部材の内部を塞ぐサファ
イアから成る透光性部材と、前記金属枠体の上面に取着
され、光半導体素子を気密に封止する蓋部材とから構成
されており、前記金属基体の光半導体素子搭載部に光半
導体素子を接着固定するとともに該光半導体素子の各電
極をボンディングワイヤを介して外部リード端子に電気
的に接続し、しかる後、前記金属枠体の上面に蓋部材を
接合させ、金属基体と金属枠体と蓋部材とから成る容器
内部に光半導体素子を気密に収容するとともに筒状固定
部材の一端に光ファイバー部材を接続させることによっ
て製品としての光半導体装置となる。
【０００３】かかる光半導体装置は外部電気回路から供
給される駆動信号によって光半導体素子を光励起させ、
該励起した光を透光性部材を通して光ファイバー部材に
授受させるとともに該光ファイバー部材の光ファイバー
内を伝達させることによって高速光通信等に使用される
光半導体装置として機能する。
給される駆動信号によって光半導体素子を光励起させ、
該励起した光を透光性部材を通して光ファイバー部材に
授受させるとともに該光ファイバー部材の光ファイバー
内を伝達させることによって高速光通信等に使用される
光半導体装置として機能する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の光半導体素子収納用パッケージにおいては、筒状の
固定部材がコバールと称されている鉄ーニッケルーコバ
ルト合金や４２アロイと称されている５８重量％鉄ー４
２重量％ニッケル合金等の金属材料で形成されており、
その熱膨張係数が４．７×１０-6／℃〜５．８×１０-6
／℃（３０℃〜４００℃）であるのに対し、サファイア
から成る透光性部材の熱膨張係数は７．０×１０-6／℃
（３０℃〜４００℃）で、透光性部材の熱膨張係数が筒
状の固定部材の熱膨張係数より大きいことから筒状の固
定部材の内部に透光性部材を低融点ガラスやロウ材を介
して取着する際、低融点ガラスやロウ材が固化する時に
透光性部材が筒状の固定部材に比べて大きく熱収縮し、
透光性部材と筒状の固定部材とを接合する低融点ガラス
やロウ材に引っ張り応力が作用して接合の信頼性が大き
く低下してしまい、その結果、筒状の固定部材の内部に
透光性部材を長期間にわたって強固に取着接合させるこ
とができず、筒状の固定部材の内部を透光性部材で塞ぐ
ことができなくなったり、透光性部材を介して筒状の固
定部材に接続される光ファイバー部材に光半導体素子が
励起した光を正確に伝達することができないという欠点
を有していた。
来の光半導体素子収納用パッケージにおいては、筒状の
固定部材がコバールと称されている鉄ーニッケルーコバ
ルト合金や４２アロイと称されている５８重量％鉄ー４
２重量％ニッケル合金等の金属材料で形成されており、
その熱膨張係数が４．７×１０-6／℃〜５．８×１０-6
／℃（３０℃〜４００℃）であるのに対し、サファイア
から成る透光性部材の熱膨張係数は７．０×１０-6／℃
（３０℃〜４００℃）で、透光性部材の熱膨張係数が筒
状の固定部材の熱膨張係数より大きいことから筒状の固
定部材の内部に透光性部材を低融点ガラスやロウ材を介
して取着する際、低融点ガラスやロウ材が固化する時に
透光性部材が筒状の固定部材に比べて大きく熱収縮し、
透光性部材と筒状の固定部材とを接合する低融点ガラス
やロウ材に引っ張り応力が作用して接合の信頼性が大き
く低下してしまい、その結果、筒状の固定部材の内部に
透光性部材を長期間にわたって強固に取着接合させるこ
とができず、筒状の固定部材の内部を透光性部材で塞ぐ
ことができなくなったり、透光性部材を介して筒状の固
定部材に接続される光ファイバー部材に光半導体素子が
励起した光を正確に伝達することができないという欠点
を有していた。
【０００５】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は筒状の固定部材の内部に透光性部材を強
固に接合し、筒状の固定部材の内部を透光性部材で確実
に塞ぐととともに筒状の固定部材に接続される光ファイ
バー部材に光半導体素子が励起した光を正確に伝達する
ことができる光半導体素子収納用パッケージを提供する
ことにある。
で、その目的は筒状の固定部材の内部に透光性部材を強
固に接合し、筒状の固定部材の内部を透光性部材で確実
に塞ぐととともに筒状の固定部材に接続される光ファイ
バー部材に光半導体素子が励起した光を正確に伝達する
ことができる光半導体素子収納用パッケージを提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上面に光半導
体素子が載置される載置部を有する基体と、前記基体上
に光半導体素子載置部を囲繞するように取着され、側部
に貫通孔を有する枠体と、前記貫通孔に取着され、一端
に光ファイバー部材が接続される筒状の固定部材と、前
記筒状の固定部材の内部に取着され、筒状の固定部材の
内部を塞ぐ透光性部材と、前記枠体の上面に取着され、
光半導体素子を気密に封止する蓋部材とから成る光半導
体素子収納用パッケージであって、前記透光性部材はサ
ファイアから成り、かつ筒状の固定部材の３０〜４００
℃における熱膨張係数が透光性部材の熱膨張係数よりも
０．０５×１０-6／℃以上大きいことを特徴とするもの
である。
体素子が載置される載置部を有する基体と、前記基体上
に光半導体素子載置部を囲繞するように取着され、側部
に貫通孔を有する枠体と、前記貫通孔に取着され、一端
に光ファイバー部材が接続される筒状の固定部材と、前
記筒状の固定部材の内部に取着され、筒状の固定部材の
内部を塞ぐ透光性部材と、前記枠体の上面に取着され、
光半導体素子を気密に封止する蓋部材とから成る光半導
体素子収納用パッケージであって、前記透光性部材はサ
ファイアから成り、かつ筒状の固定部材の３０〜４００
℃における熱膨張係数が透光性部材の熱膨張係数よりも
０．０５×１０-6／℃以上大きいことを特徴とするもの
である。
【０００７】本発明の光半導体素子収納用パッケージに
よれば、筒状の固定部材の３０〜４００℃における熱膨
張係数をサファイアから成る透光性部材の熱膨張係数よ
りも０．０５×１０-6／℃以上大きくしたことから、筒
状の固定部材の内部に透光性部材を低融点ガラスやロウ
材を介して取着する際、低融点ガラスやロウ材が固化す
る時に筒状の固定部材が透光性部材に比べ大きく熱収縮
し、透光性部材の外周部を筒状の固定部材が押圧して両
者の接合が極めて強固となり、その結果、長期間にわた
り筒状の固定部材の内部を透光性部材で完全に塞ぐこと
ができるとともに透光性部材を介して筒状の固定部材に
接続される光ファイバー部材に光半導体素子が励起した
光を常に正確に伝達することが可能となる。
よれば、筒状の固定部材の３０〜４００℃における熱膨
張係数をサファイアから成る透光性部材の熱膨張係数よ
りも０．０５×１０-6／℃以上大きくしたことから、筒
状の固定部材の内部に透光性部材を低融点ガラスやロウ
材を介して取着する際、低融点ガラスやロウ材が固化す
る時に筒状の固定部材が透光性部材に比べ大きく熱収縮
し、透光性部材の外周部を筒状の固定部材が押圧して両
者の接合が極めて強固となり、その結果、長期間にわた
り筒状の固定部材の内部を透光性部材で完全に塞ぐこと
ができるとともに透光性部材を介して筒状の固定部材に
接続される光ファイバー部材に光半導体素子が励起した
光を常に正確に伝達することが可能となる。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は本発明の光半導体素子収納用パ
ッケージの一実施例を示し、１は基体、２は枠体、３は
蓋部材である。この基体１と枠体２と蓋部材３とで内部
に光半導体素子４を収容するための容器が構成される。
詳細に説明する。図１は本発明の光半導体素子収納用パ
ッケージの一実施例を示し、１は基体、２は枠体、３は
蓋部材である。この基体１と枠体２と蓋部材３とで内部
に光半導体素子４を収容するための容器が構成される。
【０００９】前記基体１は光半導体素子４を支持するた
めの支持部材として作用し、その上面の略中央部に光半
導体素子４を載置するための載置部１ａを有し、該載置
部１ａに光半導体素子４が間にペルチェ素子５等を挟ん
で金−シリコンロウ材等の接着剤により接着固定され
る。
めの支持部材として作用し、その上面の略中央部に光半
導体素子４を載置するための載置部１ａを有し、該載置
部１ａに光半導体素子４が間にペルチェ素子５等を挟ん
で金−シリコンロウ材等の接着剤により接着固定され
る。
【００１０】前記基体１は鉄ーニッケルーコバルト合金
や銅−タングステン合金等の金属材料から成り、例え
ば、鉄ーニッケルーコバルト合金から成る場合、鉄ーニ
ッケルーコバルト合金のインゴット（塊）に圧延加工法
や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施すこと
によって製作される。
や銅−タングステン合金等の金属材料から成り、例え
ば、鉄ーニッケルーコバルト合金から成る場合、鉄ーニ
ッケルーコバルト合金のインゴット（塊）に圧延加工法
や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施すこと
によって製作される。
【００１１】なお、前記基体１はその外表面に耐蝕性に
優れ、かつロウ材に対して濡れ性が良い金属、具体的に
は厚さ２〜６μｍのニッケル層と厚さ０．５〜５μｍの
金層を順次、メッキ法により被着させておくと、基体１
が酸化腐蝕するのを有効に防止することができるととも
に基体１上面に光半導体素子４の下部に配されるペルチ
ェ素子５等を強固に接着固定させることができる。従っ
て、前記基体１は酸化腐蝕を有効に防止し、かつ上面に
光半導体素子４の下部に配されるペルチェ素子５等を強
固に接着固定させる場合にはその外表面に厚さ２〜６μ
ｍのニッケル層と厚さ０．５〜５μｍの金層を順次、メ
ッキ法により被着させておくことが好ましい。
優れ、かつロウ材に対して濡れ性が良い金属、具体的に
は厚さ２〜６μｍのニッケル層と厚さ０．５〜５μｍの
金層を順次、メッキ法により被着させておくと、基体１
が酸化腐蝕するのを有効に防止することができるととも
に基体１上面に光半導体素子４の下部に配されるペルチ
ェ素子５等を強固に接着固定させることができる。従っ
て、前記基体１は酸化腐蝕を有効に防止し、かつ上面に
光半導体素子４の下部に配されるペルチェ素子５等を強
固に接着固定させる場合にはその外表面に厚さ２〜６μ
ｍのニッケル層と厚さ０．５〜５μｍの金層を順次、メ
ッキ法により被着させておくことが好ましい。
【００１２】また前記基体１はその上面に、光半導体素
子４が載置される載置部１ａを囲繞するようにして枠体
２が接合されており、該枠体２の内側に光半導体素子４
を収容するための空所が形成されている。
子４が載置される載置部１ａを囲繞するようにして枠体
２が接合されており、該枠体２の内側に光半導体素子４
を収容するための空所が形成されている。
【００１３】前記枠体２は鉄ーニッケルーコバルト合金
や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、例えば、鉄
ーニッケルーコバルト合金等のインゴット（塊）をプレ
ス加工により枠状とすることによって形成され、基体１
への取着は基体１上面と枠体２の下面とを銀ロウ材を介
しロウ付けすることによって行われている。
や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、例えば、鉄
ーニッケルーコバルト合金等のインゴット（塊）をプレ
ス加工により枠状とすることによって形成され、基体１
への取着は基体１上面と枠体２の下面とを銀ロウ材を介
しロウ付けすることによって行われている。
【００１４】更に前記枠体２はその側部に従来周知のド
リル孔あけ加工を施すことによって所定形状の貫通孔２
ａが形成されており、該貫通孔２ａ内には筒状の固定部
材９が一端部を枠体２の内側に、他端部を枠体２の外側
として取着され、更に筒状の固定部材９の一端側の内部
には透光性部材１０が取着されている。
リル孔あけ加工を施すことによって所定形状の貫通孔２
ａが形成されており、該貫通孔２ａ内には筒状の固定部
材９が一端部を枠体２の内側に、他端部を枠体２の外側
として取着され、更に筒状の固定部材９の一端側の内部
には透光性部材１０が取着されている。
【００１５】前記筒状の固定部材９は光ファイバー部材
１１を固定する際の下地固定部材として作用するととも
に光半導体素子４が励起した光を光ファイバー部材１１
に伝達させる作用をなし、枠体２の外側に位置する他端
部に光ファイバー部材１１が取着接続される。
１１を固定する際の下地固定部材として作用するととも
に光半導体素子４が励起した光を光ファイバー部材１１
に伝達させる作用をなし、枠体２の外側に位置する他端
部に光ファイバー部材１１が取着接続される。
【００１６】前記筒状の固定部材９は鉄ー４６重量％ニ
ッケル合金、鉄ー４８重量％ニッケル合金、鉄ー５０重
量％ニッケル合金、鉄ー５１重量％ニッケル合金、鉄ー
５２重量％ニッケル合金鉄ー１８重量％クロム合金等か
ら成り、例えば、鉄ー４６重量％ニッケル合金等のイン
ゴット（塊）をプレス加工により筒状とすることによっ
て形成される。
ッケル合金、鉄ー４８重量％ニッケル合金、鉄ー５０重
量％ニッケル合金、鉄ー５１重量％ニッケル合金、鉄ー
５２重量％ニッケル合金鉄ー１８重量％クロム合金等か
ら成り、例えば、鉄ー４６重量％ニッケル合金等のイン
ゴット（塊）をプレス加工により筒状とすることによっ
て形成される。
【００１７】また前記筒状の固定部材９は枠体２の内側
に位置する一端部に透光性部材１０が取着されており、
該透光性部材１０は筒状の固定部材９の内側を塞ぎ、基
体１と枠体２と蓋部材３とから成る容器の気密封止を保
持させるとともに筒状の固定部材９の内部空間を伝達す
る光半導体素子４の励起した光をそのまま筒状の固定部
材９に取着接続される光ファイバー部材１１に伝達させ
る作用をなす。
に位置する一端部に透光性部材１０が取着されており、
該透光性部材１０は筒状の固定部材９の内側を塞ぎ、基
体１と枠体２と蓋部材３とから成る容器の気密封止を保
持させるとともに筒状の固定部材９の内部空間を伝達す
る光半導体素子４の励起した光をそのまま筒状の固定部
材９に取着接続される光ファイバー部材１１に伝達させ
る作用をなす。
【００１８】前記透光性部材１０はサファイアから成
り、例えば、従来周知のＥＦＧ法（Edge-defined Film-
fed Growth method)やチョクラルスキー法、ベルヌイ法
等の単結晶引き上げ法を採用することによって製作され
る。
り、例えば、従来周知のＥＦＧ法（Edge-defined Film-
fed Growth method)やチョクラルスキー法、ベルヌイ法
等の単結晶引き上げ法を採用することによって製作され
る。
【００１９】また前記透光性部材１０の筒状の固定部材
９への取着は低融点ガラスや低融点のロウ材を使用する
ことによって行われ、例えば、低融点のガラスを使用し
て接合取着する際には低融点ガラスに適当な有機溶剤、
溶媒を添加混合してガラスペーストを準備し、次にこの
ガラスペーストを透光性部材１０の外表面に帯状に、か
つ所定厚みに被着させ、しかる後、前記ガラスペースト
が被着された透光性部材１０を筒状の固定部材９の内部
に配するととも約３００〜４００℃の温度に加熱し、ガ
ラスペーストを加熱溶融させ、該溶融したガラスで透光
性部材１０と筒状の固定部材９とを接合させることによ
って行われ、また低融点のロウ材を使用して接合取着す
る際には透光性部材１０の外表面に予めタングステンや
モリブデン等の金属材料から成る帯状のメタライズ金属
層を被着させ、次にこのメタライズ金属層と筒状の固定
部材９との間に金ー錫合金や鉛ー錫合金等から成る低融
点のロウ材を配置させ、しかる後、前記低融点のロウ材
に約２００〜４００℃の温度を印加し、低融点のロウ材
を加熱溶融させ、該溶融した低融点ロウ材で透光性部材
１０の外表面に被着させたメタライズ金属層と筒状の固
定部材９とを接合させることによって行われる。
９への取着は低融点ガラスや低融点のロウ材を使用する
ことによって行われ、例えば、低融点のガラスを使用し
て接合取着する際には低融点ガラスに適当な有機溶剤、
溶媒を添加混合してガラスペーストを準備し、次にこの
ガラスペーストを透光性部材１０の外表面に帯状に、か
つ所定厚みに被着させ、しかる後、前記ガラスペースト
が被着された透光性部材１０を筒状の固定部材９の内部
に配するととも約３００〜４００℃の温度に加熱し、ガ
ラスペーストを加熱溶融させ、該溶融したガラスで透光
性部材１０と筒状の固定部材９とを接合させることによ
って行われ、また低融点のロウ材を使用して接合取着す
る際には透光性部材１０の外表面に予めタングステンや
モリブデン等の金属材料から成る帯状のメタライズ金属
層を被着させ、次にこのメタライズ金属層と筒状の固定
部材９との間に金ー錫合金や鉛ー錫合金等から成る低融
点のロウ材を配置させ、しかる後、前記低融点のロウ材
に約２００〜４００℃の温度を印加し、低融点のロウ材
を加熱溶融させ、該溶融した低融点ロウ材で透光性部材
１０の外表面に被着させたメタライズ金属層と筒状の固
定部材９とを接合させることによって行われる。
【００２０】更に前記透光性部材が内部に取着された筒
状の固定部材９は、筒状の固定部材９の３０〜４００℃
における熱膨張係数がサファイアから成る透光性部材１
０の熱膨張係数（７．０×１０-6／℃：３０℃〜４００
℃）よりも０．０５×１０-6／℃以上大きくしてある。
そのため筒状の固定部材９の内部に透光性部材１０を低
融点ガラスやロウ材を介して取着する際、低融点ガラス
やロウ材が固化する時に筒状の固定部材９が透光性部材
１０に比べ大きく熱収縮し、透光性部材１０の外周部を
筒状の固定部材９が押圧して両者の接合が極めて強固と
なり、その結果、長期間にわたり筒状の固定部材９の内
部を透光性部材１０で完全に塞ぐことができるとともに
透光性部材１０を介して筒状の固定部材９に接続される
光ファイバー部材１１に光半導体素子が励起した光を常
に正確に伝達することが可能となる。
状の固定部材９は、筒状の固定部材９の３０〜４００℃
における熱膨張係数がサファイアから成る透光性部材１
０の熱膨張係数（７．０×１０-6／℃：３０℃〜４００
℃）よりも０．０５×１０-6／℃以上大きくしてある。
そのため筒状の固定部材９の内部に透光性部材１０を低
融点ガラスやロウ材を介して取着する際、低融点ガラス
やロウ材が固化する時に筒状の固定部材９が透光性部材
１０に比べ大きく熱収縮し、透光性部材１０の外周部を
筒状の固定部材９が押圧して両者の接合が極めて強固と
なり、その結果、長期間にわたり筒状の固定部材９の内
部を透光性部材１０で完全に塞ぐことができるとともに
透光性部材１０を介して筒状の固定部材９に接続される
光ファイバー部材１１に光半導体素子が励起した光を常
に正確に伝達することが可能となる。
【００２１】なお、前記筒状の固定部材９とサファイア
から成る透光性部材１０の３０℃〜４００℃における熱
膨張係数の差が０．０５×１０-6／℃未満であると筒状
の固定部材９の内部に透光性部材１０を強固に取着させ
ておくことができなくなる。
から成る透光性部材１０の３０℃〜４００℃における熱
膨張係数の差が０．０５×１０-6／℃未満であると筒状
の固定部材９の内部に透光性部材１０を強固に取着させ
ておくことができなくなる。
【００２２】従って、前記筒状固定部材９とサファイア
から成る透光性部材１０の３０℃〜４００℃における熱
膨張係数の差は０．０５×１０-6／℃以上に特定され
る。
から成る透光性部材１０の３０℃〜４００℃における熱
膨張係数の差は０．０５×１０-6／℃以上に特定され
る。
【００２３】また前記透光性部材１０はサファイアから
成り、その機械的強度が極めて強いことから筒状の固定
部材９が透光性部材１０の外表面を大きく押圧したとし
ても透光性部材１０に破損等を発生することはない。
成り、その機械的強度が極めて強いことから筒状の固定
部材９が透光性部材１０の外表面を大きく押圧したとし
ても透光性部材１０に破損等を発生することはない。
【００２４】更に前記固定部材９が取着されている枠体
２は更にその側部に切欠部２ｂが形成されており、該切
欠部２ｂには複数個の外部リード端子６がガラス等の絶
縁部材７を介して固定されている。
２は更にその側部に切欠部２ｂが形成されており、該切
欠部２ｂには複数個の外部リード端子６がガラス等の絶
縁部材７を介して固定されている。
【００２５】前記外部リード端子６は光半導体素子４の
各電極を外部の電気回路に電気的に接続する作用をな
し、その一端に光半導体素子４の電極がボンディングワ
イヤ８を介して接続され、また他端側は外部電気回路に
半田等のロウ材を介して接続される。
各電極を外部の電気回路に電気的に接続する作用をな
し、その一端に光半導体素子４の電極がボンディングワ
イヤ８を介して接続され、また他端側は外部電気回路に
半田等のロウ材を介して接続される。
【００２６】前記外部リード端子６は例えば、鉄ーニッ
ケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料か
ら成り、枠体２への固定は、枠体２に外部リード端子６
より大きな径の孔をあけておき、この孔にリング状のガ
ラスから成る絶縁部材７と外部リード端子６を挿通さ
せ、しかる後、前記ガラスから成る絶縁部材７を加熱溶
融させることによって行われる。
ケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料か
ら成り、枠体２への固定は、枠体２に外部リード端子６
より大きな径の孔をあけておき、この孔にリング状のガ
ラスから成る絶縁部材７と外部リード端子６を挿通さ
せ、しかる後、前記ガラスから成る絶縁部材７を加熱溶
融させることによって行われる。
【００２７】また前記外部リード端子６はその表面にニ
ッケルメッキ層、金メッキ層等の耐蝕性に優れ、かつロ
ウ材と濡れ性の良いメッキ金属層を１μｍ乃至２０μｍ
の厚みに被着させておくと外部リード端子６の酸化腐蝕
が有効に防止されるとともに外部リード端子６とボンデ
ィングワイヤ８との接続を強固なものとなすことができ
る。従って、前記外部リード端子６はその表面にニッケ
ルメッキ層、金メッキ層等の耐蝕性に優れ、かつロウ材
と濡れ性が良いメッキ金属層を１μｍ乃至２０μｍの厚
みに被着させておくことが好ましい。
ッケルメッキ層、金メッキ層等の耐蝕性に優れ、かつロ
ウ材と濡れ性の良いメッキ金属層を１μｍ乃至２０μｍ
の厚みに被着させておくと外部リード端子６の酸化腐蝕
が有効に防止されるとともに外部リード端子６とボンデ
ィングワイヤ８との接続を強固なものとなすことができ
る。従って、前記外部リード端子６はその表面にニッケ
ルメッキ層、金メッキ層等の耐蝕性に優れ、かつロウ材
と濡れ性が良いメッキ金属層を１μｍ乃至２０μｍの厚
みに被着させておくことが好ましい。
【００２８】更に前記枠体２はその上面に、例えば、鉄
ーニッケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属
材料から成る蓋部材３が接合され、これによって基体１
と枠体２と蓋部材３とからなる容器の内部に光半導体素
子４が気密に封止されることとなる。
ーニッケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属
材料から成る蓋部材３が接合され、これによって基体１
と枠体２と蓋部材３とからなる容器の内部に光半導体素
子４が気密に封止されることとなる。
【００２９】前記蓋部材３の枠体２上面への接合は、例
えば、シームウエルド法等の溶接によって行われる。
えば、シームウエルド法等の溶接によって行われる。
【００３０】かくして本発明の光半導体素子収納用パッ
ケージによれば、基体１の光半導体素子載置部１ａに光
半導体素子４を間にペルチェ素子５等を挟んで載置固定
するとともに光半導体素子４の各電極をボンデイングワ
イヤ８を介して外部リード端子６に電気的に接続し、次
に枠体２の上面に蓋部材３を接合させ、基体１と枠体２
と蓋部材３とから成る容器内部に光半導体素子４を収容
し、最後に枠体２の筒状の固定部材９に光ファイバー部
材１１を取着接続させることによって最終製品としての
光半導体装置となり、外部電気回路から供給される駆動
信号によって光半導体素子４に光を励起させ、該励起し
た光をサファイアから成る透光性部材１０を通して光フ
ァイバー部材１１に授受させるとともに該光ファイバー
部材１１の光ファイバー内を伝達させることによって高
速光通信等に使用される。
ケージによれば、基体１の光半導体素子載置部１ａに光
半導体素子４を間にペルチェ素子５等を挟んで載置固定
するとともに光半導体素子４の各電極をボンデイングワ
イヤ８を介して外部リード端子６に電気的に接続し、次
に枠体２の上面に蓋部材３を接合させ、基体１と枠体２
と蓋部材３とから成る容器内部に光半導体素子４を収容
し、最後に枠体２の筒状の固定部材９に光ファイバー部
材１１を取着接続させることによって最終製品としての
光半導体装置となり、外部電気回路から供給される駆動
信号によって光半導体素子４に光を励起させ、該励起し
た光をサファイアから成る透光性部材１０を通して光フ
ァイバー部材１１に授受させるとともに該光ファイバー
部材１１の光ファイバー内を伝達させることによって高
速光通信等に使用される。
【００３１】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば上述の実施例では外部
リード端子６を枠体１に固定したがこれを基体１に固定
してもよい。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば上述の実施例では外部
リード端子６を枠体１に固定したがこれを基体１に固定
してもよい。
【００３２】
【発明の効果】本発明の光半導体素子収納用パッケージ
によれば、筒状の固定部材の３０〜４００℃における熱
膨張係数をサファイアから成る透光性部材の熱膨張係数
よりも０．０５×１０-6／℃以上大きくしたことから、
筒状の固定部材の内部に透光性部材を低融点ガラスやロ
ウ材を介して取着する際、低融点ガラスやロウ材が固化
する時に筒状の固定部材が透光性部材に比べ大きく熱収
縮し、透光性部材の外周部を筒状の固定部材が押圧して
両者の接合が極めて強固となり、その結果、長期間にわ
たり筒状の固定部材の内部を透光性部材で完全に塞ぐこ
とができるとともに透光性部材を介して筒状の固定部材
に接続される光ファイバー部材に光半導体素子が励起し
た光を常に正確に伝達することが可能となる。
によれば、筒状の固定部材の３０〜４００℃における熱
膨張係数をサファイアから成る透光性部材の熱膨張係数
よりも０．０５×１０-6／℃以上大きくしたことから、
筒状の固定部材の内部に透光性部材を低融点ガラスやロ
ウ材を介して取着する際、低融点ガラスやロウ材が固化
する時に筒状の固定部材が透光性部材に比べ大きく熱収
縮し、透光性部材の外周部を筒状の固定部材が押圧して
両者の接合が極めて強固となり、その結果、長期間にわ
たり筒状の固定部材の内部を透光性部材で完全に塞ぐこ
とができるとともに透光性部材を介して筒状の固定部材
に接続される光ファイバー部材に光半導体素子が励起し
た光を常に正確に伝達することが可能となる。
【図１】本発明の光半導体素子収納用パッケージの一実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
１・・・基体 １ａ・・光半導体素子載置部 ２・・・枠体 ２ａ・・貫通孔 ３・・・蓋部材 ４・・・光半導体素子 ９・・・固定部材 １０・・・透光性部材 １１・・・光ファイバー部材
Claims (1)
- 【請求項１】上面に光半導体素子が載置される載置部を
有する基体と、前記基体上に光半導体素子載置部を囲繞
するように取着され、側部に貫通孔を有する枠体と、前
記貫通孔に取着され、一端に光ファイバー部材が接続さ
れる筒状の固定部材と、前記筒状の固定部材の内部に取
着され、筒状の固定部材の内部を塞ぐ透光性部材と、前
記枠体の上面に取着され、光半導体素子を気密に封止す
る蓋部材とから成る光半導体素子収納用パッケージであ
って、前記透光性部材はサファイアから成り、かつ筒状
の固定部材の３０〜４００℃における熱膨張係数が透光
性部材の熱膨張係数よりも０．０５×１０-6／℃以上大
きいことを特徴とする光半導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10361447A JP2000183203A (ja) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | 光半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10361447A JP2000183203A (ja) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | 光半導体素子収納用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000183203A true JP2000183203A (ja) | 2000-06-30 |
Family
ID=18473625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10361447A Pending JP2000183203A (ja) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | 光半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000183203A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9154678B2 (en) | 2013-12-11 | 2015-10-06 | Apple Inc. | Cover glass arrangement for an electronic device |
| US9225056B2 (en) | 2014-02-12 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
| US9221289B2 (en) | 2012-07-27 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Sapphire window |
| US9232672B2 (en) | 2013-01-10 | 2016-01-05 | Apple Inc. | Ceramic insert control mechanism |
| US9632537B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-04-25 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
| US9678540B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-06-13 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
| US10052848B2 (en) | 2012-03-06 | 2018-08-21 | Apple Inc. | Sapphire laminates |
| US10406634B2 (en) | 2015-07-01 | 2019-09-10 | Apple Inc. | Enhancing strength in laser cutting of ceramic components |
-
1998
- 1998-12-18 JP JP10361447A patent/JP2000183203A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10052848B2 (en) | 2012-03-06 | 2018-08-21 | Apple Inc. | Sapphire laminates |
| US9221289B2 (en) | 2012-07-27 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Sapphire window |
| US9232672B2 (en) | 2013-01-10 | 2016-01-05 | Apple Inc. | Ceramic insert control mechanism |
| US9632537B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-04-25 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
| US9678540B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-06-13 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
| US9154678B2 (en) | 2013-12-11 | 2015-10-06 | Apple Inc. | Cover glass arrangement for an electronic device |
| US10324496B2 (en) | 2013-12-11 | 2019-06-18 | Apple Inc. | Cover glass arrangement for an electronic device |
| US10386889B2 (en) | 2013-12-11 | 2019-08-20 | Apple Inc. | Cover glass for an electronic device |
| US9225056B2 (en) | 2014-02-12 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
| US9461357B2 (en) | 2014-02-12 | 2016-10-04 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
| US9692113B2 (en) | 2014-02-12 | 2017-06-27 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
| US10406634B2 (en) | 2015-07-01 | 2019-09-10 | Apple Inc. | Enhancing strength in laser cutting of ceramic components |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20031209 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040113 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040302 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040427 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050811 |