JPS6366985A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS6366985A JPS6366985A JP21093386A JP21093386A JPS6366985A JP S6366985 A JPS6366985 A JP S6366985A JP 21093386 A JP21093386 A JP 21093386A JP 21093386 A JP21093386 A JP 21093386A JP S6366985 A JPS6366985 A JP S6366985A
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- Japan
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- light
- semiconductor laser
- cap
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- laser device
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- Pending
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光通信、光情報処理、光センサ等の光源とし
て用いる半導体レーザ装置に関する。
て用いる半導体レーザ装置に関する。
従来の技術
半導体レーザをデバイス化する場合、第３図に示す様に
、半導体レーザ素子１の共振器面等の劣化を防止し、信
頼性を確保する目的から、一般的に半導体レーザ素子１
の共振器面と平行にサファイヤガラス等からなる窓２を
配置する様な構成のキャップ３によシ気密封止する構成
が用いられている。
、半導体レーザ素子１の共振器面等の劣化を防止し、信
頼性を確保する目的から、一般的に半導体レーザ素子１
の共振器面と平行にサファイヤガラス等からなる窓２を
配置する様な構成のキャップ３によシ気密封止する構成
が用いられている。
第４図に半導体レーザ素子部の構造を示す。半導体レー
ザの片側の共振器端面８から出射した出射光６が、第２
図に示した半導体レーザ素子１の光出射面内の、半導体
レーザ素子１の共振器端面と平行に構成された光出射用
窓２の両端面で一部反射されて、半導体レーザ素子１の
活性層９に戻る。１０はレーザのサブマウントである。
ザの片側の共振器端面８から出射した出射光６が、第２
図に示した半導体レーザ素子１の光出射面内の、半導体
レーザ素子１の共振器端面と平行に構成された光出射用
窓２の両端面で一部反射されて、半導体レーザ素子１の
活性層９に戻る。１０はレーザのサブマウントである。
半導体レーザはその活性層に出射光の反射光が戻ると、
それによって半導体レーザの発振特性の不安定化や雑音
増加を引き起こすことが指摘されている。
それによって半導体レーザの発振特性の不安定化や雑音
増加を引き起こすことが指摘されている。
すなわち、半導体レーザを光通信や光情報処理の光源と
して用いるためには、できる限り戻り光を取りのぞかな
ければならない。
して用いるためには、できる限り戻り光を取りのぞかな
ければならない。
従来は特願昭５８−１６５５３４号に示した様にキャッ
プ３の窓２を共振器端面に対して傾けていた。その構成
を第５図に示す。
プ３の窓２を共振器端面に対して傾けていた。その構成
を第５図に示す。
発明が解決しようとする問題点
本発明は従来例よシも、さらに効果的にキャップの窓か
ら半導体レーザ素子への反射戻シ光を阻止するものであ
る。
ら半導体レーザ素子への反射戻シ光を阻止するものであ
る。
問題点を解決するための手段
レーザ出射光のビームが円形であると近似した場合のキ
ャップの窓からの反射戻シ光の半導体レーザ素子への結
合効率ηは次式で表わすことかできる。
ャップの窓からの反射戻シ光の半導体レーザ素子への結
合効率ηは次式で表わすことかできる。
・・・・・・・・・ （１）
ここで、Ｒは窓の反射率、αは半導体レーザ素子からの
出射光の拡がり半角、ｄは半導体レーザ素子の共振器端
面から窓までの距離、θは窓の傾斜角度、λは半導体レ
ーザの発振波長、およびωは窓上のレーザ出射光のビー
ム径である。（１）式のうち、窓の傾きが寄与する項は
ｅｘｐ（−πθ２ω２／λ２）であシ、窓上のレーザ出
射光のビーム径、および窓の傾きが大きい程、反射戻シ
光の半導体レーザ素子への結合効率は低下する。つまシ
楕円形のレーザ出射ビームについては、窓の傾きに平行
なビーム径が大きいほど、前記結合効率が低下する。
出射光の拡がり半角、ｄは半導体レーザ素子の共振器端
面から窓までの距離、θは窓の傾斜角度、λは半導体レ
ーザの発振波長、およびωは窓上のレーザ出射光のビー
ム径である。（１）式のうち、窓の傾きが寄与する項は
ｅｘｐ（−πθ２ω２／λ２）であシ、窓上のレーザ出
射光のビーム径、および窓の傾きが大きい程、反射戻シ
光の半導体レーザ素子への結合効率は低下する。つまシ
楕円形のレーザ出射ビームについては、窓の傾きに平行
なビーム径が大きいほど、前記結合効率が低下する。
従って、本発明は、反射戻光の半導体レーザ素子への結
合を少なくするために半導体レーザ素子からの出射光の
気密封止用キャップの光出射面の窓の端面における反射
光が、前記半導体レーザ素子の活性層に戻らない程度に
、楕円形の前記出射光のビームの長軸と光軸よりなす面
内で前記気密封止用キャップの光出射面を傾けたことを
特徴とする半導体レーザを提供するものである。
合を少なくするために半導体レーザ素子からの出射光の
気密封止用キャップの光出射面の窓の端面における反射
光が、前記半導体レーザ素子の活性層に戻らない程度に
、楕円形の前記出射光のビームの長軸と光軸よりなす面
内で前記気密封止用キャップの光出射面を傾けたことを
特徴とする半導体レーザを提供するものである。
作用
本発明の半導体レーザ装置を用いれば、半導体レーザ素
子からの出射光のうちキャップの窓により反射した反射
光が前記半導体レーザ素子に戻り結合することを極めて
低減することができ、低雑音で発振特性の安定した光源
を得ることができる。
子からの出射光のうちキャップの窓により反射した反射
光が前記半導体レーザ素子に戻り結合することを極めて
低減することができ、低雑音で発振特性の安定した光源
を得ることができる。
実施例
本発明の実施例を第１図に示す。第２図に示す様に半導
体レーザ素子１からの出射光６はキャップ３の窓２上に
おいては活性層９と垂直方向が長軸となる楕円形のビー
ムであるので、キャップ３の窓２を共振器端面８上の活
性層とは垂直方向に８°傾けた。４．５は電極、７は反
射光、１０はレーザ素子１のサブマウントである。実施
例ではキャップ３の窓２の材料として屈折率が２．３の
磁性ガーネットを両端面に反射防止膜をほどこして用い
たが、半導体レーザ素子１の共振器端１８から窓２まで
の距離が約９０μｍ以上になると半導体レーザ素子１と
結合しうる反射戻シ光が、−１ｏｏｄＢ以下となった。
体レーザ素子１からの出射光６はキャップ３の窓２上に
おいては活性層９と垂直方向が長軸となる楕円形のビー
ムであるので、キャップ３の窓２を共振器端面８上の活
性層とは垂直方向に８°傾けた。４．５は電極、７は反
射光、１０はレーザ素子１のサブマウントである。実施
例ではキャップ３の窓２の材料として屈折率が２．３の
磁性ガーネットを両端面に反射防止膜をほどこして用い
たが、半導体レーザ素子１の共振器端１８から窓２まで
の距離が約９０μｍ以上になると半導体レーザ素子１と
結合しうる反射戻シ光が、−１ｏｏｄＢ以下となった。
発明の効果
本発明の半導体レーザ装置によυ、キャップ窓から半導
体レーザ素子への反射戻り光が極めて少なく、発振特性
が安定した雑音の少ない光源を得ることができた。
体レーザ素子への反射戻り光が極めて少なく、発振特性
が安定した雑音の少ない光源を得ることができた。
第１図は本発明の一実施例の半導体レーザ装置の構成図
、第２図は本発明の詳細な説明するための半導体レーザ
からの出射光ビームの拡がりの様子を示した図、第３図
および第５図は従来の半導体レーザ装置を表わす構成図
、第４図は半導体レーザ素子の構造と出射光の様子を表
わした図である。 １・・・・・・半導体レーザ素子、２・・・・・・窓、
３・・・・・・キャップ、６・・・・・・出射光。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 窄 第２図 第３図 第４図 第５図 ２遅
、第２図は本発明の詳細な説明するための半導体レーザ
からの出射光ビームの拡がりの様子を示した図、第３図
および第５図は従来の半導体レーザ装置を表わす構成図
、第４図は半導体レーザ素子の構造と出射光の様子を表
わした図である。 １・・・・・・半導体レーザ素子、２・・・・・・窓、
３・・・・・・キャップ、６・・・・・・出射光。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 窄 第２図 第３図 第４図 第５図 ２遅
Claims (2)
- （１）半導体レーザ素子からの出射光の気密封止用キャ
ップの光出射面の窓の端面における反射光が、前記半導
体レーザ素子の活性層に戻らない程度に、楕円形の前記
出射光のビームの長軸と光軸よりなす面内で前記気密封
止用キャップの光出射面を傾けたことを特徴とする半導
体レーザ装置。 - （２）半導体レーザ素子の気密封止用キャップの窓材に
磁気光学結晶を用いたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21093386A JPS6366985A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21093386A JPS6366985A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6366985A true JPS6366985A (ja) | 1988-03-25 |
Family
ID=16597487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21093386A Pending JPS6366985A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6366985A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0510655U (ja) * | 1991-07-24 | 1993-02-12 | 株式会社和田設計コンサルタント | 昇降式駐車装置 |
| US6792178B1 (en) | 2000-01-12 | 2004-09-14 | Finisar Corporation | Fiber optic header with integrated power monitor |
| US6932522B2 (en) | 1998-12-30 | 2005-08-23 | Finisar Corporation | Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices |
-
1986
- 1986-09-08 JP JP21093386A patent/JPS6366985A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0510655U (ja) * | 1991-07-24 | 1993-02-12 | 株式会社和田設計コンサルタント | 昇降式駐車装置 |
| US6932522B2 (en) | 1998-12-30 | 2005-08-23 | Finisar Corporation | Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices |
| US6792178B1 (en) | 2000-01-12 | 2004-09-14 | Finisar Corporation | Fiber optic header with integrated power monitor |
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