JPH04150085A - 半導体レーザパッケージ - Google Patents
半導体レーザパッケージInfo
- Publication number
- JPH04150085A JPH04150085A JP2274582A JP27458290A JPH04150085A JP H04150085 A JPH04150085 A JP H04150085A JP 2274582 A JP2274582 A JP 2274582A JP 27458290 A JP27458290 A JP 27458290A JP H04150085 A JPH04150085 A JP H04150085A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- mounting
- pellet
- angle
- face
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 15
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光通信用半導体レーザパッケージに関する。
光通信に用いられる半導体レーザは、通常、レンズを介
して光ファイバと結合される。このとき、光ファイバに
入射する光線の一部が、光フアイバ端面において反射さ
れてレンズを通過し半導体レーザに帰還する。
して光ファイバと結合される。このとき、光ファイバに
入射する光線の一部が、光フアイバ端面において反射さ
れてレンズを通過し半導体レーザに帰還する。
この反射戻り光は非常に微弱であるが、半導体レーザベ
レットの活性層に帰還すると、内部共振器のモードが不
安定となり、電流対光出力曲線の波形の直線性が損なわ
れ、また伝送特性にも影響を与えるに れを防止するために、例えば光フアイバ端面を斜めに研
磨する工夫がなされている。これに対し、レセプタクル
型モジュール等の場合には、光フアイバ側で反射戻り光
対策を行わず、第３図に示すように、半導体レーザベレ
ット１を光軸方向に平行ではなく、斜めにマウントする
方法がある。このとき、光ファイバへの入射光は、ファ
イバ端面に垂直な方向ではなく、斜めに入射することに
なるために結合効率が低下するが、半導体レーザベレッ
トへの反射戻り光は、更に戻り側の結合効率分減少する
ため、その影響を抑えることができる。
レットの活性層に帰還すると、内部共振器のモードが不
安定となり、電流対光出力曲線の波形の直線性が損なわ
れ、また伝送特性にも影響を与えるに れを防止するために、例えば光フアイバ端面を斜めに研
磨する工夫がなされている。これに対し、レセプタクル
型モジュール等の場合には、光フアイバ側で反射戻り光
対策を行わず、第３図に示すように、半導体レーザベレ
ット１を光軸方向に平行ではなく、斜めにマウントする
方法がある。このとき、光ファイバへの入射光は、ファ
イバ端面に垂直な方向ではなく、斜めに入射することに
なるために結合効率が低下するが、半導体レーザベレッ
トへの反射戻り光は、更に戻り側の結合効率分減少する
ため、その影響を抑えることができる。
この方法において、半導体レーザベレット１をステム３
のベレット搭載部４上にマウントする際の角度の目安は
、半導体レーザベレット１自身の縦横の長さを基準とし
ている。
のベレット搭載部４上にマウントする際の角度の目安は
、半導体レーザベレット１自身の縦横の長さを基準とし
ている。
上述した従来の例において、レンズ・光ファイバ等の光
軸と半導体レーザベレット１の出力光ビームの中心軸と
の間の角度ずれ量は、反射戻り光量−５０ｄＢ以上であ
ることが必要であり、１．３μｍの典型的な半導体レー
ザでは１５°となる。この角度ずれによって結合効率が
低下し、反射戻り光量が減少する。しかし、同時に光出
力のばらつきが大きくなる。
軸と半導体レーザベレット１の出力光ビームの中心軸と
の間の角度ずれ量は、反射戻り光量−５０ｄＢ以上であ
ることが必要であり、１．３μｍの典型的な半導体レー
ザでは１５°となる。この角度ずれによって結合効率が
低下し、反射戻り光量が減少する。しかし、同時に光出
力のばらつきが大きくなる。
従来の例では、半導体レーザベレット１のマウント角度
の目安がベレット１の縦横の長さを基準にしているため
に、角度のばらつきが大きい。従来の方法では、角度の
ばらつきは±５°あり、光出力のばらつきは約４ｄＢに
なってしまい、安定した歩留りが得られないという問題
があった。
の目安がベレット１の縦横の長さを基準にしているため
に、角度のばらつきが大きい。従来の方法では、角度の
ばらつきは±５°あり、光出力のばらつきは約４ｄＢに
なってしまい、安定した歩留りが得られないという問題
があった。
本発明の半導体レーザパッケージは、半導体レーザを搭
載するサブマウントの端面才たはマウント面が、パッケ
ージの基準面に対して５°以上３０°以下の角度で傾斜
している。
載するサブマウントの端面才たはマウント面が、パッケ
ージの基準面に対して５°以上３０°以下の角度で傾斜
している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の第１の実施例の断面図である。１は半導体レ
ーザベレットであり、ヒートシンク２上にマウントされ
、更にステム３の一部であるベレット搭載部４上にマウ
ントされる。ベレット搭載部４の端面は、半導体レーザ
をマウントする際に必要とされる角度に等しく、パッケ
ージ基準面８に対して斜めに加工されている６本実施例
では、この半導体レーザを用いるモジュールの光学系を
考慮して、前記角度は１５°に加工した。
は本発明の第１の実施例の断面図である。１は半導体レ
ーザベレットであり、ヒートシンク２上にマウントされ
、更にステム３の一部であるベレット搭載部４上にマウ
ントされる。ベレット搭載部４の端面は、半導体レーザ
をマウントする際に必要とされる角度に等しく、パッケ
ージ基準面８に対して斜めに加工されている６本実施例
では、この半導体レーザを用いるモジュールの光学系を
考慮して、前記角度は１５°に加工した。
マウントする際には、このベレット搭載部４の端面と、
半導体レーザベレット１を搭載したヒートシンク２の端
面が丁度一致するように、実体顕微鏡を用いてマウント
する。
半導体レーザベレット１を搭載したヒートシンク２の端
面が丁度一致するように、実体顕微鏡を用いてマウント
する。
この方法により、マウント角度のばらつきは従来の±５
°に対し、±１°に抑えられ、反射戻り光の影響を避け
ながら、かつ光出力のばらつきを１ｄＢ以内に抑えるこ
とができた。
°に対し、±１°に抑えられ、反射戻り光の影響を避け
ながら、かつ光出力のばらつきを１ｄＢ以内に抑えるこ
とができた。
第２図は本発明の第２の実施例を示す断面図である。こ
の実施例においては、半導体レーザベレット搭載部４の
マウント面に、あらかじめ図に示すような斜面加工を行
っている。この角度は第１の実施例と同じく、この半導
体レーザを用いる光学系によって決まる１５°である。
の実施例においては、半導体レーザベレット搭載部４の
マウント面に、あらかじめ図に示すような斜面加工を行
っている。この角度は第１の実施例と同じく、この半導
体レーザを用いる光学系によって決まる１５°である。
このとき、従来と同じ方法でマウント作業を行うと、第
１の実施例において角度をつけた面とは垂直な面におい
て、前記角度が得られる。
１の実施例において角度をつけた面とは垂直な面におい
て、前記角度が得られる。
よって、同様に光フアイバ端面に対して垂直ではなく、
斜めに光線が入射するために、反射戻り光量は抑えられ
、かつマウント角度は半導体レーザベレット搭載部４の
マウント面の傾斜角度によって決定されるために、ばら
つきが小さく、したがって光出力のそれも１ｄＢ以内に
抑えられた。
斜めに光線が入射するために、反射戻り光量は抑えられ
、かつマウント角度は半導体レーザベレット搭載部４の
マウント面の傾斜角度によって決定されるために、ばら
つきが小さく、したがって光出力のそれも１ｄＢ以内に
抑えられた。
なお、上記実施例では、１５゛傾斜している場合につい
て述べたが、この角度は５〜３０°の範囲であれば、光
出力のばらつきを大きくすることなしに反射戻り光量を
抑えることができる。
て述べたが、この角度は５〜３０°の範囲であれば、光
出力のばらつきを大きくすることなしに反射戻り光量を
抑えることができる。
以上説明したように本発明は、光通信に用いられる半導
体レーザパッケージのなかで、反射戻り光量を抑えるた
めに半導体レーザベレットを光軸方向に対して平行では
なく、斜めにマウントする必要のあるものにおいて、半
導体レーザを搭載するサブマウントの端面またはマウン
ト面が、パッケージ基準面に対しである角度で傾斜して
いるために、マウント角度のばらつきが抑えられ、すな
わち光出力のばらつきが抑えられるという効果があるに
のパッケージを用いることによって、光出力のばらつき
は従来の半分になった。
体レーザパッケージのなかで、反射戻り光量を抑えるた
めに半導体レーザベレットを光軸方向に対して平行では
なく、斜めにマウントする必要のあるものにおいて、半
導体レーザを搭載するサブマウントの端面またはマウン
ト面が、パッケージ基準面に対しである角度で傾斜して
いるために、マウント角度のばらつきが抑えられ、すな
わち光出力のばらつきが抑えられるという効果があるに
のパッケージを用いることによって、光出力のばらつき
は従来の半分になった。
第１図は本発明の半導体レーザパッケージの第１の実施
例の縦断面図、第２図は本発明の第２の実施例の縦断面
図、第３図は従来構造の縦断面図である。 １・・・半導体レーザペレット、２５９．ヒートク、３
・・・ステム、４・・・半導体レーザ搭載部、キャップ
、６・・窓ガラス、７・・・リード端子、パッケージ基
準面。 シン ５・・・ ８・・・
例の縦断面図、第２図は本発明の第２の実施例の縦断面
図、第３図は従来構造の縦断面図である。 １・・・半導体レーザペレット、２５９．ヒートク、３
・・・ステム、４・・・半導体レーザ搭載部、キャップ
、６・・窓ガラス、７・・・リード端子、パッケージ基
準面。 シン ５・・・ ８・・・
Claims (1)
- 光通信用半導体レーザパッケージにおいて、半導体レー
ザを搭載するサブマウントの端面またはマウント面が、
該パッケージの基準面に対して５゜以上３０゜以下の角
度で傾斜していることを特徴とする半導体レーザパッケ
ージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2274582A JPH04150085A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 半導体レーザパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2274582A JPH04150085A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 半導体レーザパッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04150085A true JPH04150085A (ja) | 1992-05-22 |
Family
ID=17543756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2274582A Pending JPH04150085A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 半導体レーザパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04150085A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0693808A1 (en) * | 1994-07-21 | 1996-01-24 | Nec Corporation | Semiconductor light-emitting device having oblique top surface of stem for eliminating stray light |
| KR100702106B1 (ko) * | 2004-03-30 | 2007-04-02 | 샤프 가부시키가이샤 | 광픽업장치, 그에 사용가능한 반도체 레이저장치와 하우징및 반도체 레이저장치의 제조방법 |
| EP2533312A3 (en) * | 2011-06-08 | 2014-04-02 | LG Innotek Co., Ltd. | Light-emitting diode package |
-
1990
- 1990-10-12 JP JP2274582A patent/JPH04150085A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0693808A1 (en) * | 1994-07-21 | 1996-01-24 | Nec Corporation | Semiconductor light-emitting device having oblique top surface of stem for eliminating stray light |
| KR100702106B1 (ko) * | 2004-03-30 | 2007-04-02 | 샤프 가부시키가이샤 | 광픽업장치, 그에 사용가능한 반도체 레이저장치와 하우징및 반도체 레이저장치의 제조방법 |
| EP2533312A3 (en) * | 2011-06-08 | 2014-04-02 | LG Innotek Co., Ltd. | Light-emitting diode package |
| US9029877B2 (en) | 2011-06-08 | 2015-05-12 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light-emitting diode package |
| US9349923B2 (en) | 2011-06-08 | 2016-05-24 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light-emitting diode package |
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