JPH02263476A - 半導体実装方法 - Google Patents
半導体実装方法Info
- Publication number
- JPH02263476A JPH02263476A JP1085434A JP8543489A JPH02263476A JP H02263476 A JPH02263476 A JP H02263476A JP 1085434 A JP1085434 A JP 1085434A JP 8543489 A JP8543489 A JP 8543489A JP H02263476 A JPH02263476 A JP H02263476A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mounting
- conductor layer
- image sensor
- electrode
- circuit conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 abstract description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- IHWJXGQYRBHUIF-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Pt] Chemical compound [Ag].[Pt] IHWJXGQYRBHUIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
Landscapes
- Facsimile Heads (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装方法、及びその方法を用いて形成した
イメージセンサに関するものである。
イメージセンサに関するものである。
従来の技術
従来、半導体の実装方法は、第２図（ａ） 、 （ｂ）
に示す様に、回路導体層２を形成した基板１上に、半導
体３を接着剤６により接着し、半導体３の電極端子と回
路導体層２とをワイヤーボンド法により金やアルミニウ
ムなどの金属細線４で接続し、さらに、その上からモー
ルド樹脂５によって封止する構造をとっていた。
に示す様に、回路導体層２を形成した基板１上に、半導
体３を接着剤６により接着し、半導体３の電極端子と回
路導体層２とをワイヤーボンド法により金やアルミニウ
ムなどの金属細線４で接続し、さらに、その上からモー
ルド樹脂５によって封止する構造をとっていた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、この様な半導体装方法では、−度半導体
３を基板１上に実装し、金属細線４で接続するので実装
面積が広くなるとともに、−度接続した後に配線ミスが
あったとしても再度実装しなおすことは実質的に不可能
になると云う問題があった。
３を基板１上に実装し、金属細線４で接続するので実装
面積が広くなるとともに、−度接続した後に配線ミスが
あったとしても再度実装しなおすことは実質的に不可能
になると云う問題があった。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために、本発明の半導体装方法は、
上面に回路導体層を有する基板の上面に光硬化型絶縁樹
脂を設け、次にこの基板の上面に、下面に電極を有する
半導体を、その電極とそれに対応する前記回路導体層を
当接させるべくこの回路導体層上の前記光硬化型絶縁樹
脂を押しのけてこれらの電極と回路導体層を等接させ、
次に回路導体層を介して半導体の動作確認を行い、次に
光硬化型絶縁樹脂に光を照射して硬化させるものである
。
上面に回路導体層を有する基板の上面に光硬化型絶縁樹
脂を設け、次にこの基板の上面に、下面に電極を有する
半導体を、その電極とそれに対応する前記回路導体層を
当接させるべくこの回路導体層上の前記光硬化型絶縁樹
脂を押しのけてこれらの電極と回路導体層を等接させ、
次に回路導体層を介して半導体の動作確認を行い、次に
光硬化型絶縁樹脂に光を照射して硬化させるものである
。
作用
上記本発明の半導体装方法によれば、金属細線を用いず
、半導体下面の電極で接続するので実装面積は小さ（な
り、しかも光硬化型絶縁樹脂を硬化させるのは回路導体
層を介しての半導体の実装後であるので、実装不良があ
ればそれを直した状態で硬化させることができるものと
なる。
、半導体下面の電極で接続するので実装面積は小さ（な
り、しかも光硬化型絶縁樹脂を硬化させるのは回路導体
層を介しての半導体の実装後であるので、実装不良があ
ればそれを直した状態で硬化させることができるものと
なる。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。第１
図（ａ） 、 （ｂ）は、本発明の一実施例における半
導体装方法を用いたイメージセンサを示すものである。
図（ａ） 、 （ｂ）は、本発明の一実施例における半
導体装方法を用いたイメージセンサを示すものである。
２１は半導体として用いたイメージセンサチップ２２を
覆って保護するための保護膜である。２３はイメージセ
ンサチップ２１の下面に設けられている受光素子、２４
はイメージセンサチップ２１の下面に設けられている電
極である。２５は透明基板２７の上面に形成された回路
導体層、２６はイメージセンサチップ２２を透明基板２
７に実装するための透明光硬化型絶縁樹脂である。
覆って保護するための保護膜である。２３はイメージセ
ンサチップ２１の下面に設けられている受光素子、２４
はイメージセンサチップ２１の下面に設けられている電
極である。２５は透明基板２７の上面に形成された回路
導体層、２６はイメージセンサチップ２２を透明基板２
７に実装するための透明光硬化型絶縁樹脂である。
以上のように構成されるイメージセンサの半導体装方法
を説明する。
を説明する。
半導体プロセスを用いて単結晶シリコン基板（ウェハ）
上に、フォトトランジスタやフォトダイオード等の受光
素子２３とＣＣＤやＭＯＳ、／＜イボーラＩＣ等のアク
セス回路（図示せず）と電極２４を有するイメージセン
サチップを複数作り、この単結晶シリコン基板を高精度
ダイシング技術により切断し、個々のイメージセンサチ
ップ２２を切り出す。次にガラス基板等の透明基板２７
上に金や銀白金等の貴金属をスクリーン印刷法または薄
膜形成法とフォトリソ法を用いて回路導体層２５を形成
する。この時回路導体層２５で直接イメージセンサチッ
プ２２の電極２４と接続される部分においては、幅はイ
メージセンサチップの電極２４の幅より小さく （２０
０μｍ以下）、高さは数μｍにした。
上に、フォトトランジスタやフォトダイオード等の受光
素子２３とＣＣＤやＭＯＳ、／＜イボーラＩＣ等のアク
セス回路（図示せず）と電極２４を有するイメージセン
サチップを複数作り、この単結晶シリコン基板を高精度
ダイシング技術により切断し、個々のイメージセンサチ
ップ２２を切り出す。次にガラス基板等の透明基板２７
上に金や銀白金等の貴金属をスクリーン印刷法または薄
膜形成法とフォトリソ法を用いて回路導体層２５を形成
する。この時回路導体層２５で直接イメージセンサチッ
プ２２の電極２４と接続される部分においては、幅はイ
メージセンサチップの電極２４の幅より小さく （２０
０μｍ以下）、高さは数μｍにした。
この透明基板２７の所定の位置にアクリル系の透明光硬
化型絶縁樹脂２６をスクリーン印刷やデイスペンサー等
で規定の量を塗布し、その上にイメージセンサチップ２
２を、その電極２４を下面にして下降させ、その後圧力
を加えて電極２４と回路導体層２５を圧着させる。この
時、同時に外部から回路導体層２５を通じて電圧をかけ
、実施しているイメージセンサチップ２２が正常に動作
をするかを確認する。正常であると確認できたら、その
まま圧力を加えながら、透明光硬化型絶縁樹脂２５に透
明基板２７を通して紫外線を照射して硬化させる。また
この時の動作確認で異常であれば硬化させずに実装をし
なおしたり、次の新たなイメージセンサチップ２２と交
換し、先と同じ作業を行う。この様にして複数のイメー
ジセンサチップ２２を精度良く一直線上に配列する。最
後にその上からシリコン等の樹脂をディペンサー等で塗
布し、保護膜２１を形成して、イメージセンサが完成す
る。
化型絶縁樹脂２６をスクリーン印刷やデイスペンサー等
で規定の量を塗布し、その上にイメージセンサチップ２
２を、その電極２４を下面にして下降させ、その後圧力
を加えて電極２４と回路導体層２５を圧着させる。この
時、同時に外部から回路導体層２５を通じて電圧をかけ
、実施しているイメージセンサチップ２２が正常に動作
をするかを確認する。正常であると確認できたら、その
まま圧力を加えながら、透明光硬化型絶縁樹脂２５に透
明基板２７を通して紫外線を照射して硬化させる。また
この時の動作確認で異常であれば硬化させずに実装をし
なおしたり、次の新たなイメージセンサチップ２２と交
換し、先と同じ作業を行う。この様にして複数のイメー
ジセンサチップ２２を精度良く一直線上に配列する。最
後にその上からシリコン等の樹脂をディペンサー等で塗
布し、保護膜２１を形成して、イメージセンサが完成す
る。
このイメージセンサについては、透明基板２７及び透明
光硬化型絶縁樹脂２６を通して光情報を受光素子２３が
受光し、これを電気信号に変換するようになっている。
光硬化型絶縁樹脂２６を通して光情報を受光素子２３が
受光し、これを電気信号に変換するようになっている。
発明の効果
以上のように本発明の半導体装によれば、金属細線作業
が不要なので、実装面積が小さくなり、しかも実装時の
実装ミスや実装した半導体に不良があった時にはただち
に実装のしなおしや交換が簡単に行えるようになる。
が不要なので、実装面積が小さくなり、しかも実装時の
実装ミスや実装した半導体に不良があった時にはただち
に実装のしなおしや交換が簡単に行えるようになる。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の一実施例における
半導体装方法を用いて形成したイメージセンサの側断面
図と正断面図、第２図（ａ）、（ｂ）は従来の半導体装
方法を用いて形成した半導体チップの平面図と断面図で
ある。 ２１・・・・・・保護膜、２２・・・・・・イメージセ
ンサチップ、２３・・・・・・受光素子、２４・・・・
・・電極、２５・・・・・・回路導体層、２６・・・・
・・透明光硬化型絶縁樹脂、２７・・・・・・透明基板
。
半導体装方法を用いて形成したイメージセンサの側断面
図と正断面図、第２図（ａ）、（ｂ）は従来の半導体装
方法を用いて形成した半導体チップの平面図と断面図で
ある。 ２１・・・・・・保護膜、２２・・・・・・イメージセ
ンサチップ、２３・・・・・・受光素子、２４・・・・
・・電極、２５・・・・・・回路導体層、２６・・・・
・・透明光硬化型絶縁樹脂、２７・・・・・・透明基板
。
Claims (2)
- （１）上面に回路導体層を有する基板の上面に光硬化型
絶縁樹脂を設け、次にこの基板の上面に、下面に電極を
有する半導体を、その電極とそれに対応する前記回路導
体層を当接させるべくこの回路導体層上の前記光硬化型
絶縁樹脂を押しのけてこれらの電極と回路導体層を当接
させ、次に回路導体層を介して半導体の動作確認を行い
、次に光硬化型絶縁樹脂に光を照射して硬化させる半導
体実装方法。 - （２）請求項１記載の半導体実装方法において、基板と
して透明基板を用い、光硬化型絶縁樹脂として透明のも
のを用いて形成したイメージセンサ。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1085434A JPH0738436B2 (ja) | 1989-04-04 | 1989-04-04 | 半導体実装方法 |
| EP89911393A EP0393206B1 (en) | 1988-10-14 | 1989-10-13 | Image sensor and method of producing the same |
| US07/476,483 US5065006A (en) | 1988-10-14 | 1989-10-13 | Image sensors with simplified chip mounting |
| DE68926448T DE68926448T2 (de) | 1988-10-14 | 1989-10-13 | Bildsensor und verfahren zu dessen herstellung |
| PCT/JP1989/001059 WO1990004263A1 (en) | 1988-10-14 | 1989-10-13 | Image sensor and method of producing the same |
| US07/739,562 US5138145A (en) | 1988-10-14 | 1991-08-21 | Method for producing image sensors with current flow into chip and with simplified chip mounting |
| US07/884,826 US5266828A (en) | 1988-10-14 | 1992-05-18 | Image sensors with an optical fiber array |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1085434A JPH0738436B2 (ja) | 1989-04-04 | 1989-04-04 | 半導体実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02263476A true JPH02263476A (ja) | 1990-10-26 |
| JPH0738436B2 JPH0738436B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=13858746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1085434A Expired - Fee Related JPH0738436B2 (ja) | 1988-10-14 | 1989-04-04 | 半導体実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738436B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003060114A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Sony Corp | 半導体装置及び固体撮像装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0853936A (ja) * | 1994-06-07 | 1996-02-27 | Nisso Giken:Kk | コンクリート型枠の開口止め構造及び支持金具 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60262430A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62256472A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ−の組み立て方法 |
-
1989
- 1989-04-04 JP JP1085434A patent/JPH0738436B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60262430A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62256472A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ−の組み立て方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003060114A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Sony Corp | 半導体装置及び固体撮像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0738436B2 (ja) | 1995-04-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5138145A (en) | Method for producing image sensors with current flow into chip and with simplified chip mounting | |
| US6956295B2 (en) | Flip-chip image sensor packages | |
| EP0561964B1 (en) | Optoelectronic device component package and method of making the same | |
| US5776799A (en) | Lead-on-chip type semiconductor chip package using an adhesive deposited on chip active surfaces at a wafer level and method for manufacturing same | |
| EP0591862B1 (en) | A semiconductor device, an image sensor device, and methods for producing the same | |
| US20020041016A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| US5266828A (en) | Image sensors with an optical fiber array | |
| JPH02263476A (ja) | 半導体実装方法 | |
| JP2007150038A (ja) | 光学半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2005294444A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、疑似ウェーハ及びその製造方法、並びに半導体装置の実装構造及びその実装方法 | |
| JP2574559B2 (ja) | イメージセンサの製造方法 | |
| JP4234270B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2574593B2 (ja) | 密着型イメージセンサ | |
| US20060124915A1 (en) | Production of an optoelectronic component that is enclosed in plastic, and corresponding methods | |
| JP3238256B2 (ja) | 半導体装置、イメージセンサ装置及びそれらの製造方法 | |
| US11145782B2 (en) | Processing an optical device | |
| JPH03142880A (ja) | 半導体装置とそれを用いたイメージセンサ及びイメージセンサユニット | |
| JP2003125295A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH02263481A (ja) | 半導体装置およびそれを用いたイメージセンサ | |
| KR930006988B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| JPH05283414A (ja) | 半導体装置用金属配線のバンプ高さ制御装置 | |
| JPH0656862B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05144881A (ja) | 実装装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH10199911A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH04304645A (ja) | 半導体素子の実装方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |