JPH05144881A - 実装装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
実装装置及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH05144881A JPH05144881A JP3301656A JP30165691A JPH05144881A JP H05144881 A JPH05144881 A JP H05144881A JP 3301656 A JP3301656 A JP 3301656A JP 30165691 A JP30165691 A JP 30165691A JP H05144881 A JPH05144881 A JP H05144881A
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- H01L2224/83001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、電気的導通のとりやすい半導体装
置の実装装置及び半導体装置の製造方法を提供するもの
である。 【構成】 回路導体層とその電極２を形成した透光性基
板１上に、透光性紫外線硬化型絶縁樹脂５を塗布する。
次に、吸着器で一つ目の半導体イメージセンサチップ３
の電極４を形成した面の裏面を真空吸着し、基板１上に
移動し、基板１上に密着させて置く。更に同様の方法
で、二つ目のチップ３を基板１上に置く。その後、静か
に二つのチップ３の上にフィルム１３を被せ、そのフィ
ルム１３を挟んで加圧ヘッド７をチップ３に追従させ
て、個別に同時に１回以上加圧器６が、加圧ヘッド７及
びフィルム１３を介してチップ３に圧力を加えながら、
樹脂５を介した電極４と電極２とを接合させて電気的導
通を取る。その状態で、紫外線照射光源１０により樹脂
５を硬化し、二つのチップ３の固定を同時に行いイメー
ジセンサとする。この動作のたびに、常に使用したフィ
ルム１３は新しいものと交換される。
置の実装装置及び半導体装置の製造方法を提供するもの
である。 【構成】 回路導体層とその電極２を形成した透光性基
板１上に、透光性紫外線硬化型絶縁樹脂５を塗布する。
次に、吸着器で一つ目の半導体イメージセンサチップ３
の電極４を形成した面の裏面を真空吸着し、基板１上に
移動し、基板１上に密着させて置く。更に同様の方法
で、二つ目のチップ３を基板１上に置く。その後、静か
に二つのチップ３の上にフィルム１３を被せ、そのフィ
ルム１３を挟んで加圧ヘッド７をチップ３に追従させ
て、個別に同時に１回以上加圧器６が、加圧ヘッド７及
びフィルム１３を介してチップ３に圧力を加えながら、
樹脂５を介した電極４と電極２とを接合させて電気的導
通を取る。その状態で、紫外線照射光源１０により樹脂
５を硬化し、二つのチップ３の固定を同時に行いイメー
ジセンサとする。この動作のたびに、常に使用したフィ
ルム１３は新しいものと交換される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子などの実装
装置及び光学画像を電気信号に変換するイメージセンサ
などの半導体装置の製造方法に関するものである。
装置及び光学画像を電気信号に変換するイメージセンサ
などの半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度の多端子、狭ピッチの半導
体装置の実装を目的として、光あるいは熱硬化型の絶縁
樹脂により導体配線を有する回路基板の電極と半導体素
子上のバンプ電極とを接触させ固定する実装方法が特開
平２−４４７４２号公報などにより提案されている。ま
た最近では、半導体素子のバンプ電極はＡｕなどのメッ
キにより形成するため高価であることからバンプを用い
ない実装方法も提案されている。
体装置の実装を目的として、光あるいは熱硬化型の絶縁
樹脂により導体配線を有する回路基板の電極と半導体素
子上のバンプ電極とを接触させ固定する実装方法が特開
平２−４４７４２号公報などにより提案されている。ま
た最近では、半導体素子のバンプ電極はＡｕなどのメッ
キにより形成するため高価であることからバンプを用い
ない実装方法も提案されている。
【０００３】以下図面を参照しながら、上記した従来の
バンプを用いない構造の半導体素子の実装方法の一例に
ついて説明する。
バンプを用いない構造の半導体素子の実装方法の一例に
ついて説明する。
【０００４】図２（ａ）、（ｂ）は、従来の実装装置に
よりイメージセンサを製造する場合の正面断面図と側面
断面図を示すものであり、二つの半導体素子よりなって
いる。図２において、１は透光性基板、２は透光性基板
１の表面上に形成された回路導体層の電極である。３は
半導体素子として用いたイメージセンサチップ、４は半
導体イメージセンサチップ３に設けられている電極で、
透光性基板１上の電極２と電気的接続をする。１０は半
導体イメージセンサチップ３に設けられている受光素
子、５は半導体イメージセンサチップ３を透光性基板１
に固定するための透光性紫外線硬化型絶縁樹脂である。
８は透光性基板１を保持するステージ、９は紫外線照射
光源で、６は半導体イメージセンサチップ３を加圧する
加圧器と、７は直接、接して圧力を半導体イメージセン
サチップ３に加える加圧ヘッドである。
よりイメージセンサを製造する場合の正面断面図と側面
断面図を示すものであり、二つの半導体素子よりなって
いる。図２において、１は透光性基板、２は透光性基板
１の表面上に形成された回路導体層の電極である。３は
半導体素子として用いたイメージセンサチップ、４は半
導体イメージセンサチップ３に設けられている電極で、
透光性基板１上の電極２と電気的接続をする。１０は半
導体イメージセンサチップ３に設けられている受光素
子、５は半導体イメージセンサチップ３を透光性基板１
に固定するための透光性紫外線硬化型絶縁樹脂である。
８は透光性基板１を保持するステージ、９は紫外線照射
光源で、６は半導体イメージセンサチップ３を加圧する
加圧器と、７は直接、接して圧力を半導体イメージセン
サチップ３に加える加圧ヘッドである。
【０００５】以上のように構成されたイメージセンサの
製造方法を、以下に説明する。まず、回路導体層とその
電極２を形成した透光性基板１上に、一つ目の半導体イ
メージセンサチップ３を実装する所定の位置に、アクリ
レート系の透光性紫外線硬化型絶縁樹脂５をスタンピン
グ法などにより所定量塗布する。次に、吸着器で一つ目
の半導体イメージセンサチップ３の電極４を形成した反
対側の面を真空吸着し、透光性基板１上の所定の位置に
移動する。更に同様の方法で、二つ目の半導体イメージ
センサチップ３を透光性基板１上の所定の位置に移動す
る。その後、二つの半導体イメージセンサチップ３の裏
面に個別の加圧ヘッド７を静かに追従させ、加圧器６を
上下することにより、１回以上加圧ヘッド７を介して半
導体イメージセンサチップ３に圧力を加えた後、加圧器
６を下げて所定量の圧力を加えながら、透光性紫外線硬
化型絶縁樹脂５を介した半導体イメージセンサチップ３
の電極４と回路導体層の電極２とを接合させて電気的導
通を取る。その状態で、紫外線照射光源９により紫外線
光を照射して透光性紫外線硬化型絶縁樹脂５の硬化を行
い、全ての半導体イメージセンサチップ３の固定を行
う。
製造方法を、以下に説明する。まず、回路導体層とその
電極２を形成した透光性基板１上に、一つ目の半導体イ
メージセンサチップ３を実装する所定の位置に、アクリ
レート系の透光性紫外線硬化型絶縁樹脂５をスタンピン
グ法などにより所定量塗布する。次に、吸着器で一つ目
の半導体イメージセンサチップ３の電極４を形成した反
対側の面を真空吸着し、透光性基板１上の所定の位置に
移動する。更に同様の方法で、二つ目の半導体イメージ
センサチップ３を透光性基板１上の所定の位置に移動す
る。その後、二つの半導体イメージセンサチップ３の裏
面に個別の加圧ヘッド７を静かに追従させ、加圧器６を
上下することにより、１回以上加圧ヘッド７を介して半
導体イメージセンサチップ３に圧力を加えた後、加圧器
６を下げて所定量の圧力を加えながら、透光性紫外線硬
化型絶縁樹脂５を介した半導体イメージセンサチップ３
の電極４と回路導体層の電極２とを接合させて電気的導
通を取る。その状態で、紫外線照射光源９により紫外線
光を照射して透光性紫外線硬化型絶縁樹脂５の硬化を行
い、全ての半導体イメージセンサチップ３の固定を行
う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな方法では、直接加圧ヘッドが半導体イメージセンサ
チップに接触するため、半導体イメージセンサチップの
裏面（加圧される面）に樹脂等の汚れが付着している
と、加圧ヘッドを汚したり、傷をつけたりし、その結果
加圧ヘッドと半導体イメージセンサチップの平行度が崩
れる。この時、半導体イメージセンサチップを均一に加
圧できなくなり、回路導体層の電極の高さにばらつきが
あると、それらを平坦化しながら電極間が接合するので
あるが、そのために必要な力が、半導体イメージセンサ
チップに十分に伝わらず、結果として電気的導通が取れ
ず、加圧ヘッドを清掃あるいは交換しなければ、これ以
後すべて不良となり、歩留りを大きく下げるという問題
点を有していた。また、回路導体層の電極の高さを平坦
化するために強い衝撃力を与えているため、その力に耐
えきれず、割れる半導体イメージセンサチップが多いと
いう問題点も有していた。
うな方法では、直接加圧ヘッドが半導体イメージセンサ
チップに接触するため、半導体イメージセンサチップの
裏面（加圧される面）に樹脂等の汚れが付着している
と、加圧ヘッドを汚したり、傷をつけたりし、その結果
加圧ヘッドと半導体イメージセンサチップの平行度が崩
れる。この時、半導体イメージセンサチップを均一に加
圧できなくなり、回路導体層の電極の高さにばらつきが
あると、それらを平坦化しながら電極間が接合するので
あるが、そのために必要な力が、半導体イメージセンサ
チップに十分に伝わらず、結果として電気的導通が取れ
ず、加圧ヘッドを清掃あるいは交換しなければ、これ以
後すべて不良となり、歩留りを大きく下げるという問題
点を有していた。また、回路導体層の電極の高さを平坦
化するために強い衝撃力を与えているため、その力に耐
えきれず、割れる半導体イメージセンサチップが多いと
いう問題点も有していた。
【０００７】本発明は上記問題点に鑑み、二つ以上の半
導体素子を使用して半導体装置を製造する場合、半導体
イメージセンサチップの裏面に樹脂等の汚れが付着して
いても加圧ヘッドを汚したり、傷をつけたりすることな
く、半導体イメージセンサチップを均一に加圧すること
ができるため、電極間の電気的導通を効率よく取ること
ができる実装装置を提供するものである。同時に、衝撃
力による半導体イメージセンサチップの割れを防ぐこと
ができる実装装置を提供するものである。また、一回の
動作のたびに常に新しいフィルムが供給される実装装置
を提供するものである。
導体素子を使用して半導体装置を製造する場合、半導体
イメージセンサチップの裏面に樹脂等の汚れが付着して
いても加圧ヘッドを汚したり、傷をつけたりすることな
く、半導体イメージセンサチップを均一に加圧すること
ができるため、電極間の電気的導通を効率よく取ること
ができる実装装置を提供するものである。同時に、衝撃
力による半導体イメージセンサチップの割れを防ぐこと
ができる実装装置を提供するものである。また、一回の
動作のたびに常に新しいフィルムが供給される実装装置
を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の実装装置は、二つ以上の素子を加圧する素
子の数以上の加圧器と、加圧器と同数の加圧ヘッドと、
素子を実装する基板を保持するステージと、光照射光源
とを備えており、加圧ヘッドと素子の間にフィルムを挟
み、直接加圧ヘッドと素子が接触せず、加圧ヘッドがフ
ィルムを介して素子を加圧し、その状態で光硬化樹脂を
硬化する。そして動作ごとに常に新しいフィルムが供給
されるという機構を備えたものである。
めに本発明の実装装置は、二つ以上の素子を加圧する素
子の数以上の加圧器と、加圧器と同数の加圧ヘッドと、
素子を実装する基板を保持するステージと、光照射光源
とを備えており、加圧ヘッドと素子の間にフィルムを挟
み、直接加圧ヘッドと素子が接触せず、加圧ヘッドがフ
ィルムを介して素子を加圧し、その状態で光硬化樹脂を
硬化する。そして動作ごとに常に新しいフィルムが供給
されるという機構を備えたものである。
【０００９】
【作用】本発明は上記した方法とすることにより、半導
体イメージセンサチップの電極と回路導体層の電極とを
接合させて電気的導通を取る場合、加圧ヘッドと半導体
イメージセンサチップの間にフィルムが存在することに
より、加圧ヘッドが直接半導体イメージセンサチップに
接しないため、半導体イメージセンサチップの裏面に樹
脂等の汚れが付着していても、加圧ヘッドを汚したり、
傷をつけたりすることなく半導体イメージセンサチップ
を均一に加圧しながら実装でき、またフィルムの弾力に
より、回路導体層の電極の高さを平坦化するために加え
ている衝撃力を緩和して、半導体イメージセンサチップ
を割らずに実装することができる。この作用によって効
果的に電極間の電気的導通を取ることができる。この結
果歩留りを飛躍的に向上させることができる。従って半
導体イメージセンサチップの裏面が汚れていると、電気
的導通が取れない、あるいは強い衝撃力によって半導体
イメージセンサチップを割るという従来の問題点を解決
できるものである。また一度使用したフィルムの場所は
二度と使用せず、常に新しい場所へと更新されので、フ
ィルムの汚れを原因とする歩留りの低下は決して起こら
ない。
体イメージセンサチップの電極と回路導体層の電極とを
接合させて電気的導通を取る場合、加圧ヘッドと半導体
イメージセンサチップの間にフィルムが存在することに
より、加圧ヘッドが直接半導体イメージセンサチップに
接しないため、半導体イメージセンサチップの裏面に樹
脂等の汚れが付着していても、加圧ヘッドを汚したり、
傷をつけたりすることなく半導体イメージセンサチップ
を均一に加圧しながら実装でき、またフィルムの弾力に
より、回路導体層の電極の高さを平坦化するために加え
ている衝撃力を緩和して、半導体イメージセンサチップ
を割らずに実装することができる。この作用によって効
果的に電極間の電気的導通を取ることができる。この結
果歩留りを飛躍的に向上させることができる。従って半
導体イメージセンサチップの裏面が汚れていると、電気
的導通が取れない、あるいは強い衝撃力によって半導体
イメージセンサチップを割るという従来の問題点を解決
できるものである。また一度使用したフィルムの場所は
二度と使用せず、常に新しい場所へと更新されので、フ
ィルムの汚れを原因とする歩留りの低下は決して起こら
ない。
【００１０】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。また、従来と同一工程については図
２も参照して説明する。
しながら説明する。また、従来と同一工程については図
２も参照して説明する。
【００１１】図１（ａ）は、本発明によりイメージセン
サを製造する場合、半導体イメージセンサチップをダイ
ボンドした透光性基板を、ステージ上にセットした状態
の側面断面図を示すものである。図１（ｂ）は、図１
（ａ）の状態から、フィルムのみが半導体イメージセン
サチップの裏面に接している状態の側面断面図を示すも
のである。図１（ｃ）は、図１（ｂ）の状態から、加圧
ヘッドが半導体イメージセンサチップ上のフィルムを介
して半導体イメージセンサチップに追従して接している
状態の側面断面図を示すものである。図１（ｄ）は、図
１（ｃ）の状態から加圧器が、加圧ヘッド及びフィルム
を介して半導体イメージセンサチップを加圧している状
態の側面断面図を示すものである。図１（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、一連の動作を示している。
サを製造する場合、半導体イメージセンサチップをダイ
ボンドした透光性基板を、ステージ上にセットした状態
の側面断面図を示すものである。図１（ｂ）は、図１
（ａ）の状態から、フィルムのみが半導体イメージセン
サチップの裏面に接している状態の側面断面図を示すも
のである。図１（ｃ）は、図１（ｂ）の状態から、加圧
ヘッドが半導体イメージセンサチップ上のフィルムを介
して半導体イメージセンサチップに追従して接している
状態の側面断面図を示すものである。図１（ｄ）は、図
１（ｃ）の状態から加圧器が、加圧ヘッド及びフィルム
を介して半導体イメージセンサチップを加圧している状
態の側面断面図を示すものである。図１（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、一連の動作を示している。
【００１２】図１において、図２と同一部分には同一符
号をつけている。図中１は透光性基板、２は透光性基板
の表面上に形成された回路導体層の電極である。３は半
導体素子として用いたイメージセンサチップ、４は半導
体イメージセンサチップ３に設けられている電極で、透
光性基板上の電極２と電気的接続をする。５は半導体イ
メージセンサチップ３を透光性基板１に固定するための
透光性紫外線硬化型絶縁樹脂である。６は加圧器、７は
加圧器６からの圧力を半導体イメージセンサチップ３に
追従しながら伝える加圧ヘッドである。８は透光性基板
１を保持するステージ、９は紫外線照射光源で、１０は
受光素子である。１１はロール状フィルム装着用装置、
１２はロール状フィルム巻取り用装置、１３はフィルム
である。
号をつけている。図中１は透光性基板、２は透光性基板
の表面上に形成された回路導体層の電極である。３は半
導体素子として用いたイメージセンサチップ、４は半導
体イメージセンサチップ３に設けられている電極で、透
光性基板上の電極２と電気的接続をする。５は半導体イ
メージセンサチップ３を透光性基板１に固定するための
透光性紫外線硬化型絶縁樹脂である。６は加圧器、７は
加圧器６からの圧力を半導体イメージセンサチップ３に
追従しながら伝える加圧ヘッドである。８は透光性基板
１を保持するステージ、９は紫外線照射光源で、１０は
受光素子である。１１はロール状フィルム装着用装置、
１２はロール状フィルム巻取り用装置、１３はフィルム
である。
【００１３】以上のように構成されたイメージセンサの
製造方法を以下に説明する。まず、半導体プロセスを用
いて単結晶シリコン基板（ウエハ）上に、フォトトラン
ジスタまたはフォトダイオードなどの受光素子１０と、
ＣＣＤやＭＯＳ、バイポーラＩＣなどのアクセス回路
（図示せず）を設けたものを製造する。各電極４につい
ては、二層Ａｌ配線のプロセスを用い、スパッタリング
法により数μｍ程度ウエハ表面より突き出した構造にな
っている。その後、このウエハを高精度ダイシング技術
により切断し、半導体イメージセンサチップ３を作る。
また、コーニング社７０５９のガラス基板を透光性基板
１とし、この透光性基板１上に厚膜印刷などによって形
成した回路導体層と電極２を形成する。あるいは透光性
基板１として、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポ
リエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルエ
ーテルケトン（ＰＥＥＫ）などの透明フィルム基板上
に、銅などの金属を蒸着法またはスパッタリング法を用
いて形成し、後にフォトリソ法などによって回路導体を
形成してもよい。この透光性基板１上の所定の位置に、
アクリレート系の透光性紫外線硬化型絶縁樹脂５をスタ
ンピング法やスクリーン印刷法などにより所定量塗布す
る。次に吸着器で一つ目の半導体イメージセンサチップ
３の電極４を形成した面の裏面を真空吸着し、透光性基
板１上の所定の位置に移動する。そして、透光性基板１
上に密着させて置く。更に同様の方法で、二つ目の半導
体イメージセンサチップ３を透光性基板１上に置く。そ
の後、フィルム１３を静かに半導体イメージセンサチッ
プ３に被せ（図１（ｂ））、個別の加圧ヘッド７をフィ
ルム１３を介して半導体イメージセンサチップ３の裏面
に追従させ（図１（ｃ））、加圧器６により加圧ヘッド
７及びフィルム１３を介して半導体イメージセンサチッ
プ３を加圧する（図１（ｄ））。この図１（ｃ）と図１
（ｄ）の動作を所定の回数繰り返すことにより、半導体
イメージセンサチップ３に同時に数回衝撃を加えた後、
図１（ｄ）の状態で固定し、透光性紫外線硬化型絶縁樹
脂５を介した半導体イメージセンサチップ３の電極４と
回路導体層の電極２とを接合させて電気的導通を取る。
そして紫外線照射光源９により紫外線光を照射して、透
光性紫外線硬化型絶縁樹脂５の硬化を行い二つの半導体
イメージセンサチップ３の固定を行う。硬化後、使用し
たフィルム１３は巻取られ、常に新しいフィルム１３を
使用している。
製造方法を以下に説明する。まず、半導体プロセスを用
いて単結晶シリコン基板（ウエハ）上に、フォトトラン
ジスタまたはフォトダイオードなどの受光素子１０と、
ＣＣＤやＭＯＳ、バイポーラＩＣなどのアクセス回路
（図示せず）を設けたものを製造する。各電極４につい
ては、二層Ａｌ配線のプロセスを用い、スパッタリング
法により数μｍ程度ウエハ表面より突き出した構造にな
っている。その後、このウエハを高精度ダイシング技術
により切断し、半導体イメージセンサチップ３を作る。
また、コーニング社７０５９のガラス基板を透光性基板
１とし、この透光性基板１上に厚膜印刷などによって形
成した回路導体層と電極２を形成する。あるいは透光性
基板１として、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポ
リエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルエ
ーテルケトン（ＰＥＥＫ）などの透明フィルム基板上
に、銅などの金属を蒸着法またはスパッタリング法を用
いて形成し、後にフォトリソ法などによって回路導体を
形成してもよい。この透光性基板１上の所定の位置に、
アクリレート系の透光性紫外線硬化型絶縁樹脂５をスタ
ンピング法やスクリーン印刷法などにより所定量塗布す
る。次に吸着器で一つ目の半導体イメージセンサチップ
３の電極４を形成した面の裏面を真空吸着し、透光性基
板１上の所定の位置に移動する。そして、透光性基板１
上に密着させて置く。更に同様の方法で、二つ目の半導
体イメージセンサチップ３を透光性基板１上に置く。そ
の後、フィルム１３を静かに半導体イメージセンサチッ
プ３に被せ（図１（ｂ））、個別の加圧ヘッド７をフィ
ルム１３を介して半導体イメージセンサチップ３の裏面
に追従させ（図１（ｃ））、加圧器６により加圧ヘッド
７及びフィルム１３を介して半導体イメージセンサチッ
プ３を加圧する（図１（ｄ））。この図１（ｃ）と図１
（ｄ）の動作を所定の回数繰り返すことにより、半導体
イメージセンサチップ３に同時に数回衝撃を加えた後、
図１（ｄ）の状態で固定し、透光性紫外線硬化型絶縁樹
脂５を介した半導体イメージセンサチップ３の電極４と
回路導体層の電極２とを接合させて電気的導通を取る。
そして紫外線照射光源９により紫外線光を照射して、透
光性紫外線硬化型絶縁樹脂５の硬化を行い二つの半導体
イメージセンサチップ３の固定を行う。硬化後、使用し
たフィルム１３は巻取られ、常に新しいフィルム１３を
使用している。
【００１４】上記のようにして、イメージセンサを製造
する。このイメージセンサについては、透光性基板１及
び透光性紫外線硬化型絶縁樹脂５を通して光情報を受光
素子１０が検知し、これを電気信号に変換するようにな
っている。
する。このイメージセンサについては、透光性基板１及
び透光性紫外線硬化型絶縁樹脂５を通して光情報を受光
素子１０が検知し、これを電気信号に変換するようにな
っている。
【００１５】透光性紫外線硬化型絶縁樹脂５としては、
ウレタンアクリレート系あるいはエポキシアクリレート
系透光性紫外線硬化型絶縁樹脂が、接着性、感度の点か
ら好適である。
ウレタンアクリレート系あるいはエポキシアクリレート
系透光性紫外線硬化型絶縁樹脂が、接着性、感度の点か
ら好適である。
【００１６】以上のように本実施例のよれば、透光性基
板１上に形成された回路導体層の電極２と半導体イメー
ジセンサチップ３上に形成された電極４とを接合させて
固定する工程に於て、加圧ヘッド７と半導体イメージセ
ンサチップ３の間にフィルム１３を介在させることによ
り、半導体イメージセンサチップ３の裏面が汚れていて
も、加圧ヘッド７を汚したり、傷つけたりすることなく
平行度を保つことができる。またフィルム１３の弾力に
より、必要以上の力が半導体イメージセンサチップ３に
かかってもチップを割ることなく実装することができ
る。従って、安定して加圧器７が半導体イメージセンサ
チップ３に追従でき、なおかつ回路導体層の電極２の高
さを効果的に平坦化することができ、その結果、半導体
イメージセンサチップ３の電極４と回路導体層の電極２
との電気的導通を取ることができる。また常に新しいフ
ィルム１３を使用しているため、フィルム１３の汚れを
原因とする歩留りの低下は絶対に起こらない。
板１上に形成された回路導体層の電極２と半導体イメー
ジセンサチップ３上に形成された電極４とを接合させて
固定する工程に於て、加圧ヘッド７と半導体イメージセ
ンサチップ３の間にフィルム１３を介在させることによ
り、半導体イメージセンサチップ３の裏面が汚れていて
も、加圧ヘッド７を汚したり、傷つけたりすることなく
平行度を保つことができる。またフィルム１３の弾力に
より、必要以上の力が半導体イメージセンサチップ３に
かかってもチップを割ることなく実装することができ
る。従って、安定して加圧器７が半導体イメージセンサ
チップ３に追従でき、なおかつ回路導体層の電極２の高
さを効果的に平坦化することができ、その結果、半導体
イメージセンサチップ３の電極４と回路導体層の電極２
との電気的導通を取ることができる。また常に新しいフ
ィルム１３を使用しているため、フィルム１３の汚れを
原因とする歩留りの低下は絶対に起こらない。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明は、二つ以上の半導
体素子を光硬化型絶縁樹脂を介して透光性基板に加圧し
た状態で、光硬化型絶縁樹脂に光照射光源より光照射し
て、透光性基板上に形成された回路導体層の電極と半導
体素子上に形成された電極とを接合させて固定する場
合、加圧ヘッドと半導体イメージセンサチップの間にフ
ィルムを挟むことにより、半導体素子の裏面の汚れに関
係なく加圧ヘッドが半導体素子に追従することができ、
かつフィルムの弾力により、回路導体層の電極の高さを
平坦化するために加える強い衝撃力のために、半導体素
子が割れることなく、効果的に半導体素子に力を加える
ことができるので、電極間の電気的導通を確率よく取る
ことができる。また常に新しいフィルムを使用している
ため、フィルムの汚れを原因とする歩留りの低下は絶対
に起こらない。
体素子を光硬化型絶縁樹脂を介して透光性基板に加圧し
た状態で、光硬化型絶縁樹脂に光照射光源より光照射し
て、透光性基板上に形成された回路導体層の電極と半導
体素子上に形成された電極とを接合させて固定する場
合、加圧ヘッドと半導体イメージセンサチップの間にフ
ィルムを挟むことにより、半導体素子の裏面の汚れに関
係なく加圧ヘッドが半導体素子に追従することができ、
かつフィルムの弾力により、回路導体層の電極の高さを
平坦化するために加える強い衝撃力のために、半導体素
子が割れることなく、効果的に半導体素子に力を加える
ことができるので、電極間の電気的導通を確率よく取る
ことができる。また常に新しいフィルムを使用している
ため、フィルムの汚れを原因とする歩留りの低下は絶対
に起こらない。
【図１】（ａ）本発明の第１の実施例における実装装置
によりイメージセンサを製造する場合、半導体イメージ
センサチップをダイボンドした透光性基板を、ステージ
上にセットした状態の側面断面図である。 （ｂ）本発明の第１の実施例における実装装置によりイ
メージセンサを製造する場合、フィルムのみが半導体イ
メージセンサチップの裏面に接している状態の側面断面
図である。 （ｃ）本発明の第１の実施例における実装装置によりイ
メージセンサを製造する場合、加圧ヘッドが半導体イメ
ージセンサチップ上のフィルムを介して、半導体イメー
ジセンサチップに追従して接している状態の側面断面図
である。 （ｄ）本発明の第１の実施例における実装装置によりイ
メージセンサを製造する場合、加圧器が加圧ヘッド及び
フィルムを介して半導体イメージセンサチップを加圧し
ている状態の側面断面図である
によりイメージセンサを製造する場合、半導体イメージ
センサチップをダイボンドした透光性基板を、ステージ
上にセットした状態の側面断面図である。 （ｂ）本発明の第１の実施例における実装装置によりイ
メージセンサを製造する場合、フィルムのみが半導体イ
メージセンサチップの裏面に接している状態の側面断面
図である。 （ｃ）本発明の第１の実施例における実装装置によりイ
メージセンサを製造する場合、加圧ヘッドが半導体イメ
ージセンサチップ上のフィルムを介して、半導体イメー
ジセンサチップに追従して接している状態の側面断面図
である。 （ｄ）本発明の第１の実施例における実装装置によりイ
メージセンサを製造する場合、加圧器が加圧ヘッド及び
フィルムを介して半導体イメージセンサチップを加圧し
ている状態の側面断面図である
【図２】（ａ）従来の実装装置によりイメージセンサを
製造する場合の正面断面図である。 （ｂ）従来の実装装置によりイメージセンサを製造する
場合の側面断面図である。
製造する場合の正面断面図である。 （ｂ）従来の実装装置によりイメージセンサを製造する
場合の側面断面図である。
１ 透光性基板 ２ 回路導体層の電極 ３ イメージセンサチップ ４ イメージセンサチップの電極 ５ 透光性紫外線硬化型絶縁樹脂 ６ 加圧器 ７ 加圧ヘッド ８ ステージ ９ 紫外線照射光源 １０ 受光素子 １１ ロール状フィルム装着用装置 １２ ロール状フィルム巻取り用装置 １３ フィルム
Claims (6)
- 【請求項１】 二つ以上の素子を加圧する素子の数以上
の加圧器と、前記加圧器と同数の加圧ヘッドと、前記素
子を実装する基板を保持するステージと、光照射光源と
を備えた実装装置において、前記加圧ヘッドと前記素子
の間に前記素子の実装面積よりも面積の広いフィルムを
備えて実装することを特徴とする実装装置。 - 【請求項２】 フィルムの厚さを１００μｍ以下とする
ことを特徴とする請求項１記載の実装装置 - 【請求項３】 フィルムをロール状にし、前記加圧器及
び前記加圧ヘッドの前後にロール状フィルム装着用装置
と、ロール状フィルム巻取り用装置を備えたことを特徴
とする請求項１記載の実装装置。 - 【請求項４】 フィルムが実装ごとに未使用面に変更さ
れることを特徴とする請求項３記載の実装装置。 - 【請求項５】 二つ以上の半導体素子と、回路導体層を
形成した透光性基板と、光硬化型絶縁樹脂とを備え、前
記半導体素子を前記光硬化型絶縁樹脂を介して前記透光
性基板に加圧器により加圧ヘッドを介して加圧し、光照
射により前記光硬化型絶縁樹脂を硬化して、前記透光性
基板上に形成された前記回路導体層の電極と、前記半導
体素子上に形成された電極とを接合させて固定する工程
において、前記加圧ヘッドと前記半導体素子の間にフィ
ルムを挟み、前記加圧器により前記加圧ヘッドが前記フ
ィルムを介して前記半導体素子を加圧し、前記半導体素
子を前記加圧ヘッドが直接接触しないで実装することを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記半導体素子がイメージセンサである
ことを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3301656A JPH05144881A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | 実装装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3301656A JPH05144881A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | 実装装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144881A true JPH05144881A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17899563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3301656A Pending JPH05144881A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | 実装装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05144881A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006100763A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法及び接合装置 |
| JP2007012641A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子実装方法および半導体素子実装装置 |
-
1991
- 1991-11-18 JP JP3301656A patent/JPH05144881A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006100763A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法及び接合装置 |
| JP2007012641A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子実装方法および半導体素子実装装置 |
| JP4619209B2 (ja) * | 2005-06-28 | 2011-01-26 | パナソニック株式会社 | 半導体素子実装方法および半導体素子実装装置 |
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