JPH04158573A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04158573A JPH04158573A JP2285010A JP28501090A JPH04158573A JP H04158573 A JPH04158573 A JP H04158573A JP 2285010 A JP2285010 A JP 2285010A JP 28501090 A JP28501090 A JP 28501090A JP H04158573 A JPH04158573 A JP H04158573A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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-
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
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- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明（よ 光字画像を電気信号に変換するイメージセ
ンサなどの半導体装置の製造方法に関するものであム 従来の技術 近蝦 高密度の多端子、狭ピッチの半導体装置の実装を
目的として、光あるいは熱硬化型の絶縁樹脂により導体
配線を有する回路基板の電極と半導体素子上のバンブ電
極とを接触させ固定する実装方法が特開平２−４４７４
２号公報などにより提案されていも また最近では 半
導体素子のバンプ電極はＡｕなどのメツキにより形成す
るため高価であるこ七からバンブを用いない実装方法も
提案されていも 以下図面を参照しなが収 上記した従来のバンブを用い
ない構造の半導体装置の製造方法の一例について説明す
も 第２図（ａ）、 （ｂ）ｉＬ 従来の製造方法により
イメージセンサを製造する場合の正面断面図と側面断面
図を示すものであり、 ２個の半導体素子よりなってい
も 第２図（ａ）、 （ｂ）において、１は透光性基板
２は透光性基板の表面上に形成された回路導体層の電
極であム ３は半導体装置として用いたイメージセンサ
チップ、 ４は半導体イメージセンサチップ３に設けら
れている受光素子、 ５は半導体イメージセンサチップ
３に設けられている電極で、透光性基板上の電極２と電
気的接続をすム ６は半導体イメージセンサチップ３を
透光性基板１に固定するための透光性紫外線硬化型樹脂
であム ９はイメージセンサチップ３の吸着治具て １
０ ｉ、を紫外線照射光源であム以上のように構成され
たイメージセンサの製造方法を、以下に説明すも まず、回路導体層とその電極２を形成した透光性基板１
上に １個目の半導体イメージセンサチップ３を実装す
る所定の位置にアクリレート系の透光性紫外線硬化型樹
脂６をスタンビンレグ法などにより所定量塗布すも 次
ｌニー、吸着治具９で】個目の半導体イメージセンサチ
ップ３の電極５を形成した反対側の裏面を真空吸着し
透光性基板１上の所定の位置に移動すム その徽 吸着
治具９の上部より圧力を加えなが収 紫外線硬化型樹脂
６を介した半導体イメージセンサチップ３の電極５と回
路導体層の電極２とを接合させて電気的導通をとも そ
の状態で、紫外線照射光源１０により紫外線光を照射し
て紫外線硬化型樹脂６の硬化を行い１個目の半導体イメ
ージセンサチップ３の固定を行う。更に同様の方法で、
２個目の半導体イメージセンサチップ３を固定してイメ
ージセンサを製造していた 発明が解決しようとする課題 しかしながら上記の製造方法で１よ 製造時間が長いと
いう問題点を有していた これ（よ 紫外線硬化型樹脂
６の硬化を行い半導体イメージセンサチップ３の固定を
行う工程の時間力（全工程の時間の中に占める割合が大
きく、このたム およそ半導体イメージセンサチップ３
の個数と比例して増やせば増やすほど長くなるという問
題点があった本発明は上記問題点に！、”、、 ２個
以上の複数個の半導体素子を使用して半導体装置を製造
する場合、製造時間を短縮することができる半導体装置
の製造方法を提供するものであも 課題を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明の半導体装置の製造
方法は ２個以上の複数の半導体素子と、回路導体層を
形成した透光性基板と、光硬化型絶縁樹脂とを備え 半
導体素子を光硬化型絶縁樹脂を介して透光性基板に加圧
し 透光性基板上に形成された回路導体層の電極と半導
体素子上に形成された電極とを接合させて固定する工程
に於て、半導体素子を複数個同時に加圧固定することを
特徴とすものである 作用 本発明は上記した製造方法とすることにより、２個以上
の複数個の半導体素子を使用して半導体装置を製造する
場合 加圧固定する工程を一度に済ませて、複数個の半
導体素子の個数と比例して増やせば増やすほど長くなる
という従来の問題点を解決できるものであり、製造時間
を短縮することができる半導体装置の製造方法であム実
施例 以下図面を参照しなが収 上記した本発明の一実施例に
ついて説明すも また 従来と同一工程については第２
図も参照にして説明すも第１図（よ１本発明によりイメ
ージセンサを製造する場合の正面断面図を示すものであ
４ 第２図において、第１図と同一部分には同一符号を
付けていも 第１図において、 １は透光性基板 ２は透光性基板の
表面上に形成された回路導体層の電極である。
ンサなどの半導体装置の製造方法に関するものであム 従来の技術 近蝦 高密度の多端子、狭ピッチの半導体装置の実装を
目的として、光あるいは熱硬化型の絶縁樹脂により導体
配線を有する回路基板の電極と半導体素子上のバンブ電
極とを接触させ固定する実装方法が特開平２−４４７４
２号公報などにより提案されていも また最近では 半
導体素子のバンプ電極はＡｕなどのメツキにより形成す
るため高価であるこ七からバンブを用いない実装方法も
提案されていも 以下図面を参照しなが収 上記した従来のバンブを用い
ない構造の半導体装置の製造方法の一例について説明す
も 第２図（ａ）、 （ｂ）ｉＬ 従来の製造方法により
イメージセンサを製造する場合の正面断面図と側面断面
図を示すものであり、 ２個の半導体素子よりなってい
も 第２図（ａ）、 （ｂ）において、１は透光性基板
２は透光性基板の表面上に形成された回路導体層の電
極であム ３は半導体装置として用いたイメージセンサ
チップ、 ４は半導体イメージセンサチップ３に設けら
れている受光素子、 ５は半導体イメージセンサチップ
３に設けられている電極で、透光性基板上の電極２と電
気的接続をすム ６は半導体イメージセンサチップ３を
透光性基板１に固定するための透光性紫外線硬化型樹脂
であム ９はイメージセンサチップ３の吸着治具て １
０ ｉ、を紫外線照射光源であム以上のように構成され
たイメージセンサの製造方法を、以下に説明すも まず、回路導体層とその電極２を形成した透光性基板１
上に １個目の半導体イメージセンサチップ３を実装す
る所定の位置にアクリレート系の透光性紫外線硬化型樹
脂６をスタンビンレグ法などにより所定量塗布すも 次
ｌニー、吸着治具９で】個目の半導体イメージセンサチ
ップ３の電極５を形成した反対側の裏面を真空吸着し
透光性基板１上の所定の位置に移動すム その徽 吸着
治具９の上部より圧力を加えなが収 紫外線硬化型樹脂
６を介した半導体イメージセンサチップ３の電極５と回
路導体層の電極２とを接合させて電気的導通をとも そ
の状態で、紫外線照射光源１０により紫外線光を照射し
て紫外線硬化型樹脂６の硬化を行い１個目の半導体イメ
ージセンサチップ３の固定を行う。更に同様の方法で、
２個目の半導体イメージセンサチップ３を固定してイメ
ージセンサを製造していた 発明が解決しようとする課題 しかしながら上記の製造方法で１よ 製造時間が長いと
いう問題点を有していた これ（よ 紫外線硬化型樹脂
６の硬化を行い半導体イメージセンサチップ３の固定を
行う工程の時間力（全工程の時間の中に占める割合が大
きく、このたム およそ半導体イメージセンサチップ３
の個数と比例して増やせば増やすほど長くなるという問
題点があった本発明は上記問題点に！、”、、 ２個
以上の複数個の半導体素子を使用して半導体装置を製造
する場合、製造時間を短縮することができる半導体装置
の製造方法を提供するものであも 課題を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明の半導体装置の製造
方法は ２個以上の複数の半導体素子と、回路導体層を
形成した透光性基板と、光硬化型絶縁樹脂とを備え 半
導体素子を光硬化型絶縁樹脂を介して透光性基板に加圧
し 透光性基板上に形成された回路導体層の電極と半導
体素子上に形成された電極とを接合させて固定する工程
に於て、半導体素子を複数個同時に加圧固定することを
特徴とすものである 作用 本発明は上記した製造方法とすることにより、２個以上
の複数個の半導体素子を使用して半導体装置を製造する
場合 加圧固定する工程を一度に済ませて、複数個の半
導体素子の個数と比例して増やせば増やすほど長くなる
という従来の問題点を解決できるものであり、製造時間
を短縮することができる半導体装置の製造方法であム実
施例 以下図面を参照しなが収 上記した本発明の一実施例に
ついて説明すも また 従来と同一工程については第２
図も参照にして説明すも第１図（よ１本発明によりイメ
ージセンサを製造する場合の正面断面図を示すものであ
４ 第２図において、第１図と同一部分には同一符号を
付けていも 第１図において、 １は透光性基板 ２は透光性基板の
表面上に形成された回路導体層の電極である。
３は半導体素子として用いたイメージセンサチップ、
５は半導体イメージセンサチップ３に設けられている電
極で、透光性基板上の電極２と電気的接続をすム ６は
半導体イメージセンサチップ３を透光性基板１に固定す
るための透光性紫外線硬化型樹脂である。 ７は２個の
半導体イメージセンサチップ３の加圧治具で、 ８は紫
外線照射光源であム 以上のように構成されたイメージセンサの製造方法を、
以下に説明すも まず、半導体プロセスを用いて単結晶シリコン基板（ウ
ェハ）上ζｑ フォトトランジスタまたはフォトダイオ
ードなどの受光素子４とＣＣＤやＭＯ８、バイポーラＩ
Ｃなどのアクセス回路（図示せず）を設けたものを製造
す４ 各電極５については ２層ＡＩ配線のプロセスを
用１．ｋ スパッタリング法により数μｍ程度ウェハ
表面より突出した構造になっていも その後、 このウ
ェハを高精度ダイシング技術により切断し 半導体イメ
ージセンサチップ３を作る。また コーニング社７０５
９のガラス基板を透光性基板１とし この透光性基板ｌ
上にスクリーン印刷などによって形成した回路導体層と
電極２を形成すも あるいは透光性基板１として、ポリ
エーテルサルフォン（ＰＥＳ）、 ポリエチレンテレフ
タレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルエーテルケトン（Ｐ
ＥＥＫ）などの透明フィルム基板上に 銅などの金属を
、蒸着法またはスパッタリング法を用いて形成し 後に
フォトリソ法などによって回路導体を形成してもよ１、
％ この透光性基板１上の所定の位置？Ｑ アクリ
レート系の透光性紫外線硬化型樹脂６をスタンピング法
やスクリーン印刷法などにより所定量塗布すム 次く
吸着治具９で１個目の半導体イメージセンサチップの電
極５を形成した反対側の裏面を真空吸着Ｌ 透光性基
板１上の所定の位置に移動すム そして、透光性基板１
上に密着させ置く。
５は半導体イメージセンサチップ３に設けられている電
極で、透光性基板上の電極２と電気的接続をすム ６は
半導体イメージセンサチップ３を透光性基板１に固定す
るための透光性紫外線硬化型樹脂である。 ７は２個の
半導体イメージセンサチップ３の加圧治具で、 ８は紫
外線照射光源であム 以上のように構成されたイメージセンサの製造方法を、
以下に説明すも まず、半導体プロセスを用いて単結晶シリコン基板（ウ
ェハ）上ζｑ フォトトランジスタまたはフォトダイオ
ードなどの受光素子４とＣＣＤやＭＯ８、バイポーラＩ
Ｃなどのアクセス回路（図示せず）を設けたものを製造
す４ 各電極５については ２層ＡＩ配線のプロセスを
用１．ｋ スパッタリング法により数μｍ程度ウェハ
表面より突出した構造になっていも その後、 このウ
ェハを高精度ダイシング技術により切断し 半導体イメ
ージセンサチップ３を作る。また コーニング社７０５
９のガラス基板を透光性基板１とし この透光性基板ｌ
上にスクリーン印刷などによって形成した回路導体層と
電極２を形成すも あるいは透光性基板１として、ポリ
エーテルサルフォン（ＰＥＳ）、 ポリエチレンテレフ
タレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルエーテルケトン（Ｐ
ＥＥＫ）などの透明フィルム基板上に 銅などの金属を
、蒸着法またはスパッタリング法を用いて形成し 後に
フォトリソ法などによって回路導体を形成してもよ１、
％ この透光性基板１上の所定の位置？Ｑ アクリ
レート系の透光性紫外線硬化型樹脂６をスタンピング法
やスクリーン印刷法などにより所定量塗布すム 次く
吸着治具９で１個目の半導体イメージセンサチップの電
極５を形成した反対側の裏面を真空吸着Ｌ 透光性基
板１上の所定の位置に移動すム そして、透光性基板１
上に密着させ置く。
更に同様の方法で、 ２個目の半導体イメージセンサチ
ップ３を透光性基板１上に置く。その後、 ２個の半導
体イメージセンサチップ３の裏面を加圧治具７で同時に
上部より圧力を加えなか板 紫外線硬化型樹脂６を介し
た半導体イメージセンサチップ３の電極５と回路導体層
の電極２とを接合させて電気的導通をとも その状態で
、紫外線照射光源８により紫外線光を照射して紫外線硬
化型樹脂６の硬化を行い２個の半導体イメージセンサチ
ップ３の固定を行う。
ップ３を透光性基板１上に置く。その後、 ２個の半導
体イメージセンサチップ３の裏面を加圧治具７で同時に
上部より圧力を加えなか板 紫外線硬化型樹脂６を介し
た半導体イメージセンサチップ３の電極５と回路導体層
の電極２とを接合させて電気的導通をとも その状態で
、紫外線照射光源８により紫外線光を照射して紫外線硬
化型樹脂６の硬化を行い２個の半導体イメージセンサチ
ップ３の固定を行う。
上記のようにして、イメージセンサを製造する。
このイメージセンサについて（友 透光性基板１及び透
光性紫外線硬化型樹脂６を通して光情報を受光素子４が
検知し これを電気信号に変換するようになっている。
光性紫外線硬化型樹脂６を通して光情報を受光素子４が
検知し これを電気信号に変換するようになっている。
紫外線硬化型絶縁樹脂６として（主 ウレタンアクリレ
ート鍜 あるいはエポキシアクリレート系紫外線硬化型
絶縁樹脂・が接着性、感度の点から好適であム 以上のように本実施例のよれ（瓜 透光性基板１上に形
成された回路導体層の電極２と半導体イメージセンサ３
上に形成された電極５とを接合させて固定する工程に於
て、半導体イメージセンサ３を２個同時に加圧固定する
ことにより、加圧固定時間を半分とする事ができ、製造
時間を短縮することができも 発明の効果 以上のように本発明Ｇ、１． ２個以上の複数個の半導
体素子と、回路導体層を形成した透光性基板と、光硬化
型絶縁樹脂とを（１，Ｌ 半導体素子を光硬化型絶縁
樹脂を介して透光性基板に加圧し 透光性基板上に形成
された回路導体層の電極と半導体半導体素子上に形成さ
れた電極とを接合させて固定する工程に於て、半導体素
子を複数個同時に加圧固定するものであム この事によ
り、従来の製造方法のように２個以上の複数個の半導体
素子を使用して半導体装置を製造する場合、半導体素子
の数と比例して増やせば増やすほど長くなるという問題
点を解決でき、製造時間を短縮することができるもので
あム
ート鍜 あるいはエポキシアクリレート系紫外線硬化型
絶縁樹脂・が接着性、感度の点から好適であム 以上のように本実施例のよれ（瓜 透光性基板１上に形
成された回路導体層の電極２と半導体イメージセンサ３
上に形成された電極５とを接合させて固定する工程に於
て、半導体イメージセンサ３を２個同時に加圧固定する
ことにより、加圧固定時間を半分とする事ができ、製造
時間を短縮することができも 発明の効果 以上のように本発明Ｇ、１． ２個以上の複数個の半導
体素子と、回路導体層を形成した透光性基板と、光硬化
型絶縁樹脂とを（１，Ｌ 半導体素子を光硬化型絶縁
樹脂を介して透光性基板に加圧し 透光性基板上に形成
された回路導体層の電極と半導体半導体素子上に形成さ
れた電極とを接合させて固定する工程に於て、半導体素
子を複数個同時に加圧固定するものであム この事によ
り、従来の製造方法のように２個以上の複数個の半導体
素子を使用して半導体装置を製造する場合、半導体素子
の数と比例して増やせば増やすほど長くなるという問題
点を解決でき、製造時間を短縮することができるもので
あム
第１図は本発明の一実施例におけるイメージセンサを製
造する場合の正面断面図 第２図（ａ）、は従来の製造
方法によりイメージセンサを製造する場合の正面断面図
第２図（ｂ）は従来の製造方法によりイメージセンサ
を製造する場合の側面断面図である。 １・・・透光性基板 ２・・・回路導体層の電梃３・・
・イメージセンサチップ、 ４・・・受光素子、 ５・
・・イメージセンサチップの電搬 ６・・・紫外線硬化
型樹脂 ７・・・加圧治具 ８・・・紫外線照射光＃
９・・・吸着治具 １０・・・紫外線照射光源 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名 １１図 第２図 （Ｌ） （Ｉ）ン
造する場合の正面断面図 第２図（ａ）、は従来の製造
方法によりイメージセンサを製造する場合の正面断面図
第２図（ｂ）は従来の製造方法によりイメージセンサ
を製造する場合の側面断面図である。 １・・・透光性基板 ２・・・回路導体層の電梃３・・
・イメージセンサチップ、 ４・・・受光素子、 ５・
・・イメージセンサチップの電搬 ６・・・紫外線硬化
型樹脂 ７・・・加圧治具 ８・・・紫外線照射光＃
９・・・吸着治具 １０・・・紫外線照射光源 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名 １１図 第２図 （Ｌ） （Ｉ）ン
Claims (2)
- （１）２個以上の複数個の半導体素子と、回路導体層を
形成した透光性基板と、光硬化型絶縁樹脂とを備え、前
記半導体素子を前記光硬化型絶縁樹脂を介して前記透光
性基板に加圧し、前記透光性基板上に形成された回路導
体層の電極と前記半導体素子上に形成された電極とを接
合させて固定する工程に於て、前記半導体素子を複数個
同時に加圧固定することを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - （２）半導体素子がイメージセンサであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2285010A JPH04158573A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2285010A JPH04158573A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04158573A true JPH04158573A (ja) | 1992-06-01 |
Family
ID=17685985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2285010A Pending JPH04158573A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04158573A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997006557A1 (de) * | 1995-08-10 | 1997-02-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Kontakthöckerloses chipkontaktierungsverfahren und damit hergestellte elektronische schaltung |
-
1990
- 1990-10-22 JP JP2285010A patent/JPH04158573A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997006557A1 (de) * | 1995-08-10 | 1997-02-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Kontakthöckerloses chipkontaktierungsverfahren und damit hergestellte elektronische schaltung |
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