JP2532720B2 - 回路基板及び半導体装置 - Google Patents
回路基板及び半導体装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体素子の実装、特に多端子、挟ピッチの
半導体の実装に用いる回路基板の構造に関するものであ
る。
半導体の実装に用いる回路基板の構造に関するものであ
る。
従来の技術 近年、半導体素子の電極の多端子、挟ピッチ化が急速
に進んでおり、これに対応した実装技術の開発が急務と
なっている。多端子、挟ピッチの電極を有する半導体素
子対応の実装技術として現在Micro Bump Bonding実装
技術（MBB実装技術）が注目されている。まずこの技術
について説明する。この技術は光硬化性の絶縁性樹脂を
用いることにより、半導体素子をフェイスダウンで回路
基板に直接、一括接合で実装できることを特徴としてい
る。
に進んでおり、これに対応した実装技術の開発が急務と
なっている。多端子、挟ピッチの電極を有する半導体素
子対応の実装技術として現在Micro Bump Bonding実装
技術（MBB実装技術）が注目されている。まずこの技術
について説明する。この技術は光硬化性の絶縁性樹脂を
用いることにより、半導体素子をフェイスダウンで回路
基板に直接、一括接合で実装できることを特徴としてい
る。
MBB実装技術の１例を第７図に示した工程図により説
明する。まず第７図（ａ）に示したように絶縁性基板21
に導体配線25を形成させた回路基板29の導体配線25を有
する面に光硬化性樹脂30を塗布する。絶縁性基板21には
ガラス等の光透過性の基板を用い、導体配線25にはAl、
Au等を用いる。光硬化性の絶縁性樹脂30にはエポキシ系
樹脂やアクリル系樹脂を用いる。ついで第７図（ｂ）に
示したように突起電極31を有する半導体素子32を絶縁性
樹脂30の上から回路基板29に搭載し、半導体素子32の突
起電極31と回路基板29の導体配線25とを位置合わせす
る。突起電極31はメッキなどの方法により半導体素子32
上に予め形成しておく。次に第７図（ｃ）に示したよう
に加圧治具33を用いて半導体素子32と回路基板29を加圧
する。この際、絶縁性樹脂30は加圧により周囲に押し出
され、導体配線25と突起電極31は接触し電気的に接続す
る。この状態のまま回路基板29の裏面からUV線（紫外
線）を絶縁性樹脂30に照射し、絶縁性樹脂30を硬化させ
る。
明する。まず第７図（ａ）に示したように絶縁性基板21
に導体配線25を形成させた回路基板29の導体配線25を有
する面に光硬化性樹脂30を塗布する。絶縁性基板21には
ガラス等の光透過性の基板を用い、導体配線25にはAl、
Au等を用いる。光硬化性の絶縁性樹脂30にはエポキシ系
樹脂やアクリル系樹脂を用いる。ついで第７図（ｂ）に
示したように突起電極31を有する半導体素子32を絶縁性
樹脂30の上から回路基板29に搭載し、半導体素子32の突
起電極31と回路基板29の導体配線25とを位置合わせす
る。突起電極31はメッキなどの方法により半導体素子32
上に予め形成しておく。次に第７図（ｃ）に示したよう
に加圧治具33を用いて半導体素子32と回路基板29を加圧
する。この際、絶縁性樹脂30は加圧により周囲に押し出
され、導体配線25と突起電極31は接触し電気的に接続す
る。この状態のまま回路基板29の裏面からUV線（紫外
線）を絶縁性樹脂30に照射し、絶縁性樹脂30を硬化させ
る。
硬化後は第７図（ｄ）に示すように加圧を除去しても
突起電極31と導体配線25とは絶縁性樹脂30により固定さ
れており両者の電気的接続は保持される。
突起電極31と導体配線25とは絶縁性樹脂30により固定さ
れており両者の電気的接続は保持される。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、前記のような構成では、絶縁性基板が
セラミック等の不透明基板である場合、半導体素子はも
ちろんのこと、回路基板を透過してUV線を絶縁性樹脂に
照射することもできず、半導体素子と回路基板との間に
挟まった絶縁性樹脂にUV線を照射させにくいため絶縁性
樹脂を硬化させるのに時間がかかるといった欠点を有し
ている。このため、ガラス等に比べて熱伝導性等の特性
に優れたセラミックや、ホーロー等の不透明基板を用い
ることができないため、技術の使用範囲が極めて限定さ
れるといった欠点を有している。
セラミック等の不透明基板である場合、半導体素子はも
ちろんのこと、回路基板を透過してUV線を絶縁性樹脂に
照射することもできず、半導体素子と回路基板との間に
挟まった絶縁性樹脂にUV線を照射させにくいため絶縁性
樹脂を硬化させるのに時間がかかるといった欠点を有し
ている。このため、ガラス等に比べて熱伝導性等の特性
に優れたセラミックや、ホーロー等の不透明基板を用い
ることができないため、技術の使用範囲が極めて限定さ
れるといった欠点を有している。
本発明はかかる点に鑑み、絶縁性基板がセラミック等
の光透過性の無い基板の場合でも絶縁性樹脂に光を簡単
に照射させて、絶縁性樹脂を硬化させることができる構
造の回路基板を提供し、セラミック基板などの光透過性
の無い絶縁性基板を用いた回路基板に対してもMBB実装
技術を応用できるようにすることを目的とする。
の光透過性の無い基板の場合でも絶縁性樹脂に光を簡単
に照射させて、絶縁性樹脂を硬化させることができる構
造の回路基板を提供し、セラミック基板などの光透過性
の無い絶縁性基板を用いた回路基板に対してもMBB実装
技術を応用できるようにすることを目的とする。
課題を解決するための手段 第１の発明は絶縁性基板上に第１の金属層が形成され
ており、第１の金属層上に光透過性の絶縁性物質からな
るガラス層が形成されており、ガラス層上に第２の金属
層が形成されており、第２の金属層上に絶縁層が形成さ
れており、絶縁層上に導体配線が形成されており、絶縁
層と第２の金属層は、半導体素子搭載部以外の領域、及
び前記半導体素子搭載部にそれぞれ第１及び第２の開口
部を有する構造を特徴とする回路基板である。
ており、第１の金属層上に光透過性の絶縁性物質からな
るガラス層が形成されており、ガラス層上に第２の金属
層が形成されており、第２の金属層上に絶縁層が形成さ
れており、絶縁層上に導体配線が形成されており、絶縁
層と第２の金属層は、半導体素子搭載部以外の領域、及
び前記半導体素子搭載部にそれぞれ第１及び第２の開口
部を有する構造を特徴とする回路基板である。
第２の発明は複数の導体配線を有する回路基板表面
の、半導体素子搭載部以外の領域から半導体素子搭載部
まで、導体配線同士の間に光透過性の絶縁性物質よりな
るガラス層が形成されている構造を特徴とする回路基板
である。
の、半導体素子搭載部以外の領域から半導体素子搭載部
まで、導体配線同士の間に光透過性の絶縁性物質よりな
るガラス層が形成されている構造を特徴とする回路基板
である。
第３の発明は導体配線を有する回路基板の半導体素子
搭載部以外の領域から、半導体素子搭載部にかけて、導
体配線の上から回路基板上に光透過性の絶縁性物質から
なるガラス層が形成されており、ガラス層は半導体素子
の電極の存在する位置に対応した箇所に開口部を有し、
開口部を通して半導体素子の電極と回路基板の導体配線
とが接触できる構造を特徴とする回路基板である。
搭載部以外の領域から、半導体素子搭載部にかけて、導
体配線の上から回路基板上に光透過性の絶縁性物質から
なるガラス層が形成されており、ガラス層は半導体素子
の電極の存在する位置に対応した箇所に開口部を有し、
開口部を通して半導体素子の電極と回路基板の導体配線
とが接触できる構造を特徴とする回路基板である。
第４の発明は絶縁性基板の半導体素子搭載部以外の領
域から半導体素子搭載部にかけてガラス層が形成されて
おり、ガラス層の上から絶縁性基板に導体配線が形成さ
れている構造を特徴とした回路基板である。
域から半導体素子搭載部にかけてガラス層が形成されて
おり、ガラス層の上から絶縁性基板に導体配線が形成さ
れている構造を特徴とした回路基板である。
作用 いずれの発明においても前記した構成を有することに
より、半導体素子搭載部以外の領域でガラス層に入射し
た光が、ガラス層を通って半導体素子搭載部以外の領域
から半導体素子搭載部まで伝わることができ、半導体素
子裏面の絶縁性樹脂を硬化させることができる。
より、半導体素子搭載部以外の領域でガラス層に入射し
た光が、ガラス層を通って半導体素子搭載部以外の領域
から半導体素子搭載部まで伝わることができ、半導体素
子裏面の絶縁性樹脂を硬化させることができる。
実施例 第１図は第１の発明の１実施例における回路基板９の
構成を示すものである。第１図において、１は絶縁性基
板、２は第１の開口部、３はガラス層、４は第２の開口
部、５は導体配線、６は第１の金属層、７は第２の金属
層、８は絶縁層である。その構成は絶縁性基板１上に第
１の金属層６が形成され、その上にガラス層３が形成さ
れ、ガラス層３はその上に形成された第２の金属層７と
第１の金属層６にサンドイッチされており、第２の金属
層７上に絶縁層８が形成されており、更にその上に導体
配線５が形成されているといった構成になっている。絶
縁層８と第２の金属層７は、半導体素子搭載部以外の領
域、及び前記半導体素子搭載部にそれぞれ第１の開口部
２及び第２の開口部４が形成されている。絶縁性基板１
にはセラミック等を用い、ガラス層３には石英ガラスな
どの光透過性の物質を用い、導体配線５及び金属層７、
８にはAl、Au、Cu等を用い、絶縁層８にはセラミック等
を用いる。回路基板が本構成を有することにより、第１
の開口部２から入射した光はガラス層３を通って伝わ
り、第２の開口部４から照射される。金属層６は第１の
開口部２から入射した光が反射により効率よくガラス層
３を通って第２の開口部４に伝わるために施してある。
構成を示すものである。第１図において、１は絶縁性基
板、２は第１の開口部、３はガラス層、４は第２の開口
部、５は導体配線、６は第１の金属層、７は第２の金属
層、８は絶縁層である。その構成は絶縁性基板１上に第
１の金属層６が形成され、その上にガラス層３が形成さ
れ、ガラス層３はその上に形成された第２の金属層７と
第１の金属層６にサンドイッチされており、第２の金属
層７上に絶縁層８が形成されており、更にその上に導体
配線５が形成されているといった構成になっている。絶
縁層８と第２の金属層７は、半導体素子搭載部以外の領
域、及び前記半導体素子搭載部にそれぞれ第１の開口部
２及び第２の開口部４が形成されている。絶縁性基板１
にはセラミック等を用い、ガラス層３には石英ガラスな
どの光透過性の物質を用い、導体配線５及び金属層７、
８にはAl、Au、Cu等を用い、絶縁層８にはセラミック等
を用いる。回路基板が本構成を有することにより、第１
の開口部２から入射した光はガラス層３を通って伝わ
り、第２の開口部４から照射される。金属層６は第１の
開口部２から入射した光が反射により効率よくガラス層
３を通って第２の開口部４に伝わるために施してある。
かかる構成の回路基板９は第５図に示した工程により
形成される。まず第５図（ａ）の絶縁性基板１に蒸着等
の方法により第１の金属層６を形成させる（ｂ）。更に
第５図（ｃ）に示したように第１の金属層６上に石英を
蒸着してガラス層３を形成させる。ついで第５図（ｄ）
に示したようにガラス層の上に第２の金属層７を蒸着さ
せる。この第２の金属層７の上に第５図（ｅ）に示した
ように絶縁層５を蒸着させる。この基板をレジスト塗
布、露光、現像、エッチング等の通常のフォトリソ工程
を通して第５図（ｆ）に示したように絶縁層５及び第２
の金属層７をエッチングして第１の開口部２及び第２の
開口部４を作製する。第１の開口部２は半導体素子搭載
部以外の場所に作製し、第２の開口部４は半導体素子搭
載部に作製する。ついで第５図（ｇ）に示したようにし
て絶縁層の上に導体配線８を印刷等の技術により形成す
る。ガラス層３内を光が効率よく伝わるためには、第１
及び第２の金属層６、７のガラス層３に面した面が鏡面
になっていることが望ましい。この為にはそれぞれの金
属層６、７を蒸着する面を平滑に仕上げることが必要で
あるので、ベースとなる絶縁性基板１は表面が平滑なも
のを用いることが望ましい。
形成される。まず第５図（ａ）の絶縁性基板１に蒸着等
の方法により第１の金属層６を形成させる（ｂ）。更に
第５図（ｃ）に示したように第１の金属層６上に石英を
蒸着してガラス層３を形成させる。ついで第５図（ｄ）
に示したようにガラス層の上に第２の金属層７を蒸着さ
せる。この第２の金属層７の上に第５図（ｅ）に示した
ように絶縁層５を蒸着させる。この基板をレジスト塗
布、露光、現像、エッチング等の通常のフォトリソ工程
を通して第５図（ｆ）に示したように絶縁層５及び第２
の金属層７をエッチングして第１の開口部２及び第２の
開口部４を作製する。第１の開口部２は半導体素子搭載
部以外の場所に作製し、第２の開口部４は半導体素子搭
載部に作製する。ついで第５図（ｇ）に示したようにし
て絶縁層の上に導体配線８を印刷等の技術により形成す
る。ガラス層３内を光が効率よく伝わるためには、第１
及び第２の金属層６、７のガラス層３に面した面が鏡面
になっていることが望ましい。この為にはそれぞれの金
属層６、７を蒸着する面を平滑に仕上げることが必要で
あるので、ベースとなる絶縁性基板１は表面が平滑なも
のを用いることが望ましい。
第２図、第３図、第４図はそれぞれ第２、第３、第４
の発明の各実施例における回路基板の構成を示すもので
ある。いずれの図においても第１図と同じく、１は絶縁
性基板、３はガラス層、８は導体配線、また第３図にお
ける14は電極接続用開口部である。第２の発明において
ガラス層３は導体配線８同志の間に半導体素子搭載部以
外の領域から半導体素子搭載部まで形成されている。第
３の発明においてガラス層３は導体配線８の上から回路
基板９上に、半導体素子搭載部以外の領域から、半導体
素子搭載部にかけてコートされており、ガラス層３は搭
載する半導体素子の電極の存在する位置に対応した箇所
に電極接続用開口部14を有している。回路基板９に搭載
する半導体素子の電極と回路基板９の導体配線５とはこ
の電極接続用開口部14を通して接触できるようになって
いる。第４の発明においてはガラス層３は導体配線８の
下に予め半導体素子搭載部以外の領域から半導体素子搭
載部にかけて形成されており、この上から導体配線５が
形成された構造となっている。いずれの発明においても
構成材料は第１の発明と同じく絶縁性基板１にはセラミ
ック等を用い、ガラス層３には石英ガラスなどの光透過
性の物質を用い、導体配線５にはAl、Au、Cu等を用い
る。いずれの構成においても回路基板９が上記の構成を
有することにより、半導体素子搭載部以外の領域からガ
ラス層３に入射した光はガラス層３を通って半導体素子
搭載部まで伝わり第１の発明と同じく絶縁性樹脂に向け
て照射される。これらの構成の回路基板も第１の発明と
全く同じにフォトリソや印刷などの技術を用いて簡単に
形成される。
の発明の各実施例における回路基板の構成を示すもので
ある。いずれの図においても第１図と同じく、１は絶縁
性基板、３はガラス層、８は導体配線、また第３図にお
ける14は電極接続用開口部である。第２の発明において
ガラス層３は導体配線８同志の間に半導体素子搭載部以
外の領域から半導体素子搭載部まで形成されている。第
３の発明においてガラス層３は導体配線８の上から回路
基板９上に、半導体素子搭載部以外の領域から、半導体
素子搭載部にかけてコートされており、ガラス層３は搭
載する半導体素子の電極の存在する位置に対応した箇所
に電極接続用開口部14を有している。回路基板９に搭載
する半導体素子の電極と回路基板９の導体配線５とはこ
の電極接続用開口部14を通して接触できるようになって
いる。第４の発明においてはガラス層３は導体配線８の
下に予め半導体素子搭載部以外の領域から半導体素子搭
載部にかけて形成されており、この上から導体配線５が
形成された構造となっている。いずれの発明においても
構成材料は第１の発明と同じく絶縁性基板１にはセラミ
ック等を用い、ガラス層３には石英ガラスなどの光透過
性の物質を用い、導体配線５にはAl、Au、Cu等を用い
る。いずれの構成においても回路基板９が上記の構成を
有することにより、半導体素子搭載部以外の領域からガ
ラス層３に入射した光はガラス層３を通って半導体素子
搭載部まで伝わり第１の発明と同じく絶縁性樹脂に向け
て照射される。これらの構成の回路基板も第１の発明と
全く同じにフォトリソや印刷などの技術を用いて簡単に
形成される。
第６図は第１の発明による回路基板９を用いたMBB実
装技術の実施例の工程図である。以下、工程図に基づき
本発明の回路基板の有用性について説明する。まず第６
図（ａ）に示したように絶縁性基板１に第１の開口部
２、ガラス層３、第２の開口部４、導体配線８、第１の
金属層６、第１の金属層７、絶縁層５を形成させた回路
基板９の導体配線８を有する面に光硬化性樹脂10を塗布
する。光硬化性の絶縁性樹脂10にはエポキシ系樹脂やア
クリル系樹脂を用いる。ついで第６図（ｂ）に示したよ
うに突起電極11を有する半導体素子12を絶縁性樹脂10の
上から回路基板９に搭載し、半導体素子12の突起電極11
と回路基板の導体配線８とを位置合わせする。突起電極
11はメッキなどの方法により半導体素子12上に予め形成
しておく。次に第６図（ｃ）に示したように加圧治具13
を用いて半導体素子12と回路基板９を加圧する。この
際、絶縁性樹脂10は加圧により周囲に押し出され導体配
線８と突起電極11は接触し電気的に接続する。この状態
のまま、半導体素子12の周囲にはみ出した絶縁性樹脂10
及び回路基板９の第１の開口部２にUV線100を照射す
る。この際、回路基板９の第１の開口部２を半導体素子
搭載部近辺に設置しておけば半導体素子12の周囲にはみ
だした絶縁性樹脂樹脂10とを一緒にUV線の照射ができる
か、両者が離れている場合は、別々にUV線を照射する。
半導体素子周囲の絶縁性樹脂10はUV線の照射により硬化
する。一方、第１の開口部２から入射した光は回路基板
９の内部のガラス層３を通って矢印のごとく半導体素子
搭載部まで伝わり、第２の開口部３から照射され、半導
体素子12と回路基板９に挟まれた絶縁性樹脂10を硬化さ
せる。こうしてセラミック等の不透明基板を用いる場合
においても絶縁性樹脂10全てを速やかに硬化させること
ができる。絶縁性樹脂10の硬化後は第６図（ｄ）に示す
ように加圧を除去しても突起電極11と導体配線５とは絶
縁性樹脂10により固定されており両者の電気的接続は保
持されている。なお本実施例はベースの基板がセラミッ
ク基板の場合について述べたが、ベースの基板が金属等
でもともと鏡面を有するものである場合は、ベースの基
板に第１の金属層をコートする必要はない。また今回は
第１の発明の回路基板によるMBB実装技術の１実施令を
示したが、第２、第３、第４の発明の回路基板も全く同
様にしてMBB実装技術に用いられる。
装技術の実施例の工程図である。以下、工程図に基づき
本発明の回路基板の有用性について説明する。まず第６
図（ａ）に示したように絶縁性基板１に第１の開口部
２、ガラス層３、第２の開口部４、導体配線８、第１の
金属層６、第１の金属層７、絶縁層５を形成させた回路
基板９の導体配線８を有する面に光硬化性樹脂10を塗布
する。光硬化性の絶縁性樹脂10にはエポキシ系樹脂やア
クリル系樹脂を用いる。ついで第６図（ｂ）に示したよ
うに突起電極11を有する半導体素子12を絶縁性樹脂10の
上から回路基板９に搭載し、半導体素子12の突起電極11
と回路基板の導体配線８とを位置合わせする。突起電極
11はメッキなどの方法により半導体素子12上に予め形成
しておく。次に第６図（ｃ）に示したように加圧治具13
を用いて半導体素子12と回路基板９を加圧する。この
際、絶縁性樹脂10は加圧により周囲に押し出され導体配
線８と突起電極11は接触し電気的に接続する。この状態
のまま、半導体素子12の周囲にはみ出した絶縁性樹脂10
及び回路基板９の第１の開口部２にUV線100を照射す
る。この際、回路基板９の第１の開口部２を半導体素子
搭載部近辺に設置しておけば半導体素子12の周囲にはみ
だした絶縁性樹脂樹脂10とを一緒にUV線の照射ができる
か、両者が離れている場合は、別々にUV線を照射する。
半導体素子周囲の絶縁性樹脂10はUV線の照射により硬化
する。一方、第１の開口部２から入射した光は回路基板
９の内部のガラス層３を通って矢印のごとく半導体素子
搭載部まで伝わり、第２の開口部３から照射され、半導
体素子12と回路基板９に挟まれた絶縁性樹脂10を硬化さ
せる。こうしてセラミック等の不透明基板を用いる場合
においても絶縁性樹脂10全てを速やかに硬化させること
ができる。絶縁性樹脂10の硬化後は第６図（ｄ）に示す
ように加圧を除去しても突起電極11と導体配線５とは絶
縁性樹脂10により固定されており両者の電気的接続は保
持されている。なお本実施例はベースの基板がセラミッ
ク基板の場合について述べたが、ベースの基板が金属等
でもともと鏡面を有するものである場合は、ベースの基
板に第１の金属層をコートする必要はない。また今回は
第１の発明の回路基板によるMBB実装技術の１実施令を
示したが、第２、第３、第４の発明の回路基板も全く同
様にしてMBB実装技術に用いられる。
発明の効果 以上説明したように、本発明によれば、MBB実装技術
にセラミックなどの不透明基板を用いる場合においても
絶縁性樹脂を速やかに硬化することが可能となり、MBB
実装技術の応用範囲が飛躍的に拡大し、その実用的効果
は極めて大きい。
にセラミックなどの不透明基板を用いる場合においても
絶縁性樹脂を速やかに硬化することが可能となり、MBB
実装技術の応用範囲が飛躍的に拡大し、その実用的効果
は極めて大きい。
第１図は本発明の一実施例の回路基板の断面図、第２図
（ｂ）、第３図（ｂ）、第４図（ｂ）はそれぞれ第２、
第３、第４の発明の各実施例における回路基板の構成平
面図、第２図（ａ）、第３図（ａ）、第４図（ａ）はそ
れぞれの回路基板のＡ−Ａ′,B−Ｂ′,C−Ｃ′線での断
面図、第５図（ａ）〜（ｇ）は第１の発明の回路基板を
作製する方法の１実施例の工程断面図、第６図（ａ）〜
（ｄ）は第１の発明の回路基板によるMBB実装技術の１
実施例の工程断面図、第７図（ａ）〜（ｄ）は従来の回
路基板によるMBB実装技術の工程断面図である。 １……絶縁性基板、２……第１の開口部、３……ガラス
層、４……第２の開口部、５……絶縁層、６……第１の
金属層、７……第２の金属層、８……導体配線、９……
回路基板、10……絶縁性樹脂、11……突起電極、12……
半導体素子、13……加圧治具、14……電極接続用開口
部。
（ｂ）、第３図（ｂ）、第４図（ｂ）はそれぞれ第２、
第３、第４の発明の各実施例における回路基板の構成平
面図、第２図（ａ）、第３図（ａ）、第４図（ａ）はそ
れぞれの回路基板のＡ−Ａ′,B−Ｂ′,C−Ｃ′線での断
面図、第５図（ａ）〜（ｇ）は第１の発明の回路基板を
作製する方法の１実施例の工程断面図、第６図（ａ）〜
（ｄ）は第１の発明の回路基板によるMBB実装技術の１
実施例の工程断面図、第７図（ａ）〜（ｄ）は従来の回
路基板によるMBB実装技術の工程断面図である。 １……絶縁性基板、２……第１の開口部、３……ガラス
層、４……第２の開口部、５……絶縁層、６……第１の
金属層、７……第２の金属層、８……導体配線、９……
回路基板、10……絶縁性樹脂、11……突起電極、12……
半導体素子、13……加圧治具、14……電極接続用開口
部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石田 洋一郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−110951（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−122531（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−241228（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−42858（ＪＰ，Ｕ)
Claims (3)
- 【請求項１】絶縁性基板上に第１の金属層が形成されて
おり、前記第１の金属層上に光透過性の絶縁性物質から
なるガラス層が形成されており、前記ガラス層上に第２
の金属層が形成されており、前記第２の金属層上に絶縁
層が形成されており、前記絶縁層上に導体配線が形成さ
れており、前記絶縁層と前記第２の金属層は、半導体素
子搭載以外の領域、及び前記半導体素子搭載部にそれぞ
れ第１及び第２の開口部を有し、前記第１の開口部から
前記ガラス層に入射した光が前記ガラス層を通って前記
半導体素子搭載部まで伝わり、前記第２の開口部から半
導体素子に向かって照射される構造を特徴とする回路基
板。 - 【請求項２】第１及び第２の金属層の、ガラス層に接し
た面が、鏡面であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載の回路基板。 - 【請求項３】絶縁層が光透過性の物質で形成されてお
り、第２の金属層にのみ開口部が形成されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項に記載の
回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2130672A JP2532720B2 (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 回路基板及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2130672A JP2532720B2 (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 回路基板及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0425143A JPH0425143A (ja) | 1992-01-28 |
| JP2532720B2 true JP2532720B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=15039857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2130672A Expired - Fee Related JP2532720B2 (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 回路基板及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2532720B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002313841A (ja) * | 2000-04-14 | 2002-10-25 | Namics Corp | フリップチップ実装方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6142858U (ja) * | 1984-08-23 | 1986-03-19 | 株式会社デンソー | 厚膜回路装置 |
| JPH0642502B2 (ja) * | 1988-10-19 | 1994-06-01 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法および装置 |
| JPH0671032B2 (ja) * | 1988-11-01 | 1994-09-07 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品の実装装置 |
-
1990
- 1990-05-21 JP JP2130672A patent/JP2532720B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0425143A (ja) | 1992-01-28 |
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