JPS62252946A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62252946A JPS62252946A JP9714386A JP9714386A JPS62252946A JP S62252946 A JPS62252946 A JP S62252946A JP 9714386 A JP9714386 A JP 9714386A JP 9714386 A JP9714386 A JP 9714386A JP S62252946 A JPS62252946 A JP S62252946A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造方法に関し、多端子。
狭ピッチのＩＣ，ＬＳＩのパッフージングの製造に関す
るものである。
るものである。
従来の技術
従来の技術を第２図とともに説明する。まず、セラミッ
ク、ガラス、ガラスエポキシ等よりなる配線基板１の配
線２を有する面に、樹脂５を塗布する。配線２は、Ｃｒ
−Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、ｉＴｏ等であり、樹脂５は熱硬化
型又は紫外線硬化型のエポキシ、シクコーン、アクリル
等である。配線基板１かガラスの場合は透明である為、
紫外線硬化型。
ク、ガラス、ガラスエポキシ等よりなる配線基板１の配
線２を有する面に、樹脂５を塗布する。配線２は、Ｃｒ
−Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、ｉＴｏ等であり、樹脂５は熱硬化
型又は紫外線硬化型のエポキシ、シクコーン、アクリル
等である。配線基板１かガラスの場合は透明である為、
紫外線硬化型。
セラミック、ガラスエポキシ等の不透明な配線基板の場
合は熱硬化型を用いる。次に半導体素子３の電極４と導
体配線２とを一致させ半導体素子３を加圧し配線基板１
に押し当てる。この時、配線２上の樹脂５は周囲に押し
出され、半導体素子３の電極４と配線２は電気的に接触
する。次に、半導体素子３を加圧した状態で樹脂５を硬
化させる。
合は熱硬化型を用いる。次に半導体素子３の電極４と導
体配線２とを一致させ半導体素子３を加圧し配線基板１
に押し当てる。この時、配線２上の樹脂５は周囲に押し
出され、半導体素子３の電極４と配線２は電気的に接触
する。次に、半導体素子３を加圧した状態で樹脂５を硬
化させる。
硬化の方法は、配線基板１にガラスを用い樹脂５に紫外
線硬化型を用いた場合は、配線基板１の半導体素子を有
していない面から紫外線を照射することにより行う。ま
た樹脂６に熱硬化型を用いた場合は半導体素子３を加圧
した加圧ツールによシ１分〜１０分程度加熱し硬化する
。次に加圧を解除し、半導体素子３を配線基板１に固着
する。この時、半導体素子３の電極４と配線２は接着剤
５の接着力により、電気的に接触した状態を保持するこ
とができるものである。
線硬化型を用いた場合は、配線基板１の半導体素子を有
していない面から紫外線を照射することにより行う。ま
た樹脂６に熱硬化型を用いた場合は半導体素子３を加圧
した加圧ツールによシ１分〜１０分程度加熱し硬化する
。次に加圧を解除し、半導体素子３を配線基板１に固着
する。この時、半導体素子３の電極４と配線２は接着剤
５の接着力により、電気的に接触した状態を保持するこ
とができるものである。
発明が解決しようとする問題点
以上の様に従来の技術では、半導体素子の電極全基板の
導体配線に直接接触させる方法である為、多端子、狭ピ
ッチの半導体素子のバッフージングに有利な方法である
が次に示す問題点がある。
導体配線に直接接触させる方法である為、多端子、狭ピ
ッチの半導体素子のバッフージングに有利な方法である
が次に示す問題点がある。
（１）配線基板が不透明な場合は、半導体素子固着用の
樹脂に熱硬化型を用いる為、硬化時間が長く生産性が悪
くコストの高いものである。
樹脂に熱硬化型を用いる為、硬化時間が長く生産性が悪
くコストの高いものである。
（２） 配線基板がガラスエポキシ等の不透明で樹脂
基板の場合は耐熱性が低い為、熱硬化型の樹脂全接着用
に用いると、配線基板に損傷を与え信頼性の低いものと
なる。
基板の場合は耐熱性が低い為、熱硬化型の樹脂全接着用
に用いると、配線基板に損傷を与え信頼性の低いものと
なる。
（３）配線基板にガラスを用い樹脂に光硬化型を用いた
場合でも、配線基板の配線材料がＣｒ−Ａｕ・Ａ１等の
不透明な場合は、樹脂に未硬化の部分が生じ絶縁性の低
下等が生じ信頼性の低いものである。
場合でも、配線基板の配線材料がＣｒ−Ａｕ・Ａ１等の
不透明な場合は、樹脂に未硬化の部分が生じ絶縁性の低
下等が生じ信頼性の低いものである。
（４）半導体素子の周囲にはみ出した樹脂まで硬化され
る為、同一の配線基板に複数の半導体素子を搭載する場
合は、隣接する半導体素子をはみ出した樹脂を避けて搭
載する必要があシ実装密度の低いものとなる。
る為、同一の配線基板に複数の半導体素子を搭載する場
合は、隣接する半導体素子をはみ出した樹脂を避けて搭
載する必要があシ実装密度の低いものとなる。
問題点を解決するための手段
本発明は、半導体素子固着用の樹脂に光硬化型樹脂を用
い、光反射板を用い半導体素子全搭載した配線基板側か
ら光照射し、半導体素子と配線基板間の光硬化型樹脂を
完全に硬化するものである。
い、光反射板を用い半導体素子全搭載した配線基板側か
ら光照射し、半導体素子と配線基板間の光硬化型樹脂を
完全に硬化するものである。
作 用
光反射板によシ、半導体素子と配線基板間に光が入光し
光硬化型樹脂が完全に硬化する。
光硬化型樹脂が完全に硬化する。
実施例
本発明の一実施例を第１図とともに説明する。
まず第１図（ａ）に示す様に、配線基板１１の後に半導
体素子を固着する部分に配線１２を含んで紫外線硬化型
樹脂１５を塗布する。配線基板１１は、セラミック、ガ
ラス、ガラスエポキシ等であり、厚みはＱ、１１Ｂ 〜
３．０ＭＢ程度である。配線１２は、Ｃｒ−Ａｕ、Ａｌ
、ｉＴｏ、Ｃｕ、ＡｇＰｄ等であシ、その厚みは０．１
μ〜５０μ程度である。また紫外線硬化を樹脂１５は、
エポキシ、シリコーン、アクリル等である。紫外線硬化
型樹脂１６の塗布はディスペンス。
体素子を固着する部分に配線１２を含んで紫外線硬化型
樹脂１５を塗布する。配線基板１１は、セラミック、ガ
ラス、ガラスエポキシ等であり、厚みはＱ、１１Ｂ 〜
３．０ＭＢ程度である。配線１２は、Ｃｒ−Ａｕ、Ａｌ
、ｉＴｏ、Ｃｕ、ＡｇＰｄ等であシ、その厚みは０．１
μ〜５０μ程度である。また紫外線硬化を樹脂１５は、
エポキシ、シリコーン、アクリル等である。紫外線硬化
型樹脂１６の塗布はディスペンス。
印刷法等を用いることにより容易に実施することができ
る。
る。
次に第１図中）に示す様に、半導体素子１３の電極１４
と配線１２を一致させ半導体素子１３を配線基板１１に
、加圧ツール１６により加圧する。
と配線１２を一致させ半導体素子１３を配線基板１１に
、加圧ツール１６により加圧する。
電極１４はＡｌ 、 Ａｕ 、 Ｃｕ等であシ、厚みは
１μ〜２０μ程度である。この時、配置１２上の紫外線
硬化型樹脂１５は周囲に押し出され、半導体素子１３の
電極１４と配線１２は電気的に接触する。
１μ〜２０μ程度である。この時、配置１２上の紫外線
硬化型樹脂１５は周囲に押し出され、半導体素子１３の
電極１４と配線１２は電気的に接触する。
次に、第１図（Ｃ）に示す様に半導体素子１３の１辺以
上の外周と一致する部分の配線基板１１上に、光反射板
１了を設置する。この時、半導体素子１３の外周にはみ
出していた紫外線硬化型樹脂１５Ａは光反射板１７によ
り、更に外側に押し出され光反射板１アの下側に位置す
′る。光反射板１７ばＭ等を用い、後に半導体素子１３
の設置端から照射する紫外線が半導体素子１３と配線基
板１１の間に入シ込む角度に設置する。次に、紫外線１
８を配線基板１１の半導体素子１３の設置面から照射し
、紫外線硬化型樹脂１５を数秒で硬化する。この時、紫
外線１８は反射板１７により反射し、半導体素子１３と
配線基板１１の間に入シ込み、紫外線硬化型樹脂１６を
完全に硬化する。
上の外周と一致する部分の配線基板１１上に、光反射板
１了を設置する。この時、半導体素子１３の外周にはみ
出していた紫外線硬化型樹脂１５Ａは光反射板１７によ
り、更に外側に押し出され光反射板１アの下側に位置す
′る。光反射板１７ばＭ等を用い、後に半導体素子１３
の設置端から照射する紫外線が半導体素子１３と配線基
板１１の間に入シ込む角度に設置する。次に、紫外線１
８を配線基板１１の半導体素子１３の設置面から照射し
、紫外線硬化型樹脂１５を数秒で硬化する。この時、紫
外線１８は反射板１７により反射し、半導体素子１３と
配線基板１１の間に入シ込み、紫外線硬化型樹脂１６を
完全に硬化する。
次に、第１図（ｄ）に示す様に、加圧ツール１６及び光
反射板１アを取り除き、半導体素子１３を配線基板１１
に固着する。この時、半導体素子１３の電極１４は、紫
外線硬化型樹脂１５の接着力により、配線１２と接触し
た状態が保持され電気的な接続を得るものである。光反
射板１了の下部に押し出された紫外線硬化型樹脂１ｔｓ
Ｂは未硬化である為、ふき取シ、溶剤への浸漬等で容易
に除去することができ、従来の様に半導体素子１３の周
囲にはみ出した樹脂がない為複数のチップを搭載する場
合に、実装密度の高いものを得ることができるＯ 発明の効果 本発明の効果を以下に示す。
反射板１アを取り除き、半導体素子１３を配線基板１１
に固着する。この時、半導体素子１３の電極１４は、紫
外線硬化型樹脂１５の接着力により、配線１２と接触し
た状態が保持され電気的な接続を得るものである。光反
射板１了の下部に押し出された紫外線硬化型樹脂１ｔｓ
Ｂは未硬化である為、ふき取シ、溶剤への浸漬等で容易
に除去することができ、従来の様に半導体素子１３の周
囲にはみ出した樹脂がない為複数のチップを搭載する場
合に、実装密度の高いものを得ることができるＯ 発明の効果 本発明の効果を以下に示す。
（１）配線基板が不透明な場合でも、半導体素子の固着
に紫外線硬化型樹脂を用いることができる為硬化時間が
短く、生産性が向上しコストの安いものとなる。
に紫外線硬化型樹脂を用いることができる為硬化時間が
短く、生産性が向上しコストの安いものとなる。
（２）配線基板にガラスエポキシ等の樹脂製の基板を用
いても、半導体素子の固着に紫外線硬化を用いる為、従
来の様に加熱による配線基板の損傷がなく、信頼性の高
いものを得ることができる。
いても、半導体素子の固着に紫外線硬化を用いる為、従
来の様に加熱による配線基板の損傷がなく、信頼性の高
いものを得ることができる。
（３）配線に不透明な材料を用いたガラス基板の場合で
も、光反射板により、半導体素子と配線基板間の紫外線
硬化型樹脂が完全に硬化される為、信頼性が高い。
も、光反射板により、半導体素子と配線基板間の紫外線
硬化型樹脂が完全に硬化される為、信頼性が高い。
（４）半導体素子の周囲の配線基板上には、硬化した樹
脂が残らない為、複数のチップを搭載する場合に実装密
度の高いものを得ることができる。
脂が残らない為、複数のチップを搭載する場合に実装密
度の高いものを得ることができる。
第１図は本発明の一実施例の工程別断面図、第２図は従
来の技術を示す断面図である。 １１・・・・・・配線基板、１２・・・・・・配線、１
３・・・・・・半導体素子、１４・・・・・・半導体素
子の電極、１６・・・・・・光硬化壓樹脂、１ｅ・・・
・・・加圧ツール、１７・・・・・・光反射板、１８・
・・・・・紫外線。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 、３
来の技術を示す断面図である。 １１・・・・・・配線基板、１２・・・・・・配線、１
３・・・・・・半導体素子、１４・・・・・・半導体素
子の電極、１６・・・・・・光硬化壓樹脂、１ｅ・・・
・・・加圧ツール、１７・・・・・・光反射板、１８・
・・・・・紫外線。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 、３
Claims (2)
- （１）導体配線を有した絶縁基板の後に半導体素子が固
着される部分に光硬化性樹脂を塗布する工程、前記絶縁
基板の導体配線と半導体素子の電極とを一致させ、前記
半導体素子を、前記絶縁基板の光硬化性樹脂が塗布され
た部分に前記半導体素子の電極と前記導体配線とが接触
する様に加圧する工程、光反射板を、後に照射する光が
前記反射板で反射した後に前記半導体素子と前記絶縁基
板の間に入る様に設置する工程、前記半導体素子を前記
絶縁基板に加圧した状態で前記絶縁基板の半導体素子を
有した面から光を前記反射板を介して照射して前記光硬
化型樹脂を硬化し、前記半導体素子の電極と前記導体配
線とを電気的に接続する工程よりなることを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - （２）半導体素子の電極が突起電極であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9714386A JPS62252946A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9714386A JPS62252946A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62252946A true JPS62252946A (ja) | 1987-11-04 |
Family
ID=14184347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9714386A Pending JPS62252946A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62252946A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02234447A (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-17 | Nec Corp | 半導体集積回路素子の接続方法 |
| US5037780A (en) * | 1989-02-02 | 1991-08-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for attaching semiconductors to a transparent substrate using a light-curable resin |
| US5316610A (en) * | 1991-12-26 | 1994-05-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Bonding apparatus |
| JP2014103378A (ja) * | 2012-07-06 | 2014-06-05 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び圧着装置 |
-
1986
- 1986-04-25 JP JP9714386A patent/JPS62252946A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5037780A (en) * | 1989-02-02 | 1991-08-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for attaching semiconductors to a transparent substrate using a light-curable resin |
| JPH02234447A (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-17 | Nec Corp | 半導体集積回路素子の接続方法 |
| US5316610A (en) * | 1991-12-26 | 1994-05-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Bonding apparatus |
| JP2014103378A (ja) * | 2012-07-06 | 2014-06-05 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び圧着装置 |
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