JPH02234447A - 半導体集積回路素子の接続方法 - Google Patents
半導体集積回路素子の接続方法Info
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路素子をプリント配線基板に接
続し搭載する半導体集積回路素子の接続方法に関する。
続し搭載する半導体集積回路素子の接続方法に関する。
近年、エレクトロニクス機器の小型化に伴ない、半導体
集積回路素子（以下ＩＣチップと言う）の高密度実装に
対する要請がなされており、とりわけ、ＩＣチップとプ
リント配線基板との高密度実装が重要となっている。こ
の高密度実装法の一つとして、例えば、フリップチップ
ボンデイング法がある． 第２図（ａ）及び（ｂ）は従来のＩＣチップの接続方法
の一例を説明するための工程順に示したＩＣチップとプ
リント配線基板の断面図である。
集積回路素子（以下ＩＣチップと言う）の高密度実装に
対する要請がなされており、とりわけ、ＩＣチップとプ
リント配線基板との高密度実装が重要となっている。こ
の高密度実装法の一つとして、例えば、フリップチップ
ボンデイング法がある． 第２図（ａ）及び（ｂ）は従来のＩＣチップの接続方法
の一例を説明するための工程順に示したＩＣチップとプ
リント配線基板の断面図である。
このＩＣチップの接続方法は、まず、第２図（ａ）に示
すように、電極パッド２上にはんだバンブ３が形成され
たＩＣチップ１と、このはんだバンプ３に対応して形成
された電極端子２ａをもつプリント配線基板４とを向い
合せる。次に、第２図〈ｂ）に示すように、ＩＣチップ
１をプリント配線基板４に乗せ、加熱することによりは
んだバンブ３のはんだをリフローさせ、電極パッド２と
電極端子２ａとを接続していた。
すように、電極パッド２上にはんだバンブ３が形成され
たＩＣチップ１と、このはんだバンプ３に対応して形成
された電極端子２ａをもつプリント配線基板４とを向い
合せる。次に、第２図〈ｂ）に示すように、ＩＣチップ
１をプリント配線基板４に乗せ、加熱することによりは
んだバンブ３のはんだをリフローさせ、電極パッド２と
電極端子２ａとを接続していた。
しかしながら、上述した従来のＩＣチップの接続方法は
、はんだバンプの表面及び電極端子の表面がしばしば酸
化し接続が不能になるという問題がある．このため、接
続する前に、フラックス等を塗布し、この酸化膜を除去
する必要があった．しかし、このフラックス成分の残存
による接続性能の劣化、ＩＣチップへの侵入によりアル
ミニウム配線の腐食、あるいはＩＣの動作特性劣化とい
う重大な問題を起す欠点がある。さらに、隣接する接続
部が短絡しなりする製造上の欠点も有していた。
、はんだバンプの表面及び電極端子の表面がしばしば酸
化し接続が不能になるという問題がある．このため、接
続する前に、フラックス等を塗布し、この酸化膜を除去
する必要があった．しかし、このフラックス成分の残存
による接続性能の劣化、ＩＣチップへの侵入によりアル
ミニウム配線の腐食、あるいはＩＣの動作特性劣化とい
う重大な問題を起す欠点がある。さらに、隣接する接続
部が短絡しなりする製造上の欠点も有していた。
本発明の目的は、再現性良く、ＩＣに対して悪影響を与
えないＩＣチップの接続方法を提供することにある。
えないＩＣチップの接続方法を提供することにある。
本発明の半導体集積回路素子の接続方法は、半導体集積
回路素子の電極パッドとこの電極パッドに対応するプリ
ント配線基板の電極端子とを溶融はんだで接続する半導
体集積回路素子の接続方法において、前記電極パッドあ
るいは前記電極端子上にの少なくとも一方に紫外線硬化
樹脂を塗布する工程と、前記電極パッドと前記電極端子
とを押圧し、溶融はんだで接続する工程と、前記工程に
より接続された部分に紫外線を照射し前記紫外線硬化樹
脂を硬化する工程とを含んで構成される。
回路素子の電極パッドとこの電極パッドに対応するプリ
ント配線基板の電極端子とを溶融はんだで接続する半導
体集積回路素子の接続方法において、前記電極パッドあ
るいは前記電極端子上にの少なくとも一方に紫外線硬化
樹脂を塗布する工程と、前記電極パッドと前記電極端子
とを押圧し、溶融はんだで接続する工程と、前記工程に
より接続された部分に紫外線を照射し前記紫外線硬化樹
脂を硬化する工程とを含んで構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明のＩＣチップの接続方法
を説明するための工程順に示したＩＣチップとプリント
配線基板の断面図である。この接続方法は、まず、第１
図（ａ）に示すように、ＩＣチップ１の表面に、例えば
、Ｃ ｕ ／ Ｗ ／ Ａ Ｉの三層金属膜、その厚さ
は、それぞれ１．０μｍ、０．１μｍ、０．８μｍ、あ
るいはＡ ｕ ／ Ｎ ｉ ／Ｃ ｕ ／ Ａ ］の四
層金属膜、その厚さは、それぞれ０．８μｍ，０．２μ
ｍ．０．２ａｍ、１．０μｍで形成された電極パッド２
にはんだバンプ３を形成する。ここで、このはんだバン
プ３の成分としては、例えば、鉛：６３％、錫：３７％
の共晶はんだ（融点＝１８３℃》を用いたが、融点を所
望のものにするために、組成比をコントロール出来るこ
とは言うまでもない。
を説明するための工程順に示したＩＣチップとプリント
配線基板の断面図である。この接続方法は、まず、第１
図（ａ）に示すように、ＩＣチップ１の表面に、例えば
、Ｃ ｕ ／ Ｗ ／ Ａ Ｉの三層金属膜、その厚さ
は、それぞれ１．０μｍ、０．１μｍ、０．８μｍ、あ
るいはＡ ｕ ／ Ｎ ｉ ／Ｃ ｕ ／ Ａ ］の四
層金属膜、その厚さは、それぞれ０．８μｍ，０．２μ
ｍ．０．２ａｍ、１．０μｍで形成された電極パッド２
にはんだバンプ３を形成する。ここで、このはんだバン
プ３の成分としては、例えば、鉛：６３％、錫：３７％
の共晶はんだ（融点＝１８３℃》を用いたが、融点を所
望のものにするために、組成比をコントロール出来るこ
とは言うまでもない。
次に、表面を洗浄後、紫外線硬化樹脂５を電極パッド２
含めたＩＣチップ１に塗布する。このことにより、はん
だバンプ３は密閉された状態になり、その表面は酸化さ
れることはない。次に、セラミック、ガラスエボキシ、
あるいはガラス等で製作されたプリント配線基板４上に
ＣｕあるいはＮ ｉ ／ Ｃ ｕ等で形成された電極端
子２ａに前述と同様に紫外線硬化樹脂５を塗布する。
含めたＩＣチップ１に塗布する。このことにより、はん
だバンプ３は密閉された状態になり、その表面は酸化さ
れることはない。次に、セラミック、ガラスエボキシ、
あるいはガラス等で製作されたプリント配線基板４上に
ＣｕあるいはＮ ｉ ／ Ｃ ｕ等で形成された電極端
子２ａに前述と同様に紫外線硬化樹脂５を塗布する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、ＩＣチップ１をプリ
ント配線基板４の上に乗せ、錘を乗せて押圧力を与える
。次に、ＩＣチップ１側より加熱し、例えば、２５０℃
程度にし、はんだをリフローさせ接続を行なう．このと
き、ＩＣチップ１とプリント配線基板４を平行に保ちな
がら加圧し、ＩＣチップ１とプリント配線基板４とを適
切な間隔に保つ必要がある。
ント配線基板４の上に乗せ、錘を乗せて押圧力を与える
。次に、ＩＣチップ１側より加熱し、例えば、２５０℃
程度にし、はんだをリフローさせ接続を行なう．このと
き、ＩＣチップ１とプリント配線基板４を平行に保ちな
がら加圧し、ＩＣチップ１とプリント配線基板４とを適
切な間隔に保つ必要がある。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、高圧水銀灯により矢
印６の方向から紫外線を照射し、ＩＣチップ１とプリン
ト配線基板４を接着固定するとともにはんだ接続部分の
固定を行なう。なお、プリント配線基板４がガラス基板
の場合は、矢印６ａの方向から紫外線の照射を併用する
。
印６の方向から紫外線を照射し、ＩＣチップ１とプリン
ト配線基板４を接着固定するとともにはんだ接続部分の
固定を行なう。なお、プリント配線基板４がガラス基板
の場合は、矢印６ａの方向から紫外線の照射を併用する
。
以上説明したように本発明のＩＣチップの接続方法は、
接続表面が酸化等を起すことがないなめ、フラックスを
全く使用せずにはんだ接続が出来る。
接続表面が酸化等を起すことがないなめ、フラックスを
全く使用せずにはんだ接続が出来る。
すなわち、フラックスの悪影響がなく、構造上はんだブ
リッジも発生しない。同時に、樹脂による接続部の固定
と保護とが容易に実現される。また、補修のなめに、Ｉ
Ｃチップを交換する際も、溶剤により樹脂を溶解し、加
熱することにより、容易にＩＣチップを取りはずすこと
が出来、再接続も簡単である。
リッジも発生しない。同時に、樹脂による接続部の固定
と保護とが容易に実現される。また、補修のなめに、Ｉ
Ｃチップを交換する際も、溶剤により樹脂を溶解し、加
熱することにより、容易にＩＣチップを取りはずすこと
が出来、再接続も簡単である。
このように、本発明のＩＣチップの接続方法は、高密度
微細接続が確実に、容易に、信頼性良く実施出来るとい
う極めて顕著な効果が得られる。
微細接続が確実に、容易に、信頼性良く実施出来るとい
う極めて顕著な効果が得られる。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明のＩＣチップの接続方法
を説明するための工程順に示したＩＣチップとプリント
配線基板の断面図、第２図（ａ）及び（ｂ）は従来のＩ
Ｃチップの接続方法の一例を説明するための工程順に示
したＩＣチップとプリント配線基板の断面図である。 １・・・ＩＣチップ、２・・・電極パッド、２ａ・・・
電極端子、３・・・はんだバンプ、４・・・プリント配
線基板、５・・・紫外線硬化樹脂、６、６ａ・・・矢印
。
を説明するための工程順に示したＩＣチップとプリント
配線基板の断面図、第２図（ａ）及び（ｂ）は従来のＩ
Ｃチップの接続方法の一例を説明するための工程順に示
したＩＣチップとプリント配線基板の断面図である。 １・・・ＩＣチップ、２・・・電極パッド、２ａ・・・
電極端子、３・・・はんだバンプ、４・・・プリント配
線基板、５・・・紫外線硬化樹脂、６、６ａ・・・矢印
。
Claims (1)
- 半導体集積回路素子の電極パッドとこの電極パッドに対
応するプリント配線基板の電極端子とを溶融はんだで接
続する半導体集積回路素子の接続方法において、前記電
極パッドあるいは前記電極端子上にの少なくとも一方に
紫外線硬化樹脂を塗布する工程と、前記電極パッドと前
記電極端子とを押圧し、溶融はんだで接続する工程と、
前記工程により接続された部分に紫外線を照射し前記紫
外線硬化樹脂を硬化する工程とを含んでいることを特徴
とする半導体集積回路素子の接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5534089A JPH02234447A (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 半導体集積回路素子の接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5534089A JPH02234447A (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 半導体集積回路素子の接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02234447A true JPH02234447A (ja) | 1990-09-17 |
Family
ID=12995780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5534089A Pending JPH02234447A (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 半導体集積回路素子の接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02234447A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0766242A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-03-10 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電子素子アセンブリおよび再加工方法 |
| US5956605A (en) * | 1996-09-20 | 1999-09-21 | Micron Technology, Inc. | Use of nitrides for flip-chip encapsulation |
| WO1999056312A1 (en) * | 1998-04-27 | 1999-11-04 | Alpha Metals, Inc. | Flip chip with integrated flux, mask and underfill |
| EP0875935A3 (en) * | 1997-04-28 | 2000-08-02 | NEC Corporation | Semiconductor device having a projecting electrode |
| US6229209B1 (en) | 1995-02-23 | 2001-05-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chip carrier |
| CN113543517A (zh) * | 2021-06-30 | 2021-10-22 | 青岛歌尔智能传感器有限公司 | Sip模组与fpc的连接方法及电子产品 |
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| JPS5873126A (ja) * | 1981-10-27 | 1983-05-02 | Seiko Keiyo Kogyo Kk | 半導体装置の実装方法 |
| JPS62252946A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63127541A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップの接合方法 |
-
1989
- 1989-03-07 JP JP5534089A patent/JPH02234447A/ja active Pending
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| US6229209B1 (en) | 1995-02-23 | 2001-05-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chip carrier |
| US6365499B1 (en) | 1995-02-23 | 2002-04-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chip carrier and method of manufacturing and mounting the same |
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