JP2000031187A - 半田接合方法および半田接合用の熱硬化性樹脂 - Google Patents
半田接合方法および半田接合用の熱硬化性樹脂Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低コストで半田接合後の信頼性を確保するこ
とができる半田接合方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板１３に形成された電極１４に半田ボ
ール１２を接合する半田接合方法において、吸着ヘッド
１１に保持された半田ボール１２に、半田の酸化膜を除
去する活性作用を有し、半田の溶融温度よりも高い硬化
開始温度の第１のボンド５を塗布した後に、半田ボール
１２を電極１４上に搭載する。次いで加熱により半田ボ
ール１２を溶融させて電極１４に半田接合し、次いで第
１のボンド５を熱硬化させる。これにより、フラックス
を使用せずに半田接合後の信頼性に優れた半田接合を、
低コストで行うことができる。
とができる半田接合方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板１３に形成された電極１４に半田ボ
ール１２を接合する半田接合方法において、吸着ヘッド
１１に保持された半田ボール１２に、半田の酸化膜を除
去する活性作用を有し、半田の溶融温度よりも高い硬化
開始温度の第１のボンド５を塗布した後に、半田ボール
１２を電極１４上に搭載する。次いで加熱により半田ボ
ール１２を溶融させて電極１４に半田接合し、次いで第
１のボンド５を熱硬化させる。これにより、フラックス
を使用せずに半田接合後の信頼性に優れた半田接合を、
低コストで行うことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品に形成さ
れた半田バンプ、プリコート半田または半田ボールなど
の半田をワークの電極に半田接合する半田接合方法およ
び半田接合用の熱硬化性樹脂に関するものである。
れた半田バンプ、プリコート半田または半田ボールなど
の半田をワークの電極に半田接合する半田接合方法およ
び半田接合用の熱硬化性樹脂に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子部品や基板などのワークの電極に接
合対象物を接合する方法として半田接合が多用される。
この半田接合において、基板の電極に電子部品を実装す
る場合には、電子部品に予め半田部としての半田バンプ
やプリコート半田を形成する方法が知られており、また
電子部品に半田バンプやプリコート半田を形成する方法
としては半田ボールを電子部品の電極に半田接合する方
法が用いられる。これらの方法は、いずれも半田部とし
ての半田バンプ、プリコート半田または半田ボールを電
極に半田接合するプロセスを含んでいる。
合対象物を接合する方法として半田接合が多用される。
この半田接合において、基板の電極に電子部品を実装す
る場合には、電子部品に予め半田部としての半田バンプ
やプリコート半田を形成する方法が知られており、また
電子部品に半田バンプやプリコート半田を形成する方法
としては半田ボールを電子部品の電極に半田接合する方
法が用いられる。これらの方法は、いずれも半田部とし
ての半田バンプ、プリコート半田または半田ボールを電
極に半田接合するプロセスを含んでいる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来半田を電極に接合
する際には、半田接合性を向上させるためにフラックス
が用いられ、半田接合後には接合部の信頼性向上のため
フラックスの残渣の除去を目的とする洗浄を行う必要が
あった。しかしながら洗浄工程は、有機溶剤の使用規制
や電子部品の小型化により複雑化し、高コストを要する
ものとなって来ている。そしてこの洗浄工程が半田接合
を用いる工法での低コスト化を阻害する１つの要因とな
っていた。
する際には、半田接合性を向上させるためにフラックス
が用いられ、半田接合後には接合部の信頼性向上のため
フラックスの残渣の除去を目的とする洗浄を行う必要が
あった。しかしながら洗浄工程は、有機溶剤の使用規制
や電子部品の小型化により複雑化し、高コストを要する
ものとなって来ている。そしてこの洗浄工程が半田接合
を用いる工法での低コスト化を阻害する１つの要因とな
っていた。
【０００４】そこで本発明は、低コストで半田接合後の
信頼性を確保することができる半田接合方法を提供する
ことを目的とする。
信頼性を確保することができる半田接合方法を提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半田接合
方法は、ワークに形成された電極に半田を接合する半田
接合方法であって、前記電極または前記半田に、半田の
酸化膜を除去する活性作用を有し、半田の溶融温度より
も高い硬化開始温度の熱硬化性樹脂を塗布する工程と、
前記熱硬化性樹脂の塗布後に前記半田を前記電極に搭載
する工程と、加熱によって前記半田を溶融させ次いで前
記熱硬化性樹脂を熱硬化させる工程とを含む。
方法は、ワークに形成された電極に半田を接合する半田
接合方法であって、前記電極または前記半田に、半田の
酸化膜を除去する活性作用を有し、半田の溶融温度より
も高い硬化開始温度の熱硬化性樹脂を塗布する工程と、
前記熱硬化性樹脂の塗布後に前記半田を前記電極に搭載
する工程と、加熱によって前記半田を溶融させ次いで前
記熱硬化性樹脂を熱硬化させる工程とを含む。
【０００６】請求項２記載の半田接合方法は、請求項１
記載の半田接合方法であって、前記熱硬化性樹脂は、エ
ポキシ樹脂に、半田の融点温度よりも高い融点温度を有
する硬化剤と、非結晶系のロジンおよび有機酸より成る
活性剤とを含有して成る。
記載の半田接合方法であって、前記熱硬化性樹脂は、エ
ポキシ樹脂に、半田の融点温度よりも高い融点温度を有
する硬化剤と、非結晶系のロジンおよび有機酸より成る
活性剤とを含有して成る。
【０００７】請求項３記載の半田接合用の熱硬化性樹脂
は、エポキシ樹脂に、半田の融点温度よりも高い融点温
度を有する硬化剤と、非結晶系のロジンおよび有機酸よ
り成る活性剤とを含有して半田の酸化膜を除去する活性
作用を有する。
は、エポキシ樹脂に、半田の融点温度よりも高い融点温
度を有する硬化剤と、非結晶系のロジンおよび有機酸よ
り成る活性剤とを含有して半田の酸化膜を除去する活性
作用を有する。
【０００８】各請求項記載の発明によれば、半田接合さ
れる電極または半田に、半田の酸化膜を除去する活性作
用を有し、半田の融点温度よりも高い融点温度を有する
熱硬化性樹脂を塗布することにより、フラックスを使用
せずに信頼性に優れた半田接合を低コストで行うことが
できる。
れる電極または半田に、半田の酸化膜を除去する活性作
用を有し、半田の融点温度よりも高い融点温度を有する
熱硬化性樹脂を塗布することにより、フラックスを使用
せずに信頼性に優れた半田接合を低コストで行うことが
できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１（ａ），
（ｂ），（ｃ）、図２（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）
は本発明の実施の形態１のバンプ付電子部品の実装方法
の工程説明図、図３は同バンプ付電子部品の実装方法の
加熱プロファイルである。図１（ａ），（ｂ），
（ｃ）、図２（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）はバンプ
付電子部品の実装方法を工程順に示すものである。
（ｂ），（ｃ）、図２（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）
は本発明の実施の形態１のバンプ付電子部品の実装方法
の工程説明図、図３は同バンプ付電子部品の実装方法の
加熱プロファイルである。図１（ａ），（ｂ），
（ｃ）、図２（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）はバンプ
付電子部品の実装方法を工程順に示すものである。
【００１０】図１（ａ）において、バンプ付電子部品１
は半田バンプ２を有しており、バンプ付電子部品１は圧
着ツール３によって保持されている。圧着ツール３の下
方にはボンド槽４が配置されており、ボンド槽４の底面
には第１のボンド５がスキージ６により塗布されてい
る。
は半田バンプ２を有しており、バンプ付電子部品１は圧
着ツール３によって保持されている。圧着ツール３の下
方にはボンド槽４が配置されており、ボンド槽４の底面
には第１のボンド５がスキージ６により塗布されてい
る。
【００１１】ここで第１のボンド５について説明する。
第１のボンド５は、樹脂封止に用いられるエポキシ樹脂
に、半田接合時の接合性を向上させるために用いられる
フラックスの機能を併せて備えるようにしたものであ
る。第１のボンド５の組成の例としては、エポキシ樹脂
（約４０％）、非結晶系のロジン（約４０％）、ジカル
ボン酸などの有機酸よりなる活性剤兼硬化剤（約１０
％）および硬化剤（約１０％）となっている。ここで、
硬化剤の融点温度、第１のボンド５の硬化開始温度は２
００±５℃であり、半田の融点温度より高いものとなっ
ている。
第１のボンド５は、樹脂封止に用いられるエポキシ樹脂
に、半田接合時の接合性を向上させるために用いられる
フラックスの機能を併せて備えるようにしたものであ
る。第１のボンド５の組成の例としては、エポキシ樹脂
（約４０％）、非結晶系のロジン（約４０％）、ジカル
ボン酸などの有機酸よりなる活性剤兼硬化剤（約１０
％）および硬化剤（約１０％）となっている。ここで、
硬化剤の融点温度、第１のボンド５の硬化開始温度は２
００±５℃であり、半田の融点温度より高いものとなっ
ている。
【００１２】圧着ツール３を下降させてバンプ付電子部
品１の半田バンプ２をボンド槽４の底面に当接させた後
に圧着ツール３を上昇させると、図１（ｂ）に示すよう
に半田バンプ２の下端部に第１のボンド５が転写により
塗布される。第１のボンド５を塗布する方法としては、
転写以外にもディスペンサによる吐出、スクリーンマス
クによる印刷などの方法を用いることもできる。
品１の半田バンプ２をボンド槽４の底面に当接させた後
に圧着ツール３を上昇させると、図１（ｂ）に示すよう
に半田バンプ２の下端部に第１のボンド５が転写により
塗布される。第１のボンド５を塗布する方法としては、
転写以外にもディスペンサによる吐出、スクリーンマス
クによる印刷などの方法を用いることもできる。
【００１３】次いで圧着ツール３を移動させ基板７上に
位置させて、バンプ付電子部品１の半田バンプ２を基板
７の電極８に位置合せする。その後圧着ツール３を下降
させることにより、図１（ｃ）に示すようにバンプ付電
子部品１を基板７に搭載する。
位置させて、バンプ付電子部品１の半田バンプ２を基板
７の電極８に位置合せする。その後圧着ツール３を下降
させることにより、図１（ｃ）に示すようにバンプ付電
子部品１を基板７に搭載する。
【００１４】この後、図２（ａ）に示すように、第２の
ボンド９をディスペンサ１０により基板７の上面の電子
部品１の周囲に塗布して供給する。第２のボンド９はエ
ポキシ樹脂を主成分としており、硬化後は封止樹脂の一
部を構成する。第２のボンド９は、第１のボンド５と同
様に半田の融点温度より高い融点温度の硬化剤を含んで
いる。この第２のボンド９は、バンプ付電子部品１と基
板２の間の隙間に充填されるものであり、ディスペンサ
１０によって塗布される際にも出来るだけ隙間の内部に
侵入しやすいようバンプ付き電子部品１に接近して塗布
される。
ボンド９をディスペンサ１０により基板７の上面の電子
部品１の周囲に塗布して供給する。第２のボンド９はエ
ポキシ樹脂を主成分としており、硬化後は封止樹脂の一
部を構成する。第２のボンド９は、第１のボンド５と同
様に半田の融点温度より高い融点温度の硬化剤を含んで
いる。この第２のボンド９は、バンプ付電子部品１と基
板２の間の隙間に充填されるものであり、ディスペンサ
１０によって塗布される際にも出来るだけ隙間の内部に
侵入しやすいようバンプ付き電子部品１に接近して塗布
される。
【００１５】この後基板７はリフロー炉に送られ、全体
が加熱される。ここで図３を参照してリフロー加熱時の
温度の変化について説明する。図３の範囲Ａに示すよう
に、リフロー工程では、加熱を開始してから温度が上昇
して半田の融点温度以下に設定された所定温度に到達す
ると、この所定温度が保持される。これによりバンプ付
電子部品１の周囲に供給された第２のボンド９の粘度が
低下し、表面張力によりバンプ付電子部品１と基板７の
間の隙間に浸透する。この結果、図２（ｂ）に示すよう
にバンプ付電子部品１と基板７の間の隙間は、第２のボ
ンド９によって充填される。
が加熱される。ここで図３を参照してリフロー加熱時の
温度の変化について説明する。図３の範囲Ａに示すよう
に、リフロー工程では、加熱を開始してから温度が上昇
して半田の融点温度以下に設定された所定温度に到達す
ると、この所定温度が保持される。これによりバンプ付
電子部品１の周囲に供給された第２のボンド９の粘度が
低下し、表面張力によりバンプ付電子部品１と基板７の
間の隙間に浸透する。この結果、図２（ｂ）に示すよう
にバンプ付電子部品１と基板７の間の隙間は、第２のボ
ンド９によって充填される。
【００１６】この後、図３の範囲Ｂに示すように、加熱
温度を半田の融点温度（１８３℃）以上に上昇させる。
これにより、半田バンプ２が溶融し、溶融半田２’は基
板７の電極８に半田付けされる。このとき、半田バンプ
２の下端部には、ロジンや活性剤を含有する第１のボン
ド５が塗布されているので、半田バンプ２の表面の酸化
膜は還元され良好な半田付けを行うことができる。ま
た、第１のボンドには溶剤が含まれていないので、半田
接合部周囲での加熱による溶剤の発泡が発生せず、発泡
による接合不良が生じない。
温度を半田の融点温度（１８３℃）以上に上昇させる。
これにより、半田バンプ２が溶融し、溶融半田２’は基
板７の電極８に半田付けされる。このとき、半田バンプ
２の下端部には、ロジンや活性剤を含有する第１のボン
ド５が塗布されているので、半田バンプ２の表面の酸化
膜は還元され良好な半田付けを行うことができる。ま
た、第１のボンドには溶剤が含まれていないので、半田
接合部周囲での加熱による溶剤の発泡が発生せず、発泡
による接合不良が生じない。
【００１７】この後、加熱温度は図３の範囲Ｃに示すよ
うに更に上昇し、第１のボンド５、第２のボンド９の硬
化開始温度より高くなる。これにより第１のボンド５、
第２のボンド９は熱硬化を開始し、所定時間加熱を継続
することにより第１のボンド５、第２のボンド９は硬化
して接合部を固定し、バンプ付電子部品１の実装が完了
する。
うに更に上昇し、第１のボンド５、第２のボンド９の硬
化開始温度より高くなる。これにより第１のボンド５、
第２のボンド９は熱硬化を開始し、所定時間加熱を継続
することにより第１のボンド５、第２のボンド９は硬化
して接合部を固定し、バンプ付電子部品１の実装が完了
する。
【００１８】ここで、半田バンプ２の電極８への半田付
け後には第１のボンド５は第２のボンド９と混ざり合
い、第１のボンド５中のロジンや活性剤などの活性成分
は第２のボンド９のエポキシ樹脂中に取り込まれること
により活性を失い、電極７や基板１上面の配線回路面を
腐食する作用を失う。したがって、通常のフラックスを
使用する場合に半田付け後に行われる洗浄を必要とせず
に、実装後の信頼性を確保することができる。
け後には第１のボンド５は第２のボンド９と混ざり合
い、第１のボンド５中のロジンや活性剤などの活性成分
は第２のボンド９のエポキシ樹脂中に取り込まれること
により活性を失い、電極７や基板１上面の配線回路面を
腐食する作用を失う。したがって、通常のフラックスを
使用する場合に半田付け後に行われる洗浄を必要とせず
に、実装後の信頼性を確保することができる。
【００１９】また加熱工程として、半田付けと、アンダ
ーフィル樹脂としての第１のボンド５、第２のボンド９
の熱硬化を同一のリフロー工程で行うようにしているの
で、実装工程を簡略化することができる。さらにリフロ
ー炉による加熱を用いることにより、多数の電子部品を
一括して実装することができ、圧着ツールなどによる各
電子部品個別の実装方法と比較して、実装時の生産効率
を格段に向上させることができる。
ーフィル樹脂としての第１のボンド５、第２のボンド９
の熱硬化を同一のリフロー工程で行うようにしているの
で、実装工程を簡略化することができる。さらにリフロ
ー炉による加熱を用いることにより、多数の電子部品を
一括して実装することができ、圧着ツールなどによる各
電子部品個別の実装方法と比較して、実装時の生産効率
を格段に向上させることができる。
【００２０】なお上記実施例では、バンプ付電子部品１
の搭載後に第２のボンド９を供給するようにしている
が、予め基板７上に第２のボンド９を供給した後にバン
プ付き電子部品１を搭載するようにしてもよい。
の搭載後に第２のボンド９を供給するようにしている
が、予め基板７上に第２のボンド９を供給した後にバン
プ付き電子部品１を搭載するようにしてもよい。
【００２１】（実施の形態２）図４（ａ），（ｂ），
（ｃ），（ｄ）は本発明の実施の形態２の半田接合方法
の工程説明図である。本実施の形態２は、半田部として
の半田ボールをワークとしての基板の電極に半田接合す
るものである。
（ｃ），（ｄ）は本発明の実施の形態２の半田接合方法
の工程説明図である。本実施の形態２は、半田部として
の半田ボールをワークとしての基板の電極に半田接合す
るものである。
【００２２】まず図４（ａ）において、吸着ヘッド１１
には半田ボール１２が真空吸着により保持されている。
半田ボール１２の下端部には、実施の形態１において図
１（ａ）に示す方法と同様に、第１のボンド５が転写に
より塗布される。塗布の方法として、転写以外にもディ
スペンサによる吐出、スクリーンマスクによる印刷など
の方法を用いることができる点、および第１のボンド５
の成分構成についても実施の形態１と同様である。
には半田ボール１２が真空吸着により保持されている。
半田ボール１２の下端部には、実施の形態１において図
１（ａ）に示す方法と同様に、第１のボンド５が転写に
より塗布される。塗布の方法として、転写以外にもディ
スペンサによる吐出、スクリーンマスクによる印刷など
の方法を用いることができる点、および第１のボンド５
の成分構成についても実施の形態１と同様である。
【００２３】次に、図４（ａ）に示すように吸着ヘッド
１１を電極１４が設けられた基板１３上に位置させ、半
田ボール１２を電極１４に位置合せした後に吸着ヘッド
１１を下降させる。図４（ｂ）は、このようにして半田
ボール１２を電極１４に搭載した状態を示している。こ
のとき、半田ボール１２に塗布された第１のボンド５
は、搭載時に電極１４の周囲にもはみ出し、電極１４の
側面も含めて半田ボール１２と電極１４の当接部全体を
包み込んでいる。
１１を電極１４が設けられた基板１３上に位置させ、半
田ボール１２を電極１４に位置合せした後に吸着ヘッド
１１を下降させる。図４（ｂ）は、このようにして半田
ボール１２を電極１４に搭載した状態を示している。こ
のとき、半田ボール１２に塗布された第１のボンド５
は、搭載時に電極１４の周囲にもはみ出し、電極１４の
側面も含めて半田ボール１２と電極１４の当接部全体を
包み込んでいる。
【００２４】次に基板１３は加熱工程に送られ、ここで
半田の融点温度以上に加熱される。これにより半田ボー
ル１２が溶融し、溶融半田は電極１４に溶着して図４
（ｃ）に示すように半田バンプ１２’が形成される。こ
のとき、第１のボンド５中のロジンや活性剤により良好
な半田付けが行われる点は実施の形態１と同様である。
この後、加熱温度は実施の形態１と同様に図３の範囲Ｃ
に示す温度まで上昇し、これにより図４（ｄ）に示すよ
うに第１のボンド５は熱硬化を開始し、完全硬化するこ
とにより接合部を固定するとともに、電極１４全体を包
み込んで半田バンプ１２’との接合部を有効に補強す
る。
半田の融点温度以上に加熱される。これにより半田ボー
ル１２が溶融し、溶融半田は電極１４に溶着して図４
（ｃ）に示すように半田バンプ１２’が形成される。こ
のとき、第１のボンド５中のロジンや活性剤により良好
な半田付けが行われる点は実施の形態１と同様である。
この後、加熱温度は実施の形態１と同様に図３の範囲Ｃ
に示す温度まで上昇し、これにより図４（ｄ）に示すよ
うに第１のボンド５は熱硬化を開始し、完全硬化するこ
とにより接合部を固定するとともに、電極１４全体を包
み込んで半田バンプ１２’との接合部を有効に補強す
る。
【００２５】ここで、第１のボンド５中の活性成分の大
部分は、半田ボール１２や電極１４の酸化膜を還元する
ことでその活性作用を失い、残りの活性成分も第１のボ
ンド５中のエポキシ樹脂中に固定されることにより外部
に溶出することがなく、したがって接合後に活性成分に
よって電極１４が腐食されることがない。なお、第１の
ボンド５中に銀などの導電材を混入させることにより、
半田ボール１２が電極１４と完全に接触していなくて
も、導電材を介して電極１４と半田ボール１２との導通
が確保されることとなり、更に接合部の信頼性を向上さ
せることができる。
部分は、半田ボール１２や電極１４の酸化膜を還元する
ことでその活性作用を失い、残りの活性成分も第１のボ
ンド５中のエポキシ樹脂中に固定されることにより外部
に溶出することがなく、したがって接合後に活性成分に
よって電極１４が腐食されることがない。なお、第１の
ボンド５中に銀などの導電材を混入させることにより、
半田ボール１２が電極１４と完全に接触していなくて
も、導電材を介して電極１４と半田ボール１２との導通
が確保されることとなり、更に接合部の信頼性を向上さ
せることができる。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、半田接合される電極ま
たは半田部に、半田の酸化膜を除去する活性作用を有
し、半田の融点温度よりも高い融点温度を有する熱硬化
性樹脂を塗布するようにしたので、フラックスを使用せ
ずに信頼性に優れた半田接合を行うことができる。また
半田接合後の洗浄工程を必要としないため、半田接合の
低コスト化を実現することができる。
たは半田部に、半田の酸化膜を除去する活性作用を有
し、半田の融点温度よりも高い融点温度を有する熱硬化
性樹脂を塗布するようにしたので、フラックスを使用せ
ずに信頼性に優れた半田接合を行うことができる。また
半田接合後の洗浄工程を必要としないため、半田接合の
低コスト化を実現することができる。
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１のバンプ付電子部
品の実装方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態１のバンプ付電子部品の実装
方法の工程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態１のバンプ付電子部品の実装
方法の工程説明図
品の実装方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態１のバンプ付電子部品の実装
方法の工程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態１のバンプ付電子部品の実装
方法の工程説明図
【図２】（ａ）本発明の実施の形態１のバンプ付電子部
品の実装方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態１のバンプ付電子部品の実装
方法の工程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態１のバンプ付電子部品の実装
方法の工程説明図 （ｄ）本発明の実施の形態１のバンプ付電子部品の実装
方法の工程説明図
品の実装方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態１のバンプ付電子部品の実装
方法の工程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態１のバンプ付電子部品の実装
方法の工程説明図 （ｄ）本発明の実施の形態１のバンプ付電子部品の実装
方法の工程説明図
【図３】本発明の実施の形態１のバンプ付電子部品の実
装方法の加熱プロファイルを示す図
装方法の加熱プロファイルを示す図
【図４】（ａ）本発明の実施の形態２の半田接合方法の
工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態２の半田接合方法の工程説明
図 （ｃ）本発明の実施の形態２の半田接合方法の工程説明
図 （ｄ）本発明の実施の形態２の半田接合方法の工程説明
図
工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態２の半田接合方法の工程説明
図 （ｃ）本発明の実施の形態２の半田接合方法の工程説明
図 （ｄ）本発明の実施の形態２の半田接合方法の工程説明
図
１ バンプ付電子部品 ２ バンプ ５ 第１のボンド ７ 基板 ９ 第２のボンド １２ 半田ボール １２’ 半田バンプ １３ 基板 １４ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｈ０５Ｋ 3/34 ５０５Ａ Ｈ０５Ｋ 3/34 ５０５ Ｃ０８Ｇ 59/42 // Ｃ０８Ｇ 59/42 Ｈ０１Ｌ 21/92 ６０３Ｇ ６０４Ｓ 23/12 Ｌ (72)発明者 前田 憲 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4J036 AA01 CD21 DB17 JA01 JA06 4J040 BA202 EC001 HB22 JB02 KA16 NA19 PA08 PA30 4M105 AA19 BB11 FF04 5E319 AA03 BB04 CC33 CD23 CD60 GG20
Claims (3)
- 【請求項１】ワークに形成された電極に半田を接合する
半田接合方法であって、前記電極または前記半田に、半
田の酸化膜を除去する活性作用を有し、半田の溶融温度
よりも高い硬化開始温度の熱硬化性樹脂を塗布する工程
と、前記熱硬化性樹脂の塗布後に前記半田を前記電極に
搭載する工程と、加熱によって前記半田を溶融させ次い
で前記熱硬化性樹脂を熱硬化させる工程とを含むことを
特徴とする半田接合方法。 - 【請求項２】前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂に、半
田の融点温度よりも高い融点温度を有する硬化剤と、非
結晶系のロジンおよび有機酸より成る活性剤とを含有し
て成ることを特徴とする請求項１記載の半田接合方法。 - 【請求項３】エポキシ樹脂に、半田の融点温度よりも高
い融点温度を有する硬化剤と、非結晶系のロジンおよび
有機酸より成る活性剤とを含有して、半田の酸化膜を除
去する活性作用を有することを特徴とする半田接合用の
熱硬化性樹脂。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19705198A JP3570229B2 (ja) | 1998-07-13 | 1998-07-13 | 半田接合方法および半田接合用の熱硬化性樹脂 |
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| JP19705198A JP3570229B2 (ja) | 1998-07-13 | 1998-07-13 | 半田接合方法および半田接合用の熱硬化性樹脂 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031187A true JP2000031187A (ja) | 2000-01-28 |
| JP3570229B2 JP3570229B2 (ja) | 2004-09-29 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19705198A Expired - Fee Related JP3570229B2 (ja) | 1998-07-13 | 1998-07-13 | 半田接合方法および半田接合用の熱硬化性樹脂 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3570229B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002164644A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Nec Kyushu Ltd | 半田ボール実装剤、半田ボール実装装置、半田ボール実装方法 |
| WO2002079294A1 (fr) * | 2001-03-30 | 2002-10-10 | Sunstar Giken Kabushiki Kaisha | Composition de resine epoxyde thermodurcissable a un constituant et materiau de sous-remplissage de montage de semi-conducteurs |
| US6690090B2 (en) | 2001-01-26 | 2004-02-10 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device having reliable coupling with mounting substrate |
| JP2006265484A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Fujitsu Ltd | 接着性樹脂組成物及び電子装置 |
| EP1324851A4 (en) * | 2000-09-22 | 2007-02-14 | Flipchip Internat L L C | POLYMERBUND FOR LÖTHÖCKER |
| JP2010098021A (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Panasonic Corp | 部品内蔵配線基板および部品内蔵配線基板の製造方法 |
| CN107813090A (zh) * | 2016-09-13 | 2018-03-20 | 富鼎电子科技(嘉善)有限公司 | 一种探针制备方法及制备该探针的焊接治具 |
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-
1998
- 1998-07-13 JP JP19705198A patent/JP3570229B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2002164644A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Nec Kyushu Ltd | 半田ボール実装剤、半田ボール実装装置、半田ボール実装方法 |
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| WO2002079294A1 (fr) * | 2001-03-30 | 2002-10-10 | Sunstar Giken Kabushiki Kaisha | Composition de resine epoxyde thermodurcissable a un constituant et materiau de sous-remplissage de montage de semi-conducteurs |
| JP2006265484A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Fujitsu Ltd | 接着性樹脂組成物及び電子装置 |
| JP2010098021A (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Panasonic Corp | 部品内蔵配線基板および部品内蔵配線基板の製造方法 |
| US8499998B2 (en) | 2008-10-15 | 2013-08-06 | Panasonic Corporation | Component built-in circuit substrate and method of producing the same |
| CN107813090A (zh) * | 2016-09-13 | 2018-03-20 | 富鼎电子科技(嘉善)有限公司 | 一种探针制备方法及制备该探针的焊接治具 |
| CN107813090B (zh) * | 2016-09-13 | 2021-08-31 | 富鼎电子科技(嘉善)有限公司 | 一种探针制备方法及制备该探针的焊接治具 |
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