JPH0793343B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0793343B2 JPH0793343B2 JP62332018A JP33201887A JPH0793343B2 JP H0793343 B2 JPH0793343 B2 JP H0793343B2 JP 62332018 A JP62332018 A JP 62332018A JP 33201887 A JP33201887 A JP 33201887A JP H0793343 B2 JPH0793343 B2 JP H0793343B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体装置、特に狭ピッチ、多端子の半導体装
置の製造方法に関するものである。
置の製造方法に関するものである。
従来の技術 多端子、狭ピッチ化が進む半導体素子の電極を絶縁性基
板の導体配線に一括接合する実装方法としてマイクロバ
ンプボンディング実装技術がある。この実装方法の１実
施例を第４図に示した。まず第４図ａに示した様に半導
体素子２の電極１を有する側に熱硬化性の絶縁性樹脂３
をディスペンサー等で塗布する。ついで第４図ｂに示し
た様に絶縁性基板４の導体配線５を有する面が半導体素
子２の電極１と向かい合う様にして絶縁性基板４を熱硬
化性の絶縁性樹脂３の上から半導体素子２に載せ、絶縁
性基板４の配線電極５と半導体素子２の電極１とを位置
合わせする。次に第４図ｃに示した様に、加圧治具６を
用いて半導体素子２と絶縁性基板４を加圧し、半導体素
子２の電極１と絶縁性基板４の配線電極５とを圧接す
る。この状態のまま加熱し、熱硬化性の絶縁性樹脂を硬
化させる。硬化終了後は加圧を取り去る。この際、半導
体素子２の電極１は絶縁性基板１の配線電極５に、熱硬
化性の絶縁性樹脂３の硬化によって生じる収縮応力によ
り圧接されており、加圧を取り去っても、両者の電気的
接続は保たれる。
板の導体配線に一括接合する実装方法としてマイクロバ
ンプボンディング実装技術がある。この実装方法の１実
施例を第４図に示した。まず第４図ａに示した様に半導
体素子２の電極１を有する側に熱硬化性の絶縁性樹脂３
をディスペンサー等で塗布する。ついで第４図ｂに示し
た様に絶縁性基板４の導体配線５を有する面が半導体素
子２の電極１と向かい合う様にして絶縁性基板４を熱硬
化性の絶縁性樹脂３の上から半導体素子２に載せ、絶縁
性基板４の配線電極５と半導体素子２の電極１とを位置
合わせする。次に第４図ｃに示した様に、加圧治具６を
用いて半導体素子２と絶縁性基板４を加圧し、半導体素
子２の電極１と絶縁性基板４の配線電極５とを圧接す
る。この状態のまま加熱し、熱硬化性の絶縁性樹脂を硬
化させる。硬化終了後は加圧を取り去る。この際、半導
体素子２の電極１は絶縁性基板１の配線電極５に、熱硬
化性の絶縁性樹脂３の硬化によって生じる収縮応力によ
り圧接されており、加圧を取り去っても、両者の電気的
接続は保たれる。
第５図に半導体素子12に突起電極11を形成させる方法を
示した。まず第４図ａに示す様に半導体ウェハー14に光
硬化性の絶縁性樹脂16をスピンナー等を使って均一に塗
布する。ついでフォトリソ技術を用いて、第４図ｂに示
す様に突起電極11を形成させる部分（開孔部絶縁性樹脂
15）以外の絶縁性樹脂（レジスト部絶縁性樹脂13）のみ
にUV線を照射して、レジスト部絶縁性樹脂13を硬化させ
る。
示した。まず第４図ａに示す様に半導体ウェハー14に光
硬化性の絶縁性樹脂16をスピンナー等を使って均一に塗
布する。ついでフォトリソ技術を用いて、第４図ｂに示
す様に突起電極11を形成させる部分（開孔部絶縁性樹脂
15）以外の絶縁性樹脂（レジスト部絶縁性樹脂13）のみ
にUV線を照射して、レジスト部絶縁性樹脂13を硬化させ
る。
次に、第５図ｃに示す様に開孔部絶縁性樹脂15のみを溶
剤を用いて溶出させ、開孔部17を形成させる。ついで半
導体ウェハー14ごと絶縁性樹脂13のベーキングを行った
後、これをレジスト皮膜として用いて電気メッキ法等に
より第５図ｄに示した様な突起電極11を形成させる。突
起電極を形成させた後は、第５図ｅに示した様に溶剤を
用いて、残りの未硬化の絶縁性樹脂16を完全り取り除
く。最後に半導体ウェハー14のダイシングを行い、半導
体ウェハーを第５図ｆに示した様な半導体素子12に分割
する。
剤を用いて溶出させ、開孔部17を形成させる。ついで半
導体ウェハー14ごと絶縁性樹脂13のベーキングを行った
後、これをレジスト皮膜として用いて電気メッキ法等に
より第５図ｄに示した様な突起電極11を形成させる。突
起電極を形成させた後は、第５図ｅに示した様に溶剤を
用いて、残りの未硬化の絶縁性樹脂16を完全り取り除
く。最後に半導体ウェハー14のダイシングを行い、半導
体ウェハーを第５図ｆに示した様な半導体素子12に分割
する。
発明が解決しようとする問題点 マイクロバンプボンディング実装技術では以上に示した
様なプロセスを経て半導体装置を製造する訳であるが、
この方式では、半導体素子に突起電極を設ける為に作成
されたレジスト皮膜を取り除き、ウェハーのダイシング
を行ってから、あらためて半導体素子に光硬化性の絶縁
性の樹脂を塗布する必要があり、工程が多く、コスト高
につながる。
様なプロセスを経て半導体装置を製造する訳であるが、
この方式では、半導体素子に突起電極を設ける為に作成
されたレジスト皮膜を取り除き、ウェハーのダイシング
を行ってから、あらためて半導体素子に光硬化性の絶縁
性の樹脂を塗布する必要があり、工程が多く、コスト高
につながる。
問題点を解決するための手段 本発明は上記問題点を解決するために、レジスト皮膜を
形成する光硬化性の絶縁性樹脂に硬化物が熱可塑性の性
質を有するものを用い、突起電極形成後もレジスト皮膜
を除去せず、そのままダイシングし、半導体素子と絶縁
性基板の接着の際に、半導体素子上に残っているレジス
ト皮膜を熱により溶融させ、そのまま接着剤として用い
ることとした。
形成する光硬化性の絶縁性樹脂に硬化物が熱可塑性の性
質を有するものを用い、突起電極形成後もレジスト皮膜
を除去せず、そのままダイシングし、半導体素子と絶縁
性基板の接着の際に、半導体素子上に残っているレジス
ト皮膜を熱により溶融させ、そのまま接着剤として用い
ることとした。
作用 上記工法で突起電極を形成させ、かつ半導体素子を配線
電極を有する絶縁性基板に実装することにより、レジス
ト皮膜を半導体素子から除去する工程及び半導体素子を
基板上に接着する為の樹脂を半導体素子上に塗布する工
程をマイクロバンプボンディングの工程から取り除くこ
とができる。
電極を有する絶縁性基板に実装することにより、レジス
ト皮膜を半導体素子から除去する工程及び半導体素子を
基板上に接着する為の樹脂を半導体素子上に塗布する工
程をマイクロバンプボンディングの工程から取り除くこ
とができる。
実施例 本発明の実施例を第１図及び第２図を用いて説明する。
まず第１図を用いて突起電極形成プロセスを説明する。
初めに第１図ａに示す様に半導体ウェハー24の電極を有
する側の面に光硬化性でしかも硬化物が熱可塑性である
様な絶縁性樹脂26をスピンナー等で塗布する。ついで第
１図ｂに示す様に、ガラスマスクを用いて突起電極21を
形成させる部分（開孔部絶縁性樹脂25）以外の絶縁性樹
脂（レジスト部絶縁性樹脂23）のみにUV線を照射して、
レジスト部絶縁性樹脂23のみを硬化させる。UV線の照射
を受けず、未硬化のままである開孔部絶縁性樹脂25は有
機溶剤等により溶出させ、第１図ｃに示す様に突起電極
21を形成させる部分のみに開孔部27を開ける。こうして
形成させたレジスト皮膜を用いて電気メッキ法により開
孔部27を開けた場所に突起電極21を形成させる。
まず第１図を用いて突起電極形成プロセスを説明する。
初めに第１図ａに示す様に半導体ウェハー24の電極を有
する側の面に光硬化性でしかも硬化物が熱可塑性である
様な絶縁性樹脂26をスピンナー等で塗布する。ついで第
１図ｂに示す様に、ガラスマスクを用いて突起電極21を
形成させる部分（開孔部絶縁性樹脂25）以外の絶縁性樹
脂（レジスト部絶縁性樹脂23）のみにUV線を照射して、
レジスト部絶縁性樹脂23のみを硬化させる。UV線の照射
を受けず、未硬化のままである開孔部絶縁性樹脂25は有
機溶剤等により溶出させ、第１図ｃに示す様に突起電極
21を形成させる部分のみに開孔部27を開ける。こうして
形成させたレジスト皮膜を用いて電気メッキ法により開
孔部27を開けた場所に突起電極21を形成させる。
ただし、本発明による実装法ではメッキ後にバリアメタ
ルのエッチング処理ができない。そこで第３図に示す様
に電気メッキ法により突起電極21を形成させる電極部40
へ電気を流すために必要に配線部41以外のバリアメタル
はあらかじめエッチングにより除去しておく必要があ
る。配線部41はウェハー24のダイシングライン42に沿わ
せておき、その幅をダイシングの際のカッティング幅よ
り細かくしておく。また、この際、形成させる突起電極
21はレジスト皮膜の厚さより低くしておく必要がある。
最後に第１図ｅに示す様にレジスト皮膜を表面に有した
ままで半導体ウェハー24のダイシングを行い、半導体素
子をチップ状に分割する。この際、配線部41はダイシン
グの際に削り取られ、それぞれの突起電極21は電気的に
分離される。こうして突起電極21と、熱可塑性の絶縁性
樹脂を表面に有する半導体素子が用意される。次に第２
図を用いてその実装プロセスについて説明する。
ルのエッチング処理ができない。そこで第３図に示す様
に電気メッキ法により突起電極21を形成させる電極部40
へ電気を流すために必要に配線部41以外のバリアメタル
はあらかじめエッチングにより除去しておく必要があ
る。配線部41はウェハー24のダイシングライン42に沿わ
せておき、その幅をダイシングの際のカッティング幅よ
り細かくしておく。また、この際、形成させる突起電極
21はレジスト皮膜の厚さより低くしておく必要がある。
最後に第１図ｅに示す様にレジスト皮膜を表面に有した
ままで半導体ウェハー24のダイシングを行い、半導体素
子をチップ状に分割する。この際、配線部41はダイシン
グの際に削り取られ、それぞれの突起電極21は電気的に
分離される。こうして突起電極21と、熱可塑性の絶縁性
樹脂を表面に有する半導体素子が用意される。次に第２
図を用いてその実装プロセスについて説明する。
まず第２図ａに示した半導体素子32の突起電極31を有す
る側の面に第２図ｂに示した様に配線電極35を有する絶
縁性基板34を配線電極35が突起電極31と向かい合う様に
して載せ、配線電極35と突起電極31の位置合わせを行
う。この状態のまま、第２図ｃに示す様に加熱し絶縁性
樹脂33を溶融させながら加圧治具36を用いて半導体素子
32を絶縁性基板34に加圧し、配線電極35と突起電極31を
圧接する。ついで系全体を冷却し、絶縁性樹脂33が再硬
化したら第２図ｄに示す様に加圧を取り去る。この際、
半導体素子32の突起電極31と絶縁性基板32の配線電極35
とは、絶縁性樹脂33の再硬化の際に発生する収縮応力に
より圧接され、電気的接続を保つ。本実施例では電気メ
ッキ法により突起電極を形成させたが、突起電極を無電
解メッキ法により形成させてもよい。
る側の面に第２図ｂに示した様に配線電極35を有する絶
縁性基板34を配線電極35が突起電極31と向かい合う様に
して載せ、配線電極35と突起電極31の位置合わせを行
う。この状態のまま、第２図ｃに示す様に加熱し絶縁性
樹脂33を溶融させながら加圧治具36を用いて半導体素子
32を絶縁性基板34に加圧し、配線電極35と突起電極31を
圧接する。ついで系全体を冷却し、絶縁性樹脂33が再硬
化したら第２図ｄに示す様に加圧を取り去る。この際、
半導体素子32の突起電極31と絶縁性基板32の配線電極35
とは、絶縁性樹脂33の再硬化の際に発生する収縮応力に
より圧接され、電気的接続を保つ。本実施例では電気メ
ッキ法により突起電極を形成させたが、突起電極を無電
解メッキ法により形成させてもよい。
発明の効果 以上のように本発明によれば、次のような効果を得るこ
とができる。
とができる。
（１） マイクロバンプボンディング実装技術の実装プ
ロセスにおいて、レジスト皮膜を除去する工程と、半導
体素子に接着用の熱硬化性の絶縁性樹脂を塗布する工程
とを除去することが可能となり、低コスト化を実現でき
る。
ロセスにおいて、レジスト皮膜を除去する工程と、半導
体素子に接着用の熱硬化性の絶縁性樹脂を塗布する工程
とを除去することが可能となり、低コスト化を実現でき
る。
（２） また、絶縁性樹脂の量が均一になる為、品質が
よく、信頼性が高い。
よく、信頼性が高い。
第１図は本発明の一実施例方法における突起電極形成工
程を示す断面図、第２図は本発明の実施例の実装工程を
示す断面図、第３図は本発明に用いる半導体素子部の平
面図、第４図は従来のマイクロボンディング実装工程の
断面図、第５図は突起電極の形成工程の断面図である。 23……レジスト部絶縁性樹脂（硬化物）、24……半導体
ウェハー、25……開孔部絶縁性樹脂（未硬化物）、26…
…絶縁性樹脂、27……開孔部、21,31……突起電極、32
……半導体素子、33……UV硬化型熱可塑性絶縁樹脂、34
……絶縁性基板、36……配線電極、36……加圧治具、40
……電極、41……配線、42……ダイシングライン。
程を示す断面図、第２図は本発明の実施例の実装工程を
示す断面図、第３図は本発明に用いる半導体素子部の平
面図、第４図は従来のマイクロボンディング実装工程の
断面図、第５図は突起電極の形成工程の断面図である。 23……レジスト部絶縁性樹脂（硬化物）、24……半導体
ウェハー、25……開孔部絶縁性樹脂（未硬化物）、26…
…絶縁性樹脂、27……開孔部、21,31……突起電極、32
……半導体素子、33……UV硬化型熱可塑性絶縁樹脂、34
……絶縁性基板、36……配線電極、36……加圧治具、40
……電極、41……配線、42……ダイシングライン。
Claims (2)
- 【請求項１】半導体ウェハー表面に絶縁性樹脂膜を形成
する工程と、前記絶縁性樹脂膜に開孔部を形成する工程
と、前記開孔部に金属突起電極を形成する工程と、前記
半導体ウェハーを前記絶縁性樹脂膜を表面に有するまま
チップ状態の半導体素子に分割する工程と、分割した前
記半導体素子を電極を有する絶縁性基板に互いの電極同
志が向い合う様にして搭載する工程と、前記絶縁性樹脂
を用いて前記半導体素子を前記絶縁性基板に固着し、電
極同志を電気的に接続する工程を有する半導体装置の製
造方法。 - 【請求項２】絶縁性樹脂がUV硬化性かつ熱可塑性であ
り、加熱により前記絶縁性樹脂を軟化させた後に冷却
し、再硬化させることにより、半導体素子を絶縁性基板
に固着させることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62332018A JPH0793343B2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62332018A JPH0793343B2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7052547A Division JP2532825B2 (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01173733A JPH01173733A (ja) | 1989-07-10 |
| JPH0793343B2 true JPH0793343B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=18250221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62332018A Expired - Fee Related JPH0793343B2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793343B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2792532B2 (ja) | 1994-09-30 | 1998-09-03 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体ウエハー |
| JP3417292B2 (ja) * | 1998-04-08 | 2003-06-16 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置 |
| US6190940B1 (en) * | 1999-01-21 | 2001-02-20 | Lucent Technologies Inc. | Flip chip assembly of semiconductor IC chips |
| JP3346320B2 (ja) | 1999-02-03 | 2002-11-18 | カシオ計算機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP3287346B2 (ja) | 1999-11-29 | 2002-06-04 | カシオ計算機株式会社 | 半導体装置 |
| JPWO2004070826A1 (ja) * | 2003-02-06 | 2006-06-01 | 富士通株式会社 | 電極間接続構造体の形成方法および電極間接続構造体 |
| TW201011830A (en) * | 2008-09-03 | 2010-03-16 | United Test Ct Inc | Self-adhesive semiconductor wafer |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP62332018A patent/JPH0793343B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01173733A (ja) | 1989-07-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |