JP2841846B2 - Ｉｃ半導体素子の接合方法 - Google Patents
Ｉｃ半導体素子の接合方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子機器に使用されるIC半導体素子の電極
パッドとガラス配線基板の電極パッドを接合して回路形
成を行うIC半導体素子の接合方法に関する。
パッドとガラス配線基板の電極パッドを接合して回路形
成を行うIC半導体素子の接合方法に関する。
従来の技術 以下図面を参照しながら、従来のIC半導体素子（以下
ICと略す）の接合方法について説明する。近年、ICの電
極パッドとガラス基板の電極パッドの接合は紫外線硬化
型の絶縁性樹脂を介して行われている。これをマイクロ
バンプボンディングという。
ICと略す）の接合方法について説明する。近年、ICの電
極パッドとガラス基板の電極パッドの接合は紫外線硬化
型の絶縁性樹脂を介して行われている。これをマイクロ
バンプボンディングという。
第３図（ａ），（ｂ），（ｃ）はICの電極パッドとガ
ラス基板の電極パッドを接合する従来の方法も示すもの
であり、１はガラス配線基板、２は紫外線硬化型の絶縁
性樹脂、３はIC、４は紫外線硬化型の絶縁性樹脂２を硬
化するための紫外線発光体、５は加圧吸着ヘッドであ
る。従来の技術においては、ガラス配線基板１上に１個
のICを３個置き、そのIC3を加圧吸着ヘッド５によりあ
る任意加重を加えて加圧する。その後、紫外線発光体４
をIC3のガラス配線基板１側から一定速度で移動させな
がら、順次、紫外線照射を行い、IC3の電極パッドとガ
ラス配線基板１の電極パッドの接合を行い電気的導通を
とるのが一般的な接合方法である。
ラス基板の電極パッドを接合する従来の方法も示すもの
であり、１はガラス配線基板、２は紫外線硬化型の絶縁
性樹脂、３はIC、４は紫外線硬化型の絶縁性樹脂２を硬
化するための紫外線発光体、５は加圧吸着ヘッドであ
る。従来の技術においては、ガラス配線基板１上に１個
のICを３個置き、そのIC3を加圧吸着ヘッド５によりあ
る任意加重を加えて加圧する。その後、紫外線発光体４
をIC3のガラス配線基板１側から一定速度で移動させな
がら、順次、紫外線照射を行い、IC3の電極パッドとガ
ラス配線基板１の電極パッドの接合を行い電気的導通を
とるのが一般的な接合方法である。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記従来のICの接合方法では、IC3を
１個ずつ本硬化して接合するためIC3の前面にわたって
紫外線を照射する時間（１個のICあたり約30秒）が必要
となり、ガラス配線基板１上にIC3を複数個連続して並
べ接合する場合、時間がかかりすぎ、生産効率が落ちる
という課題を有していた。
１個ずつ本硬化して接合するためIC3の前面にわたって
紫外線を照射する時間（１個のICあたり約30秒）が必要
となり、ガラス配線基板１上にIC3を複数個連続して並
べ接合する場合、時間がかかりすぎ、生産効率が落ちる
という課題を有していた。
本発明は上記課題を解決するものであり、生産効率の
高い優れたICの接合方法を提供することを目的とするも
のである。
高い優れたICの接合方法を提供することを目的とするも
のである。
課題を解決するための手段 本発明は上記目的を達成するために、ガラス配線基板
上に紫外線硬化型の絶縁性樹脂を塗布した後、その絶縁
性樹脂上にIC半導体素子を搭載して紫外線照射により仮
硬化させる工程を繰り返し、連続的にIC半導体素子を並
べ、前記連続的に並べられたIC半導体素子を一括して加
圧ヘッドにより加圧すると同時に、前記ガラス配線基板
の下方から紫外線を照射し、前記絶縁性樹脂を本硬化さ
せることにより、ガラス配線基板上の電極パッドとIC半
導体素子の電極パッドとの接合するものである。
上に紫外線硬化型の絶縁性樹脂を塗布した後、その絶縁
性樹脂上にIC半導体素子を搭載して紫外線照射により仮
硬化させる工程を繰り返し、連続的にIC半導体素子を並
べ、前記連続的に並べられたIC半導体素子を一括して加
圧ヘッドにより加圧すると同時に、前記ガラス配線基板
の下方から紫外線を照射し、前記絶縁性樹脂を本硬化さ
せることにより、ガラス配線基板上の電極パッドとIC半
導体素子の電極パッドとの接合するものである。
作用 したがって本発明によれば、１個のICあたり数秒間紫
外線を紫外線硬化型の絶縁性樹脂の中央部（ICの中央
部）に照射し、同様な操作を行い仮硬化させた複数個の
ICをガラス配線基板上に連続的に並べ、さらに連続的に
並べられたICの個数分だけの加圧ヘッドによりICを各集
吸着すると同時に、ガラス配線基板の下方にある紫外線
発光ランプを用いて紫外線硬化型の絶縁性樹脂にある任
意時間だけ紫外線を照射し、一括して本接合を行いICの
電極パッドとガラス配線基板の電極パッドを接合する。
外線を紫外線硬化型の絶縁性樹脂の中央部（ICの中央
部）に照射し、同様な操作を行い仮硬化させた複数個の
ICをガラス配線基板上に連続的に並べ、さらに連続的に
並べられたICの個数分だけの加圧ヘッドによりICを各集
吸着すると同時に、ガラス配線基板の下方にある紫外線
発光ランプを用いて紫外線硬化型の絶縁性樹脂にある任
意時間だけ紫外線を照射し、一括して本接合を行いICの
電極パッドとガラス配線基板の電極パッドを接合する。
実 施 例 以下、本発明の一実施例について第１図および第２図
とともに第３図と同一部分については同一番号を付して
詳しい説明を省略し、相違する点について説明する。
とともに第３図と同一部分については同一番号を付して
詳しい説明を省略し、相違する点について説明する。
第１図（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明の一実施例に
おけるICの仮接合方法を示すものであり、まず始めに、
ガラス配線基板１上に紫外線硬化型の絶縁性樹脂２を塗
布する。その後、吸着加圧ヘッド５によりトレイまたは
パーツカセット（図示せず）に収納されているIC3を吸
着保持し、ガラス配線基板１の上部に移載する。その
後、ガラス配線基板１上の電極パッドとIC3の電極パッ
ドの位置をカメラ（図示せず）で認識し、紫外線硬化型
の絶縁性樹脂２上にIC3をマウントすると同時に、加圧
押圧する。この場合、ガラス配線基板１の電極パッドと
IC3の電極パッドは合致している（第１図（ａ））。さ
らに、紫外線発光体４をある任意時間だけIC3の中央部
すなわち絶縁性樹脂２の中央部に短時間照射し、仮接合
を行う（第１図（ｂ））。この方法を繰り返して複数個
のIC3を連続的に仮接合する（第１図（ｃ））。
おけるICの仮接合方法を示すものであり、まず始めに、
ガラス配線基板１上に紫外線硬化型の絶縁性樹脂２を塗
布する。その後、吸着加圧ヘッド５によりトレイまたは
パーツカセット（図示せず）に収納されているIC3を吸
着保持し、ガラス配線基板１の上部に移載する。その
後、ガラス配線基板１上の電極パッドとIC3の電極パッ
ドの位置をカメラ（図示せず）で認識し、紫外線硬化型
の絶縁性樹脂２上にIC3をマウントすると同時に、加圧
押圧する。この場合、ガラス配線基板１の電極パッドと
IC3の電極パッドは合致している（第１図（ａ））。さ
らに、紫外線発光体４をある任意時間だけIC3の中央部
すなわち絶縁性樹脂２の中央部に短時間照射し、仮接合
を行う（第１図（ｂ））。この方法を繰り返して複数個
のIC3を連続的に仮接合する（第１図（ｃ））。
第２図は、仮接合後の連続的に並べられたIC3を紫外
線発光ランプによって、一括して本接合を行う方法を示
すものであり、図において６は紫外線硬化型の絶縁性樹
脂２を硬化させるための紫外線発光ランプ、７はIC3を
加圧するための個別加圧ヘッドである。第１図に示す方
法でIC3を仮接合したガラス配線基板１を吸着固定する
ステージ（図示せず）上に置き、その後、IC3に対して
ある基準以上の平行度に調整せれた個別加圧ヘッド７を
下降させ、ある設定値の加圧力でIC3を挿圧する。そし
て紫外線発光ランプ６によりガラス配線基板１の下面よ
り紫外線硬化型の絶縁性樹脂２に対して紫外線を照射
し、絶縁性樹脂２を硬化させて本接合し、IC3の接合パ
ッドとガラス配線基板１の電極パッドとの接続を行うの
である。
線発光ランプによって、一括して本接合を行う方法を示
すものであり、図において６は紫外線硬化型の絶縁性樹
脂２を硬化させるための紫外線発光ランプ、７はIC3を
加圧するための個別加圧ヘッドである。第１図に示す方
法でIC3を仮接合したガラス配線基板１を吸着固定する
ステージ（図示せず）上に置き、その後、IC3に対して
ある基準以上の平行度に調整せれた個別加圧ヘッド７を
下降させ、ある設定値の加圧力でIC3を挿圧する。そし
て紫外線発光ランプ６によりガラス配線基板１の下面よ
り紫外線硬化型の絶縁性樹脂２に対して紫外線を照射
し、絶縁性樹脂２を硬化させて本接合し、IC3の接合パ
ッドとガラス配線基板１の電極パッドとの接続を行うの
である。
従来の例では１個のIC（形状:0.7mm×14mm）あたり固
定するのに30秒かかり、したがってガラス配線基板上に
複数個のICを連続的に並べて接合する場合、所要工程時
間その個数との積になっていたが、上記実施例によれ
ば、１個のICに対し、紫外線をICの中央部に数秒間だけ
照射し、その方法を繰り返して、複数個のICをガラス配
線基板上に仮固定しているため、仮固定する時間が大幅
に短縮される。また仮固定した複数個のICを本硬化する
時間はおおよそ30秒であるので、例えば、従来の技術で
はICがガラス配線基板に14個並んだ場合、30秒（紫外線
を１個のICに照射して硬化させる時間）×14個でおおよ
そ７分必要としていたのが、上記実施例によれば、仮接
合のために必要な紫外線照射時間は１個のICあたり２秒
であり、14個で28秒、本接合は14個一括して30秒で本硬
化できるため、合計58秒となり極めて短時間でICを接合
でき、生産性を孔向上できるという硬化が得られる。
定するのに30秒かかり、したがってガラス配線基板上に
複数個のICを連続的に並べて接合する場合、所要工程時
間その個数との積になっていたが、上記実施例によれ
ば、１個のICに対し、紫外線をICの中央部に数秒間だけ
照射し、その方法を繰り返して、複数個のICをガラス配
線基板上に仮固定しているため、仮固定する時間が大幅
に短縮される。また仮固定した複数個のICを本硬化する
時間はおおよそ30秒であるので、例えば、従来の技術で
はICがガラス配線基板に14個並んだ場合、30秒（紫外線
を１個のICに照射して硬化させる時間）×14個でおおよ
そ７分必要としていたのが、上記実施例によれば、仮接
合のために必要な紫外線照射時間は１個のICあたり２秒
であり、14個で28秒、本接合は14個一括して30秒で本硬
化できるため、合計58秒となり極めて短時間でICを接合
でき、生産性を孔向上できるという硬化が得られる。
発明の効果 上記実施例により明らかなように本発明によれば、複
数個のICを絶縁性樹脂を用いて順次仮接合し、最後に紫
外線により同時に本接合しているため、ICとガラス配線
基板との接合工程の時間を短縮することができる。
数個のICを絶縁性樹脂を用いて順次仮接合し、最後に紫
外線により同時に本接合しているため、ICとガラス配線
基板との接合工程の時間を短縮することができる。
第１図（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明の一実施例にお
けるICの接合方法を示す工程図、第２図は第１図におい
て仮接合されたICとガラス配線基板とを本接合する方法
を示す図、第３図（ａ），（ｂ），（ｃ）は従来のICの
接合方法を示す工程図である。 １……ガラス配線基板、２……紫外線硬化型の絶縁性樹
脂、３……IC半導体素子、４……紫外線発光体、６……
紫外線発光ランプ
けるICの接合方法を示す工程図、第２図は第１図におい
て仮接合されたICとガラス配線基板とを本接合する方法
を示す図、第３図（ａ），（ｂ），（ｃ）は従来のICの
接合方法を示す工程図である。 １……ガラス配線基板、２……紫外線硬化型の絶縁性樹
脂、３……IC半導体素子、４……紫外線発光体、６……
紫外線発光ランプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今西 誠 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 金山 真司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−240036（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−44742（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−22834（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−209741（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−129843（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−195033（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/60 311
Claims (2)
- 【請求項１】ガラス配線基板上に紫外線硬化型の絶縁性
樹脂を塗布した後、その絶縁性樹脂上にIC半導体素子を
搭載して紫外線照射により仮硬化させる工程を繰り返
し、連続的にIC半導体素子を並べ、前記連続的に並べら
れたIC半導体素子を一括して加圧ヘッドにより加圧する
と同時に、前記ガラス配線基板の下方から紫外線を照射
し、前記絶縁性樹脂を本硬化させることにより、ガラス
配線基板上の電極パッドとIC半導体素子の電極パッドと
の接合を行うことを特徴とするIC半導体素子の接合方
法。 - 【請求項２】仮硬化の際、IC半導体素子の中央部のみに
紫外線を照射し、IC半導体素子を仮固定することを特徴
とした請求の範囲１記載のIC半導体素子の接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30978890A JP2841846B2 (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | Ｉｃ半導体素子の接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30978890A JP2841846B2 (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | Ｉｃ半導体素子の接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04180242A JPH04180242A (ja) | 1992-06-26 |
| JP2841846B2 true JP2841846B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=17997251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30978890A Expired - Fee Related JP2841846B2 (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | Ｉｃ半導体素子の接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2841846B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4768188B2 (ja) * | 2000-01-14 | 2011-09-07 | 東レエンジニアリング株式会社 | チップ実装方法および装置 |
| JP5926590B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2016-05-25 | デクセリアルズ株式会社 | 接続体の製造方法、及び電子部品の接続方法 |
-
1990
- 1990-11-14 JP JP30978890A patent/JP2841846B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04180242A (ja) | 1992-06-26 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |