JPH04278547A - 実装装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
実装装置及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH04278547A JPH04278547A JP3041547A JP4154791A JPH04278547A JP H04278547 A JPH04278547 A JP H04278547A JP 3041547 A JP3041547 A JP 3041547A JP 4154791 A JP4154791 A JP 4154791A JP H04278547 A JPH04278547 A JP H04278547A
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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-
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- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子などの実装
装置及び光学画像を電気信号に変換するイメージセンサ
などの半導体装置の製造方法に関するものである。
装置及び光学画像を電気信号に変換するイメージセンサ
などの半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度の多端子、狭ピッチの半導
体装置の実装を目的として、光あるいは熱硬化型の絶縁
樹脂により導体配線を有する回路基板の電極と半導体素
子上のバンプ電極とを接触させ固定する実装方法が特開
平２−４４７４２号公報などにより提案されている。ま
た最近では、半導体素子のバンプ電極はＡｕなどのメッ
キにより形成するため高価であることからバンプを用い
ない実装方法も提案されている。
体装置の実装を目的として、光あるいは熱硬化型の絶縁
樹脂により導体配線を有する回路基板の電極と半導体素
子上のバンプ電極とを接触させ固定する実装方法が特開
平２−４４７４２号公報などにより提案されている。ま
た最近では、半導体素子のバンプ電極はＡｕなどのメッ
キにより形成するため高価であることからバンプを用い
ない実装方法も提案されている。
【０００３】以下図面を参照しながら、上記した従来の
バンプを用いない構造の半導体装置の製造方法の一例に
ついて説明する。
バンプを用いない構造の半導体装置の製造方法の一例に
ついて説明する。
【０００４】図２（ａ）、（ｂ）は、従来の実装装置に
よりイメージセンサを製造する場合の正面断面図と側面
断面図を示すものであり、二つの半導体素子よりなって
いる。図２において、１は透光性基板、２は透光性基板
の表面上に形成された回路導体層の電極である。３は半
導体素子として用いたイメージセンサチップ、１１は半
導体イメージセンサチップ３に設けられている受光素子
、４は半導体イメージセンサチップ３に設けられている
電極で、透光性基板上の電極２と電気的接続をする。 ５は半導体イメージセンサチップ３を透光性基板１に固
定するための透光性紫外線硬化型樹脂である。７は透光
性基板を保持するステージ、９はイメージセンサチップ
３の吸着及び加圧器で、１０は紫外線照射光源である。
よりイメージセンサを製造する場合の正面断面図と側面
断面図を示すものであり、二つの半導体素子よりなって
いる。図２において、１は透光性基板、２は透光性基板
の表面上に形成された回路導体層の電極である。３は半
導体素子として用いたイメージセンサチップ、１１は半
導体イメージセンサチップ３に設けられている受光素子
、４は半導体イメージセンサチップ３に設けられている
電極で、透光性基板上の電極２と電気的接続をする。 ５は半導体イメージセンサチップ３を透光性基板１に固
定するための透光性紫外線硬化型樹脂である。７は透光
性基板を保持するステージ、９はイメージセンサチップ
３の吸着及び加圧器で、１０は紫外線照射光源である。
【０００５】以上のように構成されたイメージセンサの
製造方法を、以下に説明する。まず、回路導体層とその
電極２を形成した透光性基板１上に、一つ目の半導体イ
メージセンサチップ３を実装する所定の位置にアクリレ
ート系の透光性紫外線硬化型樹脂５をスタンピンング法
、スクリーン印刷法などにより所定量塗布する。次に、
吸着及び加圧器９で一つ目の半導体イメージセンサチッ
プ３の電極４を形成した反対側の裏面を吸引及び加圧気
で真空吸着し、透光性基板１上の所定の位置に移動する
。その後、吸着及び加圧器９の上部より圧力を加えなが
ら、紫外線硬化型樹脂５を介した半導体イメージセンサ
チップ３の電極４と回路導体層の電極２とを接合させて
電気的導通をとる。その状態で、紫外線照射光源１０に
より紫外線光を照射して紫外線硬化型樹脂５の硬化を行
い一つ目の半導体イメージセンサチップ３の固定を行う
。更に同様の方法で、二つ目の半導体イメージセンサチ
ップ３を固定してイメージセンサを製造していた。
製造方法を、以下に説明する。まず、回路導体層とその
電極２を形成した透光性基板１上に、一つ目の半導体イ
メージセンサチップ３を実装する所定の位置にアクリレ
ート系の透光性紫外線硬化型樹脂５をスタンピンング法
、スクリーン印刷法などにより所定量塗布する。次に、
吸着及び加圧器９で一つ目の半導体イメージセンサチッ
プ３の電極４を形成した反対側の裏面を吸引及び加圧気
で真空吸着し、透光性基板１上の所定の位置に移動する
。その後、吸着及び加圧器９の上部より圧力を加えなが
ら、紫外線硬化型樹脂５を介した半導体イメージセンサ
チップ３の電極４と回路導体層の電極２とを接合させて
電気的導通をとる。その状態で、紫外線照射光源１０に
より紫外線光を照射して紫外線硬化型樹脂５の硬化を行
い一つ目の半導体イメージセンサチップ３の固定を行う
。更に同様の方法で、二つ目の半導体イメージセンサチ
ップ３を固定してイメージセンサを製造していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の方
法では、製造時間が長いという問題点を有していた。こ
れは、紫外線硬化型樹脂の硬化を行い半導体イメージセ
ンサチップの固定を行う工程の時間が、全工程の時間の
中に占める割合が大きく、このため、およそ半導体イメ
ージセンサチップの個数と比例して増やせば増やすほど
長くなるという問題点があった。
法では、製造時間が長いという問題点を有していた。こ
れは、紫外線硬化型樹脂の硬化を行い半導体イメージセ
ンサチップの固定を行う工程の時間が、全工程の時間の
中に占める割合が大きく、このため、およそ半導体イメ
ージセンサチップの個数と比例して増やせば増やすほど
長くなるという問題点があった。
【０００７】本発明は上記問題点に鑑み、二つ以上の複
数個の半導体素子を使用して半導体装置を製造する場合
、製造時間を短縮することができる実装装置及び半導体
装置の製造方法を提供するものである。
数個の半導体素子を使用して半導体装置を製造する場合
、製造時間を短縮することができる実装装置及び半導体
装置の製造方法を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の実装装置は、二つ以上の素子を加圧する素
子の数以上の加圧器と、素子を実装する基板を保持する
ステージと、光照射光源とを備えており、複数個の前記
加圧器が同時に前記素子を加圧した状態で光硬化樹脂を
硬化する前記光照射装置を設けたこと特徴とするもので
ある。また半導体装置の製造方法は、二つ以上の半導体
素子と、回路導体層を形成した透光性基板と、光硬化型
絶縁樹脂とを備え、半導体素子を光硬化型絶縁樹脂を介
して透光性基板に加圧し、光照射により前記光硬化樹脂
を硬化して透光性基板上に形成された回路導体層の電極
と半導体素子上に形成された電極とを接合させて固定す
る工程に於て、前記半導体素子を個別に複数個同時に加
圧固定することを特徴とすものである。
めに本発明の実装装置は、二つ以上の素子を加圧する素
子の数以上の加圧器と、素子を実装する基板を保持する
ステージと、光照射光源とを備えており、複数個の前記
加圧器が同時に前記素子を加圧した状態で光硬化樹脂を
硬化する前記光照射装置を設けたこと特徴とするもので
ある。また半導体装置の製造方法は、二つ以上の半導体
素子と、回路導体層を形成した透光性基板と、光硬化型
絶縁樹脂とを備え、半導体素子を光硬化型絶縁樹脂を介
して透光性基板に加圧し、光照射により前記光硬化樹脂
を硬化して透光性基板上に形成された回路導体層の電極
と半導体素子上に形成された電極とを接合させて固定す
る工程に於て、前記半導体素子を個別に複数個同時に加
圧固定することを特徴とすものである。
【０００９】
【作用】本発明は上記した方法とすることにより、二つ
以上の複数個の半導体素子を使用して半導体装置を製造
する場合、加圧固定する工程を一度に済ませて、複数個
の半導体素子の個数と比例して増やせば増やすほど製造
時間が長くなるという従来の問題点を解決できるもので
あり、製造時間を短縮することができる実装装置及び半
導体装置の製造方法である。
以上の複数個の半導体素子を使用して半導体装置を製造
する場合、加圧固定する工程を一度に済ませて、複数個
の半導体素子の個数と比例して増やせば増やすほど製造
時間が長くなるという従来の問題点を解決できるもので
あり、製造時間を短縮することができる実装装置及び半
導体装置の製造方法である。
【００１０】
【実施例】以下図面を参照しながら、上記した本発明の
一実施例について説明する。また、従来と同一工程につ
いては図２も参照にして説明する。
一実施例について説明する。また、従来と同一工程につ
いては図２も参照にして説明する。
【００１１】図１は、本発明によりイメージセンサを製
造する場合の正面断面図を示すものである。図１におい
て、図２と同一部分には同一符号を付けている。
造する場合の正面断面図を示すものである。図１におい
て、図２と同一部分には同一符号を付けている。
【００１２】図１において、１は透光性基板、２は透光
性基板の表面上に形成された回路導体層の電極である。 ３は半導体素子として用いたイメージセンサチップ、４
は半導体イメージセンサチップ３に設けられている電極
で、透光性基板上の電極２と電気的接続をする。５は半
導体イメージセンサチップ３を透光性基板１に固定する
ための透光性紫外線硬化型樹脂である。６は二つの半導
体イメージセンサチップ３の加圧器で、７は透光性基板
を保持するステージ、８は紫外線照射光源である。
性基板の表面上に形成された回路導体層の電極である。 ３は半導体素子として用いたイメージセンサチップ、４
は半導体イメージセンサチップ３に設けられている電極
で、透光性基板上の電極２と電気的接続をする。５は半
導体イメージセンサチップ３を透光性基板１に固定する
ための透光性紫外線硬化型樹脂である。６は二つの半導
体イメージセンサチップ３の加圧器で、７は透光性基板
を保持するステージ、８は紫外線照射光源である。
【００１３】以上のように構成されたイメージセンサの
製造方法を、以下に説明する。まず、半導体プロセスを
用いて単結晶シリコン基板（ウエハ）上に、フォトトラ
ンジスタまたはフォトダイオードなどの受光素子１１と
ＣＣＤやＭＯＳ、バイポーラＩＣなどのアクセス回路（
図示せず）を設けたものを製造する。各電極４について
は、２層Ａｌ配線のプロセスを用い、スパッタリング法
により数μｍ程度ウエハ表面より突出した構造になって
いる。その後、このウエハを高精度ダイシング技術によ
り切断し、半導体イメージセンサチップ３を作る。また
、コーニング社７０５９のガラス基板を透光性基板１と
し、この透光性基板１上に厚膜印刷などによって形成し
た回路導体層と電極２を形成する。あるいは透光性基板
１として、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルエーテ
ルケトン（ＰＥＥＫ）などの透明フィルム基板上に、銅
などの金属を、蒸着法またはスパッタリング法を用いて
形成し、後にフォトリソ法などによって回路導体を形成
してもよい。この透光性基板１上の所定の位置に、アク
リレート系の透光性紫外線硬化型樹脂５をスタンピンン
グ法やスクリーン印刷法などにより所定量塗布する。 次に、吸着器９で一つ目の半導体イメージセンサチップ
３の電極４を形成した反対側の裏面を真空吸着し、透光
性基板１上の所定の位置に移動する。そして、透光性基
板１上に密着させ置く。更に同様の方法で、二つ目の半
導体イメージセンサチップ３を透光性基板１上に置く。 その後、二つの半導体イメージセンサチップ３の裏面を
個別の加圧器６で同時に上部より圧力を加えながら、紫
外線硬化型樹脂５を介した半導体イメージセンサチップ
３の電極４と回路導体層の電極２とを接合させて電気的
導通をとる。その状態で、紫外線照射光源８により紫外
線光を照射して紫外線硬化型樹脂５の硬化を行い二つの
半導体イメージセンサチップ３の固定を行う。
製造方法を、以下に説明する。まず、半導体プロセスを
用いて単結晶シリコン基板（ウエハ）上に、フォトトラ
ンジスタまたはフォトダイオードなどの受光素子１１と
ＣＣＤやＭＯＳ、バイポーラＩＣなどのアクセス回路（
図示せず）を設けたものを製造する。各電極４について
は、２層Ａｌ配線のプロセスを用い、スパッタリング法
により数μｍ程度ウエハ表面より突出した構造になって
いる。その後、このウエハを高精度ダイシング技術によ
り切断し、半導体イメージセンサチップ３を作る。また
、コーニング社７０５９のガラス基板を透光性基板１と
し、この透光性基板１上に厚膜印刷などによって形成し
た回路導体層と電極２を形成する。あるいは透光性基板
１として、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルエーテ
ルケトン（ＰＥＥＫ）などの透明フィルム基板上に、銅
などの金属を、蒸着法またはスパッタリング法を用いて
形成し、後にフォトリソ法などによって回路導体を形成
してもよい。この透光性基板１上の所定の位置に、アク
リレート系の透光性紫外線硬化型樹脂５をスタンピンン
グ法やスクリーン印刷法などにより所定量塗布する。 次に、吸着器９で一つ目の半導体イメージセンサチップ
３の電極４を形成した反対側の裏面を真空吸着し、透光
性基板１上の所定の位置に移動する。そして、透光性基
板１上に密着させ置く。更に同様の方法で、二つ目の半
導体イメージセンサチップ３を透光性基板１上に置く。 その後、二つの半導体イメージセンサチップ３の裏面を
個別の加圧器６で同時に上部より圧力を加えながら、紫
外線硬化型樹脂５を介した半導体イメージセンサチップ
３の電極４と回路導体層の電極２とを接合させて電気的
導通をとる。その状態で、紫外線照射光源８により紫外
線光を照射して紫外線硬化型樹脂５の硬化を行い二つの
半導体イメージセンサチップ３の固定を行う。
【００１４】上記のようにして、イメージセンサを製造
する。このイメージセンサについては、透光性基板１及
び透光性紫外線硬化型樹脂５を通して光情報を受光素子
１１が検知し、これを電気信号に変換するようになって
いる。
する。このイメージセンサについては、透光性基板１及
び透光性紫外線硬化型樹脂５を通して光情報を受光素子
１１が検知し、これを電気信号に変換するようになって
いる。
【００１５】紫外線硬化型絶縁樹脂５としては、ウレタ
ンアクリレート系、あるいはエポキシアクリレート系紫
外線硬化型絶縁樹脂が接着性、感度の点から好適である
。
ンアクリレート系、あるいはエポキシアクリレート系紫
外線硬化型絶縁樹脂が接着性、感度の点から好適である
。
【００１６】以上のように本実施例によれば、透光性基
板１上に形成された回路導体層の電極２と半導体イメー
ジセンサ３上に形成された電極４とを接合させて固定す
る工程に於て、半導体イメージセンサ３を二つ個別に同
時加圧固定することにより、加圧固定時間を半分とする
事ができ、製造時間を短縮することができる。
板１上に形成された回路導体層の電極２と半導体イメー
ジセンサ３上に形成された電極４とを接合させて固定す
る工程に於て、半導体イメージセンサ３を二つ個別に同
時加圧固定することにより、加圧固定時間を半分とする
事ができ、製造時間を短縮することができる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、二つ以上
の半導体素子を光硬化型絶縁樹脂を介して透光性基板に
加圧した状態で光硬化樹脂に光照射光源より光照射して
、透光性基板上に形成された回路導体層の電極と半導体
半導体素子上に形成された電極とを接合させて固定する
場合、半導体素子を個別に複数個同時に加圧固定するも
のである。この事により、従来の方法のように二つ以上
の複数個の半導体素子を使用して半導体装置を製造する
場合、半導体素子の数と比例して増やせば増やすほど製
造時間が長くなるという問題点を解決でき、製造時間を
短縮することができるものである。
の半導体素子を光硬化型絶縁樹脂を介して透光性基板に
加圧した状態で光硬化樹脂に光照射光源より光照射して
、透光性基板上に形成された回路導体層の電極と半導体
半導体素子上に形成された電極とを接合させて固定する
場合、半導体素子を個別に複数個同時に加圧固定するも
のである。この事により、従来の方法のように二つ以上
の複数個の半導体素子を使用して半導体装置を製造する
場合、半導体素子の数と比例して増やせば増やすほど製
造時間が長くなるという問題点を解決でき、製造時間を
短縮することができるものである。
【図１】本発明の実施例における実装装置によりイメー
ジセンサを製造する場合の正面断面図である。
ジセンサを製造する場合の正面断面図である。
【図２】（ａ）従来の実装装置によりイメージセンサを
製造する場合の正面断面図である。 （ｂ）従来の実装装置によりイメージセンサを製造する
場合の側面断面図である。
製造する場合の正面断面図である。 （ｂ）従来の実装装置によりイメージセンサを製造する
場合の側面断面図である。
１ 透光性基板
２ 回路導体層の電極
３ イメージセンサチップ
４ イメージセンサチップの電極
５ 紫外線硬化型樹脂
６ 加圧器
７ ステージ
８ 紫外線照射光源
９ 吸着及び加圧器
１０ 紫外線照射光源
１１ 受光素子
Claims (3)
- 【請求項１】 二つ以上の素子を加圧する素子の数以
上の加圧器と、素子を実装する基板を保持するステージ
と、光照射光源とを備えた実装装置に置いて、複数個の
前記加圧器が同時に前記素子を加圧した状態で光硬化樹
脂を硬化する前記光照射光源を設けたことを特徴とする
実装装置。 - 【請求項２】 二つ以上の半導体素子と、回路導体層
を形成した透光性基板と、光硬化型絶縁樹脂とを備え、
前記半導体素子を前記光硬化型絶縁樹脂を介して前記透
光性基板に加圧し、光照射により前記光硬化型絶縁樹脂
を硬化して前記透光性基板上に形成された回路導体層の
電極と前記半導体素子上に形成された電極とを接合させ
て固定する工程に於て、前記半導体素子を個別に複数個
同時に加圧固定することを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項３】 前記半導体素子がイメージセンサであ
ることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3041547A JPH04278547A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 実装装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3041547A JPH04278547A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 実装装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04278547A true JPH04278547A (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=12611454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3041547A Pending JPH04278547A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 実装装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04278547A (ja) |
-
1991
- 1991-03-07 JP JP3041547A patent/JPH04278547A/ja active Pending
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