JPH06120465A - 実装装置 - Google Patents
実装装置Info
- Publication number
- JPH06120465A JPH06120465A JP4267070A JP26707092A JPH06120465A JP H06120465 A JPH06120465 A JP H06120465A JP 4267070 A JP4267070 A JP 4267070A JP 26707092 A JP26707092 A JP 26707092A JP H06120465 A JPH06120465 A JP H06120465A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- head
- image sensor
- chip
- mounting
- pressurizing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/758—Means for moving parts
- H01L2224/75821—Upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head
- H01L2224/75822—Rotational mechanism
- H01L2224/75823—Pivoting mechanism
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 フリップチップ実装方式で、素子を均一に加
圧し、位置ずれを起こさずに高精度に実装できる実装装
置。 【構成】 ステージ１８上に透光性基板１１を置き、基
板１１の半導体イメージセンサチップ１３を固着する部
分に紫外線硬化型絶縁樹脂１５を塗布する。次に、チッ
プ１３の電極１４と基板１１上の電極１２とを一致さ
せ、加圧ヘッド部１６をチップ１３上に降ろす。加圧ヘ
ッド部１６は予めステージ１８に対して平行度を調整し
てあるヘッド３と、ホルダー１と、その間にある弾性体
６から成り、加圧時にチップ１３の傾きを吸収してい
る。この状態で、チップ１３を加圧しながら、下部から
紫外線照射光源１９により紫外線照射を行い、樹脂１５
を硬化する。この動作によって、の電極１２と電極１４
の電気的接合を取りながらチップ１３を基板１１上に固
着する。この動作を何回繰り返してもヘッド３はステー
ジ１８に対する平行度を維持し続けるため、実装加圧時
にチップ１３の位置ずれを起こさずに高精度で実装可能
である。
圧し、位置ずれを起こさずに高精度に実装できる実装装
置。 【構成】 ステージ１８上に透光性基板１１を置き、基
板１１の半導体イメージセンサチップ１３を固着する部
分に紫外線硬化型絶縁樹脂１５を塗布する。次に、チッ
プ１３の電極１４と基板１１上の電極１２とを一致さ
せ、加圧ヘッド部１６をチップ１３上に降ろす。加圧ヘ
ッド部１６は予めステージ１８に対して平行度を調整し
てあるヘッド３と、ホルダー１と、その間にある弾性体
６から成り、加圧時にチップ１３の傾きを吸収してい
る。この状態で、チップ１３を加圧しながら、下部から
紫外線照射光源１９により紫外線照射を行い、樹脂１５
を硬化する。この動作によって、の電極１２と電極１４
の電気的接合を取りながらチップ１３を基板１１上に固
着する。この動作を何回繰り返してもヘッド３はステー
ジ１８に対する平行度を維持し続けるため、実装加圧時
にチップ１３の位置ずれを起こさずに高精度で実装可能
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子などの実装
装置に関するもので、とりわけ光学画像を電気信号に変
換するイメージセンサを製造する実装装置に関するもの
である。
装置に関するもので、とりわけ光学画像を電気信号に変
換するイメージセンサを製造する実装装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、イメージセンサは高速ファクシミ
リやインテリジェントＰＰＣ、小型スキャナー等の画像
入力用のデバイスとして、各種ラインセンサが活発に開
発されている。密着型のラインセンサは縮小型に比べて
光学系が簡単であるため、装置が小型化でき、調整も容
易である。また画素サイズを大きくすることができるの
で、高感度が得られるなどの利点がある。
リやインテリジェントＰＰＣ、小型スキャナー等の画像
入力用のデバイスとして、各種ラインセンサが活発に開
発されている。密着型のラインセンサは縮小型に比べて
光学系が簡単であるため、装置が小型化でき、調整も容
易である。また画素サイズを大きくすることができるの
で、高感度が得られるなどの利点がある。
【０００３】密着型イメージセンサは、受光素子をアモ
ルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）あるいはＣｄＳ等により
形成する薄膜型と、ＣＣＤあるいはバイポーラフォトト
ランジスタ等による結晶型に大別できる。その性能では
結晶型センサが優れているが、チップサイズがＳｉウエ
ハサイズに制限されるため、複数個のセンサチップを基
板上に配列する必要がある。
ルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）あるいはＣｄＳ等により
形成する薄膜型と、ＣＣＤあるいはバイポーラフォトト
ランジスタ等による結晶型に大別できる。その性能では
結晶型センサが優れているが、チップサイズがＳｉウエ
ハサイズに制限されるため、複数個のセンサチップを基
板上に配列する必要がある。
【０００４】チップを実装する方法は、基板上にチップ
をフェイスアップで置いて、電極をワイヤーでつなぐワ
イヤーボンド方式と、電極を施した透光性基板上にチッ
プをフェイスダウンで置いて、チップの電極と透光性基
板上の電極を半田あるいはＡｕ等のバンプを介して接合
したり、また一切のバンプを介さず直接電極同士を接合
し、絶縁樹脂等により透光性基板上にチップを固定する
フリップチップ実装方式に大別できる。
をフェイスアップで置いて、電極をワイヤーでつなぐワ
イヤーボンド方式と、電極を施した透光性基板上にチッ
プをフェイスダウンで置いて、チップの電極と透光性基
板上の電極を半田あるいはＡｕ等のバンプを介して接合
したり、また一切のバンプを介さず直接電極同士を接合
し、絶縁樹脂等により透光性基板上にチップを固定する
フリップチップ実装方式に大別できる。
【０００５】フリップチップ実装方式については、実装
装置として特開平３−００４５４６号公報等により接続
の信頼性を高める方法が提案されている。
装置として特開平３−００４５４６号公報等により接続
の信頼性を高める方法が提案されている。
【０００６】以下図面を参照しながら、フリップチップ
実装方式を用いた従来の結晶型イメージセンサを製造す
るための実装装置の一例について説明する。
実装方式を用いた従来の結晶型イメージセンサを製造す
るための実装装置の一例について説明する。
【０００７】図３（ａ）、（ｂ）は従来の実装装置にお
ける加圧ヘッド部の断面図と底面図を示すものである。
図４（ａ）、（ｂ）は実装装置によりイメージセンサを
製造する場合の全体図の正面断面図と側面断面図を示す
ものであり、二つの半導体素子よりなっている。図５
（ａ）はヘッドとステージの平行度の関係を示してお
り、水平に対してヘッドの平行度を調整したもので１０
個のヘッドで構成されている。図３において、２１はホ
ルダー、２３はヘッドで、２５はホルダー及びヘッド組
み合わせ用兼平行度調整用ネジである。２６は弾性体
で、２７は加圧器からの圧力を受ける支柱である。図４
において、３１は透光性基板、３２は透光性基板の表面
上に形成された回路導体層の電極である。３３は半導体
素子として用いたイメージセンサチップ、３４は半導体
イメージセンサチップ３３に設けられている電極で、透
光性基板３１上の電極３２と電気的接続をする。４０は
半導体イメージセンサチップ３３に設けられている受光
素子、３５は半導体イメージセンサチップ３３を透光性
基板３１に固定するための透光性紫外線硬化型絶縁樹脂
である。３６は図３に相当する加圧ヘッド部で、３７は
加圧ヘッド部３６を介して半導体イメージセンサチップ
３３に圧力を加える加圧器である。３８は透光性基板を
保持するステージ、３９は紫外線照射光源である。ま
た、図５（ａ）において、４３は水平に対して個々の平
行度を調整したヘッドで、４８は反りを生じているステ
ージである。
ける加圧ヘッド部の断面図と底面図を示すものである。
図４（ａ）、（ｂ）は実装装置によりイメージセンサを
製造する場合の全体図の正面断面図と側面断面図を示す
ものであり、二つの半導体素子よりなっている。図５
（ａ）はヘッドとステージの平行度の関係を示してお
り、水平に対してヘッドの平行度を調整したもので１０
個のヘッドで構成されている。図３において、２１はホ
ルダー、２３はヘッドで、２５はホルダー及びヘッド組
み合わせ用兼平行度調整用ネジである。２６は弾性体
で、２７は加圧器からの圧力を受ける支柱である。図４
において、３１は透光性基板、３２は透光性基板の表面
上に形成された回路導体層の電極である。３３は半導体
素子として用いたイメージセンサチップ、３４は半導体
イメージセンサチップ３３に設けられている電極で、透
光性基板３１上の電極３２と電気的接続をする。４０は
半導体イメージセンサチップ３３に設けられている受光
素子、３５は半導体イメージセンサチップ３３を透光性
基板３１に固定するための透光性紫外線硬化型絶縁樹脂
である。３６は図３に相当する加圧ヘッド部で、３７は
加圧ヘッド部３６を介して半導体イメージセンサチップ
３３に圧力を加える加圧器である。３８は透光性基板を
保持するステージ、３９は紫外線照射光源である。ま
た、図５（ａ）において、４３は水平に対して個々の平
行度を調整したヘッドで、４８は反りを生じているステ
ージである。
【０００８】以上のように構成されたイメージセンサの
実装工程について説明する。まず、回路導体層とその電
極３２を形成した透光性基板３１上に、一つ目の半導体
イメージセンサチップ３３を実装する所定の位置に、ア
クリレート系の透光性紫外線硬化型絶縁樹脂３５をスタ
ンピング法などにより所定量塗布する。次に、吸着器で
一つ目の半導体イメージセンサチップ３３の電極３４を
形成した反対側の面を真空吸着し、透光性基板３１上の
所定の位置に移動する。更に同様の方法で、二つ目の半
導体イメージセンサチップ３３を透光性基板３１上の所
定の位置に移動する。その後、二つの半導体イメージセ
ンサチップ３３の裏面に個別の加圧ヘッド部３６を静か
に追従させる。ここで、回路導体層は厚膜印刷等により
形成しているので、その電極３２の高さにはばらつきが
ある。また厚膜印刷等を施した透光性基板３１には、反
りが生じている場合がほとんどである。これらの諸問題
を解決するために、加圧ヘッド部３６に全ての方向に対
して追従可能な機構を設けている。その状態で、加圧器
３７を降ろし、半導体イメージセンサチップ３３に所定
の圧力を加えながら、透光性紫外線硬化型絶縁樹脂３５
を介した半導体イメージセンサチップ３３の電極３４と
回路導体層の電極３２とを接続させて電気的導通を取
る。その加圧している状態で、紫外線照射光源により紫
外線光を照射して透光性紫外線硬化型絶縁樹脂３５の硬
化を行い、全ての半導体イメージセンサチップ３３の固
定を行う。
実装工程について説明する。まず、回路導体層とその電
極３２を形成した透光性基板３１上に、一つ目の半導体
イメージセンサチップ３３を実装する所定の位置に、ア
クリレート系の透光性紫外線硬化型絶縁樹脂３５をスタ
ンピング法などにより所定量塗布する。次に、吸着器で
一つ目の半導体イメージセンサチップ３３の電極３４を
形成した反対側の面を真空吸着し、透光性基板３１上の
所定の位置に移動する。更に同様の方法で、二つ目の半
導体イメージセンサチップ３３を透光性基板３１上の所
定の位置に移動する。その後、二つの半導体イメージセ
ンサチップ３３の裏面に個別の加圧ヘッド部３６を静か
に追従させる。ここで、回路導体層は厚膜印刷等により
形成しているので、その電極３２の高さにはばらつきが
ある。また厚膜印刷等を施した透光性基板３１には、反
りが生じている場合がほとんどである。これらの諸問題
を解決するために、加圧ヘッド部３６に全ての方向に対
して追従可能な機構を設けている。その状態で、加圧器
３７を降ろし、半導体イメージセンサチップ３３に所定
の圧力を加えながら、透光性紫外線硬化型絶縁樹脂３５
を介した半導体イメージセンサチップ３３の電極３４と
回路導体層の電極３２とを接続させて電気的導通を取
る。その加圧している状態で、紫外線照射光源により紫
外線光を照射して透光性紫外線硬化型絶縁樹脂３５の硬
化を行い、全ての半導体イメージセンサチップ３３の固
定を行う。
【０００９】この時、マルチチップ実装では各チップ間
の実装ピッチ、チップの直線精度が出力画像に大きく影
響する。従って、チップ実装精度を高精度に保ち、且つ
実装時の位置ずれを起こさないようにしなければならな
い。
の実装ピッチ、チップの直線精度が出力画像に大きく影
響する。従って、チップ実装精度を高精度に保ち、且つ
実装時の位置ずれを起こさないようにしなければならな
い。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな実装工程において、従来の実装装置の加圧ヘッド部
を用いて実装していると、その加圧ヘッドの平行度調整
は、図２に示すような四つのネジの締め込み量に依存し
ているため、その調整は非常に困難であり、平行度が狂
うと加圧時に加圧ヘッドが半導体イメージセンサチップ
に追従するときに、正規の実装位置から半導体イメージ
センサを移動させる場合がある。また、ネジを最後まで
締め込んでいないため、ネジの緩みが起こり易く、その
結果平行度を維持することが困難である。仮にネジを最
後まで締め込んでいたとしてもネジに大きく依存してい
る追従機構であるため、数回の追従機構を繰り返してい
るうちに、やはりネジが緩むという結果を招き再びネジ
を締め込まなければならず、その調節が不定期に訪れる
ため、平行度が維持できなくなるという問題点を有して
いた。
うな実装工程において、従来の実装装置の加圧ヘッド部
を用いて実装していると、その加圧ヘッドの平行度調整
は、図２に示すような四つのネジの締め込み量に依存し
ているため、その調整は非常に困難であり、平行度が狂
うと加圧時に加圧ヘッドが半導体イメージセンサチップ
に追従するときに、正規の実装位置から半導体イメージ
センサを移動させる場合がある。また、ネジを最後まで
締め込んでいないため、ネジの緩みが起こり易く、その
結果平行度を維持することが困難である。仮にネジを最
後まで締め込んでいたとしてもネジに大きく依存してい
る追従機構であるため、数回の追従機構を繰り返してい
るうちに、やはりネジが緩むという結果を招き再びネジ
を締め込まなければならず、その調節が不定期に訪れる
ため、平行度が維持できなくなるという問題点を有して
いた。
【００１１】また、特開平３−００４５４６号公報によ
り提案されている構造を持つ加圧ヘッドでは、実装時に
半導体イメージセンサチップに容易に追従するのだけれ
ども、平行度の調整及び維持は非常に困難であるため、
その結果上記従来例と同様に実装位置がずれる。
り提案されている構造を持つ加圧ヘッドでは、実装時に
半導体イメージセンサチップに容易に追従するのだけれ
ども、平行度の調整及び維持は非常に困難であるため、
その結果上記従来例と同様に実装位置がずれる。
【００１２】また、基板を保持するステージはその自重
等により往々にして反りを生じていたり、平面度が精度
良く出ていない場合があるが、その場合、ヘッドの平行
度を水平に対して調整しているため、加圧時に加圧ヘッ
ド部が持っている追従機構の能力以上の稼動が必要な場
合、十分な加圧力が得られず実装不良を起こしたり、追
従機構の能力以内の稼動であっても、余りに大きい稼動
は加圧時に実装位置をずらすという問題点を有してい
た。
等により往々にして反りを生じていたり、平面度が精度
良く出ていない場合があるが、その場合、ヘッドの平行
度を水平に対して調整しているため、加圧時に加圧ヘッ
ド部が持っている追従機構の能力以上の稼動が必要な場
合、十分な加圧力が得られず実装不良を起こしたり、追
従機構の能力以内の稼動であっても、余りに大きい稼動
は加圧時に実装位置をずらすという問題点を有してい
た。
【００１３】本発明は上記問題点に鑑み、半導体素子を
透光性基板上に実装する実装装置、とりわけ半導体素子
としてイメージセンサチップを実装する実装装置におい
て、ヘッドとホルダーとその間にある弾性体から成る加
圧ヘッド部を備え、加圧時にはヘッドが半導体イメージ
センサチップに追従し、加圧後加圧ヘッド部が初期位置
に戻った時には、常に一定の平行度が保たれている実装
装置を提供するものである。また加圧ヘッドの平行度
は、透光性基板を保持するステージに対して調整してい
る。
透光性基板上に実装する実装装置、とりわけ半導体素子
としてイメージセンサチップを実装する実装装置におい
て、ヘッドとホルダーとその間にある弾性体から成る加
圧ヘッド部を備え、加圧時にはヘッドが半導体イメージ
センサチップに追従し、加圧後加圧ヘッド部が初期位置
に戻った時には、常に一定の平行度が保たれている実装
装置を提供するものである。また加圧ヘッドの平行度
は、透光性基板を保持するステージに対して調整してい
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の実装装置は、加圧器と、加圧ヘッド部と、
半導体素子を実装する基板を保持するステージと、光照
射光源を備えており、加圧ヘッド部について、ヘッドの
ホルダーへの取り付けは、取り付けネジがホルダーとヘ
ッドにまたがらず、ヘッドの平行度がネジの締め込み量
に依存せず、機械的にその部品精度に依存しており、加
圧時にはヘッドは半導体素子に追従し、それ以外の時に
は常に一定の平行度が保たれているというものである。
また、加圧ヘッドの平行度は水平に対してではなく、ス
テージに対して調整するというものである。
めに本発明の実装装置は、加圧器と、加圧ヘッド部と、
半導体素子を実装する基板を保持するステージと、光照
射光源を備えており、加圧ヘッド部について、ヘッドの
ホルダーへの取り付けは、取り付けネジがホルダーとヘ
ッドにまたがらず、ヘッドの平行度がネジの締め込み量
に依存せず、機械的にその部品精度に依存しており、加
圧時にはヘッドは半導体素子に追従し、それ以外の時に
は常に一定の平行度が保たれているというものである。
また、加圧ヘッドの平行度は水平に対してではなく、ス
テージに対して調整するというものである。
【００１５】
【作用】本発明は上記した構成によって、一度調整した
平行度は、ヘッドが半導体イメージセンサチップの裏面
に追従するという動作を何回も繰り返した後でも狂うこ
とがなく、またネジの締め込み量に依存している平行度
に比べて、加圧ヘッド部の各々の部品精度に依存する平
行度であるため、精度のよい部品さえ使えば平行度調整
は簡単で短時間で行うことができる。また、ステージに
反り等が生じていてもヘッドの平行度はステージに対し
て調整しているため、加圧ヘッド部が持っている追従機
構の能力以上の追従性が必要となることが無いので、実
装不良を起こすことはない。
平行度は、ヘッドが半導体イメージセンサチップの裏面
に追従するという動作を何回も繰り返した後でも狂うこ
とがなく、またネジの締め込み量に依存している平行度
に比べて、加圧ヘッド部の各々の部品精度に依存する平
行度であるため、精度のよい部品さえ使えば平行度調整
は簡単で短時間で行うことができる。また、ステージに
反り等が生じていてもヘッドの平行度はステージに対し
て調整しているため、加圧ヘッド部が持っている追従機
構の能力以上の追従性が必要となることが無いので、実
装不良を起こすことはない。
【００１６】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１７】図１（ａ）、（ｂ）は本発明の実装装置に
おける加圧ヘッド部の正面断面図と側面断面図を示すも
のである。図２（ａ）、（ｂ）は本発明の実装装置を用
いてイメージセンサを製造する場合の実装工程における
全体図の正面断面図と側面断面図を示すものであり、二
つの半導体素子よりなっている。図２（ｃ）は本発明の
実装装置を用いてイメージセンサを製造する場合の実装
工程における加圧時の加圧ヘッド部の追従機構を表す正
面断面図である。図５（ｂ）は本発明の実装装置のヘッ
ドとステージの平行度の関係を示しており、ステージに
対してヘッドの平行度を調整したもので、１０個のヘッ
ドで構成されている。図１、２において、１はホルダ
ー、２はヘッド支持プレートである。３はヘッド、４は
ヘッドを保持するアダプタでヘッド支持プレート２と面
で接している。５はヘッド支持プレート２をホルダー１
に固定するネジである。６はヘッドの追従機構を緩和す
るための弾性体で、位置がずれないようにホルダー内部
の突起に対してはめ込まれている。７は加圧器から加圧
ヘッド部に圧力を加えるための支柱である。１１は透光
性基板、１２は透光性基板の表面上に形成された回路導
体層の電極である。１３は半導体素子として用いたイメ
ージセンサチップ、１４は半導体イメージセンサチップ
１３に設けられている電極で、透光性基板１１上の電極
１２と電気的接続をする。２０は半導体イメージセンサ
チップ１３に設けられている受光素子、１５は半導体イ
メージセンサチップ１３を透光性基板１１に固定するた
めの透光性紫外線硬化型絶縁樹脂である。１６は図１に
相当する加圧ヘッド部で、１７は加圧ヘッド部１６を介
して半導体イメージセンサチップ１３に圧力を加える加
圧器である。１８は透光性基板を保持するステージ、１
９は紫外線照射光源である。また、図５（ｂ）におい
て、５３はステージに対して個々の平行度を調整したヘ
ッドで、５８は反りを生じているステージである。
おける加圧ヘッド部の正面断面図と側面断面図を示すも
のである。図２（ａ）、（ｂ）は本発明の実装装置を用
いてイメージセンサを製造する場合の実装工程における
全体図の正面断面図と側面断面図を示すものであり、二
つの半導体素子よりなっている。図２（ｃ）は本発明の
実装装置を用いてイメージセンサを製造する場合の実装
工程における加圧時の加圧ヘッド部の追従機構を表す正
面断面図である。図５（ｂ）は本発明の実装装置のヘッ
ドとステージの平行度の関係を示しており、ステージに
対してヘッドの平行度を調整したもので、１０個のヘッ
ドで構成されている。図１、２において、１はホルダ
ー、２はヘッド支持プレートである。３はヘッド、４は
ヘッドを保持するアダプタでヘッド支持プレート２と面
で接している。５はヘッド支持プレート２をホルダー１
に固定するネジである。６はヘッドの追従機構を緩和す
るための弾性体で、位置がずれないようにホルダー内部
の突起に対してはめ込まれている。７は加圧器から加圧
ヘッド部に圧力を加えるための支柱である。１１は透光
性基板、１２は透光性基板の表面上に形成された回路導
体層の電極である。１３は半導体素子として用いたイメ
ージセンサチップ、１４は半導体イメージセンサチップ
１３に設けられている電極で、透光性基板１１上の電極
１２と電気的接続をする。２０は半導体イメージセンサ
チップ１３に設けられている受光素子、１５は半導体イ
メージセンサチップ１３を透光性基板１１に固定するた
めの透光性紫外線硬化型絶縁樹脂である。１６は図１に
相当する加圧ヘッド部で、１７は加圧ヘッド部１６を介
して半導体イメージセンサチップ１３に圧力を加える加
圧器である。１８は透光性基板を保持するステージ、１
９は紫外線照射光源である。また、図５（ｂ）におい
て、５３はステージに対して個々の平行度を調整したヘ
ッドで、５８は反りを生じているステージである。
【００１８】以上のように構成されたイメージセンサの
実装工程について説明する。まず、半導体プロセスを用
いて単結晶シリコン基板（ウエハ）上に、フォトトラン
ジスタまたはフォトダイオードなどの受光素子２０と、
ＣＣＤやＭＯＳ、バイポーラＩＣなどのアクセス回路を
設けたものを製造する。各電極１４については、二層Ａ
ｌ配線のプロセスを用い、スパッタリング法により数μ
ｍ程度ウエハ表面より突き出した構造になっている。そ
の後、このウエハを高精度ダイシング技術により切断
し、半導体イメージセンサチップ１３を作る。またコー
ニング社７０５９のガラス基板を透光性基板１１とし、
この透光性基板１１上に厚膜印刷等によって形成した回
路導体層と電極１２を形成する。あるいは透光性基板１
１として、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリアリレート（Ｐ
Ａ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）などの
透明フィルム基板上に、銅などの金属を蒸着法またはス
パッタリング法などによって回路導体層を形成してもよ
い。この透光性基板１１上所定の位置に、アクリレート
系の透光性紫外線硬化型絶縁樹脂１５をスタンピング法
やスクリーン印刷法などにより所定量塗布する。次に吸
着器で一つ目の半導体イメージセンサチップ１３の電極
１４を形成した反対側の面を真空吸着し、透光性基板１
１上の所定の位置に移動する。更に同様の方法で、二つ
目の半導体イメージセンサチップ１３を透光性基板１１
上の所定の位置に移動する。その後、二つの半導体イメ
ージセンサチップ１３の裏面に個別の加圧ヘッド部１６
を静かに追従させる。ここで、回路導体層は厚膜印刷等
により形成した場合、その電極１２の高さにはばらつき
がある。また厚膜印刷等を施した透光性基板１１には、
反りが生じている場合がほとんどである。これらの諸問
題を解決するために、加圧ヘッド部１６に全ての方向に
対して追従可能な機構を設けている。その状態で、加圧
器１７を降ろし、半導体イメージセンサチップ１３に所
定の圧力を加えながら、透光性紫外線硬化型絶縁樹脂１
５を介した半導体イメージセンサチップ１３の電極１４
と回路導体層の電極１２とを接続させて電気的導通を取
る。その加圧している状態で、紫外線照射光源１９によ
り紫外線光を照射して透光性紫外線硬化型絶縁樹脂１５
の硬化を行い、全ての半導体イメージセンサチップの固
定を行う。
実装工程について説明する。まず、半導体プロセスを用
いて単結晶シリコン基板（ウエハ）上に、フォトトラン
ジスタまたはフォトダイオードなどの受光素子２０と、
ＣＣＤやＭＯＳ、バイポーラＩＣなどのアクセス回路を
設けたものを製造する。各電極１４については、二層Ａ
ｌ配線のプロセスを用い、スパッタリング法により数μ
ｍ程度ウエハ表面より突き出した構造になっている。そ
の後、このウエハを高精度ダイシング技術により切断
し、半導体イメージセンサチップ１３を作る。またコー
ニング社７０５９のガラス基板を透光性基板１１とし、
この透光性基板１１上に厚膜印刷等によって形成した回
路導体層と電極１２を形成する。あるいは透光性基板１
１として、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリアリレート（Ｐ
Ａ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）などの
透明フィルム基板上に、銅などの金属を蒸着法またはス
パッタリング法などによって回路導体層を形成してもよ
い。この透光性基板１１上所定の位置に、アクリレート
系の透光性紫外線硬化型絶縁樹脂１５をスタンピング法
やスクリーン印刷法などにより所定量塗布する。次に吸
着器で一つ目の半導体イメージセンサチップ１３の電極
１４を形成した反対側の面を真空吸着し、透光性基板１
１上の所定の位置に移動する。更に同様の方法で、二つ
目の半導体イメージセンサチップ１３を透光性基板１１
上の所定の位置に移動する。その後、二つの半導体イメ
ージセンサチップ１３の裏面に個別の加圧ヘッド部１６
を静かに追従させる。ここで、回路導体層は厚膜印刷等
により形成した場合、その電極１２の高さにはばらつき
がある。また厚膜印刷等を施した透光性基板１１には、
反りが生じている場合がほとんどである。これらの諸問
題を解決するために、加圧ヘッド部１６に全ての方向に
対して追従可能な機構を設けている。その状態で、加圧
器１７を降ろし、半導体イメージセンサチップ１３に所
定の圧力を加えながら、透光性紫外線硬化型絶縁樹脂１
５を介した半導体イメージセンサチップ１３の電極１４
と回路導体層の電極１２とを接続させて電気的導通を取
る。その加圧している状態で、紫外線照射光源１９によ
り紫外線光を照射して透光性紫外線硬化型絶縁樹脂１５
の硬化を行い、全ての半導体イメージセンサチップの固
定を行う。
【００１９】上記の一連の実装工程でイメージセンサを
製造する。量産時にはこの工程が繰り返し行われる。
製造する。量産時にはこの工程が繰り返し行われる。
【００２０】このイメージセンサについては、透光性基
板１１及び透光性紫外線硬化型絶縁樹脂１５を透して光
情報を受光素子２０が検知し、これを電気信号に変換す
るようになっている。
板１１及び透光性紫外線硬化型絶縁樹脂１５を透して光
情報を受光素子２０が検知し、これを電気信号に変換す
るようになっている。
【００２１】透光性紫外線硬化型絶縁樹脂１５として
は、ウレタンアクリレート系あるいはエポキシアクリレ
ート系の樹脂が接着性、感度の点から好適である。
は、ウレタンアクリレート系あるいはエポキシアクリレ
ート系の樹脂が接着性、感度の点から好適である。
【００２２】以上のように本実施例によれば、透光性基
板１１上に形成された回路導体層の電極１２と半導体イ
メージセンサチップ１３上に形成された電極１４とを接
合させて固定する工程において、加圧時には半導体イメ
ージセンサチップに無理な負荷を掛ける事なくヘッドが
追従し、繰り返し加圧を行った後でも、平行度が常に一
定に保たれており、半導体イメージセンサチップの実装
位置を加圧時に移動させることが無い。また平行度調整
も簡単に短時間で行うことが出来る。
板１１上に形成された回路導体層の電極１２と半導体イ
メージセンサチップ１３上に形成された電極１４とを接
合させて固定する工程において、加圧時には半導体イメ
ージセンサチップに無理な負荷を掛ける事なくヘッドが
追従し、繰り返し加圧を行った後でも、平行度が常に一
定に保たれており、半導体イメージセンサチップの実装
位置を加圧時に移動させることが無い。また平行度調整
も簡単に短時間で行うことが出来る。
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明は、二つ以上の半導
体素子を光硬化型絶縁樹脂を介して透光性基板に加圧し
た状態で、光硬化型絶縁樹脂に光照射光源より光照射し
て、透光性基板上に形成された回路導体層の電極と半導
体素子上に形成された電極とを接合させて固定する工程
において、加圧ヘッド部が、ヘッドのホルダーへの取り
付けは取り付けネジがホルダーとヘッドにまたがらず、
ヘッドの平行度がネジの締め込み量に依存せず、加圧時
にはヘッドが半導体素子に無理な負荷を掛ける事なく追
従し、繰り返し加圧を行った後でも、平行度が常に一定
に保たれている構造を取ることにより、加圧時に半導体
素子の実装位置が正規の位置からずれることがない。こ
のため高精度のフリップチップ実装が可能である。
体素子を光硬化型絶縁樹脂を介して透光性基板に加圧し
た状態で、光硬化型絶縁樹脂に光照射光源より光照射し
て、透光性基板上に形成された回路導体層の電極と半導
体素子上に形成された電極とを接合させて固定する工程
において、加圧ヘッド部が、ヘッドのホルダーへの取り
付けは取り付けネジがホルダーとヘッドにまたがらず、
ヘッドの平行度がネジの締め込み量に依存せず、加圧時
にはヘッドが半導体素子に無理な負荷を掛ける事なく追
従し、繰り返し加圧を行った後でも、平行度が常に一定
に保たれている構造を取ることにより、加圧時に半導体
素子の実装位置が正規の位置からずれることがない。こ
のため高精度のフリップチップ実装が可能である。
【図１】（ａ）は本発明の実施例における実装装置の加
圧ヘッド部の正面断面図 （ｂ）は本発明の実施例における実装装置の加圧ヘッド
部の側面断面図
圧ヘッド部の正面断面図 （ｂ）は本発明の実施例における実装装置の加圧ヘッド
部の側面断面図
【図２】（ａ）は本発明の実施例における実装装置によ
りイメージセンサを製造する場合の加圧時の概略的な正
面断面図 （ｂ）は本発明の実施例における実装装置によりイメー
ジセンサを製造する場合の加圧時の概略的な側面断面図 （ｃ）は本発明の実施例における実装装置によりイメー
ジセンサを製造する場合の加圧時の加圧ヘッド部の追従
機構を示す正面断面図
りイメージセンサを製造する場合の加圧時の概略的な正
面断面図 （ｂ）は本発明の実施例における実装装置によりイメー
ジセンサを製造する場合の加圧時の概略的な側面断面図 （ｃ）は本発明の実施例における実装装置によりイメー
ジセンサを製造する場合の加圧時の加圧ヘッド部の追従
機構を示す正面断面図
【図３】（ａ）は従来の実装装置の加圧ヘッド部の正面
断面図 （ｂ）は従来の実装装置の加圧ヘッド部の底面図
断面図 （ｂ）は従来の実装装置の加圧ヘッド部の底面図
【図４】（ａ）は従来の実装装置によりイメージセンサ
を製造する場合の加圧時の概略的な正面断面図 （ｂ）は従来の実装装置によりイメージセンサを製造す
る場合の加圧時の概略的な側面断面図
を製造する場合の加圧時の概略的な正面断面図 （ｂ）は従来の実装装置によりイメージセンサを製造す
る場合の加圧時の概略的な側面断面図
【図５】（ａ）はヘッドの平行度を水平に対して調整し
ていることを表す概略図 （ｂ）はヘッドの平行度をステージに対して調整してい
ることを表す概略図
ていることを表す概略図 （ｂ）はヘッドの平行度をステージに対して調整してい
ることを表す概略図
１、２１ ホルダー ２ ヘッド支持プレート ３、２３、４３、５３ ヘッド ４ アダプタ ５、２５ ネジ ６、２６ 弾性体 ７、２７ 支柱 １１、３１ 透光性基板 １２、３２ 回路導体層の電極 １３、３３ 半導体イメージセンサチップ １４、３４ 半導体イメージセンサチップの電極 １５、３５ 透光性紫外線硬化型絶縁樹脂 １６、３６ 加圧ヘッド部 １７、３７ 加圧器 １８、３８、４８、５８ ステージ １９、３９ 紫外線照射光源 ２０、４０ 受光素子
Claims (5)
- 【請求項１】素子を加圧する加圧器と、ヘッドとホルダ
ーとその間にある弾性体から成り前記加圧器からの圧力
を前記素子に伝える加圧ヘッド部と、前記素子を実装す
る基板を保持するステージとを備えた実装装置におい
て、加圧時には前記ヘッドが前記素子に追従し、加圧後
前記加圧ヘッド部が初期位置に戻った時には、前記ヘッ
ドと前記ステージの平行度が常に保たれていることを特
徴とする実装装置。 - 【請求項２】請求項１記載の実装装置の加圧器と加圧ヘ
ッド部を複数個備えることにより、複数個の素子を一度
に加圧することができることを特徴とする実装装置。 - 【請求項３】前記素子の前記基板への固定を光硬化型樹
脂を用いて行うための光照射光源を兼ね備えていること
を特徴とする請求項２記載の実装装置。 - 【請求項４】前記ヘッドの前記ステージに対する平行度
が、前記ホルダーと前記ヘッドの接面と前記ステージの
平行度の関係に等しいことを特徴とする請求項２記載の
実装装置。 - 【請求項５】前記素子がイメージセンサであることを特
徴とする請求項２記載の実装装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4267070A JPH06120465A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 実装装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4267070A JPH06120465A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 実装装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120465A true JPH06120465A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17439615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4267070A Pending JPH06120465A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 実装装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06120465A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105392354A (zh) * | 2014-08-20 | 2016-03-09 | 松下知识产权经营株式会社 | 元件压接装置 |
| CN108701620A (zh) * | 2016-01-06 | 2018-10-23 | 株式会社新川 | 电子零件处理单元 |
-
1992
- 1992-10-06 JP JP4267070A patent/JPH06120465A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105392354A (zh) * | 2014-08-20 | 2016-03-09 | 松下知识产权经营株式会社 | 元件压接装置 |
| JP2016046281A (ja) * | 2014-08-20 | 2016-04-04 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 部品圧着装置 |
| US9872395B2 (en) | 2014-08-20 | 2018-01-16 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Component crimping apparatus |
| CN105392354B (zh) * | 2014-08-20 | 2019-05-28 | 松下知识产权经营株式会社 | 元件压接装置 |
| CN108701620A (zh) * | 2016-01-06 | 2018-10-23 | 株式会社新川 | 电子零件处理单元 |
| CN108701620B (zh) * | 2016-01-06 | 2021-06-29 | 株式会社新川 | 电子零件处理单元 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5856699A (en) | Photoelectric conversion apparatus with level photoreceiving surface | |
| JP3511389B2 (ja) | チップ・パッケージ | |
| US8823872B2 (en) | Image pickup module with improved flatness of image sensor and via electrodes | |
| EP0389756B1 (en) | Method of assembling semiconductor devices | |
| WO1993022787A1 (en) | Arrangement for mounting a lens to a solid state image sensor | |
| US5744379A (en) | Semiconductor device composed of plural semiconductor chips and coupling means which couple the semiconductor chips together | |
| JPS58128762A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06120465A (ja) | 実装装置 | |
| US7605455B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP4494745B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US20040124486A1 (en) | Image sensor adapted for reduced component chip scale packaging | |
| JPH06105791B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| US7612442B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP2946639B2 (ja) | アレイセンサモジュール | |
| JPH05235208A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3886031B2 (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
| JPH04278547A (ja) | 実装装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH04309265A (ja) | 実装装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPH01228178A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3049174B2 (ja) | 密着型イメージセンサユニット | |
| JPH04359441A (ja) | 実装装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH05144881A (ja) | 実装装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH04316365A (ja) | 実装装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH04367241A (ja) | 実装装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH04158573A (ja) | 半導体装置の製造方法 |