JPH04309265A - 実装装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
実装装置および半導体装置の製造方法Info
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- JPH04309265A JPH04309265A JP3074984A JP7498491A JPH04309265A JP H04309265 A JPH04309265 A JP H04309265A JP 3074984 A JP3074984 A JP 3074984A JP 7498491 A JP7498491 A JP 7498491A JP H04309265 A JPH04309265 A JP H04309265A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
- H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
- H01L2224/83874—Ultraviolet [UV] curing
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子などの実装
装置及び光学画像を電気信号に変換するイメージセンサ
などの半導体装置の製造方法に関するものである。
装置及び光学画像を電気信号に変換するイメージセンサ
などの半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度の多端子、狭ピッチの半導
体装置の実装を目的として、光あるいは熱硬化型の絶縁
樹脂により導体配線を有する回路基板の電極と半導体素
子上のバンプ電極とを接触させ固定する実装方法が特開
平２−４４７４２号公報などにより提案されている。ま
た最近では、半導体素子のバンプ電極はＡｕなどのメッ
キにより形成するため高価であることからバンプを用い
ない実装方法も提案されている。
体装置の実装を目的として、光あるいは熱硬化型の絶縁
樹脂により導体配線を有する回路基板の電極と半導体素
子上のバンプ電極とを接触させ固定する実装方法が特開
平２−４４７４２号公報などにより提案されている。ま
た最近では、半導体素子のバンプ電極はＡｕなどのメッ
キにより形成するため高価であることからバンプを用い
ない実装方法も提案されている。
【０００３】以下図面を参照しながら、上記した従来の
バンプを用いない構造の半導体装置の製造方法の一例に
ついて説明する。
バンプを用いない構造の半導体装置の製造方法の一例に
ついて説明する。
【０００４】図２（ａ）、（ｂ）は、従来の実装装置に
よりイメージセンサを製造する場合の正面断面図と側面
断面図を示すものであり、二つの半導体素子よりなって
いる。第２図において、１は透光性基板、２は透光性基
板の表面上に形成された回路導体層の電極である。３は
半導体素子として用いたイメージセンサチップ、１１は
半導体イメージセンサチップ３に設けられている受光素
子、４は半導体イメージセンサチップ３に設けられてい
る電極で、透光性基板上の電極２と電気的接続をする。 ５は半導体イメージセンサチップ３を透光性基板１に固
定するための透光性紫外線硬化型樹脂である。８は透光
性基板を保持するステージ、１０はイメージセンサチッ
プ３の吸着及び加圧器で、９は紫外線照射光源である。
よりイメージセンサを製造する場合の正面断面図と側面
断面図を示すものであり、二つの半導体素子よりなって
いる。第２図において、１は透光性基板、２は透光性基
板の表面上に形成された回路導体層の電極である。３は
半導体素子として用いたイメージセンサチップ、１１は
半導体イメージセンサチップ３に設けられている受光素
子、４は半導体イメージセンサチップ３に設けられてい
る電極で、透光性基板上の電極２と電気的接続をする。 ５は半導体イメージセンサチップ３を透光性基板１に固
定するための透光性紫外線硬化型樹脂である。８は透光
性基板を保持するステージ、１０はイメージセンサチッ
プ３の吸着及び加圧器で、９は紫外線照射光源である。
【０００５】以上のように構成されたイメージセンサの
製造方法を、以下に説明する。まず、回路導体層とその
電極２を形成した透光性基板１上に、一つ目の半導体イ
メージセンサチップ３を実装する所定の位置にアクリレ
ート系の透光性紫外線硬化型樹脂５をスタンピンング法
、スクリーン印刷法などにより所定量塗布する。次に、
吸着及び加圧器１０で一つ目の半導体イメージセンサチ
ップ３の電極４を形成した反対側の裏面を真空吸着し、
透光性基板１上の所定の位置に移動する。その後、吸着
及び加圧器９の上部より圧力を加えながら、紫外線硬化
型樹脂５を介した半導体イメージセンサチップ３の電極
４と回路導体層の電極２とを接合させて電気的導通をと
る。その状態で、紫外線照射光源９により紫外線光を照
射して紫外線硬化型樹脂５の硬化を行い一つ目の半導体
イメージセンサチップ３の固定を行う。更に同様の方法
で、二つ目の半導体イメージセンサチップ３を固定して
イメージセンサを製造していた。
製造方法を、以下に説明する。まず、回路導体層とその
電極２を形成した透光性基板１上に、一つ目の半導体イ
メージセンサチップ３を実装する所定の位置にアクリレ
ート系の透光性紫外線硬化型樹脂５をスタンピンング法
、スクリーン印刷法などにより所定量塗布する。次に、
吸着及び加圧器１０で一つ目の半導体イメージセンサチ
ップ３の電極４を形成した反対側の裏面を真空吸着し、
透光性基板１上の所定の位置に移動する。その後、吸着
及び加圧器９の上部より圧力を加えながら、紫外線硬化
型樹脂５を介した半導体イメージセンサチップ３の電極
４と回路導体層の電極２とを接合させて電気的導通をと
る。その状態で、紫外線照射光源９により紫外線光を照
射して紫外線硬化型樹脂５の硬化を行い一つ目の半導体
イメージセンサチップ３の固定を行う。更に同様の方法
で、二つ目の半導体イメージセンサチップ３を固定して
イメージセンサを製造していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の方
法では、半導体イメージセンサチップの電極と回路導体
層の電極とを接合させて電気的導通が取りにくいという
問題点を有していた。これは、加圧器の半導体イメージ
センサチップを加圧する面と半導体イメージセンサチッ
プの加圧される裏面との平行度が精度よく保たれている
必要があり、このため、平行度が崩れると電気的導通が
取れにくくなるという問題点があった。
法では、半導体イメージセンサチップの電極と回路導体
層の電極とを接合させて電気的導通が取りにくいという
問題点を有していた。これは、加圧器の半導体イメージ
センサチップを加圧する面と半導体イメージセンサチッ
プの加圧される裏面との平行度が精度よく保たれている
必要があり、このため、平行度が崩れると電気的導通が
取れにくくなるという問題点があった。
【０００７】本発明は上記問題点に鑑み、加圧器の半導
体イメージセンサチップを加圧する面と半導体イメージ
センサチップの加圧される裏面との平行度が崩れても電
気的導通をとることができる実装装置及び半導体装置の
製造方法を提供するものである。
体イメージセンサチップを加圧する面と半導体イメージ
センサチップの加圧される裏面との平行度が崩れても電
気的導通をとることができる実装装置及び半導体装置の
製造方法を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の実装装置は、素子を加圧する加圧器と、前
記素子を実装する基板を保持するステージと、光照射光
源とを備えており、前記加圧器が前記素子を加圧した状
態で素子の裏面に追従する機構を設けたことを特徴とす
るものである。また半導体装置の製造方法は、半導体素
子と、回路導体層を形成した透光性基板と、光硬化型絶
縁樹脂とを備え、前記半導体素子を前記光硬化型絶縁樹
脂を介して透光性基板に前記加圧器により加圧し、光照
射により前記光硬化型絶縁樹脂を硬化して透光性基板上
に形成された回路導体層の電極と前記半導体素子上に形
成された電極とを接合させて固定する工程に於て、前記
加圧器が加圧した状態で半導体素子の裏面に追従して半
導体素子を加圧固定することを特徴とするものである。
めに本発明の実装装置は、素子を加圧する加圧器と、前
記素子を実装する基板を保持するステージと、光照射光
源とを備えており、前記加圧器が前記素子を加圧した状
態で素子の裏面に追従する機構を設けたことを特徴とす
るものである。また半導体装置の製造方法は、半導体素
子と、回路導体層を形成した透光性基板と、光硬化型絶
縁樹脂とを備え、前記半導体素子を前記光硬化型絶縁樹
脂を介して透光性基板に前記加圧器により加圧し、光照
射により前記光硬化型絶縁樹脂を硬化して透光性基板上
に形成された回路導体層の電極と前記半導体素子上に形
成された電極とを接合させて固定する工程に於て、前記
加圧器が加圧した状態で半導体素子の裏面に追従して半
導体素子を加圧固定することを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】本発明は上記した方法とすることにより、半導
体イメージセンサチップの電極と回路導体層の電極とを
接合させて電気的導通を取る場合、加圧器の半導体イメ
ージセンサチップを加圧する面が半導体イメージセンサ
チップの加圧される面に追従して平行度を保つというも
のである。このため、平行度が崩れると電気的導通が取
れにくくなるという従来の問題点を解決できるものであ
る。
体イメージセンサチップの電極と回路導体層の電極とを
接合させて電気的導通を取る場合、加圧器の半導体イメ
ージセンサチップを加圧する面が半導体イメージセンサ
チップの加圧される面に追従して平行度を保つというも
のである。このため、平行度が崩れると電気的導通が取
れにくくなるという従来の問題点を解決できるものであ
る。
【００１０】
【実施例】以下図面を参照しながら、上記した本発明の
一実施例について説明する。また、従来と同一工程につ
いては図２（ａ）、（ｂ）も参照にして説明する。
一実施例について説明する。また、従来と同一工程につ
いては図２（ａ）、（ｂ）も参照にして説明する。
【００１１】図１は、本発明によりイメージセンサを製
造する場合の正面断面図を示すものである。図１におい
て、図２（ａ）、（ｂ）と同一部分には同一符号を付け
ている。
造する場合の正面断面図を示すものである。図１におい
て、図２（ａ）、（ｂ）と同一部分には同一符号を付け
ている。
【００１２】図１において、１は透光性基板、２は透光
性基板の表面上に形成された回路導体層の電極である。 ３は半導体素子として用いたイメージセンサチップ、４
は半導体イメージセンサチップ３に設けられている電極
で、透光性基板上の電極２と電気的接続をする。５は半
導体イメージセンサチップ３を透光性基板１に固定する
ための透光性紫外線硬化型樹脂である。６は半導体イメ
ージセンサチップ３の加圧器で、７は加圧器に追従性を
もたせるためのゴムなどの弾性体である。８は透光性基
板を保持するステージ、９は紫外線照射光源である。
性基板の表面上に形成された回路導体層の電極である。 ３は半導体素子として用いたイメージセンサチップ、４
は半導体イメージセンサチップ３に設けられている電極
で、透光性基板上の電極２と電気的接続をする。５は半
導体イメージセンサチップ３を透光性基板１に固定する
ための透光性紫外線硬化型樹脂である。６は半導体イメ
ージセンサチップ３の加圧器で、７は加圧器に追従性を
もたせるためのゴムなどの弾性体である。８は透光性基
板を保持するステージ、９は紫外線照射光源である。
【００１３】以上のように構成されたイメージセンサの
製造方法を、以下に説明する。まず、半導体プロセスを
用いて単結晶シリコン基板（ウエハ）上に、フォトトラ
ンジスタまたはフォトダイオードなどの受光素子１１と
ＣＣＤやＭＯＳ、バイポーラＩＣなどのアクセス回路（
図示せず）を設けたものを製造する。各電極４について
は、２層Ａｌ配線のプロセスを用い、スパッタリング法
により数μｍ程度ウエハ表面より突出した構造になって
いる。その後、このウエハを高精度ダイシング技術によ
り切断し、半導体イメージセンサチップ３を作る。また
、コーニング社７０５９のガラス基板を透光性基板１と
し、この透光性基板１上に厚膜印刷などによって形成し
た回路導体層と電極２を形成する。あるいは透光性基板
１として、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルエーテ
ルケトン（ＰＥＥＫ）などの透明フィルム基板上に、銅
などの金属を、蒸着法またはスパッタリング法を用いて
形成し、後にフォトリソ法などによって回路導体を形成
してもよい。この透光性基板１上の所定の位置に、アク
リレート系の透光性紫外線硬化型樹脂５をスタンピンン
グ法やスクリーン印刷法などにより所定量塗布する。 次に、吸着及び加圧器６で一つ目の半導体イメージセン
サチップ３の電極４を形成した反対側の裏面を真空吸着
し、透光性基板１上の所定の位置に移動する。そして、
吸着及び加圧器６の上部の弾性体７上から圧力を加えな
がら、紫外線硬化型樹脂５を介した半導体イメージセン
サチップ３の電極４と回路導体層の電極２とを接合させ
て電気的導通を取る。この状態で、紫外線照射光源９に
より紫外線光を照射して紫外線硬化型樹脂５の硬化を行
い一つ目の半導体イメージセンサチップ３の固定を行う
。更に同様の方法で、二つ目の半導体イメージセンサチ
ップ３の固定を行う。
製造方法を、以下に説明する。まず、半導体プロセスを
用いて単結晶シリコン基板（ウエハ）上に、フォトトラ
ンジスタまたはフォトダイオードなどの受光素子１１と
ＣＣＤやＭＯＳ、バイポーラＩＣなどのアクセス回路（
図示せず）を設けたものを製造する。各電極４について
は、２層Ａｌ配線のプロセスを用い、スパッタリング法
により数μｍ程度ウエハ表面より突出した構造になって
いる。その後、このウエハを高精度ダイシング技術によ
り切断し、半導体イメージセンサチップ３を作る。また
、コーニング社７０５９のガラス基板を透光性基板１と
し、この透光性基板１上に厚膜印刷などによって形成し
た回路導体層と電極２を形成する。あるいは透光性基板
１として、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルエーテ
ルケトン（ＰＥＥＫ）などの透明フィルム基板上に、銅
などの金属を、蒸着法またはスパッタリング法を用いて
形成し、後にフォトリソ法などによって回路導体を形成
してもよい。この透光性基板１上の所定の位置に、アク
リレート系の透光性紫外線硬化型樹脂５をスタンピンン
グ法やスクリーン印刷法などにより所定量塗布する。 次に、吸着及び加圧器６で一つ目の半導体イメージセン
サチップ３の電極４を形成した反対側の裏面を真空吸着
し、透光性基板１上の所定の位置に移動する。そして、
吸着及び加圧器６の上部の弾性体７上から圧力を加えな
がら、紫外線硬化型樹脂５を介した半導体イメージセン
サチップ３の電極４と回路導体層の電極２とを接合させ
て電気的導通を取る。この状態で、紫外線照射光源９に
より紫外線光を照射して紫外線硬化型樹脂５の硬化を行
い一つ目の半導体イメージセンサチップ３の固定を行う
。更に同様の方法で、二つ目の半導体イメージセンサチ
ップ３の固定を行う。
【００１４】上記のようにして、イメージセンサを製造
する。このイメージセンサについては、透光性基板１及
び透光性紫外線硬化型樹脂５を通して光情報を受光素子
１１が検知し、これを電気信号に変換するようになって
いる。
する。このイメージセンサについては、透光性基板１及
び透光性紫外線硬化型樹脂５を通して光情報を受光素子
１１が検知し、これを電気信号に変換するようになって
いる。
【００１５】紫外線硬化型絶縁樹脂５としては、ウレタ
ンアクリレート系、あるいはエポキシアクリレート系紫
外線硬化型絶縁樹脂が接着性、感度の点から好適である
。
ンアクリレート系、あるいはエポキシアクリレート系紫
外線硬化型絶縁樹脂が接着性、感度の点から好適である
。
【００１６】以上のように本実施例によれば、吸着及び
加圧器６の上部の弾性体７上から圧力を加えることのよ
り、吸着及び加圧器６の半導体イメージセンサに接する
面と半導体イメージセンサチップ３の裏面との平行度が
加圧時に維持できるものである。
加圧器６の上部の弾性体７上から圧力を加えることのよ
り、吸着及び加圧器６の半導体イメージセンサに接する
面と半導体イメージセンサチップ３の裏面との平行度が
加圧時に維持できるものである。
【００１７】なお、本実施例においては、吸着器と加圧
器とを同一のものとして行ったが分離して行うことも可
能である。
器とを同一のものとして行ったが分離して行うことも可
能である。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体イ
メージセンサチップの電極と回路導体層の電極とを接合
させて電気的導通を取る場合、加圧器に取り付けた追従
性の機構により、加圧器の半導体イメージセンサチップ
を加圧する面が半導体イメージセンサチップの加圧され
る面に追従して平行度を保とういうものであり、電気的
導通を確率よくとることができる。このため、従来のよ
うに平行度が崩れると電気的導通が取れにくくなるとい
う問題点を解決できるものである。
メージセンサチップの電極と回路導体層の電極とを接合
させて電気的導通を取る場合、加圧器に取り付けた追従
性の機構により、加圧器の半導体イメージセンサチップ
を加圧する面が半導体イメージセンサチップの加圧され
る面に追従して平行度を保とういうものであり、電気的
導通を確率よくとることができる。このため、従来のよ
うに平行度が崩れると電気的導通が取れにくくなるとい
う問題点を解決できるものである。
【図１】本発明の実施例における実装装置によりイメー
ジセンサを製造する場合の正面断面図である。
ジセンサを製造する場合の正面断面図である。
【図２】（ａ）従来の実装装置によりイメージセンサを
製造する場合の正面断面図である。 （ｂ）従来の実装装置によりイメージセンサを製造する
場合の側面断面図である。
製造する場合の正面断面図である。 （ｂ）従来の実装装置によりイメージセンサを製造する
場合の側面断面図である。
１ 透光性基板
２ 回路導体層の電極
３ イメージセンサチップ
４ イメージセンサチップの電極
５ 透光性紫外線硬化型樹脂
６ 吸着及び加圧器
７ 弾性体
８ ステージ
９ 紫外線照射光源
１０ 吸着及び加圧器
１１ 受光素子
Claims (4)
- 【請求項１】 素子を加圧する加圧器と、前記素子を
実装する基板を保持するステージと、光照射光源とを備
えた実装装置において、前記加圧器が前記素子を加圧し
た状態で前記素子の裏面に追従する機構を設けたことを
特徴とする実装装置。 - 【請求項２】 加圧器の追従する機構に弾性体を用い
たことを特徴とする請求項１記載の実装装置。 - 【請求項３】 半導体素子と、回路導体層を形成した
透光性基板と、光硬化型絶縁樹脂とを備え、前記半導体
素子を前記光硬化型絶縁樹脂を介して前記透光性基板に
加圧器により加圧し、光照射により前記光硬化型絶縁樹
脂を硬化して前記透光性基板上に形成された前記回路導
体層の電極と前記半導体素子上に形成された電極とを接
合させて固定する工程に於て、前記加圧器が加圧した状
態で前記半導体素子の裏面に追従して前記半導体素子を
加圧固定することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 半導体素子がイメージセンサであるこ
とを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3074984A JPH04309265A (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | 実装装置および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3074984A JPH04309265A (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | 実装装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04309265A true JPH04309265A (ja) | 1992-10-30 |
Family
ID=13563058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3074984A Pending JPH04309265A (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | 実装装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04309265A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6613180B2 (en) * | 2001-08-03 | 2003-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor-mounting body and apparatus for fabricating semiconductor-mounting body |
-
1991
- 1991-04-08 JP JP3074984A patent/JPH04309265A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6613180B2 (en) * | 2001-08-03 | 2003-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor-mounting body and apparatus for fabricating semiconductor-mounting body |
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