JP3270773B2 - 半導体素子の実装方法 - Google Patents
半導体素子の実装方法Info
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
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- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
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- H01L2924/01079—Gold [Au]
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は透光性基板上に光硬化性
樹脂を介して半導体素子を搭載する半導体素子の実装方
法に関するものである。
樹脂を介して半導体素子を搭載する半導体素子の実装方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子ベアチップを直接透光
性基板に搭載したデバイスが種々開発されている。例え
ば、液晶モジュールにおいては、ガラス基板の上に半導
体素子を搭載したＣＯＧ方式として提案されている。
性基板に搭載したデバイスが種々開発されている。例え
ば、液晶モジュールにおいては、ガラス基板の上に半導
体素子を搭載したＣＯＧ方式として提案されている。
【０００３】このガラス基板の上に半導体素子を搭載し
た構成においては、ガラス基板上の配線部と半導体素子
とをワイヤーボンディングする技術が確立されている
が、近年、半導体素子を更に高密度に実装する方法とし
て、半導体素子の電極と基板の上の配線部とを直接接続
し、これによって基板上にワイヤーボンディング用パッ
ド面積を不要としたフェイスダウン方式が提案されてい
る。この接続には異方性導電膜、導電性ペースト、ゴム
コネクタを用いたり、更に光硬化性樹脂を用いることも
提案されている（特公平２−７１８０号参照）。
た構成においては、ガラス基板上の配線部と半導体素子
とをワイヤーボンディングする技術が確立されている
が、近年、半導体素子を更に高密度に実装する方法とし
て、半導体素子の電極と基板の上の配線部とを直接接続
し、これによって基板上にワイヤーボンディング用パッ
ド面積を不要としたフェイスダウン方式が提案されてい
る。この接続には異方性導電膜、導電性ペースト、ゴム
コネクタを用いたり、更に光硬化性樹脂を用いることも
提案されている（特公平２−７１８０号参照）。
【０００４】図６に光硬化性樹脂を用いた従来のフェイ
スダウン方式の実装方法を示す。
スダウン方式の実装方法を示す。
【０００５】同図によれば、半導体素子１８の表面の電
極１９に予め金などで高さ５乃至２０μｍの突出部を形
成しておき、配線部６を形成した透光性基板２の半導体
素子搭載領域に、光硬化性樹脂１７を塗布し、その塗布
した光硬化性樹脂１７を介して半導体素子１８を、電極
１９と基板の配線部６とが位置合わせされるように搭載
する。次に、該半導体素子１８を透光性基板２に対して
加圧するとともに、この加圧状態で、塗布した光硬化性
樹脂１７に紫外線を露光して硬化し、半導体素子１８を
透光性基板２上に固定せしめることにより、半導体素子
１８と基板２との機械的接合並びに電気的接続を行う。
極１９に予め金などで高さ５乃至２０μｍの突出部を形
成しておき、配線部６を形成した透光性基板２の半導体
素子搭載領域に、光硬化性樹脂１７を塗布し、その塗布
した光硬化性樹脂１７を介して半導体素子１８を、電極
１９と基板の配線部６とが位置合わせされるように搭載
する。次に、該半導体素子１８を透光性基板２に対して
加圧するとともに、この加圧状態で、塗布した光硬化性
樹脂１７に紫外線を露光して硬化し、半導体素子１８を
透光性基板２上に固定せしめることにより、半導体素子
１８と基板２との機械的接合並びに電気的接続を行う。
【０００６】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、本発
明者等が上記提案のフェイスダウン方式の実装を行った
ところ、半導体素子１８の実装後の、この素子１８を保
護するために光硬化性樹脂１７を半導体素子全体に被覆
する工程を経由した後においては、半導体素子１８と基
板配線部６とに電気的な導通不良が生じ易く、電気的接
続の信頼性に欠けるという問題点がある。
明者等が上記提案のフェイスダウン方式の実装を行った
ところ、半導体素子１８の実装後の、この素子１８を保
護するために光硬化性樹脂１７を半導体素子全体に被覆
する工程を経由した後においては、半導体素子１８と基
板配線部６とに電気的な導通不良が生じ易く、電気的接
続の信頼性に欠けるという問題点がある。
【０００７】この問題点がＣＯＧ方式液晶モジュールに
おいて発生すると、例えば半導体素子の出力側端子の一
部が導通不良を起こした場合には、表示画面の対応する
部分が不点灯となる、所謂「ライン抜け」が生じ、ま
た、入力側端子が導通不良を起こせば、ブロック状に不
点灯となる。
おいて発生すると、例えば半導体素子の出力側端子の一
部が導通不良を起こした場合には、表示画面の対応する
部分が不点灯となる、所謂「ライン抜け」が生じ、ま
た、入力側端子が導通不良を起こせば、ブロック状に不
点灯となる。
【０００８】かかる問題点は下記の理由により生じる。
【０００９】光硬化性樹脂の熱膨張係数が８×１０-5ｃ
ｍ／℃程度あるのに対し、半導体素子の電極の熱膨張係
数が１．４×１０-5ｃｍ／℃乃至２．５×１０-5ｃｍ／
℃であり、半導体素子の電極の熱膨張係数が光硬化性樹
脂に比べて小さく、これにより、熱硬化性樹脂被覆後の
加熱硬化工程により、半導体素子をガラス基板から引き
離すような力が生じ、その結果、上記のような電気的導
通不良が生じていた。
ｍ／℃程度あるのに対し、半導体素子の電極の熱膨張係
数が１．４×１０-5ｃｍ／℃乃至２．５×１０-5ｃｍ／
℃であり、半導体素子の電極の熱膨張係数が光硬化性樹
脂に比べて小さく、これにより、熱硬化性樹脂被覆後の
加熱硬化工程により、半導体素子をガラス基板から引き
離すような力が生じ、その結果、上記のような電気的導
通不良が生じていた。
【００１０】これに対して、特開昭６２−２８１３６１
号公報によれば、上記の問題点を解決するために、接着
剤として半導体素子の電極より熱膨張係数の小さいＳｉ
Ｏ2皮膜形成用塗布液を用いる技術が提案されている。
しかしながら、このような接着剤は熱硬化型であるた
め、硬化に時間を要し、そのため、この硬化時に加圧治
具が長時間占有され、実装作業が能率的に行えないとい
う問題点があった。因みに樹脂の硬化時間は、種々の条
件にもよるが、光硬化型樹脂の場合、１０秒乃至１分で
あるのに対して、熱硬化型樹脂では１乃至２時間にも及
ぶ。
号公報によれば、上記の問題点を解決するために、接着
剤として半導体素子の電極より熱膨張係数の小さいＳｉ
Ｏ2皮膜形成用塗布液を用いる技術が提案されている。
しかしながら、このような接着剤は熱硬化型であるた
め、硬化に時間を要し、そのため、この硬化時に加圧治
具が長時間占有され、実装作業が能率的に行えないとい
う問題点があった。因みに樹脂の硬化時間は、種々の条
件にもよるが、光硬化型樹脂の場合、１０秒乃至１分で
あるのに対して、熱硬化型樹脂では１乃至２時間にも及
ぶ。
【００１１】
【問題点を解決するための手段】本発明の半導体素子の
実装方法は、透明電極と配向膜とを形成した２枚の透光
性基板を対向配置し、これら透光性基板間に液晶を注入
して表示領域を設け、この表示領域を駆動するための配
線領域を透光性基板上に設け、この配線領域の半導体素
子搭載領域に半導体素子をフェイスダウン実装するＣＯ
Ｇ方式液晶モジュ−ルに用いる実装方法において、前記
配線領域の半導体素子搭載領域に対し、予め紫外線照射
し、次いでこの半導体素子搭載領域に、変成アクリルを
主成分とする光硬化性樹脂を塗布し、その塗布した光硬
化性樹脂を介して半導体素子を搭載し、然る後に上記樹
脂を加熱しつつ該半導体素子を上記透光性基板に対して
加圧するとともに、この加熱加圧状態のもとで該光硬化
性樹脂を露光により硬化させて、半導体素子を透光性基
板上に固定せしめ、その後、半導体素子を熱硬化性樹脂
にて被覆して、この熱硬化性樹脂を加熱硬化したことを
特徴とする。
実装方法は、透明電極と配向膜とを形成した２枚の透光
性基板を対向配置し、これら透光性基板間に液晶を注入
して表示領域を設け、この表示領域を駆動するための配
線領域を透光性基板上に設け、この配線領域の半導体素
子搭載領域に半導体素子をフェイスダウン実装するＣＯ
Ｇ方式液晶モジュ−ルに用いる実装方法において、前記
配線領域の半導体素子搭載領域に対し、予め紫外線照射
し、次いでこの半導体素子搭載領域に、変成アクリルを
主成分とする光硬化性樹脂を塗布し、その塗布した光硬
化性樹脂を介して半導体素子を搭載し、然る後に上記樹
脂を加熱しつつ該半導体素子を上記透光性基板に対して
加圧するとともに、この加熱加圧状態のもとで該光硬化
性樹脂を露光により硬化させて、半導体素子を透光性基
板上に固定せしめ、その後、半導体素子を熱硬化性樹脂
にて被覆して、この熱硬化性樹脂を加熱硬化したことを
特徴とする。
【００１２】
【作用】上記構成の半導体素子の実装方法によれば、透
光性基板の上に半導体素子を搭載するＣＯＧ方式液晶モ
ジュール等においては、変成アクリルを主成分とする光
硬化性樹脂を加圧加熱状態で硬化させることにより、光
硬化性樹脂の硬化後に全体を常温に戻したとき、その樹
脂の収縮率が半導体素子電極の収縮率よりも大きいた
め、常時、半導体素子を基板に押しつけるような応力が
あり、そのために安定した電気的接続が得られる。ま
た、この後工程で再加熱した場合、この応力は小さくは
なるが、その再加熱温度が光硬化性樹脂硬化時に加えた
加熱温度よりも高くならない範囲内において、半導体素
子電極をガラス基板から引き離すような応力が存在せ
ず、そのため、電気的導通不良が生じない。
光性基板の上に半導体素子を搭載するＣＯＧ方式液晶モ
ジュール等においては、変成アクリルを主成分とする光
硬化性樹脂を加圧加熱状態で硬化させることにより、光
硬化性樹脂の硬化後に全体を常温に戻したとき、その樹
脂の収縮率が半導体素子電極の収縮率よりも大きいた
め、常時、半導体素子を基板に押しつけるような応力が
あり、そのために安定した電気的接続が得られる。ま
た、この後工程で再加熱した場合、この応力は小さくは
なるが、その再加熱温度が光硬化性樹脂硬化時に加えた
加熱温度よりも高くならない範囲内において、半導体素
子電極をガラス基板から引き離すような応力が存在せ
ず、そのため、電気的導通不良が生じない。
【００１３】
【実施例】本発明をＣＯＧ方式液晶モジュールにおいて
半導体素子を搭載する場合を実施例にして詳細に説明す
る。図１は液晶パネル１のガラス基板２に半導体素子を
搭載してＣＯＧ方式液晶モジュールにするに当たって、
半導体素子搭載前の状態を示しており、３は表示領域、
４はその表示領域を駆動するための配線領域である。こ
の液晶パネル１を作製するには、２枚のガラス基板２、
５の各一主面にインジウム・スズ・オキサイドとクロム
とアルミニウムとの各層を順次積層し、次に表示領域３
に位置するクロムとアルミニウムとの両層をエッチング
除去するとともに、この表示領域３に複数の透明電極
（図示せず）をライン状に配列し、この透明電極を配線
領域４にまで延在させ、その延在した透明電極に上にク
ロム層とアルミニウム層とを順次積層してなる配線部６
を形成し、その後、表示領域３の透明電極の上に配向膜
（図示せず）を形成し、更にこの配向膜の表面をラビン
グ処理して液晶分子の向きを所定の方向に設定するよう
にしている。このような２枚の被膜基板を、各透明電極
ラインが交差するように且つ対向するように配置して、
その間に液晶７を注入して表示領域３と成すとともに、
更にこの表示領域３の周囲をシール部８でもって封止す
る。同図中の９は半導体素子の搭載領域である。
半導体素子を搭載する場合を実施例にして詳細に説明す
る。図１は液晶パネル１のガラス基板２に半導体素子を
搭載してＣＯＧ方式液晶モジュールにするに当たって、
半導体素子搭載前の状態を示しており、３は表示領域、
４はその表示領域を駆動するための配線領域である。こ
の液晶パネル１を作製するには、２枚のガラス基板２、
５の各一主面にインジウム・スズ・オキサイドとクロム
とアルミニウムとの各層を順次積層し、次に表示領域３
に位置するクロムとアルミニウムとの両層をエッチング
除去するとともに、この表示領域３に複数の透明電極
（図示せず）をライン状に配列し、この透明電極を配線
領域４にまで延在させ、その延在した透明電極に上にク
ロム層とアルミニウム層とを順次積層してなる配線部６
を形成し、その後、表示領域３の透明電極の上に配向膜
（図示せず）を形成し、更にこの配向膜の表面をラビン
グ処理して液晶分子の向きを所定の方向に設定するよう
にしている。このような２枚の被膜基板を、各透明電極
ラインが交差するように且つ対向するように配置して、
その間に液晶７を注入して表示領域３と成すとともに、
更にこの表示領域３の周囲をシール部８でもって封止す
る。同図中の９は半導体素子の搭載領域である。
【００１４】次いで、この液晶パネル１を有機溶剤と超
音波洗浄を組み合わせて洗浄し、その後に液晶配向検査
を行う。この液晶配向検査は偏光板を介して光を透過さ
せることにより行う。
音波洗浄を組み合わせて洗浄し、その後に液晶配向検査
を行う。この液晶配向検査は偏光板を介して光を透過さ
せることにより行う。
【００１５】その後、上記液晶パネル１に対して、その
半導体素子搭載領域９に、変成アクリルを主成分とする
光硬化性樹脂を介して半導体素子を搭載し、この半導体
素子を加圧加熱しつつ、図２に示すような紫外線照射装
置１０でもって、樹脂を紫外線照射する。この紫外線照
射装置１０はランプ電源コントローラ１１と光源ユニッ
ト１２とから構成され、この光源ユニット１２にはキセ
ノンランプ１３（例えば強度１．２Ｗ／ｃｍ2 の水銀キ
セノンランプ）が搭載され、このキセノンランプ１３は
その背後に配置された反射鏡１４により有効に反射され
ながら紫外線を照射する。また、この照射に当たって
は、ランプ電源コントローラ１１によりコントロールさ
れながらキセノンランプ１３に電力印加される。そし
て、キセノンランプ１３により照射された紫外線はフレ
キシブルケーブル１５を介してその端部の露光部１６よ
り所定の方向に照らされる。また、この実施例では、キ
セノンランプ１３により照射された紫外線はフレキシブ
ルケーブル１５を介して照射する構成であるが、ランプ
でもって基板に直接照射する方法を採用してもよい。
半導体素子搭載領域９に、変成アクリルを主成分とする
光硬化性樹脂を介して半導体素子を搭載し、この半導体
素子を加圧加熱しつつ、図２に示すような紫外線照射装
置１０でもって、樹脂を紫外線照射する。この紫外線照
射装置１０はランプ電源コントローラ１１と光源ユニッ
ト１２とから構成され、この光源ユニット１２にはキセ
ノンランプ１３（例えば強度１．２Ｗ／ｃｍ2 の水銀キ
セノンランプ）が搭載され、このキセノンランプ１３は
その背後に配置された反射鏡１４により有効に反射され
ながら紫外線を照射する。また、この照射に当たって
は、ランプ電源コントローラ１１によりコントロールさ
れながらキセノンランプ１３に電力印加される。そし
て、キセノンランプ１３により照射された紫外線はフレ
キシブルケーブル１５を介してその端部の露光部１６よ
り所定の方向に照らされる。また、この実施例では、キ
セノンランプ１３により照射された紫外線はフレキシブ
ルケーブル１５を介して照射する構成であるが、ランプ
でもって基板に直接照射する方法を採用してもよい。
【００１６】次に上記液晶パネル１に対して半導体素子
を搭載し、接続する工程を図３乃至図５により説明す
る。先ず、図３に示すように半導体素子搭載領域９にデ
ィスペンサーを用いて光硬化性樹脂１７を塗布する。こ
の時、光硬化性樹脂１７の塗布に先だって、半導体素子
搭載領域９に対して予め紫外線照射し、この領域９の面
に付着した有機物等を分解除去する工程を含めてもよ
い。この工程においては、上記水銀キセノンランプ１３
の主たる発光波長のうち１８４ｎｍ、２５４ｎｍ付近の
短波長が有効である（但し、この短波長光はガラス基板
２に吸収される）。この工程により半導体素子搭載領域
９のガラス面の接触角が大きくなり、ガラス基板２に対
する光硬化性樹脂１７の密着性が向上する。
を搭載し、接続する工程を図３乃至図５により説明す
る。先ず、図３に示すように半導体素子搭載領域９にデ
ィスペンサーを用いて光硬化性樹脂１７を塗布する。こ
の時、光硬化性樹脂１７の塗布に先だって、半導体素子
搭載領域９に対して予め紫外線照射し、この領域９の面
に付着した有機物等を分解除去する工程を含めてもよ
い。この工程においては、上記水銀キセノンランプ１３
の主たる発光波長のうち１８４ｎｍ、２５４ｎｍ付近の
短波長が有効である（但し、この短波長光はガラス基板
２に吸収される）。この工程により半導体素子搭載領域
９のガラス面の接触角が大きくなり、ガラス基板２に対
する光硬化性樹脂１７の密着性が向上する。
【００１７】次に図４に示すように半導体素子１８を光
硬化性樹脂１７によりガラス基板２に固定する。この固
定方法においては、半導体素子１８の電極１９はＣｒ−
Ｃｕ、Ｔｉ−Ｐｄ等の多層金属膜を被着して、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、半田等から成る突出部を形成した構成であ
り、この半導体素子１８の電極１９と透光性基板２の配
線部６とを位置合わせし、半導体素子１８の上から加圧
治具２０を用いて、半導体素子の電極当たり５乃至１５
０グラムの圧力が加わるように押圧し、しかも、この押
圧とともに光硬化性樹脂１７を半導体素子１８を介して
約１００乃至１２０℃に加熱する。この加熱には従来公
知の電熱ヒーター等の種々の発熱源を用いることができ
る。
硬化性樹脂１７によりガラス基板２に固定する。この固
定方法においては、半導体素子１８の電極１９はＣｒ−
Ｃｕ、Ｔｉ−Ｐｄ等の多層金属膜を被着して、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、半田等から成る突出部を形成した構成であ
り、この半導体素子１８の電極１９と透光性基板２の配
線部６とを位置合わせし、半導体素子１８の上から加圧
治具２０を用いて、半導体素子の電極当たり５乃至１５
０グラムの圧力が加わるように押圧し、しかも、この押
圧とともに光硬化性樹脂１７を半導体素子１８を介して
約１００乃至１２０℃に加熱する。この加熱には従来公
知の電熱ヒーター等の種々の発熱源を用いることができ
る。
【００１８】このような加圧加熱によって、光硬化性樹
脂１７は押し広げられ、これら電極１９と配線部６との
間に電気的な接続が得られると同時に、電極１９の突出
部は約１０乃至２０％塑性変形している。そして、この
状態のもとで光硬化性樹脂１７に紫外線照射装置１０で
もって露光部１６から紫外線２１を１０秒乃至１分間照
射する。この照射では、ガラス基板を透過して紫外線を
照射するため、上記水銀キセノンランプ１３の主たる発
光波長のうち３６０ｎｍ付近の波長が最も有効である。
脂１７は押し広げられ、これら電極１９と配線部６との
間に電気的な接続が得られると同時に、電極１９の突出
部は約１０乃至２０％塑性変形している。そして、この
状態のもとで光硬化性樹脂１７に紫外線照射装置１０で
もって露光部１６から紫外線２１を１０秒乃至１分間照
射する。この照射では、ガラス基板を透過して紫外線を
照射するため、上記水銀キセノンランプ１３の主たる発
光波長のうち３６０ｎｍ付近の波長が最も有効である。
【００１９】上記光硬化性樹脂１７には、アクリル系、
エポキシ系、シリコーン系等の樹脂を主成分としたもの
が考えられるが、本発明においては、変成アクリルを主
成分とするものが収縮力、硬化速度、耐熱衝撃性、耐湿
性などの諸特性を総合的に満足できる材料として好適で
ある。また、この光硬化性樹脂の熱膨張率は約８×１０
-5ｃｍ／℃であり、また塗布時の粘度は１０００乃至７
０００ｃｐｓの範囲である。
エポキシ系、シリコーン系等の樹脂を主成分としたもの
が考えられるが、本発明においては、変成アクリルを主
成分とするものが収縮力、硬化速度、耐熱衝撃性、耐湿
性などの諸特性を総合的に満足できる材料として好適で
ある。また、この光硬化性樹脂の熱膨張率は約８×１０
-5ｃｍ／℃であり、また塗布時の粘度は１０００乃至７
０００ｃｐｓの範囲である。
【００２０】かくして上記構成によれば、半導体素子１
８のバンプ１９と配線部６との電気的接続は圧接力によ
り行われ、ガラス基板２上の半導体素子１８の機械的な
固定は硬化した光硬化性樹脂１７により行われる。光硬
化性樹脂１７の硬化後、加圧治具２０が除去され、半導
体素子１８及びガラス基板２の半導体素子搭載領域９は
常温に戻される。
８のバンプ１９と配線部６との電気的接続は圧接力によ
り行われ、ガラス基板２上の半導体素子１８の機械的な
固定は硬化した光硬化性樹脂１７により行われる。光硬
化性樹脂１７の硬化後、加圧治具２０が除去され、半導
体素子１８及びガラス基板２の半導体素子搭載領域９は
常温に戻される。
【００２１】然る後、図５に示すように、搭載した半導
体素子１８全体を被覆するように、ディスペンサーを用
いて熱硬化性樹脂２２を塗布し、加熱硬化する。この加
熱条件は、樹脂の種類によっても異なるが、約１２０
℃、１．５時間である。この熱硬化性樹脂２２には、シ
リコーン系、エポキシ系、フェノール系等の樹脂を主成
分としたものがあるが、就中、シリコーン系樹脂が硬化
後も一定の弾性を有し、透光性基板に不要なストレスを
蓄積させないと点で好適である。
体素子１８全体を被覆するように、ディスペンサーを用
いて熱硬化性樹脂２２を塗布し、加熱硬化する。この加
熱条件は、樹脂の種類によっても異なるが、約１２０
℃、１．５時間である。この熱硬化性樹脂２２には、シ
リコーン系、エポキシ系、フェノール系等の樹脂を主成
分としたものがあるが、就中、シリコーン系樹脂が硬化
後も一定の弾性を有し、透光性基板に不要なストレスを
蓄積させないと点で好適である。
【００２２】このように半導体素子１８をガラス基板２
に搭載した場合、熱硬化性樹脂被覆工程を経由した後で
も、従来のような半導体素子と配線部の接続不良による
表示欠陥は全く生じなかった。また、この熱硬化性樹脂
を被覆すると、それ自体の優れた耐湿性や耐環境性によ
り保護樹脂用に好適である。
に搭載した場合、熱硬化性樹脂被覆工程を経由した後で
も、従来のような半導体素子と配線部の接続不良による
表示欠陥は全く生じなかった。また、この熱硬化性樹脂
を被覆すると、それ自体の優れた耐湿性や耐環境性によ
り保護樹脂用に好適である。
【００２３】尚、上記実施例においては液晶モジュール
の場合を例に述べたが、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種
々の装置への応用、また、変更、改良等は何ら差し支え
ない。
の場合を例に述べたが、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種
々の装置への応用、また、変更、改良等は何ら差し支え
ない。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体素子の実
装方法によれば、透光性基板の上に半導体素子を搭載す
るＣＯＧ方式液晶モジュール等において、半導体素子を
フェイスダウン方式で接続する際に、配線回路を形成し
た透光性基板の半導体素子搭載領域に、変成アクリルを
主成分とする光硬化性樹脂を介して半導体素子を搭載
し、この半導体素子を加圧且つ加熱しながら、その樹脂
を紫外線照射して硬化させ、半導体素子を透光性基板上
に固定せしめたことにより、常温において安定した電気
的接続が得られ、しかも、この後に接続部分を再加熱す
るような工程を経由しても、電気的導通不良を生じるこ
とがなく、その結果、半導体素子と配線回路との電気的
接続の信頼性を著しく高めることができた。
装方法によれば、透光性基板の上に半導体素子を搭載す
るＣＯＧ方式液晶モジュール等において、半導体素子を
フェイスダウン方式で接続する際に、配線回路を形成し
た透光性基板の半導体素子搭載領域に、変成アクリルを
主成分とする光硬化性樹脂を介して半導体素子を搭載
し、この半導体素子を加圧且つ加熱しながら、その樹脂
を紫外線照射して硬化させ、半導体素子を透光性基板上
に固定せしめたことにより、常温において安定した電気
的接続が得られ、しかも、この後に接続部分を再加熱す
るような工程を経由しても、電気的導通不良を生じるこ
とがなく、その結果、半導体素子と配線回路との電気的
接続の信頼性を著しく高めることができた。
【００２５】加えて、この半導体素子の実装方法によれ
ば、光硬化性樹脂が使用できたことにより、作業能率を
高めることもできた。
ば、光硬化性樹脂が使用できたことにより、作業能率を
高めることもできた。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例における液晶パネルの断面図である。
【図２】紫外線照射装置の概略図である。
【図３】液晶パネルに対する半導体素子の実装方法を示
す実施例の説明図である。
す実施例の説明図である。
【図４】液晶パネルに対する半導体素子の実装方法を示
す実施例の説明図である。
す実施例の説明図である。
【図５】液晶パネルに対する半導体素子の実装方法を示
す実施例の説明図である。
す実施例の説明図である。
【図６】従来技術の実装方法を示す説明図である。
１・・・・・液晶パネル ２、５・・・ガラス基板 ６・・・・・配線部 ９・・・・・半導体素子搭載領域 １０・・・・紫外線照射装置 １３・・・・キセノンランプ １７・・・・光硬化性樹脂 １８・・・・半導体素子 ２２・・・・熱硬化性樹脂
Claims (1)
- 【請求項１】透明電極と配向膜とを形成した２枚の透光
性基板を対向配置し、これら透光性基板間に液晶を注入
して表示領域を設け、この表示領域を駆動するための配
線領域を透光性基板上に設け、この配線領域の半導体素
子搭載領域に半導体素子をフェイスダウン実装するＣＯ
Ｇ方式液晶モジュ−ルに用いる半導体素子の実装方法に
おいて、前記配線領域の半導体素子搭載領域に対し、予
め紫外線照射し、次いでこの半導体素子搭載領域に、変
成アクリルを主成分とする光硬化性樹脂を塗布し、その
塗布した光硬化性樹脂を介して半導体素子を搭載し、然
る後に上記樹脂を加熱しつつ該半導体素子を上記透光性
基板に対して加圧するとともに、この加熱加圧状態のも
とで該光硬化性樹脂を露光により硬化させて、半導体素
子を透光性基板上に固定せしめ、その後、半導体素子を
熱硬化性樹脂にて被覆して、この熱硬化性樹脂を加熱硬
化したことを特徴とする半導体素子の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31743892A JP3270773B2 (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 半導体素子の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31743892A JP3270773B2 (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 半導体素子の実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163633A JPH06163633A (ja) | 1994-06-10 |
| JP3270773B2 true JP3270773B2 (ja) | 2002-04-02 |
Family
ID=18088224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31743892A Expired - Fee Related JP3270773B2 (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 半導体素子の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3270773B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3871095B2 (ja) * | 1998-03-31 | 2007-01-24 | 日立化成工業株式会社 | 回路板装置の製造法 |
| JP2009290231A (ja) * | 2009-09-01 | 2009-12-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路板装置の製造法 |
| JP5730035B2 (ja) * | 2011-01-25 | 2015-06-03 | デクセリアルズ株式会社 | 接続構造体の製造方法、異方性導電接続方法及び接続構造体 |
-
1992
- 1992-11-26 JP JP31743892A patent/JP3270773B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06163633A (ja) | 1994-06-10 |
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