JP3193198B2 - 半導体素子の実装方法 - Google Patents
半導体素子の実装方法Info
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- Liquid Crystal (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラスチック基板上に接
着用樹脂を介して半導体素子を搭載する半導体素子の実
装方法に関するものである。
着用樹脂を介して半導体素子を搭載する半導体素子の実
装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子を搭載したデバイスが
種々開発されている。例えば、液晶モジュール、ＥＬパ
ネル等があり、この液晶モジュールには、ガラス基板の
上に半導体素子を搭載したＣＯＧ方式として提案されて
いる。
種々開発されている。例えば、液晶モジュール、ＥＬパ
ネル等があり、この液晶モジュールには、ガラス基板の
上に半導体素子を搭載したＣＯＧ方式として提案されて
いる。
【０００３】また、最近、液晶モジュールに対しては軽
薄短小が要求され、これに伴ってガラス基板に代えてプ
ラスチックフィルム基板の採用も提案されている。
薄短小が要求され、これに伴ってガラス基板に代えてプ
ラスチックフィルム基板の採用も提案されている。
【０００４】このような基板の上に半導体素子を搭載し
た構成においては、これらの基板の上の配線部と半導体
素子とをワイヤーボンディングする技術が確立されてい
るが、近年、半導体素子の電極と基板の上の配線部とを
直接接続するフェイスダウン方式も提案されている。こ
の接続には異方性導電膜、導電性ペースト、ゴムコネク
タを用いたり、更に光硬化樹脂を用いることも提案され
ている（特公平２ ７１８０号参照）。
た構成においては、これらの基板の上の配線部と半導体
素子とをワイヤーボンディングする技術が確立されてい
るが、近年、半導体素子の電極と基板の上の配線部とを
直接接続するフェイスダウン方式も提案されている。こ
の接続には異方性導電膜、導電性ペースト、ゴムコネク
タを用いたり、更に光硬化樹脂を用いることも提案され
ている（特公平２ ７１８０号参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、プラ
スチックフィルム基板を採用したＣＯＧ方式の液晶モジ
ュールにおいては、半導体素子と基板のそれぞれの電極
を直接に接続するので、製造工程が簡略化されるが、そ
の反面、その電極に金から成るバンプ等を形成しなけれ
ばならず、これにより、その材料コストの上昇により製
造コストが高くなるという問題点があった。
スチックフィルム基板を採用したＣＯＧ方式の液晶モジ
ュールにおいては、半導体素子と基板のそれぞれの電極
を直接に接続するので、製造工程が簡略化されるが、そ
の反面、その電極に金から成るバンプ等を形成しなけれ
ばならず、これにより、その材料コストの上昇により製
造コストが高くなるという問題点があった。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】本発明の半導体素子の
実装方法は、下記（イ）乃至（ヘ）の工程によりプラス
チック基板の一主面上の半導体素子搭載領域に半導体素
子を固定せしめることを特徴とする。 （イ）プラスチック基板の他主面上に突起部を備えた治
具を当接する。 （ロ）その基板に対して治具を押圧しながら加熱した突
起部により基板上に突出部を成形する。 （ハ）その突出部上に電極を形成して半導体素子搭載領
域とする。 （ニ）その半導体素子搭載領域上に接着用樹脂を塗布す
る。 （ホ）突出部上の電極と半導体素子の電極とが対向する
ように位置合わせしながら接着用樹脂を介して半導体素
子を搭載する。 （ヘ）接着用樹脂を固化させることにより半導体素子を
基板上に固定せしめる。
実装方法は、下記（イ）乃至（ヘ）の工程によりプラス
チック基板の一主面上の半導体素子搭載領域に半導体素
子を固定せしめることを特徴とする。 （イ）プラスチック基板の他主面上に突起部を備えた治
具を当接する。 （ロ）その基板に対して治具を押圧しながら加熱した突
起部により基板上に突出部を成形する。 （ハ）その突出部上に電極を形成して半導体素子搭載領
域とする。 （ニ）その半導体素子搭載領域上に接着用樹脂を塗布す
る。 （ホ）突出部上の電極と半導体素子の電極とが対向する
ように位置合わせしながら接着用樹脂を介して半導体素
子を搭載する。 （ヘ）接着用樹脂を固化させることにより半導体素子を
基板上に固定せしめる。
【０００７】
【作用】上記構成の半導体素子の実装方法によれば、プ
ラスチック基板の他主面上に突起部を備えた治具を当接
し、その基板に対して治具を押圧しながら加熱した突起
部により基板上に突出部を成形し、その突出部上に電極
を形成して半導体素子搭載領域ができ、これにより、半
導体素子と基板の電極を直接に接続するので、製造工程
が簡略化され、しかも、その電極に金から成るバンプ等
を形成する必要がなく、その結果、その材料コストの低
減や、製造工程の簡略化により製造コストが低下し、製
造歩留りが向上する。
ラスチック基板の他主面上に突起部を備えた治具を当接
し、その基板に対して治具を押圧しながら加熱した突起
部により基板上に突出部を成形し、その突出部上に電極
を形成して半導体素子搭載領域ができ、これにより、半
導体素子と基板の電極を直接に接続するので、製造工程
が簡略化され、しかも、その電極に金から成るバンプ等
を形成する必要がなく、その結果、その材料コストの低
減や、製造工程の簡略化により製造コストが低下し、製
造歩留りが向上する。
【０００８】
【実施例】以下、図１〜図７により順次本発明の半導体
素子の実装方法を詳述する。図１において、１は例えば
透明なプラスチックフィルム基板であり、ＣＯＧ方式の
液晶モジュールであれば、その厚みを０．１〜０．３ｍ
ｍの範囲にするとよく、また、プラスチックフィルム基
板１は一般的に水分の透過率が大きいので、その表面を
エポキシ系樹脂等によりコートして、その水分の透過を
防止するのが望ましい。尚、この基板１はフィルム状で
あるが、その他にシート状、板状であってもよい。
素子の実装方法を詳述する。図１において、１は例えば
透明なプラスチックフィルム基板であり、ＣＯＧ方式の
液晶モジュールであれば、その厚みを０．１〜０．３ｍ
ｍの範囲にするとよく、また、プラスチックフィルム基
板１は一般的に水分の透過率が大きいので、その表面を
エポキシ系樹脂等によりコートして、その水分の透過を
防止するのが望ましい。尚、この基板１はフィルム状で
あるが、その他にシート状、板状であってもよい。
【０００９】この基板１の一方主面１ａが半導体素子搭
載用であり、その他方主面１ｂに突起部２を備えた治具
３を当接した。この治具３には加熱ヒータ４が設けられ
ており、このヒータ４でもって突起部２が加熱され、そ
のような治具３の押圧により基板１の一方主面１ａに突
出部５が成形された（図２参照）。この突出部５の高さ
は７〜１５μｍの範囲にすると電気的接続不良を減少も
しくは無くせるという点でよい。
載用であり、その他方主面１ｂに突起部２を備えた治具
３を当接した。この治具３には加熱ヒータ４が設けられ
ており、このヒータ４でもって突起部２が加熱され、そ
のような治具３の押圧により基板１の一方主面１ａに突
出部５が成形された（図２参照）。この突出部５の高さ
は７〜１５μｍの範囲にすると電気的接続不良を減少も
しくは無くせるという点でよい。
【００１０】本例においては、その突出部５を最も効率
的かつ精度よく成形するために、一方主面１ａの側にも
突起部２と対応する凹部を有するとともに加熱ヒータ４
ａを具備する治具６を配置した。但し、治具６を用いな
いで治具３だけでも成形できる。
的かつ精度よく成形するために、一方主面１ａの側にも
突起部２と対応する凹部を有するとともに加熱ヒータ４
ａを具備する治具６を配置した。但し、治具６を用いな
いで治具３だけでも成形できる。
【００１１】次いで、その成形プラスチックフィルム基
板の少なくとも突出部５上に電極７を形成して半導体素
子搭載領域とし、半導体素子搭載用成形プラスチックフ
ィルム基板８（図３参照）とした。
板の少なくとも突出部５上に電極７を形成して半導体素
子搭載領域とし、半導体素子搭載用成形プラスチックフ
ィルム基板８（図３参照）とした。
【００１２】その後に図４に示すように半導体素子搭載
領域に接着用樹脂９を塗布した（図４参照）。この樹脂
９にはエポキシ系、アクリル系、変性アクリル等からな
る光硬化性樹脂があり、その塗布方法はディスペンス
法、印刷法等を用いる。
領域に接着用樹脂９を塗布した（図４参照）。この樹脂
９にはエポキシ系、アクリル系、変性アクリル等からな
る光硬化性樹脂があり、その塗布方法はディスペンス
法、印刷法等を用いる。
【００１３】然る後に図５に示すように突出部５上の電
極と半導体素子１０の電極とが対向するように位置合わ
せ（アライメント）しながら、接着用樹脂９を介して半
導体素子１０を搭載した。
極と半導体素子１０の電極とが対向するように位置合わ
せ（アライメント）しながら、接着用樹脂９を介して半
導体素子１０を搭載した。
【００１４】次の工程においては、半導体素子１０の上
面から加圧治具１１でもって押圧しながら、他方主面１
ｂより紫外線照射し、これにより、突出部５が潰されな
がらも突出部５上の電極と半導体素子１０の電極とが電
気的に導通するとともに、樹脂９の硬化により半導体素
子１０が基板８上に固定された（図７参照）。
面から加圧治具１１でもって押圧しながら、他方主面１
ｂより紫外線照射し、これにより、突出部５が潰されな
がらも突出部５上の電極と半導体素子１０の電極とが電
気的に導通するとともに、樹脂９の硬化により半導体素
子１０が基板８上に固定された（図７参照）。
【００１５】かくして、従来のワイヤーボンディングで
あれば、個別に電極接続するのに対して、上記実施例の
半導体素子の実装方法によれば、半導体素子１０と基板
８の電極７を直接に接続するので、同時に電極接続して
製造工程が簡略化された。しかも、その電極に金から成
るバンプ等を形成する必要がなく、これにより、その材
料コストの低減や、製造工程の簡略化により製造コスト
が低下した。
あれば、個別に電極接続するのに対して、上記実施例の
半導体素子の実装方法によれば、半導体素子１０と基板
８の電極７を直接に接続するので、同時に電極接続して
製造工程が簡略化された。しかも、その電極に金から成
るバンプ等を形成する必要がなく、これにより、その材
料コストの低減や、製造工程の簡略化により製造コスト
が低下した。
【００１６】次に本発明の半導体素子の実装方法を図８
によりＣＯＧ方式の液晶モジュールについて説明する。
同図の液晶パネル１２は、プラスチックフィルム基板１
３に半導体素子１０を搭載したＣＯＧ方式液晶モジュー
ルであり、１４は表示領域、１５はその表示領域を駆動
するための配線領域である。この液晶パネル１２を作製
するには、２枚のプラスチックフィルム基板１３、１６
の各一主面にＩＴＯを形成し、この表示領域１４に複数
の透明電極１７をライン状に配列し、これにより、この
透明電極を配線領域１５にまで延在させ、その延在した
透明電極の上にＮｉ層とＡｕ層とを順次積層してなる配
線部１８を形成した。したがって、突出部５上の電極７
は、この配線部１８に相当する。
によりＣＯＧ方式の液晶モジュールについて説明する。
同図の液晶パネル１２は、プラスチックフィルム基板１
３に半導体素子１０を搭載したＣＯＧ方式液晶モジュー
ルであり、１４は表示領域、１５はその表示領域を駆動
するための配線領域である。この液晶パネル１２を作製
するには、２枚のプラスチックフィルム基板１３、１６
の各一主面にＩＴＯを形成し、この表示領域１４に複数
の透明電極１７をライン状に配列し、これにより、この
透明電極を配線領域１５にまで延在させ、その延在した
透明電極の上にＮｉ層とＡｕ層とを順次積層してなる配
線部１８を形成した。したがって、突出部５上の電極７
は、この配線部１８に相当する。
【００１７】その後、表示領域１４の透明電極の上に配
向膜１９を形成し、更にこの配向膜１９の表面をラビン
グ処理して液晶分子の向きを所定の方向に設定するよう
にしている。このような２枚の被膜基板１３、１６を、
各透明電極ライン１７が交差するように且つ対向するよ
うに配置して、その間に液晶２０を注入して表示領域１
４と成すとともに、更にこの表示領域１４の周囲をシー
ル部２１でもって封止する。
向膜１９を形成し、更にこの配向膜１９の表面をラビン
グ処理して液晶分子の向きを所定の方向に設定するよう
にしている。このような２枚の被膜基板１３、１６を、
各透明電極ライン１７が交差するように且つ対向するよ
うに配置して、その間に液晶２０を注入して表示領域１
４と成すとともに、更にこの表示領域１４の周囲をシー
ル部２１でもって封止する。
【００１８】上記構成の液晶パネル１２に半導体素子を
搭載するには、次のように行う。先ず、この液晶パネル
１２を超音波洗浄し、その後に液晶配向検査を行う。こ
の液晶配向検査は偏光板を介して光を透過させることに
より行う。次に液晶パネル１２の半導体素子搭載領域に
対して紫外線照射し、この領域の面に付着した有機物等
を分解除去する。これには水銀キセノンランプの主たる
発光波長のうち１８４ｎｍ、２５４ｎｍ付近の短波長が
有効である。この工程により半導体素子搭載領域のガラ
ス面の接触角が大きくなり、基板１３に対する紫外線硬
化樹脂の密着性が著しく向上する。しかる後に、液晶パ
ネル１２に対して、本発明に従うフェイスダウン方式の
半導体素子の実装方法を行う。
搭載するには、次のように行う。先ず、この液晶パネル
１２を超音波洗浄し、その後に液晶配向検査を行う。こ
の液晶配向検査は偏光板を介して光を透過させることに
より行う。次に液晶パネル１２の半導体素子搭載領域に
対して紫外線照射し、この領域の面に付着した有機物等
を分解除去する。これには水銀キセノンランプの主たる
発光波長のうち１８４ｎｍ、２５４ｎｍ付近の短波長が
有効である。この工程により半導体素子搭載領域のガラ
ス面の接触角が大きくなり、基板１３に対する紫外線硬
化樹脂の密着性が著しく向上する。しかる後に、液晶パ
ネル１２に対して、本発明に従うフェイスダウン方式の
半導体素子の実装方法を行う。
【００１９】以上の通り、本発明の半導体素子の実装方
法を採用することにより軽薄短小の要求が満たされた液
晶モジュールが低コスト且つ高い製造歩留りにより安定
して製造できた。
法を採用することにより軽薄短小の要求が満たされた液
晶モジュールが低コスト且つ高い製造歩留りにより安定
して製造できた。
【００２０】尚、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変
更、改良等は何ら差し支えない。例えば、接着用樹脂と
して光硬化性樹脂を用いる以外に、硬化性樹脂や瞬間接
着剤等を採用してもよく、その場合には透明なプラスチ
ック基板を用いる必要がない。
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変
更、改良等は何ら差し支えない。例えば、接着用樹脂と
して光硬化性樹脂を用いる以外に、硬化性樹脂や瞬間接
着剤等を採用してもよく、その場合には透明なプラスチ
ック基板を用いる必要がない。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体素子の実
装方法によれば、プラスチック基板に突起部を備えた治
具を当接し、その基板に対して治具を押圧しながら加熱
した突起部により基板上に突出部を成形し、その突出部
上に電極を形成して半導体素子搭載領域を構成してお
り、これにより、半導体素子と基板の電極を直接に接続
するので、製造工程が簡略化され、しかも、その電極に
金から成るバンプ等を形成する必要がなく、その結果、
その材料コストの低減や、製造工程の簡略化により製造
コストが低下し、製造歩留りが向上した。
装方法によれば、プラスチック基板に突起部を備えた治
具を当接し、その基板に対して治具を押圧しながら加熱
した突起部により基板上に突出部を成形し、その突出部
上に電極を形成して半導体素子搭載領域を構成してお
り、これにより、半導体素子と基板の電極を直接に接続
するので、製造工程が簡略化され、しかも、その電極に
金から成るバンプ等を形成する必要がなく、その結果、
その材料コストの低減や、製造工程の簡略化により製造
コストが低下し、製造歩留りが向上した。
【００２２】また、本発明の半導体素子の実装方法を液
晶モデュールに採用することにより、軽く、薄い液晶モ
ジュールが低コスト且つ高い製造歩留りにより安定して
製造できた。
晶モデュールに採用することにより、軽く、薄い液晶モ
ジュールが低コスト且つ高い製造歩留りにより安定して
製造できた。
【図１】実施例における半導体素子の実装方法の一工程
を示す断面概略図である。
を示す断面概略図である。
【図２】実施例における半導体素子の実装方法の一工程
を示す断面概略図である。
を示す断面概略図である。
【図３】実施例における半導体素子の実装方法の一工程
を示す断面概略図である。
を示す断面概略図である。
【図４】実施例における半導体素子の実装方法の一工程
を示す断面概略図である。
を示す断面概略図である。
【図５】実施例における半導体素子の実装方法の一工程
を示す断面概略図である。
を示す断面概略図である。
【図６】実施例における半導体素子の実装方法の一工程
を示す断面概略図である。
を示す断面概略図である。
【図７】実施例における半導体素子の実装方法の一工程
を示す断面概略図である。
を示す断面概略図である。
【図８】実施例における液晶モデュール半導体素子の断
面概略図である。
面概略図である。
１ プラスチックフィルム基板 ２ 突起部 ３、６ 治具 ５ 突出部 ７ 電極 ９ 接着用樹脂 １０ 半導体素子
Claims (1)
- 【請求項１】 下記（イ）乃至（ヘ）の工程によりプラ
スチック基板の一主面上の半導体素子搭載領域に半導体
素子を固定せしめることを特徴とする半導体素子の実装
方法。 （イ）プラスチック基板の他主面上に突起部を備えた治
具を当接する。 （ロ）その基板に対して治具を押圧しながら加熱した突
起部により基板の一主面上に突出部を成形する。 （ハ）その突出部上に電極を形成して半導体素子搭載領
域とする。 （ニ）その半導体素子搭載領域上に接着用樹脂を塗布す
る。 （ホ）突出部上の電極と半導体素子の電極とが対向する
ように位置合わせしながら接着用樹脂を介して半導体素
子を搭載する。 （ヘ）接着用樹脂を固化させることにより半導体素子を
基板上に固定せしめる。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18971393A JP3193198B2 (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 半導体素子の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18971393A JP3193198B2 (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 半導体素子の実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745643A JPH0745643A (ja) | 1995-02-14 |
| JP3193198B2 true JP3193198B2 (ja) | 2001-07-30 |
Family
ID=16245955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18971393A Expired - Fee Related JP3193198B2 (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 半導体素子の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3193198B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10037292A1 (de) * | 2000-07-31 | 2002-02-21 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Anschlußsubstraten für Halbleiterkomponenten |
| JP4086296B2 (ja) * | 2003-04-28 | 2008-05-14 | オプトレックス株式会社 | リード電極の接続構造 |
| US8240539B2 (en) | 2004-05-28 | 2012-08-14 | Panasonic Corporation | Joining apparatus with UV cleaning |
| JP4575839B2 (ja) * | 2004-05-28 | 2010-11-04 | パナソニック株式会社 | 接合装置及び接合方法 |
| CN108780760B (zh) * | 2016-03-17 | 2022-04-08 | 东京毅力科创株式会社 | 使用液体进行的芯片部件相对于基板的校准的方法 |
-
1993
- 1993-07-30 JP JP18971393A patent/JP3193198B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0745643A (ja) | 1995-02-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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