JPH06168979A - 半導体素子の実装方法 - Google Patents
半導体素子の実装方法Info
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- JPH06168979A JPH06168979A JP31912192A JP31912192A JPH06168979A JP H06168979 A JPH06168979 A JP H06168979A JP 31912192 A JP31912192 A JP 31912192A JP 31912192 A JP31912192 A JP 31912192A JP H06168979 A JPH06168979 A JP H06168979A
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- semiconductor chip
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
- H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
- H01L2224/83874—Ultraviolet [UV] curing
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】信頼性の高い半導体素子実装製品が得られた。
【構成】反射性表面２６を有するテーブル２５に載置さ
れたガラス基板１０に紫外線硬化樹脂２７を塗布し、そ
れを介して半導体素子２８を搭載し、次いでガラス基板
１０を介してテーブル２５の反射性表面２６を紫外線照
射し、その反射された紫外線を紫外線硬化樹脂２７に露
光して固化することにより半導体素子２８をガラス基板
１０上に固定せしめた半導体素子の実装方法。
れたガラス基板１０に紫外線硬化樹脂２７を塗布し、そ
れを介して半導体素子２８を搭載し、次いでガラス基板
１０を介してテーブル２５の反射性表面２６を紫外線照
射し、その反射された紫外線を紫外線硬化樹脂２７に露
光して固化することにより半導体素子２８をガラス基板
１０上に固定せしめた半導体素子の実装方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は透光性基板上に光硬化樹
脂を介して半導体素子を搭載する半導体素子の実装方法
に関するものである。
脂を介して半導体素子を搭載する半導体素子の実装方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子を搭載したデバイスが
種々開発されている。例えば、液晶モジュール、ＥＬパ
ネル等があり、この液晶モジュールには、ガラス基板の
上に半導体素子を搭載したＣＯＧ方式として提案されて
いる。
種々開発されている。例えば、液晶モジュール、ＥＬパ
ネル等があり、この液晶モジュールには、ガラス基板の
上に半導体素子を搭載したＣＯＧ方式として提案されて
いる。
【０００３】このガラス基板の上に半導体素子を搭載し
た構成においては、そのガラス基板の上の配線部と半導
体素子とをワイヤーボンディングする技術が確立されて
いるが、近年、半導体素子の電極と基板の上の配線部と
を直接接続するフェイスダウン方式も提案されている。
この接続には異方性導電膜、導電性ペースト、ゴムコネ
クタを用いたり、更に光硬化樹脂を用いることも提案さ
れている（特公平２７１８０号参照）。
た構成においては、そのガラス基板の上の配線部と半導
体素子とをワイヤーボンディングする技術が確立されて
いるが、近年、半導体素子の電極と基板の上の配線部と
を直接接続するフェイスダウン方式も提案されている。
この接続には異方性導電膜、導電性ペースト、ゴムコネ
クタを用いたり、更に光硬化樹脂を用いることも提案さ
れている（特公平２７１８０号参照）。
【０００４】また、この提案による従来の半導体素子の
実装方法を液晶モジュール用ガラス基板の上に半導体素
子を実装する場合を例にとって、図４乃至図６に示す。
実装方法を液晶モジュール用ガラス基板の上に半導体素
子を実装する場合を例にとって、図４乃至図６に示す。
【０００５】図４は、テーブル１の上に配線パターン２
が形成された液晶モジュール用ガラス基板３に半導体素
子４を搭載した状態を示しており、この実装には、先ず
図５に示すように半導体素子搭載領域５に紫外線硬化樹
脂６を塗布し、半導体素子４をバンプ４ａを介して搭載
し、この半導体素子４の上から加圧治具７でもって押圧
する。そして、この状態のもとで図６に示すように紫外
線硬化樹脂６に紫外線照射装置（図示せず）でもって図
中の下からガラス基板３を介して紫外線照射する。テー
ブル１には、この紫外線照射を紫外線硬化樹脂６に有効
に行うために半導体素子搭載領域５よりも少し広い領域
で開口部８が形成されている。
が形成された液晶モジュール用ガラス基板３に半導体素
子４を搭載した状態を示しており、この実装には、先ず
図５に示すように半導体素子搭載領域５に紫外線硬化樹
脂６を塗布し、半導体素子４をバンプ４ａを介して搭載
し、この半導体素子４の上から加圧治具７でもって押圧
する。そして、この状態のもとで図６に示すように紫外
線硬化樹脂６に紫外線照射装置（図示せず）でもって図
中の下からガラス基板３を介して紫外線照射する。テー
ブル１には、この紫外線照射を紫外線硬化樹脂６に有効
に行うために半導体素子搭載領域５よりも少し広い領域
で開口部８が形成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、上記
の半導体素子実装方法においては、加圧治具７の押圧力
が２．０Ｋｇ／チップ以上であり、これにより、図７に
示すようにガラス基板３が反り、その結果、半導体素子
４のバンプが配線パターン２と均一に当たらなくなり、
電気的な導通不良が発生するという問題点があった。
の半導体素子実装方法においては、加圧治具７の押圧力
が２．０Ｋｇ／チップ以上であり、これにより、図７に
示すようにガラス基板３が反り、その結果、半導体素子
４のバンプが配線パターン２と均一に当たらなくなり、
電気的な導通不良が発生するという問題点があった。
【０００７】
【問題点を解決するための手段】本発明の半導体素子の
実装方法は、表面が反射性を有するテーブルに載置され
た透光性基板の半導体素子搭載領域に光硬化樹脂を塗布
し、その塗布した光硬化樹脂を介して半導体素子を搭載
し、次いで光照射装置により透光性基板を介して上記テ
ーブルの反射性表面を光照射し、その反射された光を上
記塗布した光硬化樹脂に露光して固化することにより半
導体素子を透光性基板上に固定せしめたことを特徴とす
る。
実装方法は、表面が反射性を有するテーブルに載置され
た透光性基板の半導体素子搭載領域に光硬化樹脂を塗布
し、その塗布した光硬化樹脂を介して半導体素子を搭載
し、次いで光照射装置により透光性基板を介して上記テ
ーブルの反射性表面を光照射し、その反射された光を上
記塗布した光硬化樹脂に露光して固化することにより半
導体素子を透光性基板上に固定せしめたことを特徴とす
る。
【０００８】
【作用】上記構成の半導体素子の実装方法によれば、表
面が反射性を有するテーブルに載置された透光性基板の
半導体素子搭載領域に光硬化樹脂を塗布し、光照射装置
により透光性基板を介して上記テーブルの反射性表面を
光照射し、その反射された光を上記塗布した光硬化樹脂
に露光して固化しており、これにより、従来の実装方法
ような半導体素子搭載領域に対応する形成したテーブル
開口部を不要とし、透光性基板が反らなくなり、その結
果、半導体素子のバンプが透光性基板上の配線パターン
と均一に当たり、電気的に良好な導通が得られる。
面が反射性を有するテーブルに載置された透光性基板の
半導体素子搭載領域に光硬化樹脂を塗布し、光照射装置
により透光性基板を介して上記テーブルの反射性表面を
光照射し、その反射された光を上記塗布した光硬化樹脂
に露光して固化しており、これにより、従来の実装方法
ような半導体素子搭載領域に対応する形成したテーブル
開口部を不要とし、透光性基板が反らなくなり、その結
果、半導体素子のバンプが透光性基板上の配線パターン
と均一に当たり、電気的に良好な導通が得られる。
【０００９】
【実施例】本発明をＣＯＧ方式液晶モジュールにおいて
半導体素子を搭載する場合を実施例にして詳細に説明す
る。
半導体素子を搭載する場合を実施例にして詳細に説明す
る。
【００１０】図３は液晶パネル９のガラス基板１０に半
導体素子を搭載してＣＯＧ方式液晶モジュールにするに
当たって、その搭載状態を示しており、１１は表示領
域、１２はその表示領域を駆動するための配線領域であ
る。この液晶パネル９を作製するには、２枚のガラス基
板１０、１３の各一主面にインジウム・スズ・オキサイ
ドとクロムとアルミニウムとの各層を順次積層し、次に
表示領域１１に位置するクロムとアルミニウムとの両層
をエッチング除去するとともに、この表示領域１１に複
数の透明電極（図示せず）をライン状に配列し、この透
明電極を配線領域１２にまで延在させ、その延在した透
明電極に上にクロム層とアルミニウム層とを順次積層し
てなる配線部１４を形成し、その後、表示領域１１の透
明電極の上に配向膜（図示せず）を形成し、更にこの配
向膜の表面をラビング処理して液晶分子の向きを所定の
方向に設定するようにしている。このような２枚の被膜
基板を、各透明電極ラインが交差するように且つ対向す
るように配置して、その間に液晶１５を注入して表示領
域１１と成すとともに、更にこの表示領域１１の周囲を
シール部１６でもって封止する。同図中の１７は半導体
素子の搭載領域である。
導体素子を搭載してＣＯＧ方式液晶モジュールにするに
当たって、その搭載状態を示しており、１１は表示領
域、１２はその表示領域を駆動するための配線領域であ
る。この液晶パネル９を作製するには、２枚のガラス基
板１０、１３の各一主面にインジウム・スズ・オキサイ
ドとクロムとアルミニウムとの各層を順次積層し、次に
表示領域１１に位置するクロムとアルミニウムとの両層
をエッチング除去するとともに、この表示領域１１に複
数の透明電極（図示せず）をライン状に配列し、この透
明電極を配線領域１２にまで延在させ、その延在した透
明電極に上にクロム層とアルミニウム層とを順次積層し
てなる配線部１４を形成し、その後、表示領域１１の透
明電極の上に配向膜（図示せず）を形成し、更にこの配
向膜の表面をラビング処理して液晶分子の向きを所定の
方向に設定するようにしている。このような２枚の被膜
基板を、各透明電極ラインが交差するように且つ対向す
るように配置して、その間に液晶１５を注入して表示領
域１１と成すとともに、更にこの表示領域１１の周囲を
シール部１６でもって封止する。同図中の１７は半導体
素子の搭載領域である。
【００１１】次いで、この液晶パネル９を有機溶剤と超
音波洗浄を組み合わせて洗浄し、その後に液晶配向検査
を行う。この液晶配向検査は偏光板を介して光を透過さ
せることにより行う。
音波洗浄を組み合わせて洗浄し、その後に液晶配向検査
を行う。この液晶配向検査は偏光板を介して光を透過さ
せることにより行う。
【００１２】その後、上記液晶パネル９に対して、図８
に示すような紫外線照射装置１８でもって紫外線照射す
る。この紫外線照射装置１８はランプ電源コントローラ
１９と光源ユニット２０とから構成され、この光源ユニ
ット２０にはキセノンランプ２１（例えば強度１．２Ｗ
／ｃｍ2 の水銀キセノンランプ）が搭載され、このキセ
ノンランプ２１はその背後に配置された反射鏡２２によ
り有効に反射されながら紫外線を照射する。また、この
照射に当たっては、ランプ電源コントローラ１９により
コントロールされながらキセノンランプ２１に電力印加
される。そして、キセノンランプ２１により照射された
紫外線はフレキシブルケーブル２３を介してその端部の
露光部２４より所定の方向に照らされる。
に示すような紫外線照射装置１８でもって紫外線照射す
る。この紫外線照射装置１８はランプ電源コントローラ
１９と光源ユニット２０とから構成され、この光源ユニ
ット２０にはキセノンランプ２１（例えば強度１．２Ｗ
／ｃｍ2 の水銀キセノンランプ）が搭載され、このキセ
ノンランプ２１はその背後に配置された反射鏡２２によ
り有効に反射されながら紫外線を照射する。また、この
照射に当たっては、ランプ電源コントローラ１９により
コントロールされながらキセノンランプ２１に電力印加
される。そして、キセノンランプ２１により照射された
紫外線はフレキシブルケーブル２３を介してその端部の
露光部２４より所定の方向に照らされる。
【００１３】次に上記液晶パネル９に対して紫外線照射
装置１８でもって紫外線照射する工程を図１と図２によ
り説明する。
装置１８でもって紫外線照射する工程を図１と図２によ
り説明する。
【００１４】先ず液晶パネル９の半導体素子搭載領域１
７に対して紫外線照射し、この領域１７の面に付着した
有機物等を分解除去する。これには上記水銀キセノンラ
ンプ２１の主たる発光波長のうち１８４ｎｍ、２５４ｎ
ｍ付近の短波長が有効である（但し、この短波長光はガ
ラス基板９、１２に吸収される）。この工程により半導
体素子搭載領域１７のガラス面の接触角が大きくなり、
ガラス基板１０に対する紫外線硬化樹脂の密着性が著し
く向上する。
７に対して紫外線照射し、この領域１７の面に付着した
有機物等を分解除去する。これには上記水銀キセノンラ
ンプ２１の主たる発光波長のうち１８４ｎｍ、２５４ｎ
ｍ付近の短波長が有効である（但し、この短波長光はガ
ラス基板９、１２に吸収される）。この工程により半導
体素子搭載領域１７のガラス面の接触角が大きくなり、
ガラス基板１０に対する紫外線硬化樹脂の密着性が著し
く向上する。
【００１５】次に図１に示すようにテーブル２５の上
に、この液晶パネル９を配置する。このテーブル２５
は、例えばＳ４５Ｃなどの炭素鋼に１０μ程度のクロム
めっき或いはニッケルめっきを施したもの、またはＳＵ
Ｓ３０４などのステンレス鋼を表面粗さ０．８μ以下に
して鏡面仕上げし、反射性表面２６を具備させたもので
ある。このような構成において、半導体素子搭載領域１
７に従来公知の方法によりディスペンサーを用いて紫外
線硬化樹脂２７を塗布し、その搭載領域１７に半導体素
子２８を搭載し、この半導体素子２８を紫外線硬化樹脂
２７によりガラス基板１０に固定する。この固定方法に
よれば、半導体素子２８は電極パッドに、Ｃｒ−Ｃｕ、
Ｔｉ−Ｐｄ等の多層金属膜を被着して、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、半田等から成る金属突起２９を形成した構成であ
り、この半導体素子２８の金属突起２９と配線部１４
（図示せず）とを位置合わせし、半導体素子２８の上か
ら加圧治具３０でもって押圧し、紫外線硬化樹脂２７は
押し広げられ、これら金属突起２９と配線部１４とは電
気的な接続が得られる。
に、この液晶パネル９を配置する。このテーブル２５
は、例えばＳ４５Ｃなどの炭素鋼に１０μ程度のクロム
めっき或いはニッケルめっきを施したもの、またはＳＵ
Ｓ３０４などのステンレス鋼を表面粗さ０．８μ以下に
して鏡面仕上げし、反射性表面２６を具備させたもので
ある。このような構成において、半導体素子搭載領域１
７に従来公知の方法によりディスペンサーを用いて紫外
線硬化樹脂２７を塗布し、その搭載領域１７に半導体素
子２８を搭載し、この半導体素子２８を紫外線硬化樹脂
２７によりガラス基板１０に固定する。この固定方法に
よれば、半導体素子２８は電極パッドに、Ｃｒ−Ｃｕ、
Ｔｉ−Ｐｄ等の多層金属膜を被着して、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、半田等から成る金属突起２９を形成した構成であ
り、この半導体素子２８の金属突起２９と配線部１４
（図示せず）とを位置合わせし、半導体素子２８の上か
ら加圧治具３０でもって押圧し、紫外線硬化樹脂２７は
押し広げられ、これら金属突起２９と配線部１４とは電
気的な接続が得られる。
【００１６】その後、この状態のもとで、図２に示すよ
うに紫外線硬化樹脂２７に紫外線照射装置１８でもって
露光部２４から紫外線照射する。この照射では、上記水
銀キセノンランプ２１の主たる発光波長のうち３６０ｎ
ｍ付近の波長が最も有効であって、この波長光はガラス
基板１０を透過し得る。そこで、ガラス基板１０を透過
した紫外線は反射性表面２６でもって反射し、その反射
光が再びガラス基板１０を透過し、紫外線硬化樹脂２７
を紫外線照射する。また、露光部２４からの照射光のう
ち一部の光は直接樹脂２７を紫外線照射する。
うに紫外線硬化樹脂２７に紫外線照射装置１８でもって
露光部２４から紫外線照射する。この照射では、上記水
銀キセノンランプ２１の主たる発光波長のうち３６０ｎ
ｍ付近の波長が最も有効であって、この波長光はガラス
基板１０を透過し得る。そこで、ガラス基板１０を透過
した紫外線は反射性表面２６でもって反射し、その反射
光が再びガラス基板１０を透過し、紫外線硬化樹脂２７
を紫外線照射する。また、露光部２４からの照射光のう
ち一部の光は直接樹脂２７を紫外線照射する。
【００１７】かくして上記構成によれば、従来の実装方
法ような半導体素子搭載領域に対応する形成したテーブ
ル開口部を不要としながらも、ガラス基板１０上の半導
体素子２８の固定は硬化した紫外線硬化樹脂２７により
行われるとともに、金属突起２９と配線部１４（図示せ
ず）との電気的接続は圧接により電気的に良好な導通が
得られる。
法ような半導体素子搭載領域に対応する形成したテーブ
ル開口部を不要としながらも、ガラス基板１０上の半導
体素子２８の固定は硬化した紫外線硬化樹脂２７により
行われるとともに、金属突起２９と配線部１４（図示せ
ず）との電気的接続は圧接により電気的に良好な導通が
得られる。
【００１８】尚、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変
更、改良等は何ら差し支えない。
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変
更、改良等は何ら差し支えない。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体素子の実
装方法によれば、表面が反射性を有するテーブルに載置
された透光性基板の半導体素子搭載領域に光硬化樹脂を
塗布し、光照射装置により透光性基板を介して上記テー
ブルの反射性表面を光照射し、その反射された光を上記
塗布した光硬化樹脂に露光して固化しており、これによ
り、従来の実装方法ような半導体素子搭載領域に対応す
る形成したテーブル開口部を不要とし、透光性基板が反
らなくなり、その結果、半導体素子のバンプが透光性基
板上の配線パターンと均一に当たり、電気的に良好な導
通が得られ、信頼性の高い実装製品が得られた。
装方法によれば、表面が反射性を有するテーブルに載置
された透光性基板の半導体素子搭載領域に光硬化樹脂を
塗布し、光照射装置により透光性基板を介して上記テー
ブルの反射性表面を光照射し、その反射された光を上記
塗布した光硬化樹脂に露光して固化しており、これによ
り、従来の実装方法ような半導体素子搭載領域に対応す
る形成したテーブル開口部を不要とし、透光性基板が反
らなくなり、その結果、半導体素子のバンプが透光性基
板上の配線パターンと均一に当たり、電気的に良好な導
通が得られ、信頼性の高い実装製品が得られた。
【図１】実施例における液晶パネルに対する紫外線硬化
樹脂の塗布と加圧を示す説明図である。
樹脂の塗布と加圧を示す説明図である。
【図２】実施例における液晶パネルに対する紫外線照射
の方法を示す説明図である。
の方法を示す説明図である。
【図３】実施例における液晶パネルの断面図である。
【図４】従来の液晶パネルに対する半導体素子の実装を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図５】従来の液晶パネルに対する紫外線硬化樹脂の塗
布と加圧を示す説明図である。
布と加圧を示す説明図である。
【図６】従来の液晶パネルに対する紫外線照射の方法を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図７】従来の液晶パネルに対する半導体素子の実装の
問題点を示す説明図である。
問題点を示す説明図である。
【図８】紫外線照射装置の概略図である。
９ 液晶パネル １０ ガラス基板 １８ 紫外線照射装置 ２５ テーブル ２６ 反射性表面 ２７ 紫外線硬化樹脂 ２８ 半導体素子
Claims (1)
- 【請求項１】 表面が反射性を有するテーブルに載置さ
れた透光性基板の半導体素子搭載領域に光硬化樹脂を塗
布し、その塗布した光硬化樹脂を介して半導体素子を搭
載し、次いで光照射装置により透光性基板を介して上記
テーブルの反射性表面を光照射し、その反射された光を
上記塗布した光硬化樹脂に露光して固化することにより
半導体素子を透光性基板上に固定せしめたことを特徴と
する半導体素子の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31912192A JPH06168979A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 半導体素子の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31912192A JPH06168979A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 半導体素子の実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06168979A true JPH06168979A (ja) | 1994-06-14 |
Family
ID=18106702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31912192A Pending JPH06168979A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 半導体素子の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06168979A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010226053A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Toppan Forms Co Ltd | 配線基材の製造方法 |
| JP2011082582A (ja) * | 2011-01-25 | 2011-04-21 | Sony Chemical & Information Device Corp | 接続構造体の製造方法、異方性導電接続方法及び接続構造体 |
| JP2014017364A (ja) * | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Panasonic Corp | 部品実装基板の製造システム、および製造方法 |
| JP2014103378A (ja) * | 2012-07-06 | 2014-06-05 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び圧着装置 |
-
1992
- 1992-11-30 JP JP31912192A patent/JPH06168979A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010226053A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Toppan Forms Co Ltd | 配線基材の製造方法 |
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