JP2005235829A - 電子部品の製造方法、電子部品、電子部品の実装方法および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】 電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することが可能な、電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 相手側基板10との機械的接続に使用可能な樹脂層25を電子部品40の能動面に形成し、バンプ44の表面に樹脂層25の開口部を形成し、バンプの表面に導電性粒子50を固着して、電子部品40を形成する。この構成によれば、樹脂層25を相手側基板10との実装に使用するので、ウエットプロセスにより樹脂層25を剥離する必要がない。したがって、導電性粒子50がバンプ44の表面から離脱することがなくなる。
【選択図】 図4
【解決手段】 相手側基板10との機械的接続に使用可能な樹脂層25を電子部品40の能動面に形成し、バンプ44の表面に樹脂層25の開口部を形成し、バンプの表面に導電性粒子50を固着して、電子部品40を形成する。この構成によれば、樹脂層25を相手側基板10との実装に使用するので、ウエットプロセスにより樹脂層25を剥離する必要がない。したがって、導電性粒子50がバンプ44の表面から離脱することがなくなる。
【選択図】 図4
Description
本発明は、電子部品の製造方法、電子部品、電子部品の実装方法および電子機器に関するものである。
半導体素子等の電子部品は、回路基板等に実装されて使用されている。この電子部品を回路基板に実装する方法について、さまざまな方法が提案されている。図10に、従来技術に係る電子部品の実装方法の説明図を示す。図10(a)では、異方導電性フィルム(ACF)190を挟んで、IC等の電子部品170が相手側基板120に実装されている。異方導電性フィルム190は、熱硬化性樹脂192に導電性粒子195を分散させたものである。この導電性粒子195が、電子部品170の能動面に形成された電極パッド172と、相手側基板120の表面に形成された電極パッド122との間に入り込んで、両者が電気的に接続されている。また、加熱により硬化した熱硬化性樹脂192により、電子部品170と相手側基板120とが機械的に接続されている。
近年では、電子部品の小型化にともなって、電極パッド相互の狭ピッチ化が進んでいる。ところが、異方導電性フィルムを使用した上記の実装方法では、水平方向に隣接する電極パッドの間にも導電性粒子が配置されるため、電極パッド相互の短絡が発生するおそれがある。また、電極パッドの狭ピッチ化にともなって電極パッド自体も小さくなるため、各電極パッドが捕捉する導電性粒子の個数が減少し、電気的接続の信頼性が低下する。さらに、高価な導電性粒子のすべてを電気的接続に利用することができないといった問題がある。
そこで、特許文献1ないし3には、あらかじめ電極パッドの表面に導電性粒子を固着させて相手側基板に実装することにより、隣接する電極パッドの間に導電性粒子を配置しない構造が開示されている。図10(b)に、特許文献3に開示された実装方法の説明図を示す。この実装方法では、導電粒子295を接着剤296で被覆して接着性導電粒子298を形成し、この接着性導電粒子298を電子部品270における電極パッド272の表面に接着する。その接着方法は、まず電子部品270の能動面における電極パッド272の形成部分以外の部分に、レジスト膜280を形成する。次に、接着性導電粒子298を平面上に分散し、分散された接着性導電粒子298に対して電子部品270を加熱加圧する。これにより、電子部品270の能動面全体に接着性導電粒子298が接着される。次に、電極パッド272以外のレジスト膜280の表面に接着された接着性導電粒子298を、レジスト膜280とともに除去する。以上により、電極パッド272の表面のみに接着性導電粒子298が接着された状態となる。そして、残された接着性導電粒子298を相手側基板220の電極パッド222に位置決めして、電子部品270を相手側基板220に加熱圧着する。これにより、接着性導電粒子298の接着剤296が溶解して電子部品270と相手側基板220とが機械的に接続され、また露出した導電粒子295により両者が電気的に接続される。
特開平7−6799号公報
特開平10−84178号公報
特開2002−170837号公報
しかしながら、特許文献3に開示された実装方法において、レジスト膜280を除去するには、レジスト剥離液中に電子部品を浸漬することになる。この場合、導電粒子295を電極パッド272に接着している接着剤296が、レジスト剥離液により溶解して、導電粒子295が電極パッド272から離脱するおそれがある。これにより、電子部品270と相手側基板220とを電気的接続することができなくなるという問題がある。
また、特許文献3に記載された実装方法では、レジスト膜280の表面に接着された接着性導電粒子298をレジスト膜280とともに除去するので、余った接着性導電粒子298を再利用することができないという問題がある。なお、導電粒子295は高価であり、これを接着剤296で被覆した接着性導電粒子298はさらに高価であることから、余った接着性導電粒子298を廃棄することにより多くの製造コストを浪費することになる。
さらに、特許文献3に記載された実装方法では、接着性導電粒子298を平面上に分散し、その表面に電子部品270を加熱加圧して接着性導電粒子298を接着させるが、接着性導電粒子298を平面上に均等に分散させるのは困難である。接着性導電粒子298が不均等に分散された場合には、電子部品270の電極パッド272の表面に接着性導電粒子298を配置することが困難になり、電子部品270と相手側基板220とを電気的に接続することができなくなるという問題がある。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することが可能であり、また余った導電性粒子を再利用することが可能な、電子部品の製造方法の提供を目的とする。
また、電気的接続の信頼性に優れた電子部品および電子機器の提供を目的とする。
また、電気的接続の信頼性に優れた電子部品および電子機器の提供を目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の電子部品の製造方法は、能動面に形成された電極パッドを介して相手側基板に実装される電子部品の製造方法であって、前記電極パッドの表面にバンプを形成する工程と、前記バンプを覆うように、前記相手側基板との機械的接続に使用可能な樹脂層を形成する工程と、前記バンプの上方に前記樹脂層の開口部を形成する工程と、前記バンプの表面に導電性粒子を散布する工程と、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程と、を有することを特徴とする。
この構成によれば、樹脂層を相手側基板との機械的接続に使用するので、ウエットプロセスにより樹脂層を剥離する必要がない。したがって、導電性粒子がバンプ表面から離脱することがなくなり、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
この構成によれば、樹脂層を相手側基板との機械的接続に使用するので、ウエットプロセスにより樹脂層を剥離する必要がない。したがって、導電性粒子がバンプ表面から離脱することがなくなり、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
なお、前記樹脂層は、熱可塑性樹脂からなっていてもよい。また、前記樹脂層は、熱硬化性樹脂からなっていてもよい。
これらの構成によれば、熱処理により樹脂層の開口部を簡単に形成することができる。また、熱処理により電子部品と相手側基板とを簡単に機械的接続することができる。
これらの構成によれば、熱処理により樹脂層の開口部を簡単に形成することができる。また、熱処理により電子部品と相手側基板とを簡単に機械的接続することができる。
また、前記開口部を形成する工程は、紫外線を照射することによって行うことが望ましい。
この構成によれば、樹脂層の一部を分解・除去することにより、樹脂層の開口部を簡単に形成することができる。
この構成によれば、樹脂層の一部を分解・除去することにより、樹脂層の開口部を簡単に形成することができる。
また、前記開口部を形成する工程は、前記バンプの上方に配置された前記樹脂層を前記バンプの表面に押圧することによって行ってもよい。
この構成によれば、樹脂層の一部を変形させることにより、樹脂層の開口部を簡単に形成することができる。
この構成によれば、樹脂層の一部を変形させることにより、樹脂層の開口部を簡単に形成することができる。
また、前記導電性粒子を固着させる工程の前に、前記樹脂層の表面に残存する前記導電性粒子を除去することが望ましい。
この構成によれば、余った導電性粒子を再利用することができる。
この構成によれば、余った導電性粒子を再利用することができる。
また、前記導電性粒子を散布する工程の前および/または後に、前記バンプの表面に熱可塑性樹脂を塗布し、前記導電性粒子を固着させる工程では、前記熱可塑性樹脂を可塑化させた後に、前記熱可塑性樹脂を硬化させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させることが望ましい。
この構成によれば、導電性粒子がバンプの表面に確実に固着されるので、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。なお、前記熱可塑性樹脂は、ポリアミドであることが望ましい。
この構成によれば、導電性粒子がバンプの表面に確実に固着されるので、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。なお、前記熱可塑性樹脂は、ポリアミドであることが望ましい。
一方、本発明の電子部品は、上述した電子部品の製造方法を使用して製造したことを特徴とする。
この構成によれば、電気的接続の信頼性の高い電子部品を提供することができる。
この構成によれば、電気的接続の信頼性の高い電子部品を提供することができる。
また、本発明の他の電子部品は、能動面に形成された電極パッドを介して相手側基板に実装される電子部品であって、前記電極パッドの表面に形成されたバンプと、前記バンプの表面に固着された導電性粒子と、前記能動面上に形成され、前記相手側基板との機械的接続に使用可能な樹脂層と、を有することを特徴とする。
この構成によれば、樹脂層を相手側基板との実装に使用するので、ウエットプロセスにより樹脂層を剥離する必要がない。したがって、導電性粒子がバンプ表面から離脱することがなくなり、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
この構成によれば、樹脂層を相手側基板との実装に使用するので、ウエットプロセスにより樹脂層を剥離する必要がない。したがって、導電性粒子がバンプ表面から離脱することがなくなり、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
一方、本発明の電子部品の実装方法は、上述した電子部品を前記相手側基板に位置合わせしながら加圧するとともに、前記樹脂層を硬化させることにより、前記電子部品を前記相手側基板に実装することを特徴とする。
この構成によれば、導電性粒子をバンプ表面に配置するために使用した樹脂層を用いて、電子部品を相手側基板に実装することができるので、製造コストを低減することができる。
この構成によれば、導電性粒子をバンプ表面に配置するために使用した樹脂層を用いて、電子部品を相手側基板に実装することができるので、製造コストを低減することができる。
一方、本発明の電子機器は、上述した電子部品の実装方法を使用して製造したことを特徴とする。
この構成によれば、電気的接続の信頼性の高い電子機器を提供することができる。
この構成によれば、電気的接続の信頼性の高い電子機器を提供することができる。
[第1実施形態]
最初に、本発明の第1実施形態につき、図1ないし図4を用いて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
最初に、本発明の第1実施形態につき、図1ないし図4を用いて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
[電子部品の実装構造]
図1は、IC等の半導体素子(電子部品)40の実装状態の説明図であって、図6のB−B線における正面断面図である。図1に示すように、半導体素子40の能動面には、Al等の導電材料からなる複数の電極パッド42が、所定ピッチで形成されている。なお、電極パッド42の周縁部は絶縁膜48で覆われている。また、各電極パッド42の表面には、AuメッキやAu/Niメッキ等によるバンプ44が形成されている。一例をあげれば、各バンプ44は30μm程度の幅に形成され、隣接するバンプ44は10μm程度の間隔で配置されて、各バンプのピッチは40μm程度となっている。
図1は、IC等の半導体素子(電子部品)40の実装状態の説明図であって、図6のB−B線における正面断面図である。図1に示すように、半導体素子40の能動面には、Al等の導電材料からなる複数の電極パッド42が、所定ピッチで形成されている。なお、電極パッド42の周縁部は絶縁膜48で覆われている。また、各電極パッド42の表面には、AuメッキやAu/Niメッキ等によるバンプ44が形成されている。一例をあげれば、各バンプ44は30μm程度の幅に形成され、隣接するバンプ44は10μm程度の間隔で配置されて、各バンプのピッチは40μm程度となっている。
さらに、各バンプ44の表面には、複数の導電性粒子50が配置されている。導電性粒子50は、樹脂ボール等の表面に、ハンダコートや金属メッキ等を施したものである。この金属メッキには、電解Auメッキや無電解Niメッキ等を採用することができる。また、下地に無電解Niメッキを施し、上地に無電解Auメッキを施してもよい。この導電性粒子50は、たとえば直径4.5μm程度に形成されている。そして、この導電性粒子50は、ポリアミド等の熱可塑性樹脂膜52を固着手段として、バンプ44の表面に固着されている。このポリアミドは、150〜200℃程度の低温で可塑化するので、加工性に優れるとともに、電子部品に対する熱影響を抑制することができる。
なお、導電性粒子50の固着手段として、エポキシ等の熱硬化性樹脂を採用することも可能である。特にエポキシは、150〜200℃程度の低温で硬化させることができる。また、導電性粒子50の固着手段として、アクリル等の光硬化性樹脂を採用することも可能である。この場合、紫外線等の光を照射することによって簡単に硬化性樹脂を硬化させることができる。また、導電性粒子50の固着手段として、インジウム(In)や錫(Sn)、亜鉛(Zn)等の低融点金属、またはハンダを含むこれらの合金を採用することも可能である。この場合、低温で金属を溶融させることができるので、電子部品に対する熱影響を抑制することができる。特に、錫(Sn)は、濡れ性がよく、また230℃程度の低温で溶融することから、前記金属として好適である。
一方、相手側基板10の表面には、半導体素子40の電極パッド42と対向するように、電極パッド12が形成されている。この電極パッド12は、図6に示すガラス基板80(相手側基板10)のデータ線81等の端部に形成されている。そして、図1に示すように、半導体素子40に固着された導電性粒子50の先端が、相手側基板10の電極パッド12の表面に接触して、相手側基板10の信号電極と半導体素子40とが電気的に接続されている。また、半導体素子40と相手側基板10との間には、エポキシ樹脂からなる樹脂層25が配置され、半導体素子40と相手側基板10とが機械的に接続されている。なお相手側基板10の表面付近には、導電性粒子50の固着手段である熱可塑性樹脂膜52と樹脂層25との混合材料52aが形成されて、相手側基板10が機械的に接続されている。
[電子部品の製造方法]
次に、上述した半導体素子の製造方法について、図2ないし図4を用いて説明する。図2ないし図4は、半導体素子の製造方法の説明図であり、半導体素子の能動面を上にして記載したものである。本実施形態では、ウエハに形成された複数の半導体素子に対して同時に以下の処理を行い、最後にウエハから半導体素子を分離する。これにより、製造コストを低減することができる。
次に、上述した半導体素子の製造方法について、図2ないし図4を用いて説明する。図2ないし図4は、半導体素子の製造方法の説明図であり、半導体素子の能動面を上にして記載したものである。本実施形態では、ウエハに形成された複数の半導体素子に対して同時に以下の処理を行い、最後にウエハから半導体素子を分離する。これにより、製造コストを低減することができる。
まず、図2(a)に示すように、バンプ44を形成するためのマスク20を形成する。このマスク20は、レジスト等によって構成する。レジスト20は、フォトレジストや電子線レジスト、X線レジスト等のいずれであってもよく、ポジ型またはネガ型のいずれであってもよいが、後述するメッキ液に対する耐性を有するものを使用する。このようなレジスト20として、たとえばノボラック樹脂を使用することができる。なお、バンプ44はウエハ41の能動面の電極パッド42上に形成するので、マスク20は電極パッド42の形成領域以外の領域に形成する。そこで、まずレジスト20を半導体素子の能動面全体に塗布する。レジスト20の塗布は、スピンコート法やディッピング法、スプレーコート法などによって行う。ここで、レジスト20の厚さは、形成すべきバンプ44の高さ以上に設定する。なお、レジスト20を塗布した後にプリベークを行う。
次に、形成すべきバンプ44の平面形状をレジスト20にパターニングする。具体的には、レジスト20における電極パッド42の上方に、バンプ44の平面形状に対応した開口部22を形成する。なお、バンプ44の平面形状は矩形に限られず、円形等であってもよい。レジスト20のパターニングは、まず所定のパターンが形成されたフォトマスクを用いてレジスト20を露光し、さらに露光したレジスト20を現像することによって行う。なお、レジスト20のパターニング後にポストベークを行う。
以上には、フォトリソグラフィを用いてレジスト20を形成する方法について説明したが、これ以外にも、例えばドライフィルムを用いることにより、またスクリーン印刷等の印刷法を用いることにより、パターニングされた状態でレジスト20を形成することができる。また、インクジェット装置等の液滴吐出装置を用いて、レジストの液滴をレジスト20の形成位置のみに吐出することにより、パターニングされた状態でレジスト20を形成してもよい。これらにより、フォトリソグラフィに使用するフォトマスクが不要となり、製造コストを削減することができる。
次に、レジスト20をマスクとして、その開口部22に導電材料を充填することにより、バンプ44を形成する。バンプ44は、AuメッキやNiメッキ等によって形成する。また、バンプ44の下地をNiメッキで形成し、上地をAuメッキで形成してもよい。なお、メッキ法として、例えば電気化学プレーティング(ECP)法等を用いることができる。また、メッキ法における電極として、電極パッド42を用いることができる。なお、メッキ法以外のCVD法やスパッタ法等を採用して導電材料を充填し、バンプ44を形成してもよい。
次に、図2(b)に示すように、レジスト20を除去する。レジスト20の除去は、レジスト剥離液にウエハ41を浸漬することによって行う。レジスト剥離液として、モノエタノールアミンとジメチルスルホキシドとを7:3の割合で混合した液体等を使用することが可能である。
次に、図2(c)に示すように、ウエハ41の能動面上に、相手側基板10(図1参照)との機械的接続に使用する樹脂層25を形成する。本実施形態では、エポキシ等の熱硬化性樹脂からなるフィルムにより樹脂層25を形成する。なお、異方導電性フィルム(ACF)とは異なり、樹脂層25には導電性粒子が含まれていないことに注意されたい。このような樹脂フィルムをバンプ44の表面に押し当て、バンプ44の表面に沿って変形させることにより、樹脂フィルムをウエハ41の能動面に装着して樹脂層25を形成する。ここで、形成される樹脂層25の高さが、バンプ44の高さに導電性粒子の直径を加算した値以上となるように、あらかじめ樹脂フィルムの厚さを設定しておく。一例をあげれば、樹脂層25の表面とバンプ44の表面との高低差が10μm程度となるような樹脂フィルムを採用する。
なお、ウエハ41の能動面上に熱硬化性樹脂溶液を塗布して、樹脂層25を形成することも可能である。具体的には、エポキシ等の熱硬化性樹脂をピロリドン等の溶剤に溶解して熱硬化性樹脂溶液を製造し、これをウエハ41の能動面上に塗布する。熱硬化性樹脂溶液の塗布は、ディスペンス法やスプレーコート法、スピンコート法、ディッピング法などによって行うことが可能である。次に、塗布した熱硬化性樹脂溶液を乾燥させて、溶剤を蒸発させる。すると、溶剤に溶解されていた熱硬化性樹脂が凝結し、ウエハ41の能動面に樹脂層25が形成される。
次に、図2(d)に示すように、バンプ44の上方に樹脂層25の開口部26を形成する。開口部26の形成は、樹脂層25にレーザ28を照射して、樹脂層25の一部を分解・除去することによって行う。レーザとして、ArF(波長193nm)やKrF(波長249nm)、XeCl(波長308nm)、XeF(波長350nm)等の紫外光を照射し得るエキシマレーザを採用することが可能である。またレーザとして、CO2レーザを採用することも可能である。
次に、図3(a)に示すように、ウエハ41の能動面上に導電性粒子50を散布する。散布された導電性粒子50は、バンプ44の上方および樹脂層25の上方に分散して配置される。ここで、樹脂層25の高さはバンプ44より高いので、バンプ44の上方には樹脂層25の開口部26が形成されている。そのため、散布された導電性粒子50の多くは開口部26に捕捉される。これにより、バンプ44の表面に確実に導電性粒子50を配置することができる。
ここで、ウエハ41を振動させることにより、樹脂層25の上方に配置された導電性粒子50を開口部26に落下させて、より多くの導電性粒子をバンプ44の上方に配置することが望ましい。具体的には、ウエハ41を50〜1000Hzの高周波数で振動させる。特に、250〜500Hzの高周波数で振動させた場合には導電性粒子50が活発に動くので、より多くの導電性粒子をバンプ44の上方に配置することができる。また、ウエハ41の振動方向は、ウエハ41の能動面と平行な方向(水平方向)であっても、能動面と垂直な方向(垂直方向)であってもよい。その振幅は、水平方向振動の場合には、隣接するバンプ44のピッチ以下とするのが好ましく、たとえば40μm程度とする。また、垂直方向振動の場合には、開口部26の深さ以下とするのが好ましく、たとえば10μm程度とする。これにより、開口部26内に捕捉されていた導電性粒子50が、開口部26から飛び出すのを防止することができる。
さらに、樹脂層25の上方に残存している導電性粒子50を除去する。導電性粒子50の除去は、1.ウエハ41の能動面に気体を吹き付けて、導電性粒子50を飛ばす方法、2.ウエハ41を振動させて、ウエハ41の周縁部から導電性粒子50を落下させる方法、3.ウエハ41を傾斜させつつ振動させることによりことにより、ウエハ41の周縁部から導電性粒子50を落下させる方法、4.可撓性を有する平板状のスキージを用いて導電性粒子50を掻き取ることにより、導電性粒子50を強制的に排除する方法などがあり、いずれの方法を採用してもよい。これにより、樹脂層25の表面に残存する導電性粒子50の多くを除去することができる。また、樹脂層25の表面に残存する導電性粒子50を除去しつつ、一部の導電性粒子を開口部に落下させることができる。したがって、より多くの導電性粒子50をバンプ44の表面に配置することができる。
なお、前工程では導電性粒子50を開口部26に落下させるためにウエハ41を振動させたが、その振幅を徐々に大きくして2.または3.の方法を実施してもよい。これにより、製造工程を簡略化することができる。
なお、前工程では導電性粒子50を開口部26に落下させるためにウエハ41を振動させたが、その振幅を徐々に大きくして2.または3.の方法を実施してもよい。これにより、製造工程を簡略化することができる。
ここで、樹脂層25の厚さは、バンプ44の高さに導電性粒子50の直径を加算した厚さ以上に設定している。そのため、バンプ44の上方の導電性粒子50は、開口部26内に安定して捕捉されている。したがって、上述したいずれの除去方法を採用した場合でも、樹脂層25の上方に配置された導電性粒子50のみを除去することが可能であり、バンプ44の上方に配置された導電性粒子50が同時に除去されるおそれは少ない。以上により、樹脂層25の上方に残存する導電性粒子50の多くを除去すれば、図3(a)に示す状態となる。
次に、図3(b)に示すように、バンプ44の表面に熱可塑性樹脂溶液を塗布して、熱可塑性樹脂膜52を形成する。具体的には、ポリアミド等の熱可塑性樹脂をトルエン/エタノール等の溶剤に溶解した熱可塑性樹脂溶液を製造し、これをウエハ41の能動面上に塗布する。熱可塑性樹脂溶液の塗布は、ディスペンス法やスプレーコート法、スピンコート法、ディッピング法などによって行うことが可能である。なお、塗布する厚さは導電性粒子50の直径程度とするのが好ましい。次に、塗布した熱可塑性樹脂溶液を乾燥させ、溶剤を蒸発させる。すると、溶剤に溶解されていた熱可塑性樹脂が凝結し、熱可塑性樹脂膜52が形成される。これにより、バンプ44の表面に導電性粒子50が固着される。
なお、上述した熱可塑性樹脂溶液の塗布方法では、バンプ44の表面に加えて樹脂層25の表面にも熱可塑性樹脂溶液が塗布されるので、樹脂層25の表面にも熱可塑性樹脂膜52が形成されることになる。この点、インクジェット装置等の液滴吐出装置によれば、バンプ44の表面のみに一定量の熱可塑性樹脂溶液を吐出することができる。これにより、バンプ44の表面に対する導電性粒子50の固着状態を均一化することが可能になり、半導体素子と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。また、熱可塑性樹脂溶液の消費量を低減することが可能になり、製造コストを低減することができる。
なお、導電性粒子50の散布工程の前に熱可塑性樹脂溶液を塗布して、あらかじめバンプ44の表面に熱可塑性樹脂膜52を形成しておいてもよい。この場合、導電性粒子50を散布した後に、熱可塑性樹脂膜52を加熱処理して可塑化させることにより、バンプ44の表面に導電性粒子50を固着させることができる。
また、導電性粒子の散布工程の前に熱可塑性樹脂膜を形成するとともに、導電性粒子の散布工程の後に熱可塑性樹脂溶液を塗布して、バンプ44の上方に熱可塑性樹脂膜52を形成してもよい。この場合、後に塗布された熱可塑性樹脂溶液に含まれている溶剤が、先に形成された熱可塑性樹脂膜に浸透し、先に形成された熱可塑性樹脂膜が再溶解して、後に塗布された熱可塑性樹脂溶液と一体になる。すると、熱可塑性樹脂溶液が導電性粒子50の表面に沿って濡れ上がり、導電性粒子50が熱可塑性樹脂膜の内部に沈没してバンプ44の表面に配置される。その後、まず50℃程度で加熱して溶剤を蒸発させ、熱可塑性樹脂を凝結させる。これにより、熱可塑性樹脂膜52が形成されて、導電性粒子50がバンプ44の表面に固着される。さらに、200℃で10分程度アニール(加熱)処理することにより、先に形成した熱可塑性樹脂膜の熱可塑性樹脂と、後に塗布した熱可塑性樹脂溶液の熱可塑性樹脂とを溶着させる。これにより、導電性粒子50に対する固着力を向上させることができる。このように、2回に分けて熱可塑性樹脂を塗布することにより、導電性粒子50をバンプ44の表面に確実に固着させることができる。
なお、先に形成する熱可塑性樹脂膜の厚さは、導電性粒子50の直径の半分程度とし、最終的に形成する熱可塑性樹脂膜52の厚さは、導電性粒子50の直径程度とすることが望ましい。また、上述した導電性粒子50を固着させる工程は、バンプ44の表面に向かって導電性粒子50を加圧しつつ行うことが望ましい。これにより、導電性粒子50がバンプ44の表面に接触した状態で固着され、両者が確実に電気的接続される。
なお、先に形成する熱可塑性樹脂膜の厚さは、導電性粒子50の直径の半分程度とし、最終的に形成する熱可塑性樹脂膜52の厚さは、導電性粒子50の直径程度とすることが望ましい。また、上述した導電性粒子50を固着させる工程は、バンプ44の表面に向かって導電性粒子50を加圧しつつ行うことが望ましい。これにより、導電性粒子50がバンプ44の表面に接触した状態で固着され、両者が確実に電気的接続される。
次に、ダイシング等により、ウエハ41から半導体素子を分離する。以上により、樹脂層25を備えた状態で、本実施形態の半導体素子が形成される。
[電子部品の実装方法]
次に、本実施形態に係る半導体素子の実装方法について、図4を用いて説明する。図4は、本実施形態に係る半導体素子の実装方法の説明図である。
上記のように形成された半導体素子40は、相手側基板10との機械的接続に使用する樹脂層25を備えている。そこで、半導体素子40を上下反転して相手側基板10の上方に配置する。その際、半導体素子40に形成されたバンプ44と、相手側基板10に形成された電極パッド12とが対向するように、半導体素子40と相手側基板10とを配置する。
次に、本実施形態に係る半導体素子の実装方法について、図4を用いて説明する。図4は、本実施形態に係る半導体素子の実装方法の説明図である。
上記のように形成された半導体素子40は、相手側基板10との機械的接続に使用する樹脂層25を備えている。そこで、半導体素子40を上下反転して相手側基板10の上方に配置する。その際、半導体素子40に形成されたバンプ44と、相手側基板10に形成された電極パッド12とが対向するように、半導体素子40と相手側基板10とを配置する。
次に、図4(b)に示すように、相手側基板10の表面に半導体素子40を押し付けて加圧する。これにより、半導体素子40のバンプ44上に固着された導電性粒子50が、相手側基板10の電極パッド12に接触して、両者が電気的に接続される。そして、この状態で樹脂層25を加熱する。加熱温度は、たとえば200℃とする。なお、相手側基板10への半導体素子40の加圧と同時に樹脂層25への加熱を行ってもよい。これにより、エポキシ等の熱硬化性樹脂からなる樹脂層25が硬化して、半導体素子40と相手側基板10とが機械的に接続される。
なお、導電性粒子50をバンプに固着している熱可塑性樹脂膜52は、150℃程度で軟化する。加えて、半導体素子40を相手側基板10に加圧しているので、バンプ44の表面に導電性粒子50が積層されていた場合でも、導電性粒子50を平坦化してバンプ44の表面のみに配置することができる。また、バンプ44の表面と導電性粒子50との間に熱可塑性樹脂膜52が介在していた場合でも、その熱可塑性樹脂膜52が軟化するので、バンプ44の表面と導電性粒子50とを接触させることができる。さらに、導電性粒子50と相手側基板10の電極パッド12との間に熱可塑性樹脂膜52が介在していた場合でも、その熱可塑性樹脂膜52が軟化するので、導電性粒子50と電極パッド12とを接触させることができる。したがって、半導体素子40と相手側基板10とを確実に電気的接続することができる。以上により、半導体素子40が相手側基板10に実装される。
なお、樹脂層25の表面に形成された熱可塑性樹脂膜52は、加熱により可塑化されるので、相手側基板10の表面付近には、熱硬化性樹脂層25との混合材料52aが形成される。そして、この混合材料52aが硬化することにより、相手側基板10が機械的に接続される。また、樹脂層25の表面に導電性粒子50aが残存していた場合でも、その凹凸は樹脂層25の変形により吸収される。なお、残存する導電性粒子50aの数は少ないので、隣接する電極パッド12を短絡させることはない。
以上に詳述したように、本実施形態に係る電子部品の製造方法では、相手側基板との機械的接続に使用する樹脂層を能動面に形成し、その樹脂層の開口部をバンプの上方に形成して、バンプの表面に導電性粒子を散布する構成とした。この構成によれば、樹脂層の開口部により散布された導電性粒子を捕捉することができるので、バンプの表面に多くの導電性粒子を配置することができる。また、その樹脂層は相手側基板との実装に使用可能であり、別途実装用の樹脂層を形成する必要がないので、製造効率を向上させることができる。さらに、樹脂層を相手側基板との実装に使用するので、樹脂層を剥離する必要がない。これにより、導電性粒子をバンプ表面に固着している熱可塑性樹脂膜が、樹脂層に連なって剥離されることがなくなる。したがって、導電性粒子がバンプ表面から離脱するのを防止することが可能になり、半導体素子と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
ところで、図2(a)のように形成されたレジスト20を利用して、図3(a)に示すように導電性粒子50をバンプ44の表面に配置することも考えられる。しかしながら、このレジストを剥離するには、レジスト剥離液中にウエハを浸漬するウエットプロセスが必要になる。この場合、導電性粒子をバンプに固着している熱可塑性樹脂膜が、レジスト剥離液により溶解して、導電性粒子がバンプの表面から離脱するおそれがある。この場合、半導体素子を相手側基板に実装することができなくなる。
この点、本実施形態では、樹脂層を利用して導電性粒子をバンプの表面に配置し、さらにその樹脂層を相手側基板との機械的接続実装に使用するので、樹脂層を剥離する必要がない。したがって、導電性粒子がバンプ表面から離脱するのを防止することが可能になり、半導体素子と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
この点、本実施形態では、樹脂層を利用して導電性粒子をバンプの表面に配置し、さらにその樹脂層を相手側基板との機械的接続実装に使用するので、樹脂層を剥離する必要がない。したがって、導電性粒子がバンプ表面から離脱するのを防止することが可能になり、半導体素子と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
これに加えて、本実施形態では、導電性粒子が樹脂層の表面に散布された場合でも、その導電性粒子を除去してから半導体素子を実装するので、除去された導電性粒子を再利用することができる。これにより、高価な導電性粒子を無駄に廃棄することなく、そのすべてを電気的接続に利用することができる。また、本実施形態では、樹脂層の厚さをバンプの高さより厚く形成するので、バンプの上方に樹脂層の開口部が形成される。この場合、散布された導電性粒子の多くが開口部に捕捉されるので、バンプの表面に確実に導電性粒子を配置することができる。したがって、半導体素子と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
近年では、電子部品の小型化にともなって、電極パッド相互の狭ピッチ化が進んでいる。その場合でも、上述した樹脂層には導電性粒子が含まれていないので、隣接する電極パッドが相互に短絡するおそれはない。また、バンプの表面にあらかじめ導電性粒子を固着してから実装するので、電極パッド自体が小さくなっても、確実に電気的接続を行うことができる。
なお、半導体素子と相手側基板との間に異方導電性フィルム(ACF)を配置した場合には、半導体素子のバンプと相手側基板の電極パッドとの間に配置される導電性粒子の個数は10〜20個程度である。そして、これ以上の導電性粒子を配置するには、ACFに含まれる導電性粒子の密度を増加させる必要があるが、隣接する電極パッドが相互に短絡する可能性が大きくなる。これに対して、本実施形態に係る電子部品の製造方法を使用して半導体素子を製造すれば、バンプの表面に多数の導電性粒子を配置することができる。一例をあげれば、バンプの表面積の80%以上に導電性粒子を配置することも可能である。これにより、半導体素子のバンプと相手側基板の電極パッドとの間の電気抵抗が小さくなり、液晶モジュールの電力消費量を低減することができる。この場合でも、隣接する電極パッドが相互に短絡するおそれがないのは、上述した通りである。
[第2実施形態]
次に、本発明の第2実施形態につき、主に図5を用いて説明する。なお、第1実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
第2実施形態に係る半導体素子では、図1に示す樹脂層25が、液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂によって構成されている。液晶ポリマーとして、芳香族ポリエステルや芳香族ポリアミド等を採用することが可能である。なお、異方導電性フィルム(ACF)とは異なり、樹脂層25には導電性粒子が含まれていないことに注意されたい。
次に、本発明の第2実施形態につき、主に図5を用いて説明する。なお、第1実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
第2実施形態に係る半導体素子では、図1に示す樹脂層25が、液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂によって構成されている。液晶ポリマーとして、芳香族ポリエステルや芳香族ポリアミド等を採用することが可能である。なお、異方導電性フィルム(ACF)とは異なり、樹脂層25には導電性粒子が含まれていないことに注意されたい。
第2実施形態に係る半導体素子の製造方法では、まず図2(a)および図2(b)に示すようにバンプ44を形成する。その具体的な方法は第1実施形態と同様である。
次に、図2(c)に示すように、熱可塑性樹脂フィルムをウエハ41に加熱可圧し、ラミネートする。
次に、図2(c)に示すように、熱可塑性樹脂フィルムをウエハ41に加熱可圧し、ラミネートする。
図5は、第2実施形態に係る半導体素子の製造方法の説明図である。図5(b)に示すように、樹脂層25に開口部26を形成する。具体的には、図5(a)に示すように、バンプ44の上方に配置された樹脂層25を加熱しつつ、樹脂層25をバンプ44の表面に押圧することにより、バンプ44の上方に樹脂層25の開口部26を形成する。その作業は、図5(a)に示す樹脂層25の加熱・押圧型30を用いて行う。この型30は、基板32に複数の突起34を設けたものである。各突起34は、半導体素子における各バンプ44の形成領域に対応して設けられている。そして、加熱した型30を樹脂層25に押圧することにより、樹脂層25の被押圧部を可塑化することができる。また、型30の突起34をバンプ44に当接させることにより、バンプ44の上方に配置されていた樹脂層25を、バンプ44の周辺部に流動させることができる。これにより、図5(b)に示すように、バンプ44の上方に開口部26を形成することができる。なお、図5(a)に示す突起34の表面にフッ素樹脂等の低摩擦材料を配置すれば、樹脂層が流動し易くなるので、図5(b)に示す開口部26を容易に形成することができる。
なお、バンプ44の表面に液晶ポリマーが残留していると、相手側基板に対する実装が困難になる。そこで、半導体素子の能動面をO2プラズマ処理することが望ましい。これにより、バンプ44の表面に残留する液晶ポリマーが分解・除去されるので、バンプ44の表面における導通を確保することができる。
その後、図3(a)に示すように導電性粒子50を散布し、図3(b)に示すように導電性粒子50をバンプ44の表面に固着する。その具体的な方法は第1実施形態と同様である。以上により、第2実施形態に係る半導体素子が完成する。
その後、図3(a)に示すように導電性粒子50を散布し、図3(b)に示すように導電性粒子50をバンプ44の表面に固着する。その具体的な方法は第1実施形態と同様である。以上により、第2実施形態に係る半導体素子が完成する。
次に、第2実施形態に係る半導体素子の実装方法につき、図4を用いて説明する。
まず、図4(a)に示すように、半導体素子40に形成されたバンプ44と、相手側基板10に形成された電極パッド12とを対向配置する。次に、半導体素子40を加熱して、熱可塑性樹脂からなる樹脂層25を可塑化させる。
次に、図4(b)に示すように、相手側基板10の表面に半導体素子40を押し付けて加圧する。これにより、半導体素子40のバンプ44上に固着された導電性粒子50が、相手側基板10の電極パッド12に接触して、両者が電気的に接続される。この状態で、樹脂層25を冷却する。これにより、熱可塑性樹脂からなる樹脂層25が硬化して、半導体素子40および相手側基板10に接着され、両者が機械的に接続される。
まず、図4(a)に示すように、半導体素子40に形成されたバンプ44と、相手側基板10に形成された電極パッド12とを対向配置する。次に、半導体素子40を加熱して、熱可塑性樹脂からなる樹脂層25を可塑化させる。
次に、図4(b)に示すように、相手側基板10の表面に半導体素子40を押し付けて加圧する。これにより、半導体素子40のバンプ44上に固着された導電性粒子50が、相手側基板10の電極パッド12に接触して、両者が電気的に接続される。この状態で、樹脂層25を冷却する。これにより、熱可塑性樹脂からなる樹脂層25が硬化して、半導体素子40および相手側基板10に接着され、両者が機械的に接続される。
以上に詳述した第2実施形態でも、第1実施形態と同様の効果を奏することができる。また、第2実施形態では、バンプの上方に配置された樹脂層をバンプの表面に押圧することにより、樹脂層の開口部を形成する構成とした。この構成によれば、樹脂層の一部を変形させることにより、樹脂層の開口部を簡単に形成することができる。
[電気光学装置]
次に、前記半導体素子が実装された電気光学装置の一例である液晶モジュールにつき、図6ないし図8を用いて説明する。
図6は、液晶モジュールの分解斜視図である。図6に示す液晶モジュール1は、カラー画像を表示する液晶パネル90と、液晶パネル90の上基板80(相手側基板10)に実装される液晶パネル90の駆動用半導体素子40とを主として構成されている。
次に、前記半導体素子が実装された電気光学装置の一例である液晶モジュールにつき、図6ないし図8を用いて説明する。
図6は、液晶モジュールの分解斜視図である。図6に示す液晶モジュール1は、カラー画像を表示する液晶パネル90と、液晶パネル90の上基板80(相手側基板10)に実装される液晶パネル90の駆動用半導体素子40とを主として構成されている。
図7は液晶パネルの分解斜視図であり、図8は図7のA−A線における側面断面図である。図8に示すように、液晶パネル90は、下基板70および上基板80により液晶層92を挟持して構成されている。この液晶層92にはネマチック液晶等が採用され、液晶パネル90の動作モードとしてツイステッドネマチック(TN)モードが採用されている。なお上記以外の液晶材料を採用することも可能であり、また上記以外の動作モードを採用することも可能である。なお以下には、スイッチング素子としてTFD素子を用いたアクティブマトリクス型の液晶パネルを例にして説明するが、これ以外のアクティブマトリクス型の液晶パネルやパッシブマトリクス型の液晶パネルに本発明を適用することも可能である。
図7に示すように、液晶パネル90では、ガラス等の透明材料からなる下基板70および上基板80が対向配置されている。
上基板80の内側には、複数のデータ線81が形成されている。そのデータ線81の側方には、ITO等の透明導電性材料からなる複数の画素電極82が、マトリクス状に配置されている。なお、各画素電極82の形成領域により画素領域が構成されている。この画素電極82は、TFD素子83を介して各データ線81に接続されている。このTFD素子83は、基板表面に形成されたTaを主成分とする第1導電膜と、その第1導電膜の表面に形成されたTa2O3を主成分とする絶縁膜と、その絶縁膜の表面に形成されたCrを主成分とする第2導電膜とによって構成されている(いわゆるMIM構造)。そして、第1導電膜がデータ線81に接続され、第2導電膜が画素電極82に接続されている。これによりTFD素子83は、画素電極82への通電を制御するスイッチング素子として機能する。
上基板80の内側には、複数のデータ線81が形成されている。そのデータ線81の側方には、ITO等の透明導電性材料からなる複数の画素電極82が、マトリクス状に配置されている。なお、各画素電極82の形成領域により画素領域が構成されている。この画素電極82は、TFD素子83を介して各データ線81に接続されている。このTFD素子83は、基板表面に形成されたTaを主成分とする第1導電膜と、その第1導電膜の表面に形成されたTa2O3を主成分とする絶縁膜と、その絶縁膜の表面に形成されたCrを主成分とする第2導電膜とによって構成されている(いわゆるMIM構造)。そして、第1導電膜がデータ線81に接続され、第2導電膜が画素電極82に接続されている。これによりTFD素子83は、画素電極82への通電を制御するスイッチング素子として機能する。
一方、下基板70の内側には、カラーフィルタ膜76が形成されている。カラーフィルタ膜76は、平面視略矩形状のカラーフィルタ76R,76G,76Bによって構成されている。各カラーフィルタ76R,76G,76Bは、それぞれ異なる色光のみを透過する顔料等によって構成され、各画素領域に対応してマトリクス状に配置されている。また、隣接する画素領域からの光洩れを防止するため、各カラーフィルタの周縁部には遮光膜77が形成されている。この遮光膜77は、光吸収性を有する黒色の金属クロム等により、額縁状に形成されている。さらに、カラーフィルタ膜76および遮光膜77を覆うように、透明な絶縁膜79が形成されている。
その絶縁膜79の内側には、複数の走査線72が形成されている。この走査線72は、ITO等の透明導電材料によって略帯状に形成され、上基板80のデータ線81と交差する方向に延在している。そして走査線72は、その延在方向に配列された前記カラーフィルタ76R,76G,76Bを覆うように形成され、対向電極として機能するようになっている。そして、走査線72に走査信号が供給され、データ線81にデータ信号が供給されると、対向する画素電極82および対向電極72により、液晶層に電界が印加されるようになっている。
また図8に示すように、画素電極82および対向電極72を覆うように、配向膜74,84が形成されている。この配向膜74,84は、電界無印加時における液晶分子の配向状態を制御するものであり、ポリイミド等の有機高分子材料によって構成され、その表面にラビング処理が施されている。これにより電界無印加時には、配向膜74,84の表面付近における液晶分子が、その長軸方向をラビング処理方向に一致させて、配向膜74,84と略平行に配向されるようになっている。なお、配向膜74の表面付近における液晶分子の配向方向と、配向膜84の表面付近における液晶分子の配向方向とが、所定角度だけずれるように、各配向膜74,84に対してラビング処理が施されている。これにより、液晶層92を構成する液晶分子は、液晶層92の厚さ方向に沿ってらせん状に積層されるようになっている。
また、両基板70,80は、熱硬化型や紫外線硬化型などの接着剤からなるシール材93によって周縁部が接合されている。そして、両基板70,80とシール材93とによって囲まれた空間に、液晶層92が封止されている。なお、液晶層92の厚さ(セルギャップ)は、両基板の間に配置されたスペーサ粒子95によって規制されている。
一方、下基板70および上基板80の外側には、偏光板(不図示)が配置されている。各偏光板は、相互の偏光軸(透過軸)が所定角度だけずれた状態で配置されている。また入射側偏光板の外側には、バックライト(不図示)が配置されている。
一方、下基板70および上基板80の外側には、偏光板(不図示)が配置されている。各偏光板は、相互の偏光軸(透過軸)が所定角度だけずれた状態で配置されている。また入射側偏光板の外側には、バックライト(不図示)が配置されている。
そして、バックライトから照射された光は、入射側偏光板の偏光軸に沿った直線偏光に変換されて、下基板70から液晶層92に入射する。この直線偏光は、電界無印加状態の液晶層92を透過する過程で、液晶分子のねじれ方向に沿って所定角度だけ旋回し、出射側偏光板を透過する。これにより、電界無印加時には白表示が行われる(ノーマリーホワイトモード)。一方、液晶層92に電界を印加すると、電界方向に沿って配向膜74,84と垂直に液晶分子が再配向する。この場合、液晶層92に入射した直線偏光は旋回しないので、出射側偏光板を透過しない。これにより、電界無印加時には黒表示が行われる。なお、印加する電界の強さによって階調表示を行うことも可能である。
液晶パネル90は、以上のように構成されている。
液晶パネル90は、以上のように構成されている。
図6に戻り、液晶パネル90を構成する上基板80の一辺に、下基板70からの張り出し部80aが形成されている。その張り出し部80aには、上基板80からデータ線81が、下基板70から走査線72がそれぞれ引き回され、これらの端部には上述した電極パッド(不図示)が形成されている。そして、その電極パッドに対し、半導体素子40の表面に形成された樹脂層を介して、本実施形態の半導体素子40が実装されている。この半導体素子40により、液晶パネル90のデータ線81および走査線72に対する通電が制御され、液晶パネル90の各画素が駆動されて、画像表示が行われるようになっている。
以上には、半導体素子40をガラス基板10に実装するCOG(Chip On Grass)に対して本発明を適用する場合について述べたが、ポリイミド等からなるフレキシブルプリント基板に半導体素子40を実装するCOF(Chip On Film)に対して本発明を適用することも可能である。この場合、FPCは、異方導電性フィルム(ACF)等を介して、液晶パネル90の上基板80における張り出し部80aに実装される。
[電子機器]
図9は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。この図に示す携帯電話1300は、上述した電気光学装置を小サイズの表示部1301として備え、複数の操作ボタン1302、受話口1303、及び送話口1304を備えて構成されている。
上述した電気光学装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの場合にも電気的接続の信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
図9は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。この図に示す携帯電話1300は、上述した電気光学装置を小サイズの表示部1301として備え、複数の操作ボタン1302、受話口1303、及び送話口1304を備えて構成されている。
上述した電気光学装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの場合にも電気的接続の信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
10相手側基板 25樹脂層 40電子部品 44バンプ 50導電性粒子
Claims (11)
- 能動面に形成された電極パッドを介して相手側基板に実装される電子部品の製造方法であって、
前記電極パッドの表面にバンプを形成する工程と、
前記バンプを覆うように、前記相手側基板との機械的接続に使用可能な樹脂層を形成する工程と、
前記バンプの上方に前記樹脂層の開口部を形成する工程と、
前記バンプの表面に導電性粒子を散布する工程と、
前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程と、
を有することを特徴とする電子部品の製造方法。 - 前記樹脂層は、熱可塑性樹脂からなることを特徴とする請求項1に記載の電子部品の製造方法。
- 前記樹脂層は、熱硬化性樹脂からなることを特徴とする請求項1に記載の電子部品の製造方法。
- 前記開口部を形成する工程は、紫外線を照射することによって行うことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
- 前記開口部を形成する工程は、前記バンプの上方に配置された前記樹脂層を前記バンプの表面に押圧することによって行うことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電子部品の製造方法。
- 前記導電性粒子を固着させる工程の前に、前記樹脂層の表面に残存する前記導電性粒子を除去することを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
- 前記導電性粒子を散布する工程の前および/または後に、前記バンプの表面に熱可塑性樹脂を塗布し、
前記導電性粒子を固着させる工程では、前記熱可塑性樹脂を可塑化させた後に、前記熱可塑性樹脂を硬化させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の電子部品の製造方法。 - 請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の電子部品の製造方法を使用して製造したことを特徴とする電子部品。
- 能動面に形成された電極パッドを介して相手側基板に実装される電子部品であって、
前記電極パッドの表面に形成されたバンプと、
前記バンプの表面に固着された導電性粒子と、
前記能動面上に形成され、前記相手側基板との機械的接続に使用可能な樹脂層と、
を有することを特徴とする電子部品。 - 請求項8または請求項9に記載の電子部品を前記相手側基板に位置合わせしながら加圧するとともに、前記樹脂層を硬化させることにより、前記電子部品を前記相手側基板に実装することを特徴とする電子部品の実装方法。
- 請求項8または請求項9に記載の電子部品を備えたことを特徴とする電子機器。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004039615A JP2005235829A (ja) | 2004-02-17 | 2004-02-17 | 電子部品の製造方法、電子部品、電子部品の実装方法および電子機器 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2005235829A true JP2005235829A (ja) | 2005-09-02 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2004039615A Withdrawn JP2005235829A (ja) | 2004-02-17 | 2004-02-17 | 電子部品の製造方法、電子部品、電子部品の実装方法および電子機器 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2005235829A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007281269A (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Nec Corp | 電子部品の実装構造およびその製造方法 |
JP2009027173A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Korea Advanced Inst Of Sci Technol | フリップチップパッケージの製造方法 |
US8497432B2 (en) | 2008-09-24 | 2013-07-30 | Seiko Epson Corporation | Electronic component mounting structure |
CN109839770A (zh) * | 2017-11-29 | 2019-06-04 | 张家港康得新光电材料有限公司 | 柔性显示面板及基于其的柔性液晶显示器 |
-
2004
- 2004-02-17 JP JP2004039615A patent/JP2005235829A/ja not_active Withdrawn
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