JPH0738436B2 - 半導体実装方法 - Google Patents
半導体実装方法Info
- Publication number
- JPH0738436B2 JPH0738436B2 JP1085434A JP8543489A JPH0738436B2 JP H0738436 B2 JPH0738436 B2 JP H0738436B2 JP 1085434 A JP1085434 A JP 1085434A JP 8543489 A JP8543489 A JP 8543489A JP H0738436 B2 JPH0738436 B2 JP H0738436B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor layer
- circuit conductor
- semiconductor element
- electrode
- image sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体実装方法に関するものである。
従来の技術 従来、半導体素子の実装方法は、第２図（ａ），（ｂ）
に示す様に、回路導体層２を形成した基板１上に、半導
体素子３を接着剤６により接着し、半導体素子３の電極
端子と回路導体層２とをワイヤーボンド法により金やア
ルミニウムなどの金属細線４で接続し、さらに、その上
からモールド樹脂５によって封止する構造をとってい
た。
に示す様に、回路導体層２を形成した基板１上に、半導
体素子３を接着剤６により接着し、半導体素子３の電極
端子と回路導体層２とをワイヤーボンド法により金やア
ルミニウムなどの金属細線４で接続し、さらに、その上
からモールド樹脂５によって封止する構造をとってい
た。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、この様な半導体実装方法では、一度半導
体素子３を基板１上に実装し、金属細線４で接続するの
で実装面積が広くなるとともに、一度接続した後に配線
ミスがあったとしても再度実装しなおすことは実質的に
不可能になると云う問題があった。
体素子３を基板１上に実装し、金属細線４で接続するの
で実装面積が広くなるとともに、一度接続した後に配線
ミスがあったとしても再度実装しなおすことは実質的に
不可能になると云う問題があった。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために、本発明の半導体実装方法
は、上面に回路導体層を有する基板の上面に光硬化型絶
縁樹脂を設け、次にこの基板の上面に、下面に電極を有
する半導体素子を、その電極とそれに対応する前記回路
導体層を当接させるべくこの回路導体層上の前記光硬化
型絶縁樹脂を押しのけてこれらの電極と回路導体層を当
接させ、次に回路導体層を介して半導体素子の動作確認
を行い、次に光硬化型絶縁樹脂に光を照射して硬化させ
るものである。
は、上面に回路導体層を有する基板の上面に光硬化型絶
縁樹脂を設け、次にこの基板の上面に、下面に電極を有
する半導体素子を、その電極とそれに対応する前記回路
導体層を当接させるべくこの回路導体層上の前記光硬化
型絶縁樹脂を押しのけてこれらの電極と回路導体層を当
接させ、次に回路導体層を介して半導体素子の動作確認
を行い、次に光硬化型絶縁樹脂に光を照射して硬化させ
るものである。
作用 上記本発明の半導体実装方法によれば、金属細線を用い
ず、半導体素子下面の電極で接続するので実装面積は小
さくなり、しかも光硬化型絶縁樹脂を硬化させるのは回
路導体層を介しての半導体素子の実装後であるので、実
装不良があればそれを直した状態で硬化させることがで
きるものなる。
ず、半導体素子下面の電極で接続するので実装面積は小
さくなり、しかも光硬化型絶縁樹脂を硬化させるのは回
路導体層を介しての半導体素子の実装後であるので、実
装不良があればそれを直した状態で硬化させることがで
きるものなる。
実施例 以下、本発明の一実施例を半導体素子としてイメージセ
ンサチップを用いて説明する。第１図（ａ），（ｂ）
は、本発明の一実施例における半導体実装方法を用いた
イメージセンサを示すものである。
ンサチップを用いて説明する。第１図（ａ），（ｂ）
は、本発明の一実施例における半導体実装方法を用いた
イメージセンサを示すものである。
21は半導体素子として用いたイメージセンサチップ22を
覆って保護するための保護膜である。23はイメージセン
サチップ21の下面に設けられている受光素子、24はイメ
ージセンサチップ21の下面に設けられている電極であ
る。25は透明基板27の上面に形成された回路導体層、26
はイメージセンサチップ22を透明基板27に実装するため
の透明光硬化型絶縁樹脂である。
覆って保護するための保護膜である。23はイメージセン
サチップ21の下面に設けられている受光素子、24はイメ
ージセンサチップ21の下面に設けられている電極であ
る。25は透明基板27の上面に形成された回路導体層、26
はイメージセンサチップ22を透明基板27に実装するため
の透明光硬化型絶縁樹脂である。
以上のように構成されるイメージセンサの半導体実装方
法を説明する。
法を説明する。
半導体プロセスを用いて単結晶シリコン基板（ウェハ）
上に、フォトトランジスタやフォトダイオード等の受光
素子23とCCDやMOS,バイポーラIC等のアクセス回路（図
示せず）と電極24を有するイメージセンサチップを複数
作り、この単結晶シリコン基板を高精度ダイシング技術
により切断し、個々のイメージセンサチップ22を切り出
す。次にガラス基板等の透明基板27上に金や銀白金等の
貴金属をスクリーン印刷法または薄膜形成法とフォトリ
ソ法を用いて回路導体層25を形成する。この時回路導体
層25で直接イメージセンサチップ22の電極24と接続され
る部分においては、幅はイメージセンサチップの電極24
の幅より小さく（200μｍ以下）、高さは数μｍにし
た。
上に、フォトトランジスタやフォトダイオード等の受光
素子23とCCDやMOS,バイポーラIC等のアクセス回路（図
示せず）と電極24を有するイメージセンサチップを複数
作り、この単結晶シリコン基板を高精度ダイシング技術
により切断し、個々のイメージセンサチップ22を切り出
す。次にガラス基板等の透明基板27上に金や銀白金等の
貴金属をスクリーン印刷法または薄膜形成法とフォトリ
ソ法を用いて回路導体層25を形成する。この時回路導体
層25で直接イメージセンサチップ22の電極24と接続され
る部分においては、幅はイメージセンサチップの電極24
の幅より小さく（200μｍ以下）、高さは数μｍにし
た。
この透明基板27の所定の位置にアクリル系の透明光硬化
型絶縁樹脂26をスクリーン印刷やディスペンサー等で規
定の量を塗布し、その上にイメージセンサチップ22を、
その電極24を下面に下降させ、その後圧力を加えて電極
24と回路導体層25を圧着させる。この時、同時に外部か
ら回路導体層25を通じて電圧をかけ、実施しているイメ
ージセンサチップ22が正常に動作をするかを確認する。
正常であると確認できたら、そのまま圧力を加えなが
ら、透明光硬化型絶縁樹脂25に透明基板27を通して紫外
線を照射して硬化させる。またこの時の動作確認で異常
であれば硬化させずに実装をしなおしたり、次の新たな
イメージセンサチップ22と交換し、先と同じ作業を行
う。この様にして複数のイメージセンサチップ22を精度
良く一直線上に配列する。最後にその上からシリコン等
の樹脂をディスペンサー等で塗布し、保護膜21を形成し
て、イメージセンサが完成する。
型絶縁樹脂26をスクリーン印刷やディスペンサー等で規
定の量を塗布し、その上にイメージセンサチップ22を、
その電極24を下面に下降させ、その後圧力を加えて電極
24と回路導体層25を圧着させる。この時、同時に外部か
ら回路導体層25を通じて電圧をかけ、実施しているイメ
ージセンサチップ22が正常に動作をするかを確認する。
正常であると確認できたら、そのまま圧力を加えなが
ら、透明光硬化型絶縁樹脂25に透明基板27を通して紫外
線を照射して硬化させる。またこの時の動作確認で異常
であれば硬化させずに実装をしなおしたり、次の新たな
イメージセンサチップ22と交換し、先と同じ作業を行
う。この様にして複数のイメージセンサチップ22を精度
良く一直線上に配列する。最後にその上からシリコン等
の樹脂をディスペンサー等で塗布し、保護膜21を形成し
て、イメージセンサが完成する。
このイメージセンサについては、透明基板27及び透明光
硬化型絶縁樹脂26を通して光情報を受光素子23が受光
し、これを電気信号に変換するようになっている。
硬化型絶縁樹脂26を通して光情報を受光素子23が受光
し、これを電気信号に変換するようになっている。
発明の効果 以上のように本発明の半導体実装によれば、金属細線作
業が不要なので、実装面積が小さくなり、しかも実装時
の実装ミスや実装した半導体素子に不良があった時には
ただちに実装のしなおしや交換が簡単に行えるようにな
る。
業が不要なので、実装面積が小さくなり、しかも実装時
の実装ミスや実装した半導体素子に不良があった時には
ただちに実装のしなおしや交換が簡単に行えるようにな
る。
第１図（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例における半導
体実装方法を用いて形成したイメージセンサの側断面図
と正断面図、第２図（ａ），（ｂ）は従来の半導体実装
方法を用いて形成した半導体素子の平面図と断面図であ
る。 21……保護膜、22……イメージセンサチップ、23……受
光素子、24……電極、25……回路導体層、26……透明光
硬化型絶縁樹脂、27……透明基板。
体実装方法を用いて形成したイメージセンサの側断面図
と正断面図、第２図（ａ），（ｂ）は従来の半導体実装
方法を用いて形成した半導体素子の平面図と断面図であ
る。 21……保護膜、22……イメージセンサチップ、23……受
光素子、24……電極、25……回路導体層、26……透明光
硬化型絶縁樹脂、27……透明基板。
Claims (1)
- 【請求項１】上面に回路導体層を有する基板の上面に光
硬化型絶縁樹脂を設け、次に前記基板の上面に、下面に
電極を有する半導体素子を、前記電極と前記電極に対応
する前記回路導体層を当接させるべく前記半導体素子上
から圧力を加え、前記回路導体層上の前記光硬化型絶縁
樹脂を押しのけて前記電極と前記回路導体層を当接さ
せ、次に前記回路導体層を介して半導体素子の動作確認
を行う、動作が正常であると確認できれば、そのまま圧
力を加えながら前記光硬化型絶縁樹脂に光を照射して硬
化し実装を完了し、異常であれば硬化せず半導体素子を
交換して元と同様に実装する半導体実装方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1085434A JPH0738436B2 (ja) | 1989-04-04 | 1989-04-04 | 半導体実装方法 |
| EP89911393A EP0393206B1 (en) | 1988-10-14 | 1989-10-13 | Image sensor and method of producing the same |
| DE68926448T DE68926448T2 (de) | 1988-10-14 | 1989-10-13 | Bildsensor und verfahren zu dessen herstellung |
| PCT/JP1989/001059 WO1990004263A1 (en) | 1988-10-14 | 1989-10-13 | Image sensor and method of producing the same |
| US07/476,483 US5065006A (en) | 1988-10-14 | 1989-10-13 | Image sensors with simplified chip mounting |
| US07/739,562 US5138145A (en) | 1988-10-14 | 1991-08-21 | Method for producing image sensors with current flow into chip and with simplified chip mounting |
| US07/884,826 US5266828A (en) | 1988-10-14 | 1992-05-18 | Image sensors with an optical fiber array |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1085434A JPH0738436B2 (ja) | 1989-04-04 | 1989-04-04 | 半導体実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02263476A JPH02263476A (ja) | 1990-10-26 |
| JPH0738436B2 true JPH0738436B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=13858746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1085434A Expired - Fee Related JPH0738436B2 (ja) | 1988-10-14 | 1989-04-04 | 半導体実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738436B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0853936A (ja) * | 1994-06-07 | 1996-02-27 | Nisso Giken:Kk | コンクリート型枠の開口止め構造及び支持金具 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003060114A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Sony Corp | 半導体装置及び固体撮像装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60262430A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62256472A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ−の組み立て方法 |
-
1989
- 1989-04-04 JP JP1085434A patent/JPH0738436B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0853936A (ja) * | 1994-06-07 | 1996-02-27 | Nisso Giken:Kk | コンクリート型枠の開口止め構造及び支持金具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02263476A (ja) | 1990-10-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5138145A (en) | Method for producing image sensors with current flow into chip and with simplified chip mounting | |
| EP0591862B1 (en) | A semiconductor device, an image sensor device, and methods for producing the same | |
| US5776799A (en) | Lead-on-chip type semiconductor chip package using an adhesive deposited on chip active surfaces at a wafer level and method for manufacturing same | |
| JP4452235B2 (ja) | パッケージ構造とその製造方法 | |
| US5266828A (en) | Image sensors with an optical fiber array | |
| JPH0738436B2 (ja) | 半導体実装方法 | |
| JP2007150038A (ja) | 光学半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH11214434A (ja) | 半導体素子とその製造方法 | |
| JP4020618B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2574559B2 (ja) | イメージセンサの製造方法 | |
| JP3741670B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03142880A (ja) | 半導体装置とそれを用いたイメージセンサ及びイメージセンサユニット | |
| JPH09330992A (ja) | 半導体装置実装体とその製造方法 | |
| JPH02263481A (ja) | 半導体装置およびそれを用いたイメージセンサ | |
| JPH04304645A (ja) | 半導体素子の実装方法 | |
| KR930006988B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| JPH05326618A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10199911A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS63242072A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH09331050A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH04305974A (ja) | イメージセンサ | |
| JPH0567761A (ja) | イメージセンサ | |
| JPH0719895B2 (ja) | 密着型イメージセンサ | |
| JP2524003B2 (ja) | 完全密着型イメ―ジセンサ及びユニット | |
| JPH02309643A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |