JPH0719895B2 - 密着型イメージセンサ - Google Patents
密着型イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH0719895B2 JPH0719895B2 JP63106383A JP10638388A JPH0719895B2 JP H0719895 B2 JPH0719895 B2 JP H0719895B2 JP 63106383 A JP63106383 A JP 63106383A JP 10638388 A JP10638388 A JP 10638388A JP H0719895 B2 JPH0719895 B2 JP H0719895B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- semiconductor image
- sensor chip
- film
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ファクシミリやデジタル複写機などの画像入
力装置に用いられる密着型イメージセンサに関するもの
である。
力装置に用いられる密着型イメージセンサに関するもの
である。
従来の技術 ファクシミリやデジタル複写機などの画像入力装置に用
いられる密着型イメージセンサには、CCD,MOS,バイポー
ラIC型センサ等の単結晶シリコンからなる半導体イメー
ジセンサチップを用いるものと、アモルファスシリコン
やCdS−Se等の半導体薄膜を用いたものがある。従来半
導体イメージセンサチップを用いた密着型イメージセン
サは、第３図及び第４図に示すようにアルミナやガラス
等の基板１の表面に金や銀−白金などの貴金属により所
望する回路導体層２を形成した回路基板上に、CCD,MOS,
バイポーラIC型センサ等の単結晶シリコンからなる半導
体イメージセンサチップ３を複数個直線状に高精度に配
列してエポキシ系やシアノアクリレート系の導電性接着
剤４により回路基板上に接着固定し、ダイボンド後各半
導体イメージセンサチップ３の電極端子と回路導体層２
とをワイヤーボンド法により金やアルミニウムなどの金
属細線５で接続し、しかる後カバーガラス６を被せて封
止用接着剤７で固定するハーメチック封止構造を有した
センサ基板をクリップ端子で電気回路部品実装済プリン
ト基板とを電気的に接続していた。
いられる密着型イメージセンサには、CCD,MOS,バイポー
ラIC型センサ等の単結晶シリコンからなる半導体イメー
ジセンサチップを用いるものと、アモルファスシリコン
やCdS−Se等の半導体薄膜を用いたものがある。従来半
導体イメージセンサチップを用いた密着型イメージセン
サは、第３図及び第４図に示すようにアルミナやガラス
等の基板１の表面に金や銀−白金などの貴金属により所
望する回路導体層２を形成した回路基板上に、CCD,MOS,
バイポーラIC型センサ等の単結晶シリコンからなる半導
体イメージセンサチップ３を複数個直線状に高精度に配
列してエポキシ系やシアノアクリレート系の導電性接着
剤４により回路基板上に接着固定し、ダイボンド後各半
導体イメージセンサチップ３の電極端子と回路導体層２
とをワイヤーボンド法により金やアルミニウムなどの金
属細線５で接続し、しかる後カバーガラス６を被せて封
止用接着剤７で固定するハーメチック封止構造を有した
センサ基板をクリップ端子で電気回路部品実装済プリン
ト基板とを電気的に接続していた。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、このような密着型イメージセンサでは、
薄型化がはかりにくいことや、機械的衝撃に対する電気
的接続の信頼性及び耐湿性などの信頼性に乏しいなどの
問題点があった。また半導体イメージセンサチップ３の
修正が困難であるために工程歩留まりが悪く経済性に欠
けたり、カバーガラス６が成形品であったり基板１に回
路導体層２を形成しなければならず、そのため部品材料
が高価でコストの面でも問題点があった。本発明は、こ
のような問題点を解決するものであり、薄型で信頼性に
優れ、且つ組み立ての歩留まりを向上させて経済性に優
れた密着型イメージセンサを提供するものである。
薄型化がはかりにくいことや、機械的衝撃に対する電気
的接続の信頼性及び耐湿性などの信頼性に乏しいなどの
問題点があった。また半導体イメージセンサチップ３の
修正が困難であるために工程歩留まりが悪く経済性に欠
けたり、カバーガラス６が成形品であったり基板１に回
路導体層２を形成しなければならず、そのため部品材料
が高価でコストの面でも問題点があった。本発明は、こ
のような問題点を解決するものであり、薄型で信頼性に
優れ、且つ組み立ての歩留まりを向上させて経済性に優
れた密着型イメージセンサを提供するものである。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明の密着型イメージセン
サは、透光性基板上に半導体イメージセンサチップをフ
ェースダウンで複数個直線状に透光性接着剤で接着固定
し、半導体イメージセンサチップと電気回路部品実装済
プリント基板をフィルムリードで電気的に接続した構造
を有するものである。
サは、透光性基板上に半導体イメージセンサチップをフ
ェースダウンで複数個直線状に透光性接着剤で接着固定
し、半導体イメージセンサチップと電気回路部品実装済
プリント基板をフィルムリードで電気的に接続した構造
を有するものである。
作用 上記本発明の構造を用いることにより、構造的に薄型で
且つ電気的接続や耐湿度性などの信頼性に優れ、さらに
は組み立ての歩留まりが向上し低コストの密着型イメー
ジセンサが実現できる。
且つ電気的接続や耐湿度性などの信頼性に優れ、さらに
は組み立ての歩留まりが向上し低コストの密着型イメー
ジセンサが実現できる。
実施例 以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら説明す
る。第１図は、本発明の一実施例における密着イメージ
センサの斜視図、第２図はその要部断面図である。第１
図、第２図において11は透光性基板、12は半導体イメー
ジセンサチップ、13は透光性接着剤、14はポリイミドフ
ィルム、15はポリイミドフィルム14を支持基板にしたフ
ィルムリード、16はバンプ、17は電気回路部品実装済プ
リント基板である。以下第１図、第２図に基づいて詳細
に述べる。
る。第１図は、本発明の一実施例における密着イメージ
センサの斜視図、第２図はその要部断面図である。第１
図、第２図において11は透光性基板、12は半導体イメー
ジセンサチップ、13は透光性接着剤、14はポリイミドフ
ィルム、15はポリイミドフィルム14を支持基板にしたフ
ィルムリード、16はバンプ、17は電気回路部品実装済プ
リント基板である。以下第１図、第２図に基づいて詳細
に述べる。
（実施例１） 半導体プロセスを用いて単結晶シリコン基板上に、フォ
トトランジスタやフォトダイオード等の光検知素子アレ
ーとMOSやCCD,バイポーラIC等のスイッチング素子等で
構成した半導体イメージセンサの電極端子上にバリヤー
金属としてCr,Ti,Pd等を形成し、その上にCu,Au,In等を
蒸着法やメッキ法でバンプ16を作成し、この単結晶シリ
コン基板から高精度ダイシング技術を駆使して切断加工
することにより半導体イメージセンサチップ12を作成す
る。次にポリイミドフィルム14上に所望する銅箔パター
ンを35μｍの膜厚で形成したフィルムリード15へ0.5μ
ｍの膜厚でSnメッキ処理を施してフィルムキャリアを作
成し、半導体イメージセンサチップ12の電極端子上のバ
ンプ16とフィルムリード15をツールでボンディング圧力
0.05〜2.5Kg,ヒートタイム１〜3sec,ボンディング温度1
00〜500℃の条件でインナーボンディングし半導体イメ
ージセンサチップ12とフィルムリード15を電気的に接続
する。ついでガラス基板等の透光性基板11上の所定の位
置にシリコーン系，アクリル系，エポキシ系で紫外線硬
化型，熱硬化型，紫外線硬化と熱硬化併用型の透光性接
着剤13をスクリーン印刷やディスペンサー等で所定の膜
厚だけ塗布し、その上にフィルムリード付半導体イメー
ジセンサチップ12をフェースダウンで複数個直線状に配
列した後、フィルムリード15と電気回路部品実装済プリ
ント基板用17の電極端子をアウタリードボンディング法
で、ボンディング温度100〜500℃，ボンディング圧力0.
05〜2.5Kg,ヒートタイム１〜3secの条件で接続する。そ
の後、紫外線照射または加熱して透光性接着剤13を硬化
し、半導体イメージセンサチップ12と透光性基板11を接
着固定して密着型イメージセンサを作成する。
トトランジスタやフォトダイオード等の光検知素子アレ
ーとMOSやCCD,バイポーラIC等のスイッチング素子等で
構成した半導体イメージセンサの電極端子上にバリヤー
金属としてCr,Ti,Pd等を形成し、その上にCu,Au,In等を
蒸着法やメッキ法でバンプ16を作成し、この単結晶シリ
コン基板から高精度ダイシング技術を駆使して切断加工
することにより半導体イメージセンサチップ12を作成す
る。次にポリイミドフィルム14上に所望する銅箔パター
ンを35μｍの膜厚で形成したフィルムリード15へ0.5μ
ｍの膜厚でSnメッキ処理を施してフィルムキャリアを作
成し、半導体イメージセンサチップ12の電極端子上のバ
ンプ16とフィルムリード15をツールでボンディング圧力
0.05〜2.5Kg,ヒートタイム１〜3sec,ボンディング温度1
00〜500℃の条件でインナーボンディングし半導体イメ
ージセンサチップ12とフィルムリード15を電気的に接続
する。ついでガラス基板等の透光性基板11上の所定の位
置にシリコーン系，アクリル系，エポキシ系で紫外線硬
化型，熱硬化型，紫外線硬化と熱硬化併用型の透光性接
着剤13をスクリーン印刷やディスペンサー等で所定の膜
厚だけ塗布し、その上にフィルムリード付半導体イメー
ジセンサチップ12をフェースダウンで複数個直線状に配
列した後、フィルムリード15と電気回路部品実装済プリ
ント基板用17の電極端子をアウタリードボンディング法
で、ボンディング温度100〜500℃，ボンディング圧力0.
05〜2.5Kg,ヒートタイム１〜3secの条件で接続する。そ
の後、紫外線照射または加熱して透光性接着剤13を硬化
し、半導体イメージセンサチップ12と透光性基板11を接
着固定して密着型イメージセンサを作成する。
（実施例２） 実施例１において半導体イメージセンサチップ12の電極
端子上のバンプ材料としてPd−５％Snのハンダバンプ16
を用いてフィルムリード15と密着・加熱して電気的に接
続を行って密着型イメージセンサを構成した。
端子上のバンプ材料としてPd−５％Snのハンダバンプ16
を用いてフィルムリード15と密着・加熱して電気的に接
続を行って密着型イメージセンサを構成した。
（実施例３） 実施例１において半導体イメージセンサチップ12の電極
端子とフィルムリード15間にあるバンプ16を転写バンプ
方式によりフィルムリード15上に形成して密着型イメー
ジセンサを構成した。
端子とフィルムリード15間にあるバンプ16を転写バンプ
方式によりフィルムリード15上に形成して密着型イメー
ジセンサを構成した。
以上実施例１〜３ではアウターリードボンディング法で
ボンディングした後、透光性接着剤13を硬化させたが、
先に半導体イメージセンサチップ12と透光性基板11硬化
・接着・固定させた後アウターリードボンディングを行
ってもよい。また信頼性向上及び機械的ダメージ防止の
目的で半導体イメージセンサチップ12の表面をエポキシ
系やシリコーン系，アクリル系の接着剤でモールドする
と効果的である。
ボンディングした後、透光性接着剤13を硬化させたが、
先に半導体イメージセンサチップ12と透光性基板11硬化
・接着・固定させた後アウターリードボンディングを行
ってもよい。また信頼性向上及び機械的ダメージ防止の
目的で半導体イメージセンサチップ12の表面をエポキシ
系やシリコーン系，アクリル系の接着剤でモールドする
と効果的である。
発明の効果 以上のように本発明によれば、透光性基板上に半導体イ
メージセンサチップをフェースダウンで複数個直線状に
透光性接着剤で接着・固定し、半導体イメージセンサチ
ップと電気回路部品実装済プリント基板をフィルムリー
ドで電気的に接続した構造を有するために、基板に回路
導体層を形成しなくて済みまたカバーガラスがなくなり
薄型で材料費が下がる。また透光性接着剤や樹脂で半導
体イメージセンサチップをモールドしているために機械
的振動に強く、電気的接続や耐湿性などの信頼性が向上
する。さらに透光性接着剤を硬化させる前に電気的にチ
ェックできるために半導体イメージセンサチップの修正
が容易であり、したがって組み立て歩留まりが向上し低
コストで作成できるという効果がある。
メージセンサチップをフェースダウンで複数個直線状に
透光性接着剤で接着・固定し、半導体イメージセンサチ
ップと電気回路部品実装済プリント基板をフィルムリー
ドで電気的に接続した構造を有するために、基板に回路
導体層を形成しなくて済みまたカバーガラスがなくなり
薄型で材料費が下がる。また透光性接着剤や樹脂で半導
体イメージセンサチップをモールドしているために機械
的振動に強く、電気的接続や耐湿性などの信頼性が向上
する。さらに透光性接着剤を硬化させる前に電気的にチ
ェックできるために半導体イメージセンサチップの修正
が容易であり、したがって組み立て歩留まりが向上し低
コストで作成できるという効果がある。
第１図は本発明の実施例における密着イメージセンサの
斜視図、第２図はその断面図、第３図は従来の密着イメ
ージセンサの斜視図、第４図はその断面図である。 11……透光性基板、12……半導体イメージセンサチッ
プ、13……透光性接着剤、14……ポリイミドフィルム、
15……フィルムリード、16……バンプ、17……電気回路
部品実装済プリント基板。
斜視図、第２図はその断面図、第３図は従来の密着イメ
ージセンサの斜視図、第４図はその断面図である。 11……透光性基板、12……半導体イメージセンサチッ
プ、13……透光性接着剤、14……ポリイミドフィルム、
15……フィルムリード、16……バンプ、17……電気回路
部品実装済プリント基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｎ 1/028 Ｚ 8721−5Ｃ 7210−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｄ
Claims (1)
- 【請求項１】透光性基板上に半導体イメージセンサチッ
プをフェースダウンで複数個直線状に透光性接着剤で接
着固定し、前記半導体イメージセンサチップと電気回路
部品実装済プリント基板をフィルムリードで電気的に接
続した密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63106383A JPH0719895B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 密着型イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63106383A JPH0719895B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 密着型イメージセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01276772A JPH01276772A (ja) | 1989-11-07 |
| JPH0719895B2 true JPH0719895B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=14432184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63106383A Expired - Lifetime JPH0719895B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719895B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008219854A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学デバイス，光学デバイスウエハおよびそれらの製造方法、ならびに光学デバイスを搭載したカメラモジュールおよび内視鏡モジュール |
| US8013350B2 (en) | 2007-02-05 | 2011-09-06 | Panasonic Corporation | Optical device and method for manufacturing optical device, and camera module and endoscope module equipped with optical device |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP63106383A patent/JPH0719895B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01276772A (ja) | 1989-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3420057B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| US5521429A (en) | Surface-mount flat package semiconductor device | |
| US6956295B2 (en) | Flip-chip image sensor packages | |
| US6917090B2 (en) | Chip scale image sensor package | |
| JP2895920B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH05218230A (ja) | 半導体装置 | |
| TW200534454A (en) | Exposed pad module integrated a passive device therein | |
| CN210245481U (zh) | 一种影像传感芯片封装结构 | |
| JPH0719895B2 (ja) | 密着型イメージセンサ | |
| KR20030069321A (ko) | 플립칩 범핑을 이용한 반도체 촬상소자 패키지 및 그제조방법 | |
| KR100207902B1 (ko) | 리드 프레임을 이용한 멀티 칩 패키지 | |
| JP2574559B2 (ja) | イメージセンサの製造方法 | |
| CN106571377A (zh) | 图像传感器模组及其制作方法 | |
| JPH0719896B2 (ja) | 密着型イメージセンサ | |
| JP2668995B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3529507B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3721589B2 (ja) | 混成集積回路装置及びその製造方法 | |
| JPH03109760A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2841822B2 (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| JP2691891B2 (ja) | 半導体チップと印刷回路基板間の電気的連結構造物及びその連結方法 | |
| JP2574593B2 (ja) | 密着型イメージセンサ | |
| KR100417854B1 (ko) | 칩크기 패키지 구조 및 그 제조방법 | |
| JPS61256667A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| KR200304742Y1 (ko) | 적층형반도체패키지 | |
| JPH09219463A (ja) | 半導体装置 |