JP2009117760A - 光透過部材及び電子回路基板 - Google Patents
光透過部材及び電子回路基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009117760A JP2009117760A JP2007292030A JP2007292030A JP2009117760A JP 2009117760 A JP2009117760 A JP 2009117760A JP 2007292030 A JP2007292030 A JP 2007292030A JP 2007292030 A JP2007292030 A JP 2007292030A JP 2009117760 A JP2009117760 A JP 2009117760A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- circuit board
- electronic circuit
- photoelectric conversion
- conversion element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【課題】電子部品の実装平面積をより低減するのに有用な機能を発揮することができるVCSELモジュールのキャップガラス板20を提供する。
【解決手段】光を出射する光出射部としての発光部4を具備するVCSEL素子10と、VCSEL素子10に電気的に接続されるドライバICと、発光部4から出射された光を透過させるように、発光部4に対向配設されたキャップガラス板20とが、基板31上に実装された電子回路基板、に用いられるキャップガラス板20において、厚み方向に貫通するスルーホールを設け、このスルーホール内に導電性材料を固着させた。
【選択図】図10
【解決手段】光を出射する光出射部としての発光部4を具備するVCSEL素子10と、VCSEL素子10に電気的に接続されるドライバICと、発光部4から出射された光を透過させるように、発光部4に対向配設されたキャップガラス板20とが、基板31上に実装された電子回路基板、に用いられるキャップガラス板20において、厚み方向に貫通するスルーホールを設け、このスルーホール内に導電性材料を固着させた。
【選択図】図10
Description
本発明は、光電変換素子と、これに電気的に接続される電子部品と、光電変換素子の光出射部又は受光部に対向しながら光を透過させる板状の光透過部材とを有する電子回路基板に関するものである。また、かかる電子回路基板に用いられる光透過部材に関するものである。
この種の電子回路基板としては、光電変換素子たるVCSEL(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser)素子を実装したものが知られている。VCSEL素子は、複数の半導体層からなる半導体積層構造を具備する発光部から、レーザー光を素子ベース面に垂直な方向に放出するものである。大量生産に適した製造工程で製造することが可能であるため低コスト化に有利な素子として知られている。
図11は、従来のパッケージ型のVCSEL素子が実装された電子回路基板を示す拡大構成図である。同図において、パッケージ型のVCSEL素子10は、素子の面方向にマトリクス状に並ぶ図示しない複数の発光部を有しており、それぞれの発光部からレーザー光を個別に出射することができる。それぞれの発光部は、図示しない駆動電源接続用電極を有している。また、VECSEL素子10の底部は、それぞれの発光部にアースを導くための共通のアース接続用電極になっている。かかる構成のVCSEL素子10は、セラミック製のパッケージ900の中に固定されている。このセラミック製のパッケージ900の内面には、図示しない複数の電極が形成されている。これら電極は、VCSEL素子10の底部のアース接続用電極や、VCSEL素子10の複数の発光部におけるそれぞれの駆動電源接続用電極に接続されるものであり、パッケージ900を厚み方向に貫通して、パッケージ900の底面から露出している。パッケージ900の内部においては、VCSEL素子10の発光部の駆動電源接続用電極と、パッケージ900の図示しない複数の電極の1つとが、ワイヤーボンディング工法によって設けられたワイヤー901によって電気的に接続されている。また、VCSEL素子の底部のアース接続用電極は、図示しないはんだを介してパッケージ900のアース電極と接合されている。一方、パッケージ900の底面で外部に露出している各電極は、はんだ904によって基板903の表面上の図示しない配線パターンと接合されている。これにより、VCSEL素子10の底部のアース接続用電極や、VCSEL素子10の複数の発光部におけるそれぞれの駆動電源接続用電極が、基板903の配線パターンと電気的に接続されている。なお、パッケージ900の側壁の上には、板状の光透過部材であるキャップガラス板902が固定されている。このキャップガラス板902は、VCSEL素子10やキャップガラス板902内面の結露を抑えるためのガス(例えば窒素ガス)をパッケージ900内に封止するとともに、VCSEL素子10の複数の発光部から発せられたレーザー光を透過させる役割を担っている。
かかる構成においては、電子回路基板の製造工程において、VCSEL素子10のベアチップをパッケージ900内に収容した状態で取り扱うことで、実装作業性を向上させることができる。この反面、パッケージ900によってVCSEL素子10の実装平面積を大きくすることで、電子回路基板の小型化が困難になってしまうというデメリットがある。
そこで、近年においては、例えば特許文献1に記載の光電変換モジュールのように、いわゆるフリップチップ実装法により、VCSEL素子をベアチップの状態でキャップガラス板に接合することが行われるようになってきた。具体的には、この光電変換モジュールにおいては、キャップガラス板におけるVCSELとの対向面に配線パターンを形成し、この配線パターンとVCSELの駆動電源接続用電極とをはんだ接合している。そして、このはんだ接合により、キャップガラス板をVCSEL素子で保持している。かかる構成においては、パッケージを省略した分だけ、VCSEL素子の平面積を小さくすることで、実装平面積を小さくすることができる。
しかしながら、このような光電変換モジュールにおいても、それが実装される基板のより一層の小型化を図る上で、まだ改良の余地が残されていた。具体的には、キャップガラス板をVCSEL素子で保持している光電変換モジュールを実装する基板には、光電変換モジュールの他に、抵抗、コンデンサ、VCSEL素子内の発光部の駆動を制御するためのドライバIC等の集積回路部品などといった他の電子部品を実装する必要がある。基板の小型化を図るためには、これらの電子部品を互いにできるだけ近づけて配設して基板上での実装平面積を低減する必要があるが、同一の基板面上で電子部品間の距離を小さくするのには限界があった。
なお、光電変換素子としてVCSEL素子を実装した電子回路基板における問題について説明したが、CCD(Charge Coupled Device)撮像素子、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)撮像素子など、他の光電変換素子を実装した電子回路基板でも、同様の問題が生じ得る。
本発明は、以上の背景に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、電子部品の実装平面積をより低減するのに有用な機能を発揮することができるキャップガラス板等の光透過部材を提供することである。また、電子部品の実装平面積をより低減することができる電子回路基板を提供することである。
上記目的を達成するために、請求項1の発明は、光を出射する光出射部、又は光を受光する受光部を具備する光電変換素子と、該光電変換素子に電気的に接続される電子部品と、該光出射部から出射された光を透過させるか、あるいは、自らを透過した光を該受光部に受光させるかするように、該光出射部又は受光部に対向配設された板状の光透過部材とが、基板上に実装された電子回路基板、に用いられる該光透過部材において、厚み方向に貫通するスルーホールを設け、該スルーホール内に導電性材料を固着させたことを特徴とするものである。
また、請求項2の発明は、請求項1の光透過部材において、上記スルーホール内の上記導電性材料と、上記光電変換素子とを電気的に接続するための第1配線パターンを上記光出射部又は受光部との対向面に設けるとともに、上記スルーホール内の上記導電性材料と、上記電子部品とを電気的に接続するための第2配線パターンを上記光出射部又は受光部との非対向面に設けたことを特徴とするものである。
また、請求項3の発明は、光を出射する光出射部、又は光を受光する受光部を具備する光電変換素子と、該光電変換素子に電気的に接続される電子部品と、該光出射部から出射された光を透過させるか、あるいは、自らを透過した光を該受光部に受光させるかするように、該光出射部又は受光部に対向配設された板状の光透過部材とが、基板上に実装された電子回路基板において、上記光透過部材として請求項1又は2の光透過部材を用い、上記電子部品を上記光透過部材における上記光出射部又は受光部との非対向面上に固定し、且つ、上記スルーホール内の導電性材料を介して、該電子部品と上記光電変換素子とを電気的に接続したことを特徴とするものである。
また、請求項4の発明は、請求項3の電子回路基板において、上記光透過部材と、これに対向している上記光電変換素子の上記光出射部又は受光部との間に空間を形成し、該空間内を大気とは異なるガスで満たした状態で、該光電変換素子の周縁部と上記光透過部材との間を封止材によって塞いで、該空間内に該ガスを封止したことを特徴とするものである。
また、請求項5の発明は、請求項4の電子回路基板において、上記光透過部材における面方向の全領域のうち、ガスで満たされている上記空間に対向しない領域に、上記スルーホールを設けたことを特徴とするものである。
また、請求項6の発明は、請求項3乃至5の何れかの電子回路基板であって、上記光電変換素子が、VECSEL素子、CCD撮像素子、又はCMOS撮像素子であることを特徴とするものである。
また、請求項7の発明は、請求項3乃至6の何れかの電子回路基板において、上記光透過部材として請求項2の光透過部材を用いるとともに、上記第1配線パターンと上記光電変換素子の端子との間に介在して両者を接合する第1導電性接合材として、上記第2配線パターンと上記電子部品の端子との間に介在して両者を接合する第2導電性接合材よりも融点の高いものを用いたことを特徴とするものである。
また、請求項8の発明は、請求項3乃至7の何れかの電子回路基板において、上記電子部品として集積回路部品を用い、ベアチップの状態の該集積回路部品をフリップチップ実装法で上記光透過部材上に実装したことを特徴とするものである。
また、請求項9の発明は、請求項3乃至8の何れかの電子回路基板において、上記電子部品として集積回路部品を用いるとともに、光透過部材として、その熱膨張係数が該集積回路部品の熱膨張係数と上記光電変換素子の熱膨張係数との間の値であるもの、を用いたことを特徴とするものである。
また、請求項10の発明は、請求項3乃至8の何れかの電子回路基板において、上記光透過部材として、光透過性を有する光透過基材が上記光電変換素子及び集積回路部品の何れよりも弾性率の低い材料からなるもの、を用いたことを特徴とするものである。
また、請求項11の発明は、請求項10の電子回路基板において、上記光透過性基材の両面にそれぞれ光透過性を有する反射防止膜を形成したことを特徴とするものである。
また、請求項2の発明は、請求項1の光透過部材において、上記スルーホール内の上記導電性材料と、上記光電変換素子とを電気的に接続するための第1配線パターンを上記光出射部又は受光部との対向面に設けるとともに、上記スルーホール内の上記導電性材料と、上記電子部品とを電気的に接続するための第2配線パターンを上記光出射部又は受光部との非対向面に設けたことを特徴とするものである。
また、請求項3の発明は、光を出射する光出射部、又は光を受光する受光部を具備する光電変換素子と、該光電変換素子に電気的に接続される電子部品と、該光出射部から出射された光を透過させるか、あるいは、自らを透過した光を該受光部に受光させるかするように、該光出射部又は受光部に対向配設された板状の光透過部材とが、基板上に実装された電子回路基板において、上記光透過部材として請求項1又は2の光透過部材を用い、上記電子部品を上記光透過部材における上記光出射部又は受光部との非対向面上に固定し、且つ、上記スルーホール内の導電性材料を介して、該電子部品と上記光電変換素子とを電気的に接続したことを特徴とするものである。
また、請求項4の発明は、請求項3の電子回路基板において、上記光透過部材と、これに対向している上記光電変換素子の上記光出射部又は受光部との間に空間を形成し、該空間内を大気とは異なるガスで満たした状態で、該光電変換素子の周縁部と上記光透過部材との間を封止材によって塞いで、該空間内に該ガスを封止したことを特徴とするものである。
また、請求項5の発明は、請求項4の電子回路基板において、上記光透過部材における面方向の全領域のうち、ガスで満たされている上記空間に対向しない領域に、上記スルーホールを設けたことを特徴とするものである。
また、請求項6の発明は、請求項3乃至5の何れかの電子回路基板であって、上記光電変換素子が、VECSEL素子、CCD撮像素子、又はCMOS撮像素子であることを特徴とするものである。
また、請求項7の発明は、請求項3乃至6の何れかの電子回路基板において、上記光透過部材として請求項2の光透過部材を用いるとともに、上記第1配線パターンと上記光電変換素子の端子との間に介在して両者を接合する第1導電性接合材として、上記第2配線パターンと上記電子部品の端子との間に介在して両者を接合する第2導電性接合材よりも融点の高いものを用いたことを特徴とするものである。
また、請求項8の発明は、請求項3乃至7の何れかの電子回路基板において、上記電子部品として集積回路部品を用い、ベアチップの状態の該集積回路部品をフリップチップ実装法で上記光透過部材上に実装したことを特徴とするものである。
また、請求項9の発明は、請求項3乃至8の何れかの電子回路基板において、上記電子部品として集積回路部品を用いるとともに、光透過部材として、その熱膨張係数が該集積回路部品の熱膨張係数と上記光電変換素子の熱膨張係数との間の値であるもの、を用いたことを特徴とするものである。
また、請求項10の発明は、請求項3乃至8の何れかの電子回路基板において、上記光透過部材として、光透過性を有する光透過基材が上記光電変換素子及び集積回路部品の何れよりも弾性率の低い材料からなるもの、を用いたことを特徴とするものである。
また、請求項11の発明は、請求項10の電子回路基板において、上記光透過性基材の両面にそれぞれ光透過性を有する反射防止膜を形成したことを特徴とするものである。
請求項1、2に係る光透過部材においては、光電変換素子に対向している状態で、光電変換素子との非対向面に固定された電子部品と、光電変換素子とを、スルーホール内の導電性材料を介して電気的に接続することが可能になる。このような接続においては、光透過部材における光電変換素子との対向面を、従来と同様に光電変換素子の実装エリアとして利用するとともに、従来は利用していなかった光透過部材における光電変換素子との非対向面を、他の電子部品の実装エリアとして利用することで、光電変換素子と他の電子部品とを立体的に実装することが可能になる。これにより、基板の表面上における電子部品の実装平面積をより低減することができる。このように、請求項1、2に係る光透過性部材においては、その表面を電子部品の実装エリアとして利用可能にするという、電子部品の実装平面積をより低減するのに有用な機能を発揮することができる。
特に、請求項2に係る光透過部材においては、光電変換素子との対向面に形成された配線パターンと、スルーホール内の導電性材料と、光電変換素子との非対向面に形成された配線パターンとを介して、電子部品と光電変換素子とを電気的に接続することができる。
請求項3乃至9に係る電子回路基板においては、従来は利用していなかった光透過部材における光電変換素子との非対向面を、光電変化素子とは異なる電子部品の実装エリアとして利用して、電子部品の実装平面積をより低減することができる。
特に、請求項4に係る電子回路基板においては、光電変換素子と光透過部材との間に満たしたガスによって光電変換素子を覆うことで、結露しない環境下に密封する。これにより、光電変換素子や光透過部材の結露を回避することができる。
また特に、請求項5に係る電子回路基板においては、光透過性部材のスルーホール入口を、ガス封止用の空間から離れた位置で開口させる。これにより、空間内のガスを、スルーホール内壁と、スルーホール内に固着された導電性材料との隙間からの外部に漏らしてしまったり、その間隙からガス封止用の空間内に大気を流入させてしまったりすることを回避することができる。
また特に、請求項6に係る電子回路基板においては、光透過部材に対向するように基板上に実装されたVECSEL素子、CCD撮像素子、又はCMOS撮像素子と、光透過性部材におけるそれら素子との非対向面に実装された電子部品とを、光透過部材のスルーホール内の導電性材料を介して電気的に接続することができる。
また特に、請求項7に係る電子回路基板においては、光透過部材の第1配線パターンと光電変換素子の端子との間に介在する第1導電性接合材を溶融させて両者を電気的に接続する工程を実施した後、光透過部材の第2配線パターンと電子部品の端子との間に介在する第2導電性接合材をリフローによって溶融させて両者を接合する工程を実施する場合に、後者の工程での第1導電性接合材の再溶融を回避する。これにより、第1導電性接合材の再溶融に起因する光電変換素子と第1配線パターンとの導通不良や接合不良の発生を回避することができる。
また特に、請求項8に係る電子回路基板においては、集積回路部品としてパッケージ型のものを用いる場合に比べて、集積回路部品の実装平面積を低減することができる。更には、パッケージ型のものを用いる場合に比べて、基板と、これの上に実装された光電変換素子と、これの上に実装された光透過部材と、これの表面に実装された電子部品との合計厚みを低減することもできる。
また特に、請求項9に係る電子回路基板においては、光透過部材として、その熱膨張係数が集積回路部品の熱膨張係数と光電変換素子の熱膨張係数との間の値でないものを用いる場合に比べて、温度変化に伴って生ずる光透過部材と集積回路部品との伸縮量の差や、温度変換に伴って生ずる光透過部材と光電変換素子との伸縮量の差を低減する。これにより、それら伸縮量の差に起因する集積回路部品と光透過部材との接合部の割れや、光電変換素子と光透過部材との接合部の割れの発生を抑えることができる。
また特に、請求項10に係る電子回路基板においては、温度変化に伴って、光透過部材の光透過基材と、光透過性部材に接合された光電変換素子や集積回路部品との間に伸縮量の差が生じたとしても、光電変換素子や集積回路部品よりも弾性率の低い光透過基材が光電変換素子や集積回路部品との伸縮量の差に追従して微妙に撓んだり、本来よりも伸びたりすることで、伸縮量の差による光電変換素子や集積回路部品との接合部の相対位置変化を抑える。これにより、温度変化に伴う伸縮量の差に起因する集積回路部品と光透過部材との接合部の割れや、光電変換素子と光透過部材との接合部の割れの発生を抑えることができる。
また特に、請求項11に係る電子回路基板においては、光透過性基材の両面にそれぞれ形成した反射防止膜により、光透過部材の両面における光反射をそれぞれ抑えることができる。
特に、請求項2に係る光透過部材においては、光電変換素子との対向面に形成された配線パターンと、スルーホール内の導電性材料と、光電変換素子との非対向面に形成された配線パターンとを介して、電子部品と光電変換素子とを電気的に接続することができる。
請求項3乃至9に係る電子回路基板においては、従来は利用していなかった光透過部材における光電変換素子との非対向面を、光電変化素子とは異なる電子部品の実装エリアとして利用して、電子部品の実装平面積をより低減することができる。
特に、請求項4に係る電子回路基板においては、光電変換素子と光透過部材との間に満たしたガスによって光電変換素子を覆うことで、結露しない環境下に密封する。これにより、光電変換素子や光透過部材の結露を回避することができる。
また特に、請求項5に係る電子回路基板においては、光透過性部材のスルーホール入口を、ガス封止用の空間から離れた位置で開口させる。これにより、空間内のガスを、スルーホール内壁と、スルーホール内に固着された導電性材料との隙間からの外部に漏らしてしまったり、その間隙からガス封止用の空間内に大気を流入させてしまったりすることを回避することができる。
また特に、請求項6に係る電子回路基板においては、光透過部材に対向するように基板上に実装されたVECSEL素子、CCD撮像素子、又はCMOS撮像素子と、光透過性部材におけるそれら素子との非対向面に実装された電子部品とを、光透過部材のスルーホール内の導電性材料を介して電気的に接続することができる。
また特に、請求項7に係る電子回路基板においては、光透過部材の第1配線パターンと光電変換素子の端子との間に介在する第1導電性接合材を溶融させて両者を電気的に接続する工程を実施した後、光透過部材の第2配線パターンと電子部品の端子との間に介在する第2導電性接合材をリフローによって溶融させて両者を接合する工程を実施する場合に、後者の工程での第1導電性接合材の再溶融を回避する。これにより、第1導電性接合材の再溶融に起因する光電変換素子と第1配線パターンとの導通不良や接合不良の発生を回避することができる。
また特に、請求項8に係る電子回路基板においては、集積回路部品としてパッケージ型のものを用いる場合に比べて、集積回路部品の実装平面積を低減することができる。更には、パッケージ型のものを用いる場合に比べて、基板と、これの上に実装された光電変換素子と、これの上に実装された光透過部材と、これの表面に実装された電子部品との合計厚みを低減することもできる。
また特に、請求項9に係る電子回路基板においては、光透過部材として、その熱膨張係数が集積回路部品の熱膨張係数と光電変換素子の熱膨張係数との間の値でないものを用いる場合に比べて、温度変化に伴って生ずる光透過部材と集積回路部品との伸縮量の差や、温度変換に伴って生ずる光透過部材と光電変換素子との伸縮量の差を低減する。これにより、それら伸縮量の差に起因する集積回路部品と光透過部材との接合部の割れや、光電変換素子と光透過部材との接合部の割れの発生を抑えることができる。
また特に、請求項10に係る電子回路基板においては、温度変化に伴って、光透過部材の光透過基材と、光透過性部材に接合された光電変換素子や集積回路部品との間に伸縮量の差が生じたとしても、光電変換素子や集積回路部品よりも弾性率の低い光透過基材が光電変換素子や集積回路部品との伸縮量の差に追従して微妙に撓んだり、本来よりも伸びたりすることで、伸縮量の差による光電変換素子や集積回路部品との接合部の相対位置変化を抑える。これにより、温度変化に伴う伸縮量の差に起因する集積回路部品と光透過部材との接合部の割れや、光電変換素子と光透過部材との接合部の割れの発生を抑えることができる。
また特に、請求項11に係る電子回路基板においては、光透過性基材の両面にそれぞれ形成した反射防止膜により、光透過部材の両面における光反射をそれぞれ抑えることができる。
以下、本発明を適用した電子回路基板の一実施形態について説明する。
図1は、実施形態に係る電子回路基板に実装される光電変換素子としてのVCSEL素子10を示す平面図である。また、図2は、VCSEL素子10を示す断面図である。これらの図において、VCSEL素子10は、ベース基板1、これの表面に形成されたアース電極層2、これの表面に形成された複数の半導体層からなるベース半導体層3、これの上にマトリクス状に並ぶ40個の発光部4などを有している。また、これら発光部4を避けるようにベース半導体層3の表面に形成された絶縁層5、それぞれの発光部4の天端に形成されたリング電極部や、個々のリング電極部から延在するように絶縁層5の上に形成されたリード部からなるリード電極6なども有している。更には、それぞれのリード電極6の端部に続くように絶縁層5の上に形成された駆動電源接続用の電極パッド7や、アース接続用電極パッド8なども有している。それぞれの発光部40は、図示しない複数の半導体層が積層された構造になっており、アース電極層2がアースされた状態でリード電極6に駆動電圧が印加されることで、発光する。この発光によって得られたレーザー光は、ベース基板1の面に直交する方向に、リード電極6のリング電極部の中心穴から出射される。
図1は、実施形態に係る電子回路基板に実装される光電変換素子としてのVCSEL素子10を示す平面図である。また、図2は、VCSEL素子10を示す断面図である。これらの図において、VCSEL素子10は、ベース基板1、これの表面に形成されたアース電極層2、これの表面に形成された複数の半導体層からなるベース半導体層3、これの上にマトリクス状に並ぶ40個の発光部4などを有している。また、これら発光部4を避けるようにベース半導体層3の表面に形成された絶縁層5、それぞれの発光部4の天端に形成されたリング電極部や、個々のリング電極部から延在するように絶縁層5の上に形成されたリード部からなるリード電極6なども有している。更には、それぞれのリード電極6の端部に続くように絶縁層5の上に形成された駆動電源接続用の電極パッド7や、アース接続用電極パッド8なども有している。それぞれの発光部40は、図示しない複数の半導体層が積層された構造になっており、アース電極層2がアースされた状態でリード電極6に駆動電圧が印加されることで、発光する。この発光によって得られたレーザー光は、ベース基板1の面に直交する方向に、リード電極6のリング電極部の中心穴から出射される。
次に、かかる構成のVCSEL素子10を実装した従来の電子回路基板について説明する。
図3は、VCSEL素子とともに電子回路基板に実装される光透過性の板状部材たる従来のキャップガラス板20’を示す平面図である。また、図4は、従来のキャップガラス板20’を示す断面図である。キャップガラス板20’は、ガラス板部23’と、配線パターン24’とを有している。
図3は、VCSEL素子とともに電子回路基板に実装される光透過性の板状部材たる従来のキャップガラス板20’を示す平面図である。また、図4は、従来のキャップガラス板20’を示す断面図である。キャップガラス板20’は、ガラス板部23’と、配線パターン24’とを有している。
ガラス板部23’は、図4に示すように、ガラス基板21’と、これの両面にそれぞれ形成されたSiO2層やSiO層からなる反射防止膜22’とを有している。配線パターン24’は、このガラス板部23’の両面のうち、図示しないVCSEL素子との対向面(以下、素子対向面という)に形成されている。そして、VCSEL素子10は、図3に示すように、キャップガラス板20’の平面の中心部に対向するように実装される。
キャップガラス板20’の配線パターン24’は、40本形成され、それぞれガラス板中央部から外縁部に向けて延在している。個々の配線パターン24’は、VCSEL素子10に40個形成された電極パッド(図1の7)の何れかに対向するように形成された素子側電極パッド部24a’と、これからガラス板外縁部に向けて延びるリード部24b’と、これの端部に形成された基板側電極パッド部24c’とを有している。
図5は、従来の電子回路基板30’を示す平面図である。また、図6は、従来の電子回路基板30’を示す断面図である。図6に示すように、VCSEL素子10の駆動電源接続用の電極パッド7は、発光部4よりも厚く形成されており、キャップガラス板20’の配線パターン24’の素子側電極パッド部24a’にはんだ(100)接合されている。これにより、VCSEL素子10がキャップガラス板20’の直下に固定される。そして、VCSEL素子10の40個の発光部4が、それぞれ所定の間隙からなるガス封止用の空間Gを介してキャップガラス板20’の素子対向面に対向している。
電子回路基板30’の基板31’は、これの表面状に形成された図示しない複数の配線パターンと、基板層に形成された矩形状の素子受入開口33’とを有している。この素子受入開口33’は、VCSEL素子10よりも大きな平面積になっており、図6に示すように、キャップガラス板20’の下に固定されたVCSEL素子10を内部に受け入れるものである。素子受入開口33’の周囲には、素子接続用電極パッド34’がキャップガラス板20’の基板側電極パッド23c’に対向するように形成されている。かかる素子接続用電極パッド34’は、VCSEL素子10の40個の発光部4にそれぞれ個別に対応するように、40個設けられている。そして、基板31’の素子接続用電極パッド34’と、キャップガラス板20’の基板側電極パッド23c’とがはんだ接合されることで、キャップガラス板20’及びVCSEL素子10が基板31’に実装されている。
基板31’の素子接続用電極パッド34’には、リード電極35’が続いており、このリード電極35’は、基板31’の図示しない領域に実装された4つのドライバICに接続されている。具体的には、基板31’の図示しない領域には、図示しない4つのドライバICが実装されている。これらドライバICは、それぞれ、VCSEL素子10における40個の発光部4のうち、10個の駆動を制御するものである。
次に、本実施形態に係る電子回路基板の特徴的な構成について説明する。
図7は、本実施形態に係る電子回路基板に実装されるキャップガラス板20を示す平面図である。また、図8は、キャップガラス板20を示す断面図である。キャップガラス板20のガラス板部23は、従来のキャップガラス板と同様に、ガラス基板21と、これの両面にそれぞれ形成されたSiO2層やSiO層からなる反射防止膜22とを有している。
図7は、本実施形態に係る電子回路基板に実装されるキャップガラス板20を示す平面図である。また、図8は、キャップガラス板20を示す断面図である。キャップガラス板20のガラス板部23は、従来のキャップガラス板と同様に、ガラス基板21と、これの両面にそれぞれ形成されたSiO2層やSiO層からなる反射防止膜22とを有している。
ガラス板部23の素子対向面に形成された配線パターン24は、従来のキャップガラス板と同様に、素子側電極パッド部24aとリード部24bとを有している。但し、従来のキャップガラス板とは異なり、基板側電極パッド部を有していない。従来のキャップガラス板の素子対向面に設けられていた基板側電極パッド部は、キャップガラス板上の配線パターンを介して、VCSEL素子と、基板上のドライバICとを導通させるためのものであった。しかし、実施形態に係る電子回路基板では、ドライバICを、基板ではなく、キャップガラス板上に設けているので、かかる基板側電極パッド部が不要になっている。そして、キャップガラス板には、基板側電極パッド部の代わりに、IC接続用電極パッド部24eを有している。このIC接続用電極パッド部24eは、ガラス板部23に設けられたスルーホール内に充填された板貫通部24dを被覆するように、ガラス板部23における素子非対向面上に形成されている。即ち、実施形態に係る電子回路基板のキャップガラス板20は、ガラス板部23を厚み方向に貫通するスルーホールと、このスルーホール内に固着された導電性材料からなる板貫通部23dとを有している。
なお、ガラス板部23は透明であるので、素子対向面に形成された素子側電極パッド部24aやリード部24bは、素子非対向面側から透けて見えるが、素子非対向面側から平面を示している図7では、素子非対向面側の部材と素子対向面側の部材とを区別するために、素子側電極パッド部24aやリード部24bを点線で示している。
かかる構成のキャップガラス板20は、次のようにして製造されたものである。即ち、まず、ガラス基板21の両面にそれぞれSiO2層やSiO層からなる反射防止膜22が形成される。次いで、レーザー加工、サンドブラスト加工、ドリル加工などにより、上述のスルーホールが40個形成された後、両面それぞれの反射防止膜22の上にアルミ層が蒸着によって形成される。この際、アルミ層のアルミニウムは、40個のスルーホール内にも蒸着される。つまり、本実施形態に係るキャップガラス板20では、スルーホール内の導電性材料として、アルミニウムが用いられている。両面にそれぞれ形成されたアルミ層は、スルーホール内のアルミニウムからなる板貫通部24dを介して互いに導通している。両面のうち、素子対向面に形成されたアルミ層は、フォトリソグラフィー法により、図7に示した素子側電極パッド部24aやリード部24bと同じ平面形状にパターン加工される。また、素子非対向面に形成されたアルミ層は、フォトリソグラフィー法により、図7に示したIC接続用電極パッド部24eと同じ平面形状にパターン加工される。このようにして両面にそれぞれ形成されたアルミニウムから成るパターンの上には、ニッケルメッキ処理によるニッケルメッキ膜と、金メッキ処理による金メッキ膜とが形成される。配線パターンは、これらアルミ層、ニッケルメッキ膜、及び金メッキ膜からなる3層構造になっている。なお、スルーホール内に対しては、塗布や埋め込みなどによってアルミニウム等の導電性材料を設けてもよい。
反射防止膜22の材質と、配線パターンの材質との組合せによっては、配線パターンが反射防止膜22に良好に固着しないことがある。例えば、本発明者らは、配線パターンにおける反射防止膜22(SiO及びSiO2からなる)との接触面側に設けるアルミ層として、アルミニウム合金であるアルミシリコンカーバイドからなるものを形成し、その上にニッケルメッキ膜と金メッキ膜とをメッキ処理によって形成してみた。すると、ニッケルメッキ処理や金メッキ処理の際に、アルミ層を部分的に剥離してしまった。従前において、数百μm程度のピッチのアルミシリコンカーバイドからなるアルミ層を、SiO及びSiO2からなる反射防止膜22の上に形成したときには、アルミ層の剥がれ落ちを経験したことがなかった。よって、数百μm程度のピッチのアルミシリコンカーバイドからなるアルミ層では、SiO及びSiO2からなる反射防止膜22に対してある程度の固着力を発揮することができていたが、数十μmという微細ピッチの同アルミ層では同反射防止膜22に対して十分な固着力を発揮することができなかったと考えられる。但し、反射防止膜22が約200[nm]という超薄厚なものであったため、微細ピッチの同アルミ層が同反射防止膜22から剥がれ落ちたのか、同反射防止膜22におけるアルミ層被覆箇所が微細ピッチの同アルミ層とともに剥がれ落ちたのかを区別することはできなかった。本発明者らは、次に、次のようにしてキャップガラス板20を形成してみた。即ち、ガラス基板21の両面にそれぞれ反射防止膜22を形成するのであるが、まずは、一方の面だけに反射防止膜22を形成した。そして、もう一方の面においては、ガラス基板21の無垢の表面に対して、素材であるアルミニウム中にシリコン及び銅を含有するアルミ合金(アルミ・シリコン・カッパー)からなるアルミ層を形成した後、それを配線パターンと同じ微細ピッチにパターン化した。そして、そのパターン化したアルミ層の上にニッケルメッキ膜と金メッキ膜とを積層して3層構造の配線パターンを得た。その後、ガラス基板21における配線パターン側の面の全域に対して、配線パターンの上側から反射防止膜22を形成した。配線パターンが存在せずにガラス基板21の無垢の表面が露出している領域だけに反射防止膜22を形成してもよいが、操作を簡略化するために配線パターンの上にも反射防止膜22を形成した。すると、配線パターン形成時のメッキ処理工程や、その後の工程において、アルミ層がガラス基板21の無垢の表面上から剥がれ落ちることはなかった。また、アルミ層として、アルミ合金の代わりに、純粋なアルミニウムだけからなるものを同様に形成してみたが、この場合にもアルミ層がガラス基板21の無垢の表面から剥がれ落ちることはなかった。ガラス基板21としては、バリウム硼珪酸ガラスであるD263からなるものを用いた。よって、SiO2(反射防止膜22)と、アルミ層のアルミ合金(アルミ・シリコン・カッパー)との組合せでは、良好な固着性が得られないのに対して、D263(ガラス基板21)とアルミ層のアルミ合金(アルミ・シリコン・カッパー)との組合せでは、微細ピッチでも良好な固着性が得られたことになる。D263に代えて、バリウム硼珪酸ガラスである7059やANからなるガラス基板21を用いても、同様に、良好な固着性が得られると考えられる。よって、配線パターンの最下層(本例ではアルミ層)の材料と、反射防止膜22との材料との組合せでは良好な固着性が得られない場合であって、且つガラス基板21の材料と同最下層の材料との組合せで良好な固着性が得られる場合には、反射防止膜22をガラス基板21の無垢の表面上に形成するとよい。また、両方向の組合せともに良好な固着性が得られない場合には、何れか一方の組合せを、良好な固着性が得られるものに代えればよい。
図9は、本実施形態に係る電子回路基板30を示す平面図である。また、図10は、本実施形態に係る電子回路基板30を示す断面図である。これらの図において、VCSEL素子10の駆動電源接続用の電極パッド7は、キャップガラス板20の配線パターン24の素子側電極パッド部24aにはんだ接合されている。これにより、VCSEL素子10がキャップガラス板20の直下に固定されている。そして、VCSEL素子10の40個の発光部4が、それぞれ所定の間隙からなるガス封止用の空間Gを介してキャップガラス板20の素子対向面に対向している。
図9において、キャップガラス板20の素子対向面におけるVCSEL素子10との非対向領域には、アース接続用大電極パッド25が形成されている。また、と、キャップガラス板20の素子対向面におけるVCSEL素子10との対向領域には、アース接続用電極パッド8が形成されている。同図では、便宜上、図示を省略しているが、これらパッドはリードによって接続されている。そして、アース接続用大電極パッド25と、基板31上に形成された配線パターンとがはんだ接合されることで、VCSEL素子10及びキャップガラス板20が基板31に実装されている。
基板31’の素子接続用電極パッド34’には、リード電極35’が続いており、このリード電極35’は、基板31’の図示しない領域に実装された4つのドライバICに接続されている。具体的には、基板31’の図示しない領域には、図示しない4つのドライバICが実装されている。これらドライバICは、それぞれ、VCSEL素子10における40個の発光部4のうち、10個の駆動を制御するものである。
VCSEL素子10の周縁部と、キャップガラス板20との間には、両者間を塞ぐための封止材101が固定されており、これにより、VCSEL素子10とキャップガラス板20との間の空間Gに、窒素ガス等のガスが封止されている。
キャップガラス板20の素子非対向面には、4つのドライバIC40が実装されており、これらは、キャップガラス板20の素子非対向面に形成されたIC接続用電極パッド部24eにはんだ接合されている。キャップガラス板20のスルーホール内の板貫通部24dを介して、素子非対向面側のIC接続用電極パッド部24eと、素子対向面側のリード部24bとを導通させたことで、素子非対向面上のドライバIC40に対して、素子対向面側から駆動電圧を導くことが可能になっている。
かかる構成においては、図10と図6との比較からわかるように、従来ではキャップガラス板20の周辺に配設していたドライバICを、従来と同じ平面積のキャップガラス板20の上に実装して、実装面積を低減することができる。また、VCSEL素子10とドライバIC40との間の配線距離をより短くすることで、両者間の電気抵抗をより低くして、通信速度の高速化を図ることもできている。更には、従来では、VCSEL素子10とドライバICとの間の配線内で、はんだ接合部を2ケ所設けていたのに対し(基板側電極パッド23c’と素子接続用電極パッド34’との間、及び、基板とドライバICとの間)、1ケ所に低減しているので、接合部からのノイズの混入をより低減することもできている。
キャップガラス板20のスルーホールについては、ガラス板部23における面方向の全領域のうち、ガラス板部23と、これに対向しているVCSEL素子10との間に形成されたガス封止用の空間Gに対向しない領域に、設けている。かかる構成では、VCSEL素子10と、これに対向しているキャップガラス板20との間に形成されたガス封止用の空間Gに対して、外気を取り入れる通気孔としてスルーホールを機能させないようにすることで、スルーホール内に生じてしまう微小空隙からのガス漏れの発生を回避することができる。
本実施形態に係る電子回路基板30は、次のようにして製造されたものである。即ち、まず、素子対向面を鉛直方向上側に向けた姿勢のキャップガラス板20における40個の素子側電極パッド24aに対して、はんだロボット等によってはんだを溶着させる。次いで、同姿勢のキャップガラス板20をチップマウンターのワーク台にセットする。そして、チップマウンターにより、VCSEL素子10を上下反転させた姿勢でガラス板との位置合わせを行いながら、キャップガラス板20の上に載置する。その後、キャップガラス板20の素子非対向面側から素子対向面側の素子側電極パッド24aに向けてレーザー光を照射する。この照射により、素子側電極パッド24a上のはんだを溶融させて、素子側電極パッド24aと、VCSEL素子10の電極パッド7とを接合する。
なお、次のような工程で電子回路基板30を製造してもよい。
(1)予めはんだを塗布したキャップガラス板20の個片をノズルなどで吸い上げて載置台に載置する。
(2)ドライバICをノズルなどで吸い上げて実装する。
(3)レーザー光の照射によるはんだの溶融によって接合を行う。
(4)N2ガス環境下で封止材101を固着させて空間G内にN2ガスを封止する。
(5)電子部品を実装する。
(6)リフローを行う。
なお、複数のキャップガラス板20に分割することが可能な大ガラス板に対して(1)〜(6)の工程を実施した後に、大ガラス板を分割してもよい。
(1)予めはんだを塗布したキャップガラス板20の個片をノズルなどで吸い上げて載置台に載置する。
(2)ドライバICをノズルなどで吸い上げて実装する。
(3)レーザー光の照射によるはんだの溶融によって接合を行う。
(4)N2ガス環境下で封止材101を固着させて空間G内にN2ガスを封止する。
(5)電子部品を実装する。
(6)リフローを行う。
なお、複数のキャップガラス板20に分割することが可能な大ガラス板に対して(1)〜(6)の工程を実施した後に、大ガラス板を分割してもよい。
このようにしてVCSEL素子10をキャップガラス板20に固定したら、マスク印刷法により、基板31の基板面の必要な箇所にクリームはんだを印刷する。また、キャップガラス板20の素子非対向面のIC接続用電極パッド部24eにもクリームはんだを印刷する。そして、チップマウンターにより、基板31のクリームはんだの上に対して各種電子部品やVCSEL素子10及びキャップガラス板20をマウントする。更には、キャップガラス板20のクリームはんだの上にドライバIC40をマウントする。その後、電子回路基板30をリフロー炉内で所定時間加熱して、クリームはんだ内のはんだを溶融させる。これにより、各種電子部品、VCSEL素子10及びキャップガラス板20を基板31に接合するとともに、ドライバIC40をキャップガラス20に接合する。
第1配線パターンとしての素子側電極パッド部24aと、VCSEL素子10の電極パッド7との間を接合するはんだ100としては、第2配線パターンたるIC接続用電極パッド部24eとドライバIC40との間に介在して両者を接合するクリームはんだ内のはんだよりも融点の高いものを用いている。具体的には、前者のはんだ100としては、次の表1における高温はんだ(溶融温度=238℃)を用いている。これに対し、後者のはんだとしては、次の表1における低温はんだ(溶融温度=139℃)を用いている。
このようなはんだの組合せでは、リフローの工程において、後者の低温はんだを約150℃の加熱温度で加熱して溶融させても、先に、素子側電極パッド部24aと電極パッド7との間で溶融・固化させたはんだ100を再溶融させることがない。これにより、リフロー工程で前者のはんだ100を再溶融させることに起因するVCSEL素子10と素子側電極パッド部24aとの導通不良や接合不良の発生を回避することができる。
先に示した10において、集積回路としてのドライバIC40は、ベアチップの状態になっており、フリップチップ実装法によってキャップガラス板20上に実装されている。かかる構成では、ドライバICとしてパッケージ型のものを用いる場合に比べて、ドライバICの実装平面積を低減することができる。更には、パッケージ型のものを用いる場合に比べて、基板31と、これの上に実装されたVCSEL素子10と、これの上に実装されたキャップガラス板20と、これの表面に実装されたドライバIC40との合計厚みを低減することもできる。
キャップガラス板20のガラス基板21としては、その熱膨張係数がドライバIC40のベース樹脂の熱膨張係数とVCSEL素子10のベース樹脂の熱膨張係数との間の値であるもの、を用いている。例えば、次の表2に示すように、VCSEL素子10のベース樹脂の熱膨張係数が5.9[10−6/K]であり、且つドライバICのベース樹脂であるシリコンの熱膨張係数が3.5[10−6/K]である場合に、ガラス基板21として、ソーダライム1やEガラスからなるものを用いるのである。
かかる構成においては、ガラス基板21として、その熱膨張係数がドライバIC40のベース樹脂の熱膨張係数とVCSEL素子10のベース樹脂の熱膨張係数との間の値でないものを用いる場合に比べて、温度変化に伴って生ずるキャップガラス板20とドライバIC40との伸縮量の差や、キャップガラス板20とVCSEL素子10との伸縮量の差を低減する。これにより、それら伸縮量の差に起因するドライバICとキャップガラス板20との接合部の割れや、VCSEL素子10とキャップガラス板20との接合部の割れの発生を抑えることができる。かかる構成では、接合部の割れの発生を回避するために行うアンダーフィル処理を省略しても、割れの発生を防止することが期待できる。このアンダーフィル処理とは、電子部品と、基板との間に生ずる僅かな間隙内にアンダーフィル材を流入した後、固化させることで、両者の接合強度を高める処理である。
次に、変形例に係る電子回路基板について説明する。
変形例に係る電子回路基板においては、キャップガラス板20として、ガラス基板21の代わりに、PET(ポリエチレンテレフタレート)などのプラスチックからなるプラスチック基板を用いている点が、実施形態に係る電子回路基板と異なっている。VCSEL素子のベース板や、ドライバICのパッケージの材料としては、セラミックなどの材料が用いられている。プラスチック基板は、VCSEL素子及びドライバICの何れよりも、弾性率が低くなっている。例えば、VCSEL素子やドライバICのヤング率が7.0×105[kgf/cm2]であるのに対し、プラスチック基板のヤング率が0.8〜15.6[kgf/cm2]になっている。かかる構成において、温度変化に伴って、プラスチック基板と、キャップガラス板20に接合されたVCSEL素子やドライバICとの間に伸縮量の差が生じたとしても、VCSEL素子やドライバICよりも弾性率の低いプラスチック基板がVCSEL素子やドライバICとの伸縮量に追従して微妙に撓んだり、本来よりも伸びたりする。これにより、伸縮量の差によるVCSEL素子やドライバICとの接合部の相対位置変化を抑える。よって、温度変化に伴う伸縮量の差に起因するVCSEL素子とギャップガラス板20との接合部の割れや、ドライバICとキャップガラス板20との接合部の割れの発生を抑えることができる。
変形例に係る電子回路基板においては、キャップガラス板20として、ガラス基板21の代わりに、PET(ポリエチレンテレフタレート)などのプラスチックからなるプラスチック基板を用いている点が、実施形態に係る電子回路基板と異なっている。VCSEL素子のベース板や、ドライバICのパッケージの材料としては、セラミックなどの材料が用いられている。プラスチック基板は、VCSEL素子及びドライバICの何れよりも、弾性率が低くなっている。例えば、VCSEL素子やドライバICのヤング率が7.0×105[kgf/cm2]であるのに対し、プラスチック基板のヤング率が0.8〜15.6[kgf/cm2]になっている。かかる構成において、温度変化に伴って、プラスチック基板と、キャップガラス板20に接合されたVCSEL素子やドライバICとの間に伸縮量の差が生じたとしても、VCSEL素子やドライバICよりも弾性率の低いプラスチック基板がVCSEL素子やドライバICとの伸縮量に追従して微妙に撓んだり、本来よりも伸びたりする。これにより、伸縮量の差によるVCSEL素子やドライバICとの接合部の相対位置変化を抑える。よって、温度変化に伴う伸縮量の差に起因するVCSEL素子とギャップガラス板20との接合部の割れや、ドライバICとキャップガラス板20との接合部の割れの発生を抑えることができる。
これまで、光電変換素子としてVCSEL素子10を実装した電子回路基板20の実施形態について説明してきたが、VCSEL素子10の代わりに、CCD撮像素子やCMOS撮像素子を実装した電子回路基板にも、本発明の適用が可能である。
4:発光部(光出射部)
10:VCSEL素子(光電変換素子)
20:キャップガラス板(板状の光透過部材)
24a:素子側電極パッド部(第1配線パターン)
24b:リード部(第1配線パターン)
24d:板貫通部(スルーホール内の導電性材料)
24e:IC接続用電極パッド部(第2配線パターン)
30:電子回路基板
31:基板
40:ドライバIC(電子部品、集積回路部品)
10:VCSEL素子(光電変換素子)
20:キャップガラス板(板状の光透過部材)
24a:素子側電極パッド部(第1配線パターン)
24b:リード部(第1配線パターン)
24d:板貫通部(スルーホール内の導電性材料)
24e:IC接続用電極パッド部(第2配線パターン)
30:電子回路基板
31:基板
40:ドライバIC(電子部品、集積回路部品)
Claims (11)
- 光を出射する光出射部、又は光を受光する受光部を具備する光電変換素子と、該光電変換素子に電気的に接続される電子部品と、該光出射部から出射された光を透過させるか、あるいは該受光部に入射する前の光を透過させるかするように、該光出射部又は受光部に対向配設された板状の光透過部材とが、基板上に実装された電子回路基板、に用いられる該光透過部材において、
厚み方向に貫通するスルーホールを設け、該スルーホール内に導電性材料を固着させたことを特徴とする光透過部材。 - 請求項1の光透過部材において、
上記スルーホール内の上記導電性材料と、上記光電変換素子とを電気的に接続するための第1配線パターンを上記光出射部又は受光部との対向面に設けるとともに、上記スルーホール内の上記導電性材料と、上記電子部品とを電気的に接続するための第2配線パターンを上記光出射部又は受光部との非対向面に設けたことを特徴とする光透過部材。 - 光を出射する光出射部、又は光を受光する受光部を具備する光電変換素子と、該光電変換素子に電気的に接続される電子部品と、該光出射部から出射された光を透過させるか、あるいは、自らを透過した光を該受光部に受光させるかするように、該光出射部又は受光部に対向配設された板状の光透過部材とが、基板上に実装された電子回路基板において、
上記光透過部材として請求項1又は2の光透過部材を用い、上記電子部品を上記光透過部材における上記光出射部又は受光部との非対向面上に固定し、且つ、上記スルーホール内の導電性材料を介して、該電子部品と上記光電変換素子とを電気的に接続したことを特徴とする電子回路基板。 - 請求項3の電子回路基板において、
上記光透過部材と、これに対向している上記光電変換素子の上記光出射部又は受光部との間に空間を形成し、該空間内を大気とは異なるガスで満たした状態で、該光電変換素子の周縁部と上記光透過部材との間を封止材によって塞いで、該空間内に該ガスを封止したことを特徴とする電子回路基板。 - 請求項4の電子回路基板において、
上記光透過部材における面方向の全領域のうち、ガスで満たされている上記空間に対向しない領域に、上記スルーホールを設けたことを特徴とする電子回路基板。 - 請求項3乃至5の何れかの電子回路基板であって、
上記光電変換素子が、VECSEL素子、CCD撮像素子、又はCMOS撮像素子であることを特徴とする電子回路基板。 - 請求項3乃至6の何れかの電子回路基板において、
上記光透過部材として請求項2の光透過部材を用いるとともに、上記第1配線パターンと上記光電変換素子の端子との間に介在して両者を接合する第1導電性接合材として、上記第2配線パターンと上記電子部品の端子との間に介在して両者を接合する第2導電性接合材よりも融点の高いものを用いたことを特徴とする電子回路基板。 - 請求項3乃至7の何れかの電子回路基板において、
上記電子部品として集積回路部品を用い、ベアチップの状態の該集積回路部品をフリップチップ実装法で上記光透過部材上に実装したことを特徴とする電子回路基板。 - 請求項3乃至8の何れかの電子回路基板において、
上記電子部品として集積回路部品を用いるとともに、光透過部材として、その熱膨張係数が該集積回路部品の熱膨張係数と上記光電変換素子の熱膨張係数との間の値であるもの、を用いたことを特徴とする電子回路基板。 - 請求項3乃至8の何れかの電子回路基板において、
上記光透過部材として、光透過性を有する光透過基材が上記光電変換素子及び集積回路部品の何れよりも弾性率の低い材料からなるもの、を用いたことを特徴とする電子回路基板。 - 請求項10の電子回路基板において、
上記光透過性基材の両面にそれぞれ光透過性を有する反射防止膜を形成したことを特徴とする電子回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007292030A JP2009117760A (ja) | 2007-11-09 | 2007-11-09 | 光透過部材及び電子回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007292030A JP2009117760A (ja) | 2007-11-09 | 2007-11-09 | 光透過部材及び電子回路基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009117760A true JP2009117760A (ja) | 2009-05-28 |
Family
ID=40784517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007292030A Pending JP2009117760A (ja) | 2007-11-09 | 2007-11-09 | 光透過部材及び電子回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009117760A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010232396A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Nikon Corp | 固体撮像装置及びこれを用いたモジュール |
JP2011123497A (ja) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Lg Innotek Co Ltd | カメラモジュール及びその製造方法 |
WO2014118833A1 (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-07 | パナソニック株式会社 | 積層型半導体装置 |
CN104635308A (zh) * | 2015-03-17 | 2015-05-20 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种光通信装置及其装配方法 |
JP2020537332A (ja) * | 2017-10-09 | 2020-12-17 | オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOSRAM OLED GmbH | オプトエレクトロニクス半導体部品、およびオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH088414A (ja) * | 1994-06-22 | 1996-01-12 | Casio Comput Co Ltd | 画像読取装置の駆動回路チップ接続構造 |
JPH08186326A (ja) * | 1994-12-29 | 1996-07-16 | Sony Corp | 半導体発光素子のパッケージ及びその製造方法 |
JPH10242442A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 撮像素子のチップサイズパッケージ |
JP2000049414A (ja) * | 1998-07-27 | 2000-02-18 | Canon Inc | 光機能素子装置、これを用いた光送受信装置、光インターコネクション装置および光記録装置 |
JP2004063786A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2007288755A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Optopac Co Ltd | カメラモジュール |
-
2007
- 2007-11-09 JP JP2007292030A patent/JP2009117760A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH088414A (ja) * | 1994-06-22 | 1996-01-12 | Casio Comput Co Ltd | 画像読取装置の駆動回路チップ接続構造 |
JPH08186326A (ja) * | 1994-12-29 | 1996-07-16 | Sony Corp | 半導体発光素子のパッケージ及びその製造方法 |
JPH10242442A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 撮像素子のチップサイズパッケージ |
JP2000049414A (ja) * | 1998-07-27 | 2000-02-18 | Canon Inc | 光機能素子装置、これを用いた光送受信装置、光インターコネクション装置および光記録装置 |
JP2004063786A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2007288755A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Optopac Co Ltd | カメラモジュール |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010232396A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Nikon Corp | 固体撮像装置及びこれを用いたモジュール |
JP2011123497A (ja) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Lg Innotek Co Ltd | カメラモジュール及びその製造方法 |
WO2014118833A1 (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-07 | パナソニック株式会社 | 積層型半導体装置 |
US10109660B2 (en) | 2013-01-30 | 2018-10-23 | Panasonic Corporation | Laminated semiconductor device |
CN104635308A (zh) * | 2015-03-17 | 2015-05-20 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种光通信装置及其装配方法 |
JP2020537332A (ja) * | 2017-10-09 | 2020-12-17 | オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOSRAM OLED GmbH | オプトエレクトロニクス半導体部品、およびオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための方法 |
US11316075B2 (en) | 2017-10-09 | 2022-04-26 | Osram Oled Gmbh | Optoelectronic semiconductor component, and method for producing an optoelectronic semiconductor component |
JP7108687B2 (ja) | 2017-10-09 | 2022-07-28 | オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス半導体部品、およびオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4938779B2 (ja) | 微小電子機械機構装置およびその製造方法 | |
KR101193212B1 (ko) | 반도체 칩 내장 배선 기판 및 그 제조 방법 | |
JP5390057B2 (ja) | 安価型フレキシブルフィルムパッケージモジュール及びその製造方法 | |
JP2007516602A (ja) | 流動可能な伝導媒体を含むキャップ付きチップの製造構造および方法 | |
WO2006112039A1 (ja) | 表面実装型光半導体装置およびその製造方法 | |
US9825006B2 (en) | Electronic component device and manufacturing method thereof | |
JPWO2018079644A1 (ja) | 撮像素子実装用基体、撮像装置および撮像モジュール | |
JP2009117760A (ja) | 光透過部材及び電子回路基板 | |
JP2008042064A (ja) | セラミック配線基板とそれを用いた光学デバイス装置、パッケージおよびセラミック配線基板の製造方法 | |
JP2013201389A (ja) | 撮像モジュール、および撮像モジュールの製造方法 | |
JP2007305856A (ja) | 封止構造及び該封止構造の製造方法 | |
JP6592102B2 (ja) | 電子素子実装用基板および電子装置 | |
JP2011192845A (ja) | 発光部品、発光器及び発光部品の製造方法 | |
JP4238666B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP4632426B2 (ja) | 発光ダイオード組立体の組立方法および発光ダイオード組立体 | |
JP5248179B2 (ja) | 電子装置の製造方法 | |
JP2007300032A (ja) | 光モジュール及びその製造方法 | |
JP7163970B2 (ja) | センサモジュール | |
CN108735706B (zh) | 电子元件安装用基板、电子装置以及电子模块 | |
JP6504762B2 (ja) | モジュールの製造方法 | |
JP2007142124A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2005072098A (ja) | 半導体装置 | |
WO2023032757A1 (ja) | 配線基板および電子装置 | |
JP2009253131A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
WO2020158130A1 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101108 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120323 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120803 |