JP2007305856A - 封止構造及び該封止構造の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】キャップと基板とを接合しての封止構造の形成の際に、真空中で加熱をする場合やキャップの熱伝導率が小さい場合であっても、接合部の加熱を短時間で行うことができ、接合工程におけるタクト短縮を実現する封止構造及び該封止構造の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板1と中間部材2とが第一の接合部17を介して接合され、上記中間部材2とキャップ3とが第二の接合部19を介して接合されることにより形成される封止空間15を具備する封止構造12であって、上記中間部材2の熱伝導率の値は、上記基板1の熱伝導率及び上記キャップ3の熱伝導率の何れの熱伝導率よりも大きい値であることを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】基板1と中間部材2とが第一の接合部17を介して接合され、上記中間部材2とキャップ3とが第二の接合部19を介して接合されることにより形成される封止空間15を具備する封止構造12であって、上記中間部材2の熱伝導率の値は、上記基板1の熱伝導率及び上記キャップ3の熱伝導率の何れの熱伝導率よりも大きい値であることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明は、電子デバイス及びMEMSデバイス等を封止する為の封止構造及び該封止構造の製造方法に関する。
従来、CCD等の固体撮像素子をパッケージ内に収納し、且つ透光性ガラス板から成るガラスキャップで気密封止する方法として、例えば特許文献1に開示されている技術が知られている。
図14(a)は、特許文献1に開示された気密封止構造を構成するガラスキャップ100の上面図であり、図14(b)は同断面図である。図14(a)及び(b)に示すように、特許文献1に開示された気密封止構造を構成するガラスキャップ100には、接着剤層200が設けられている。そして、例えば上記ガラスキャップ100と、CCD等の固体撮像素子を収納する為のセラミックパッケージ(不図示)とを接合させる場合には、上記ガラスキャップ100における上記接着剤層200を含む接着面を、上記セラミックパッケージに対して押圧しながら真空中にて加熱し、且つ窒素(N2)ガスを封入しながら上記接着剤層200を硬化させる。上記特許文献1に開示されている技術によれば、このようにして気密封止構造を形成する。
特公平5-37505号公報
しかしながら、上記特許文献1に開示されている技術では、加熱を真空中にて行うことに起因して、以下の問題点が生じる。すなわち、真空中の加熱においては対流加熱が困難である為、大気中における加熱に比較して、より多くの加熱時間を要する。つまり、上記特許文献1に開示されている技術では、タクト短縮が困難となる。また、たとえ上記ガラスキャップ100を、上記接着剤層200の硬化の為にボンディングツールを利用した熱伝導で加熱した場合であっても、熱伝導率が小さいガラスキャップ100を介して熱を伝導させて接着剤層を加熱することになるので、いずれにしろタクト短縮が困難である。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、キャップ(例えば上記ガラスキャップ100に対応)と基板(例えば上記セラミックパッケージに対応)とを接合して封止構造を形成する際に、真空中で加熱をする場合やキャップの熱伝導率が小さい場合であっても、接合部の加熱を短時間で行うことができ、接合工程におけるタクト短縮を実現する封止構造及び該封止構造の製造方法を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明の第1の態様による封止構造は、基板と中間部材とが第一の接合部を介して接合され、上記中間部材とキャップとが第二の接合部を介して接合されることにより形成される封止空間を具備する封止構造であって、上記中間部材の熱伝導率の値は、上記基板の熱伝導率及び上記キャップの熱伝導率の何れの熱伝導率よりも大きい値であることを特徴とする。
上記の目的を達成するために、本発明の第2の態様による封止構造の製造方法は、あらかじめ上記第一の接合部を介して接合された上記基板と上記中間部材とから成る部材に、上記キャップを上記第二の接合部を介して接合する封止工程を具備することを特徴とする。
上記の目的を達成するために、本発明の第3の態様による封止構造の製造方法は、第1の態様による封止構造の製造方法であって、あらかじめ上記第二の接合部を介して接合された上記キャップと上記中間部材とから成る部材に、上記基板を上記第一の接合部を介して接合する封止工程を具備することを特徴とする。
上記の目的を達成するために、本発明の第4の態様による封止構造の製造方法は、第1の態様による封止構造の製造方法であって、上記基板と上記中間部材とを上記第一の接合部を介して接合し且つ上記中間部材と上記キャップとを上記第二の接合部を介して接合する封止工程を具備することを特徴とする。
本発明によれば、キャップと基板とを接合して封止構造を形成する際に、真空中で加熱をする場合やキャップの熱伝導率が小さい場合であっても、接合部の加熱を短時間で行うことができ、接合工程におけるタクト短縮を実現する封止構造及び該封止構造の製造方法を提供することができる。
以下、図面を参照して、本発明の封止構造の実施形態を説明する。
[第1実施形態]
図1は、本発明の第1実施形態に係る封止構造を示す断面図である。同図に示すように、本実施形態においては、基板1と中間部材2(本発明に特有の部材であり、その詳細については後述する)とを、及び、該中間部材2とキャップ3とを、それぞれ接合することで、デバイス6(例えば小型光偏向器)を中に封入した封止空間15を形成する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る封止構造を示す断面図である。同図に示すように、本実施形態においては、基板1と中間部材2(本発明に特有の部材であり、その詳細については後述する)とを、及び、該中間部材2とキャップ3とを、それぞれ接合することで、デバイス6(例えば小型光偏向器)を中に封入した封止空間15を形成する。
ここで、上記デバイス6と上記基板1とをはんだ7ではんだ接合する為に、ダイボンド用薄膜8が、上記基板1及び上記デバイス6の表面のうち当該接合に関わる面に形成されている。換言すれば、上記デバイス6は、上記封止空間15内にて上記ダイボンド用薄膜8とはんだ7とで、上記基板1に接合されている。なお、本実施形態においては、上記デバイス6は大気圧よりも低い圧力(以下“真空”と呼ぶ)である雰囲気中、すなわち真空に保持された封止空間15にて封止されている状態であるとする。なお、上記封止空間15内の圧力は真空に限定されない。
ところで、上記基板1と上記中間部材2とは、第一の接合部17を介して接合されており、上記該中間部材2とキャップ3とは、第二の接合部19を介して接合されている。以下、上記第一の接合部17及び第二の接合部19について説明する。
まず、上記第一の接合部17とは、上記基板1と上記中間部材2とを接合する為の金属薄膜である第一金属薄膜9と第二金属薄膜10、及びはんだ5からなる部分である。ここで、上記第一金属薄膜9は上記中間部材2における接合面4bに通常の半導体プロセスにより形成されており、上記第二金属薄膜10は上記基板1における接合面4aに通常の半導体プロセスにより形成されている。すなわち、これら第一金属薄膜9及び第二金属薄膜10は、上記基板1と上記中間部材2とを、はんだ5による十分な密着性を有して(封止構造12を形成し得る)はんだ接合する為の薄膜である。
なお、上記中間部材2が例えば金属バルクから成る場合には、上記第一金属薄膜9及び第二金属薄膜10を形成しない構成でも良い。この場合、金属薄膜形成の工程を行わずに済む。
また、上記中間部材2と上記第一金属薄膜9または第二金属薄膜10とが同様の金属から成る場合であっても、上記中間部材2と上記第一金属薄膜9または第二金属薄膜10とは、あくまで別個の部材であるとする。
一方、上記第二の接合部19とは、上記中間部材2における接合面4cと上記キャップ3における接合面4dとを陽極接合して形成した接合部である。なお、このような接合を実現する方法の一例として、本実施形態では上記キャップ3の母材として陽極接合が可能なガラス、例えばパイレックスガラス(登録商標)を用いる。これにより、上記中間部材2における接合面4cと上記キャップ3における接合面4dとを陽極接合することができる。
なお、上記基板1には、上記封止空間15と外界16との間を電気的に繋ぐ貫通配線(不図示)が設けられている。
ところで、上記基板1、上記中間部材2、上記キャップ3は、全て気体を透過しない材質、即ち封止構造を形成するのに適した材質の母材から成っている。そして、本発明に特有の部材である上記中間部材2の母材としては、その熱伝導率が上記基板1の母材の熱伝導率及び上記キャップ3の母材の熱伝導率の双方共より大きい値である母材が選択されている。
ここで本実施形態においては、上記基板1の母材としてアルミナ(熱伝導率:21[W・m-1・K-1])、上記中間部材2の母材としてシリコン(熱伝導率:168[W・m-1・K-1])、上記キャップ3の母材としてパイレックスガラス(登録商標)(熱伝導率:1.1[W・m-1・K-1])が選択されている。
以下、図2(a)乃至(c)を参照して、本実施形態に係る封止構造12の製造工程を説明する。なお、接合の詳細については上述した通りであるので、ここでは工程の流れを中心に説明する。
まず、図2(a)に示すように、上記第一金属薄膜9が形成された上記中間部材2と上記キャップ3とを陽極接合する(工程1−1)。次に、図2(b)に示すように、上記第二金属薄膜10が形成された上記基板1と上記デバイス6とをダイボンディングにより接合する(工程1−2)。そして、上記基板1と上記中間部材2とを真空雰囲気下においてはんだ5で接合する(工程1−3)。
なお、上記工程1−3においては、上記基板1と上記中間部材2とを密着させる為に、上記第一金属薄膜9と上記第二金属薄膜10との間に、全周に渡って隙間なくはんだ5を挿入する。その後、ボンディングツール11を上記中間部材2に接触させて加熱し、上記ボンディングツール11の熱を、上記中間部材2から上記第一金属薄膜9、はんだ5、及び第二金属薄膜10へ熱伝導させる。
そして、上記はんだ5の温度が上記はんだ5の融点以上の温度となり溶解した後に上記ボンディングツール11による加熱を止め、上記はんだ5の温度が上記はんだ5の融点未満となった時点で、上記中間部材2と上記基板1との接合が完了する。このようにして、上記封止空間15が真空雰囲気である封止構造12を得る。
以上説明したように、本実施形態によれば、キャップ3と基板1とを接合して封止構造12を形成する際に、真空中で加熱をする場合やキャップ3の熱伝導率が小さい場合であっても、上記第一の接合部17の加熱を短時間で行うことができ、接合工程におけるタクト短縮を実現する封止構造及び該封止構造の製造方法を提供することができる。
より具体的には、上記工程1−3から、下記の(効果1)乃至(効果3)を得ることができる。
(効果1) 上記ボンディングツール11からの熱は、上記基板1及び上記キャップ3よりも熱伝導率が高い中間部材2から、上記第一の接合部17を介して上記基板1及び上記第二の接合部19を介して上記キャップ3へ熱伝導する。ここで、上記基板1及び上記キャップ3の熱伝導率は、上記中間部材2の熱伝導率よりも小さい値であるので、上記ボンディングツール11からの熱は、上記基板1と上記キャップ3には熱伝導されにくい。すなわち、上記ボンディングツール11からの熱は、上記第一の接合部17及び上記第二の接合部19に伝導しやすい。換言すれば、上記第一の接合部17及び上記第二の接合部19以外へ熱が逃げることが少ない。
したがって、上記中間部材2の母材を上記基板1の母材であるアルミナや上記キャップ3の母材であるパイレックスガラスとする場合や、上記中間部材2という概念がない従来の技術に比べて、上記第一の接合部17への熱伝導速度は速くなる。すなわち、上記第一の接合部17をより短時間で所望の温度にすることができる。つまり、上記工程1−3をより短時間で完了することができるので、タクト短縮及び生産性の向上を実現出来、より安価に商品を提供することできる。
(効果2) 上述したように、上記ボンディングツール11からの熱は、上記中間部材2の熱伝導率よりも熱伝導率の小さな上記基板1へは伝わりにくい。したがって、上記ボンディングツール11からの熱が、上記基板1を介した熱伝導で上記デバイス6に伝わり、上記デバイス6が加熱されてしまうことを防ぐことができる。このことは、上記デバイス6が、熱で性能が劣化する可能性がある電子デバイスやMEMSデバイス等である場合や、低温で接合する必要がある電子デバイスやMEMSデバイス等である場合に、接合時の熱により性能を劣化させることがないという効果を生む。
(効果3) 上述したように、上記ボンディングツール11からの熱は、上記中間部材2の熱伝導率よりも熱伝導率が小さい上記キャップ3へは伝わりにくい。したがって、上記キャップ3が加熱されにくい。すなわち、例えば上記キャップ3における上記中間部材2が接合された面に、熱により性能が劣化する光学薄膜等が成膜されている場合には、熱による光学薄膜の性能の劣化を防ぐことができる。なお、この場合には、陽極接合でキャップ3を加熱する上記工程1−1よりも後に、上記光学薄膜を成膜するのが好ましい。
以上の(効果1)乃至(効果3)の他に、上記封止空間15を真空雰囲気にする場合であって、対流がほとんど起こらなく、対流による熱伝導が期待できない状況下での接合であっても、上記第一の接合部17を効率良く加熱することができる。なお、上記封止空間15が真空となるようにすれば、上記デバイス6が例えば小型光偏向器の場合、大気中の水分による劣化防止という効果に加え、共振駆動させる場合の大気による減衰が大気中より小さくなるという効果を生じるので、同じ駆動力でも偏向角を大きくすることができる。
また、上記キャップ3の母材として光を透過できるガラスを用いるので、上記デバイス6は、上記キャップ3を介して外界16と光の授受を行うことができる。さらに、上記キャップ3の母材にガラスを用いていることで、アウトガスが発生しにくい封止空間15を形成する上で好ましい効果も生じる。なお、上記はんだ5も、加熱の際にアウトガスが発生しにくく、封止空間15を形成する接合に用いる材料としては好ましい。
なお、上記基板1は、図2(a)及び(b)に示すように平板状であるので、上記工程1−2(図2(b)参照)において上記基板1に上記デバイス6をダイボンダ(不図示)でダイボンディングする際に、ダイボンディングする為のツール(不図示)のX−Y方向の大きさが上記基板1より大きい場合であっても、上記基板1に上記ダイボンディングする為のツール(不図示)が接触等して実装できなくなるという不具合が生じない。すなわち、上記工程1−2において使用するダイボンディングする為のツールの大きさが制限されない為(ダイボンディングする為のツールの設計自由度が高くなる為)、ダイボンディングする為のツールに係るコストの削減及び短納期化が可能となり、その結果当該封止構造の生産性が向上する。なお、ここでX方向とは紙面に対して左右方向であり、Y方向とは紙面に対して垂直方向である。
[第2実施形態]
図3は、本発明の第2実施形態に係る封止構造を示す図である。ここで、上記第1実施形態に係る封止構造と本第2実施形態に係る封止構造との大きな相違点は、上記中間部材2の外寸L2が、上記キャップ3の外寸L3よりも大きい点である。これにより、同図に示すように、本実施形態に係る封止構造12に特有の領域Aが形成される。
図3は、本発明の第2実施形態に係る封止構造を示す図である。ここで、上記第1実施形態に係る封止構造と本第2実施形態に係る封止構造との大きな相違点は、上記中間部材2の外寸L2が、上記キャップ3の外寸L3よりも大きい点である。これにより、同図に示すように、本実施形態に係る封止構造12に特有の領域Aが形成される。
このような本実施形態に係る封止構造12を製造する方法としては、上記第1実施形態における上記工程1−1及び上記工程1−2の後、上記工程1−3の代わりに図4に示す工程2−3を行う。上記工程1−3と上記工程2−3との相違点は、上記工程2−3においては図4に示すように、ボンディングツール20を中間部材2のキャップ3からはみ出した領域である上記領域Aに当接する点である。
以上説明したように、本実施形態によれば、上記第1実施形態に係る封止構造及び該封止構造の製造方法による効果の上に、以下のような効果を奏する封止構造及び該封止構造の製造方法を提供することができる。すなわち、本実施形態に係る封止構造及び該封止構造の製造方法によれば、上記領域Aが存在するので、上記領域Aに対して一般的な接合装置で容易に上記ボンディングツール20を当接することができる。
なお、上記一般的な接合装置とは、ボンディングツールにて接合時に接合部に与える荷重(荷重の向きは重力の向き)の時間変化及び温度の時間変化を制御して接合を行う為の装置のことである。
当該接合時に接合部に与える荷重の時間変化及び温度の時間変化は、はんだ付けによる接合の成否を決める要素の一つである。
ところで、本実施形態に係る封止構造及び該封止構造を製造する方法では、上記領域Aを上記ボンディングツール20の当接面として利用することで、上述のはんだ付けによる接合の成否を決める要素を容易に制御できるようになる。例えば、上記領域Aの幅(面積)を設計することで、上述のはんだ付けによる接合の成否を決める要素の制御を容易にできる。
以下、本実施形態に係る封止構造及び該封止構造を製造する方法に特有の効果をより詳しく説明していく。
(効果1) 上記領域Aの存在により、上記一般的な接合装置で、上記ボンディングツール20を容易に上記中間部材2に対して当接することができるようになる。すなわち、上記ボンディングツール20を上記中間部材2に対して当接するのに、特別な装置を新たに用意する必要がない。
(効果2) なお、接合性、封止性、及び信頼性が良好なはんだ付けによる接合部を得るためには、上述のはんだ付けによる接合の成否を決める要素が重要となる。よって、接合時に当該接合部に与える荷重の時間変化と温度の時間変化とが、最適に制御されることが好ましい。そして、本実施形態においては、ボンディングツール20が上記領域Aを加熱し且つ押圧することで接合時に上記接合部に与える温度と荷重とを、上記一般的な接合装置により容易且つ正確に制御することができる。すなわち、本実施形態によれば、接合性、封止性、及び信頼性の良好なはんだ付けによる接合部を有する封止構造及び該封止構造を製造する方法が実現する。
(効果3) 上記(効果2)で述べたように、接合時に接合部に与える荷重を最適に制御することにより、接合性、封止性、及び信頼性の良好なはんだ付けによる接合部を有する封止構造が得られるのだが、上記(効果2)の効果を得る為には、上記接合部がはんだ付けによる接合の場合に限定されない。つまり、はんだの代わりに、例えば熱硬化性接着剤、フリットガラス等を用いた場合も、接合性、封止性、及び信頼性の良好な接合部を有する封止構造を得るために、接合時に当該接合部に与える荷重の時間変化と温度の時間変化とが最適に制御されることが好ましい。そして、本実施形態によれば、それが実現する。
(効果4) 上記ボンディングツール20から上記領域Aの単位幅(単位面積)当たりに熱伝導される熱量が一定である場合、上記領域Aの幅(面積)を設計することにより、単位時間当たりに接合部へ熱伝導する熱量を変えることができる(大きくすることができる)。したがって、上記中間部材2の表面(側面)における上記ボンディングツール20を当接する為の面積が、所望の熱伝導をさせるのに要する面積よりも小さい場合であっても、上記領域Aの存在により、接合部を所望の時間内に所望の温度に到達させることができる。つまり、接合部を所望の温度に所望の時間内に到達するようにすることができる。これにより、上記ボンディングツール20から上記領域Aの単位幅(単位面積)当たりへ熱伝導する熱量を上記一般的な接合装置の改良などで増加させることなく、接合工程をより短時間で完了することができる。つまり、タクト短縮及び生産性の向上が実現し、より安価に製品を提供することができる。さらに、上記領域Aの幅(面積)を設計することにより、上記(効果2)で述べた荷重の時間変化と温度の時間変化の制御範囲も拡がる。
[第3実施形態]
図5は、本発明の第3実施形態に係る封止構造を示す図である。ここで、上記第1実施形態に係る封止構造と本第3実施形態に係る封止構造との大きな相違点は、以下の三点である。すなわち、
(1)上記接合面4cに第三金属薄膜13が形成されている。なお、該第三金属薄膜の構成及び機能は、上記第一金属薄膜9におけるそれらと同様である。
図5は、本発明の第3実施形態に係る封止構造を示す図である。ここで、上記第1実施形態に係る封止構造と本第3実施形態に係る封止構造との大きな相違点は、以下の三点である。すなわち、
(1)上記接合面4cに第三金属薄膜13が形成されている。なお、該第三金属薄膜の構成及び機能は、上記第一金属薄膜9におけるそれらと同様である。
(2)上記接合面4dに第四金属薄膜14が形成されている。なお、該第四金属薄膜の構成及び機能は、上記第一金属薄膜9におけるそれらと同様である。
(3)はんだ5bで第三金属薄膜13と第四金属薄膜14とが接合され、該接合により上記中間部材2と上記キャップ3とが接合されている。
なお、上記はんだ5b、上記第三金属薄膜13、及び上記第四金属薄膜14から成る接合部は、上記第1実施形態及び上記第2実施形態における第二の接合部19に対応するので、以降第二の接合部19Aと称する。
以下、本実施形態に係る封止構造の製造工程を、図6(a)乃至(c)を参照して説明する。なお、接合の詳細については上述した通りであるので、ここでは工程の流れを中心に説明する。
まず、図6(a)に示すように上記基板1と上記第三金属薄膜13の形成された上記中間部材2とを、上述したように上記はんだ5で接合する(工程3−1)。次に、図6(b)に示すように、上記基板1と上記デバイス6とを上記はんだ7でダイボンディングする(工程3−2)。そして、図6(c)に示すように、上記第四金属薄膜14の形成された上記キャップ3と上記中間部材2とを、真空雰囲気において上記はんだ5bで接合する(工程3−3)。この工程3−3にて封止空間15が真空雰囲気である封止構造12を得る。
以上説明したように、本実施形態によれば、以下のような効果を奏する封止構造及び該封止構造の製造方法を提供することができる。
まず、本実施形態によれば、上記工程1−3による上記(効果1)乃至(効果3)と同様の効果を始めとして、上述した第1実施形態による効果と同様の効果を奏する封止構造及び該封止構造の製造方法を提供することができる。
さらに、上記封止空間15の内部を真空雰囲気にする為に、真空雰囲気下で上記基板1と上記キャップ3とを接合しなくてはならなく、対流による熱伝導が期待できない場合であっても上記第二の接合部19Aを効率良く加熱することができる。
また、本実施形態においては、上記キャップ3を上記中間部材2に接合する為に図6(c)に示すX−Y方向(図6(c)参照)のアライメントを行う際に、上記キャップ3と上記デバイス6とが接触することはない。なお、ここでX方向とは紙面に対して左右方向であり、Y方向とは紙面に対して垂直方向である。これは、上記中間部材2の存在による。すなわち、本実施形態によれば、接触防止機構等を具備した接合装置を用いなくても、誤った接触により上記デバイス6を傷つけることがない。
ところで、上記基板1と上記中間部材2とを接合する上記はんだ5と、上記基板1と上記キャップ3とを接合する上記はんだ5bとに、互いに異なるはんだ合金を用いることで以下の効果が生まれる。
すなわち、例えば上記基板1と上記キャップ3とを接合する上記はんだ5bの融点よりも、上記基板1と上記中間部材2とを接合する上記はんだ5の融点が高くなるように、上記はんだ5b及び上記はんだ5に用いるはんだ合金を選択すれば、上記工程3−3において、上記工程3−1で接合した上記基板1と上記中間部材2とを接合した上記はんだ5が融解してしまうことを防ぐことができる。
なお、上記基板1と上記中間部材2との接合に関しては、上記封止空間15を形成可能に接合できるのであれば、必ずしも上記中間部材2と上記キャップ3との接合に用いた方法と同様の方法を用いる必要はない。
[第4実施形態]
以下、図7(a)乃至(c)を参照して、本実施形態に係る封止構造12の製造工程を説明する。なお、上記第3実施形態に係る封止構造と本第4実施形態に係る封止構造とは同様の構成を採るが、その製造工程が異なる。
以下、図7(a)乃至(c)を参照して、本実施形態に係る封止構造12の製造工程を説明する。なお、上記第3実施形態に係る封止構造と本第4実施形態に係る封止構造とは同様の構成を採るが、その製造工程が異なる。
まず、図7(a)に示すように、上記基板1と上記デバイス6とを、上記はんだ7で接合する(工程4−1)。次に、図7(c)に示すように、上記第二金属薄膜10の形成された上記基板1と上記第一金属薄膜9の形成された上記中間部材2と、及び上記第三金属薄膜13の形成された上記中間部材2と上記第四金属薄膜14の形成された上記キャップ3とを、真空雰囲気中において上記ボンディングツール11を上記中間部材2に接触させ、上記はんだ5で一括して接合する(工程4−2)。なお、上記工程4−2にて、上記基板1と上記中間部材2と、及び上記中間部材2と上記キャップ3とを一括して接合する直前の各構成部品の位置関係は、図7(b)に示すような状態となっている。このようにして、本実施形態においては、上記第3実施形態に係る封止構造12を得る。
以上説明したように、本実施形態によれば、上記第3実施形態による効果と同様の効果を奏する上に、上記第3実施形態による製造工程よりも少ない工程で当該封止構造を製造することができる。
以上、第1実施形態乃至第4実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形及び応用が可能なことは勿論である。以下、適宜図面を参照して変形例を説明していく。
[第1変形例]
上述した全ての実施形態において、上記基板1の母材、上記中間部材2の母材、及び上記キャップ3の母材の線膨張率がほぼ等しい値となるように設計した場合、接合工程における加熱時に、上記封止構造12に歪みが生じにくくなる。
上述した全ての実施形態において、上記基板1の母材、上記中間部材2の母材、及び上記キャップ3の母材の線膨張率がほぼ等しい値となるように設計した場合、接合工程における加熱時に、上記封止構造12に歪みが生じにくくなる。
なお、このような効果を生じさせる上記基板1の母材、上記中間部材2の母材、及び上記キャップ3の母材の組み合わせとして、以下の二例を挙げる。
<組み合わせ例1>
中間部材2の母材;シリコン(Si)(熱伝導率:168 W・m-1・K-1、線膨張率:3.5×10-6 K-1 0-227 ℃)
基板1及びキャップ3の母材;パイレックスガラス(熱伝導率:1.1 W・m-1・K-1、線膨張率:3.25×10-6 K-1 0-300 ℃)
<組み合わせ例2>
中間部材2の母材;コバール(熱伝導率:19.7 W・m-1・K-1、線膨張率:約4〜5×10-6 K-1)
基板1の母材;ムライト(熱伝導率:5 W・m-1・K-1、線膨張率:5.0〜5.8×10-6 K-1)
キャップ3の母材;パイレックスガラス(熱伝導率:1.1 W・m-1・K-1、線膨張率:3.25×10-6 K-1 0-300 ℃)。
中間部材2の母材;シリコン(Si)(熱伝導率:168 W・m-1・K-1、線膨張率:3.5×10-6 K-1 0-227 ℃)
基板1及びキャップ3の母材;パイレックスガラス(熱伝導率:1.1 W・m-1・K-1、線膨張率:3.25×10-6 K-1 0-300 ℃)
<組み合わせ例2>
中間部材2の母材;コバール(熱伝導率:19.7 W・m-1・K-1、線膨張率:約4〜5×10-6 K-1)
基板1の母材;ムライト(熱伝導率:5 W・m-1・K-1、線膨張率:5.0〜5.8×10-6 K-1)
キャップ3の母材;パイレックスガラス(熱伝導率:1.1 W・m-1・K-1、線膨張率:3.25×10-6 K-1 0-300 ℃)。
[第2変形例]
上述した全ての実施形態において、封止構造12の形成を完了する封止工程(第1実施形態における工程1−3;第2実施形態における工程2−3;第3実施形態における工程3−3;第4実施形態における工程4−2)における接合は、はんだによる接合とした。なお、上記封止工程で封止空間15が形成される。しかしながら、封止することができ且つ加熱することによって接合する方法であれば、はんだによる接合に限定されることはない。
上述した全ての実施形態において、封止構造12の形成を完了する封止工程(第1実施形態における工程1−3;第2実施形態における工程2−3;第3実施形態における工程3−3;第4実施形態における工程4−2)における接合は、はんだによる接合とした。なお、上記封止工程で封止空間15が形成される。しかしながら、封止することができ且つ加熱することによって接合する方法であれば、はんだによる接合に限定されることはない。
すなわち、はんだによる接合の代わりに、例えば熱硬化型接着剤による接合、フリットガラスによる接合、金属の固相拡散接合等を挙げることが出来る。ここで、上記熱硬化型接着剤による接合を用いる場合は、上記第一金属薄膜9及び第二金属薄膜10を形成する必要がない。また、フリットガラスは接合工程においてアウトガスが発生しにくいので封止構造の形成に用いる材料として好ましい。なお、フリットガラスによる接合の場合は、必要に応じて、封止構造の形成に十分な接合ができるよう上記第一金属薄膜9及び上記第二金属薄膜10、さらには第三金属薄膜13及び第四金属薄膜14を形成する。そして、金属の固相拡散接合による場合も、接合工程においてアウトガスが発生しにくいので封止構造の形成には好ましい。また、金属の固相拡散接合は、熱硬化型接着剤などの接合する為の部材を別途用意する必要がないので、製造時における接合する為の部材等の供給方法、適切な供給量、及び保管方法等を考慮する必要がない。なお、金属の固相拡散接合の場合にも、必要に応じて封止構造の形成に十分な接合ができるよう上記第一金属薄膜9及び第二金属薄膜10、さらには第三金属薄膜13及び第四金属薄膜14を形成する。
[第3変形例]
上記第2実施形態においては上記中間部材2の外寸L2を、上記キャップ3の外寸L3より大きくした。しかしながら、上記第2実施形態と同様の効果を得る為には、上記中間部材2の外寸を、上記基板1と上記キャップ3のうち少なくともいずれか一方より大きくすればよい。
上記第2実施形態においては上記中間部材2の外寸L2を、上記キャップ3の外寸L3より大きくした。しかしながら、上記第2実施形態と同様の効果を得る為には、上記中間部材2の外寸を、上記基板1と上記キャップ3のうち少なくともいずれか一方より大きくすればよい。
すなわち、図8に示すように、上記中間部材2の外寸L2を上記基板1の外寸L1より大きくすることでも上記第2実施形態と同様の効果を得ることができる。また、図9に示すように、上記中間部材2の外寸L2を上記基板1の外寸L1及び上記キャップ3の外寸L3の双方共よりも大きくしても上記第2実施形態と同様の効果を得ることができる。
そして、例えば上記中間部材2の外寸を上記基板1の外寸より大きくする場合には、図4に示す上記工程2−3は、図10に示すようになる。すなわち、本変形例によれば、上記第2実施形態と同様に、上記ボンディングツール20を当接する為の領域が形成され、上記中間部材2に対して図10に示すようなボンディングツールの当接を行うことができる。
[第4変形例]
上記第3変形例における“上記中間部材2の外寸を、上記基板1と上記キャップ3のうち少なくともいずれか一方より大きくする”という構成を、上記第3実施形態、上記第4実施形態、上記の各変形例、及び後述する各変形例に適用してもよい。
上記第3変形例における“上記中間部材2の外寸を、上記基板1と上記キャップ3のうち少なくともいずれか一方より大きくする”という構成を、上記第3実施形態、上記第4実施形態、上記の各変形例、及び後述する各変形例に適用してもよい。
[第5変形例]
上記キャップ3の材質は、ガラスに限定されない。すなわち、上記封止構造12を形成することができるような材質であれば良い。例えば、上記キャップ3の材質として、光を通さないセラミクス及びプラスチック等を用いても勿論よい。これらセラミクス及びプラスチックを用いた場合は、ガラスに比較して特別な製法によらなくても衝撃に比較的強い等の作用効果を得る。
上記キャップ3の材質は、ガラスに限定されない。すなわち、上記封止構造12を形成することができるような材質であれば良い。例えば、上記キャップ3の材質として、光を通さないセラミクス及びプラスチック等を用いても勿論よい。これらセラミクス及びプラスチックを用いた場合は、ガラスに比較して特別な製法によらなくても衝撃に比較的強い等の作用効果を得る。
なお、上記キャップ3として光を透過するプラスチックを用いる場合は、当該封止構造12中に封止されたデバイス6と外界16とは、上記キャップ3を介して光の授受を行うことができる。さらに本第5変形例によれば、上記キャップ3として、レンズが形成されたキャップ、特に非球面レンズやレンズをアレイ状に並べられたキャップ等の生産性を比較的高めることができる。
[第6変形例]
また、上記第1実施形態乃至第4実施形態において、上記デバイス6と上記基板1とのダイボンディングは、はんだ7によるダイボンディングに限定されない。すなわち、上記デバイス6と上記基板1とを接合する方法は、上記デバイス6が上記基板1から外れるようなことがなければ、どのような方法によってもよい。ただ、アウトガスが発生しにくいような方法が好ましい。また、熱によりデバイス6が機能劣化する可能性がある場合に限っては、比較的低温による接合が望ましい。
また、上記第1実施形態乃至第4実施形態において、上記デバイス6と上記基板1とのダイボンディングは、はんだ7によるダイボンディングに限定されない。すなわち、上記デバイス6と上記基板1とを接合する方法は、上記デバイス6が上記基板1から外れるようなことがなければ、どのような方法によってもよい。ただ、アウトガスが発生しにくいような方法が好ましい。また、熱によりデバイス6が機能劣化する可能性がある場合に限っては、比較的低温による接合が望ましい。
[第7変形例]
上記第1実施形態においては、上記デバイス6として小型光偏向器を例に挙げたが、上記デバイス6としては、小型光偏向器に限定されない。例えば、上記デバイス6としては、1軸、2軸、3軸の加速度センサや角加速度センサ等、封止すると性能や信頼性が向上するデバイスを挙げることができる。
上記第1実施形態においては、上記デバイス6として小型光偏向器を例に挙げたが、上記デバイス6としては、小型光偏向器に限定されない。例えば、上記デバイス6としては、1軸、2軸、3軸の加速度センサや角加速度センサ等、封止すると性能や信頼性が向上するデバイスを挙げることができる。
さらに、上記キャップ3を、光を透過する部材にすれば、上記デバイス6として、封止すると性能や信頼性が向上し且つ外界16との光の授受を行う必要があるデバイス、例えばCCD等の固体撮像素子及び可変形状鏡等を挙げることができる。
[第8変形例]
また、上記第1実施形態乃至上記第4実施形態においては、一つの封止構造12に対して一つの上記デバイス6を封入することを想定したが、上記デバイス6の個数は一つに限定されない。なお、一つの封止構造12に対して複数個の上記デバイス6を封入する場合は、互いに異なる種類のデバイスが混在しても勿論よい。例えば、一つの封止構造12に対して小型光偏向器と加速度センサを一つずつ封入してもよい。
また、上記第1実施形態乃至上記第4実施形態においては、一つの封止構造12に対して一つの上記デバイス6を封入することを想定したが、上記デバイス6の個数は一つに限定されない。なお、一つの封止構造12に対して複数個の上記デバイス6を封入する場合は、互いに異なる種類のデバイスが混在しても勿論よい。例えば、一つの封止構造12に対して小型光偏向器と加速度センサを一つずつ封入してもよい。
[第9変形例]
上記第1実施形態乃至上記第4実施形態においては、上記基板1を一つの母材で構成していると想定した。しかしながら、図11(a)及び(b)に示すように、上記基板1を複数の母材で構成してもよい。なお、この場合には、本発明の特徴の一つである“中間部材2の熱伝導率を基板1の熱伝導率よりも高くする”ことについては、上記中間部材2の熱伝導率と、複数の母材で構成された上記基板1のうち上記中間部材2に接する母材である基板1aの熱伝導率とについて実現しなければならない。また、外寸の設計に関しても、上記中間部材2の外寸と上記基板1aの外寸とを比較するなどして設計すればよい。
上記第1実施形態乃至上記第4実施形態においては、上記基板1を一つの母材で構成していると想定した。しかしながら、図11(a)及び(b)に示すように、上記基板1を複数の母材で構成してもよい。なお、この場合には、本発明の特徴の一つである“中間部材2の熱伝導率を基板1の熱伝導率よりも高くする”ことについては、上記中間部材2の熱伝導率と、複数の母材で構成された上記基板1のうち上記中間部材2に接する母材である基板1aの熱伝導率とについて実現しなければならない。また、外寸の設計に関しても、上記中間部材2の外寸と上記基板1aの外寸とを比較するなどして設計すればよい。
なお、図11(a)及び(b)に関しては、本変形例の特徴部に焦点を当てる為に、上記基板1、上記中間部材2、及び上記キャップ3以外の構成部材については省略して図示した。
[第10変形例]
上記第1実施形態乃至上記第4実施形態においては、上記キャップ3を一つの母材で構成していると想定した。しかしながら、図12(a)及び(b)に示すように、上記キャップ3を複数の母材で構成してもよい。なお、この場合には、本発明の特徴の一つである“中間部材2の熱伝導率をキャップ3の熱伝導率よりも高くする”ことについては、上記中間部材2の熱伝導率と、複数の母材で構成された上記キャップ3のうち上記中間部材2に接する母材であるキャップ3aの熱伝導率とについて実現しなければならない。また、外寸の設計に関しても、上記中間部材2の外寸と上記キャップ3aの外寸とを比較するなどして設計すればよい。
上記第1実施形態乃至上記第4実施形態においては、上記キャップ3を一つの母材で構成していると想定した。しかしながら、図12(a)及び(b)に示すように、上記キャップ3を複数の母材で構成してもよい。なお、この場合には、本発明の特徴の一つである“中間部材2の熱伝導率をキャップ3の熱伝導率よりも高くする”ことについては、上記中間部材2の熱伝導率と、複数の母材で構成された上記キャップ3のうち上記中間部材2に接する母材であるキャップ3aの熱伝導率とについて実現しなければならない。また、外寸の設計に関しても、上記中間部材2の外寸と上記キャップ3aの外寸とを比較するなどして設計すればよい。
なお、図12(a)及び(b)に関しては、本変形例の特徴部に焦点を当てる為に、上記基板1、上記中間部材2、及び上記キャップ3以外の構成部材については省略して図示した。
[第11変形例]
上記第1実施形態乃至上記第4実施形態においては、上記中間部材2を一つの母材で構成していると想定した。しかしながら、図13に示すように、上記中間部材2を複数の母材で構成してもよい。なお、この場合には、本発明の特徴の一つである“中間部材2の熱伝導率を基板1の熱伝導率よりも高くする”ことについては、複数の母材で構成された上記中間部材2のうち上記基板1に接する母材である中間部材2aの熱伝導率と、上記基板1の熱伝導率とについて実現しなければならない。また、本発明の特徴の一つである“中間部材2の熱伝導率をキャップ3の熱伝導率よりも高くする”ことについては、複数の母材で構成された上記中間部材2のうち上記キャップ3に接する母材である中間部材2bの熱伝導率と、上記キャップ3の熱伝導率とについて実現しなければならない。
上記第1実施形態乃至上記第4実施形態においては、上記中間部材2を一つの母材で構成していると想定した。しかしながら、図13に示すように、上記中間部材2を複数の母材で構成してもよい。なお、この場合には、本発明の特徴の一つである“中間部材2の熱伝導率を基板1の熱伝導率よりも高くする”ことについては、複数の母材で構成された上記中間部材2のうち上記基板1に接する母材である中間部材2aの熱伝導率と、上記基板1の熱伝導率とについて実現しなければならない。また、本発明の特徴の一つである“中間部材2の熱伝導率をキャップ3の熱伝導率よりも高くする”ことについては、複数の母材で構成された上記中間部材2のうち上記キャップ3に接する母材である中間部材2bの熱伝導率と、上記キャップ3の熱伝導率とについて実現しなければならない。
なお、外寸の設計に関しても、上記基板1の外寸と上記中間部材2aの外寸とを比較し、上記キャップ3の外寸と上記中間部材2bの外寸とを比較するなどして設計すればよい。
また、図13に関しては、本変形例の特徴部に焦点を当てる為に、上記基板1、上記中間部材2、及び上記キャップ3以外の構成部材については省略して図示した。
[第12変形例]
また、上記はんだ5及び上記はんだ5bは、上記封止構造12を形成することができれば合金の種類は問わないが、鉛フリーはんだを用いることが環境に配慮する上で好ましい。
また、上記はんだ5及び上記はんだ5bは、上記封止構造12を形成することができれば合金の種類は問わないが、鉛フリーはんだを用いることが環境に配慮する上で好ましい。
さらに言えば、特に上記デバイス6が熱で機能劣化する可能性がある場合には、鉛共晶はんだよりも融点が低いはんだである鉛フリーはんだを用いることが好ましく、例としては錫(Sn)とビスマス(Bi)とから成るはんだ、あるいはそれらに鉛(Pb)以外の金属例えば銀(Ag)をさらに加えたはんだや、錫(Sn)とインジウム(In)とから成るはんだ、あるいはそれらに鉛(Pb)以外の金属例えば銀(Ag)をさらに加えたはんだ等を挙げることができる。このようなはんだを用いることで、上記デバイス6として、熱で性能が劣化する可能性があり低温で接合する必要がある電子デバイスやMEMSデバイス等を用いる場合に、接合時の熱により上記デバイス6の性能を劣化させずに接合することができる。
[第13変形例]
さらに、上記はんだ7についても、特に合金の種類は問わないが、鉛フリーはんだを用いることが環境に配慮する上で好ましい。
さらに、上記はんだ7についても、特に合金の種類は問わないが、鉛フリーはんだを用いることが環境に配慮する上で好ましい。
さらに言えば、特に上記デバイス6が熱で機能劣化する可能性がある場合には、鉛共晶はんだよりも融点が低いはんだである鉛フリーはんだを用いることが好ましく、例としては錫(Sn)とビスマス(Bi)とから成るはんだ、あるいはそれらに鉛(Pb)以外の金属例えば銀(Ag)をさらに加えたはんだや、錫(Sn)とインジウム(In)とから成るはんだ、あるいはそれらに鉛(Pb)以外の金属例えば銀(Ag)をさらに加えたはんだ等を挙げることができる。このようなはんだを用いることで、上記デバイス6として、熱で性能が劣化する可能性があり低温で接合する必要がある電子デバイスやMEMSデバイス等を用いる場合に、接合時の熱により上記デバイス6の性能を劣化させずに接合することができる。
[第14変形例]
上記第一金属薄膜9、上記第二金属薄膜10、上記第三金属薄膜13、及び上記第四金属薄膜14は、1層の薄膜に限定されない。すなわち、これら金属薄膜として、例えば3層から成る金属薄膜として、クロム(Cr)薄膜とニッケル(Ni)薄膜と金(Au)薄膜とを積層して構成された金属薄膜を用いてもよい。
上記第一金属薄膜9、上記第二金属薄膜10、上記第三金属薄膜13、及び上記第四金属薄膜14は、1層の薄膜に限定されない。すなわち、これら金属薄膜として、例えば3層から成る金属薄膜として、クロム(Cr)薄膜とニッケル(Ni)薄膜と金(Au)薄膜とを積層して構成された金属薄膜を用いてもよい。
[第15変形例]
上記封止空間15を、大気中の酸素濃度よりも低い酸素濃度に保持(換言すれば酸素成分に関してのみ真空状態に保持)してもよい。このようにすることで、上記デバイス6の劣化(酸化)防止をすることができる。
上記封止空間15を、大気中の酸素濃度よりも低い酸素濃度に保持(換言すれば酸素成分に関してのみ真空状態に保持)してもよい。このようにすることで、上記デバイス6の劣化(酸化)防止をすることができる。
本変形例によれば、例えば上記デバイス6が真空雰囲気下では所望の駆動をしない、または機能しないデバイスである場合に、上記デバイス6の所望の動作の実現及び上記デバイス6の酸化による機能劣化を発生しにくくすることができる。
さらに、上述した実施形態及び変形例には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適当な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。
1…基板、2,2a,2b…中間部材、3,3a…キャップ、4b,4a,4c,4d…接合面、5,5b…はんだ、6…デバイス、7…はんだ、8…ダイボンド用薄膜、9…第一金属薄膜、10…第二金属薄膜、11…ボンディングツール、12…封止構造、13…第三金属薄膜、14…第四金属薄膜、16…外界、20…ボンディングツール。
Claims (17)
- 基板と中間部材とが第一の接合部を介して接合され、上記中間部材とキャップとが第二の接合部を介して接合されることにより形成される封止空間を具備する封止構造であって、
上記中間部材の熱伝導率の値は、上記基板の熱伝導率及び上記キャップの熱伝導率の何れの熱伝導率よりも大きい値であることを特徴とする封止構造。 - 上記キャップは、光を透過する部材であることを特徴とする請求項1に記載の封止構造。
- 上記中間部材の外寸は、上記基板の外寸及び上記キャップの外寸のうち少なくとも何れか一方よりも大きいことを特徴とする請求項1または2に記載の封止構造。
- 上記基板の線膨張率の値と上記中間部材の線膨張率の値と上記キャップの線膨張率の値とが、略等しい値であることを特徴とする請求項1乃至3のうち何れか一つに記載の封止構造。
- 上記キャップはガラスから成ることを特徴とする請求項1乃至4のうち何れか一つに記載の封止構造。
- 上記中間部材はシリコンまたはコバールから成ることを特徴とする請求項5に記載の封止構造。
- 上記第一の接合部及び上記第二の接合部うち少なくとも一方の接合部は、はんだを含むことを特徴とする請求項1乃至6のうち何れか一つに記載の封止構造。
- 上記はんだは、鉛共晶はんだよりも融点が低く且つ鉛フリーのはんだであることを特徴とする請求項7に記載の封止構造。
- 上記第一の接合部及び上記第二の接合部のうち少なくとも一方の接合部は、熱硬化型接着剤を含むことを特徴とする請求項1乃至6のうち何れか一つに記載の封止構造。
- 上記第一の接合部及び上記第二の接合部のうち少なくとも一方の接合部は、フリットガラスを含むことを特徴とする請求項1乃至6のうち何れか一つに記載の封止構造。
- 上記第一の接合部及び上記第二の接合部うち少なくとも一方の接合部は、固相拡散接合による接合部であることを特徴とする請求項1乃至6のうち何れか一つに記載の封止構造。
- 上記封止空間は、大気圧よりも低い圧力に保持されていることを特徴とする請求項1乃至11のうち何れか一つに記載の封止構造。
- 上記封止空間は、大気中よりも酸素濃度が低い状態に保持されていることを特徴とする請求項1乃至11のうち何れか一つに記載の封止構造。
- 請求項1に記載の封止構造の製造方法であって、
あらかじめ上記第一の接合部を介して接合された上記基板と上記中間部材とから成る部材に、上記キャップを上記第二の接合部を介して接合する封止工程を具備することを特徴とする封止構造の製造方法。 - 請求項1に記載の封止構造の製造方法であって、
あらかじめ上記第二の接合部を介して接合された上記キャップと上記中間部材とから成る部材に、上記基板を上記第一の接合部を介して接合する封止工程を具備することを特徴とする封止構造の製造方法。 - 請求項1に記載の封止構造の製造方法であって、
上記基板と上記中間部材とを上記第一の接合部を介して接合し且つ上記中間部材と上記キャップとを上記第二の接合部を介して接合する封止工程を具備することを特徴とする封止構造の製造方法。 - 上記第一の接合部及び上記第二の接合部のうち、上記封止工程において形成する接合部は、はんだ、熱硬化型接着剤、フリットガラス、及び固相拡散接合のうち何れか一つによる接合であることを特徴とする請求項14乃至16のうち何れか一つに記載の封止構造の製造方法。
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