JP2007281292A - 半導体デバイスの実装構造 - Google Patents

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Abstract

【課題】パッケージの温度が上昇した場合に、熱がパッケージからパッケージに固定された半導体デバイスに伝わりにくく、パッケージと封止用の蓋とを接合する際の加熱や半導体デバイスの使用時における外部からの温度的外乱に対して、半導体デバイスが熱ダメージを受けることを防止することができる半導体デバイスの実装構造を提供すること。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイス１０１の下面の全面積よりも小さくなるようにＭＥＭＳデバイス側固定パッド１０４が製作される。これにより、ＭＥＭＳデバイス１０１とＭＥＭＳデバイス固定用ハンダ１０７との接合面積及びＭＥＭＳデバイス固定用ハンダ１０７とパッケージ１０２との接合面積をそれぞれ小さくすることができ、パッケージ１０２からの熱がＭＥＭＳデバイス固定用ハンダ１０７を介してＭＥＭＳデバイス１０１に伝わりにくい。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体デバイスの実装構造に関する。
センサチップ等の半導体デバイスをパッケージに固定した後に封止する実装構造に関する提案として、例えば特許文献１には、センサチップをパッケージへ固定する際の接合部材の厚みを適切に設計することにより、封止時の加熱や外部温度変化時におけるセンサチップの変形を抑制し、また、封止が行われた後におけるケース内の真空度の維持を両立させることができる技術が提案されている。
特開２００４−１３２７９２号公報
ここで、特許文献１の手法においては、センサチップをパッケージへ固定する際に、センサチップを固定する側の面の全面に接合部材が接触している。したがって、封止時の加熱の際の熱や、センサチップの使用時における熱的外乱が、センサチップに伝わりやすく、センサチップが熱ダメージを受けてしまう可能性がある。
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので、パッケージの温度が上昇した場合に、熱がパッケージからパッケージに固定された半導体デバイスに伝わりにくく、パッケージと封止用の蓋とを接合する際の加熱や半導体デバイスの使用時における外部からの温度的外乱に対して、半導体デバイスが熱ダメージを受けることを防止することができる半導体デバイスの実装構造を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明の第１の態様の半導体デバイスの実装構造は、半導体デバイスと、接合部材を介して前記半導体デバイスが接合されるパッケージと、封止部材を介して前記パッケージに固定される蓋と、を備え、前記パッケージと、前記蓋と、前記封止部材とによって形成される空間内に前記半導体デバイスを包含する雰囲気が封止される半導体デバイスの実装構造であって、前記半導体デバイスと前記接合部材との接合面積及び前記パッケージと前記接合部材との接合面積がそれぞれ、前記半導体デバイスの下面の全面積よりも小さいことを特徴とする。
この第１の態様によれば、半導体デバイスと接合部材との接合面積及びパッケージと接合部材との接合面積をそれぞれ、半導体デバイスの下面の全面積よりも小さくすることにより、半道体デバイスに熱が伝わりにくい。
また、上記の目的を達成するために、本発明の第２の態様の半導体デバイスの実装構造は、半導体デバイスと、半導体デバイス側接合部材を介して前記半導体デバイスが接合される断熱材と、パッケージ側接合部材を介して前記断熱材が接合されるパッケージと、封止部材を介して前記パッケージに固定される蓋と、を備え、前記パッケージと、前記蓋と、前記封止部材とによって形成される空間内に前記半導体デバイスを包含する雰囲気が封止される半導体デバイスの実装構造であって、前記半導体デバイスと前記半導体デバイス側接合部材との接合面積及び前記半導体デバイス側接合部材と前記断熱材との接合面積がそれぞれ、前記半導体デバイスの下面の全面積よりも小さいことを特徴とする。
この第２の態様によれば、半導体デバイスとパッケージとの間に断熱材を介在させることにより、第１の態様よりも更に半道体デバイスに熱が伝わりにくい。
本発明によれば、パッケージの温度が上昇した場合に、熱がパッケージからパッケージに固定された半導体デバイスに伝わりにくく、パッケージと封止用の蓋とを接合する際の加熱や半導体デバイスの使用時における外部からの温度的外乱に対して、半導体デバイスが熱ダメージを受けることを防止することができる半導体デバイスの実装構造を提供することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
＜第１の実施形態＞
まず、図１〜図３を参照して本発明の第１の実施形態について説明する。ここで、図１は第１の実施形態に係る半導体デバイスの実装構造を示す断面図である。また、図２は図１に示すＭＥＭＳデバイス１０１の下面図であり、図３は図１に示すパッケージ１０２の上面図である。
図１に示す半導体デバイスの実装構造において、まず、半導体デバイスであるＭＥＭＳデバイス１０１の下面の所定の位置には、図２に示すようにＭＥＭＳデバイス側固定パッド１０４が製作されている。なお、図２に示すＭＥＭＳデバイス側固定パッドの数は図２に示すものに限定されるものではないが、ＭＥＭＳデバイス側固定パッドの合計の面積がＭＥＭＳデバイス１０１の下面の全面積よりも小さくなるようにする。
ここで、ＭＥＭＳデバイス側固定パッド１０４は、例えばＮｉとＡｕとが積層された薄膜である。この薄膜は、例えばスパッタリングにより成膜される。このような構成のＭＥＭＳデバイス側固定パッド１０４を介して、ＭＥＭＳデバイス１０１はパッケージ１０２にハンダ接合される。
パッケージ１０２は、例えばセラミック材料で製作され、減圧雰囲気での封止が可能なパッケージである。なお、ここでの減圧雰囲気とは、少なくとも大気圧よりも減圧されている雰囲気のことを言うものとする。また、図３に示すように、パッケージ１０２の所定の位置には、ハンダ接合のためのパッドとしてパッケージ側固定パッド１０５と封止パッド１０６とがそれぞれ製作されている。
ここで、図３において、パッケージ側固定パッド１０５は、パッケージ１０２において、ＭＥＭＳデバイス１０１が固定される面の全面に製作されている。しかしながら、パッケージ側固定パッド１０５の形状は図３に示す形状に限られるものではない。例えば、パッケージ側固定パッドが複数に分割されていても以下に説明する第１の実施形態の効果は変わらない。更に分割されたパッケージ固定側パッドがそれぞれ電気的に分離されていてもよい。
ＭＥＭＳデバイス１０１をパッケージ１０２にハンダ接合する際には、まずパッケージ１０２のパッケージ側固定パッド１０５に接合部材であるＭＥＭＳデバイス固定用ハンダ１０７を供給する。そして、ＭＥＭＳデバイス固定用ハンダ１０７が供給されたパッケージ側固定パッド１０５に、ＭＥＭＳデバイス１０１のＭＥＭＳデバイス側固定パッド１０４を接触させる。その後に、パッケージ１０２とＭＥＭＳデバイス１０１とを図示しないヒータにより加熱することにより、ＭＥＭＳデバイス固定用ハンダ１０７を溶融させ、パッケージ１０２にＭＥＭＳデバイス１０１を固定する。
ここで、ＭＥＭＳデバイス固定用ハンダ１０７を溶融させるヒータは、高速昇温が可能なパルスヒータを用いることが好ましい。パルスヒータを用いることによりＭＥＭＳデバイス１０１への熱ダメージを最小限に抑えることができる。
また、第１の実施形態においては、ＭＥＭＳデバイス１０１を固定する面積、即ちＭＥＭＳデバイス側固定パッド１０４上のＭＥＭＳデバイス固定用ハンダ１０７の面積を、図２に示すようにしてＭＥＭＳデバイス１０１の下面の全面積よりも小さくしている。したがって、パッケージ１０２からの熱がＭＥＭＳデバイス固定用ハンダ１０７を介してＭＥＭＳデバイス１０１に伝わりにくい。
なお、ＭＥＭＳデバイス固定用ハンダ１０７の面積を小さくするためには、ＭＥＭＳデバイス側固定パッド１０４の面積を小さくすれば良いが、余り小さくしすぎるとＭＥＭＳデバイス１０１の固定強度が損なわれるおそれがある。したがって、ＭＥＭＳデバイス側固定パッド１０４の面積は、ＭＥＭＳデバイス１０１の固定強度を確保できる範囲で最小とすることが好ましい。本出願人の実験では、例えばＭＥＭＳデバイス側固定パッド１０４の全面積が、ＭＥＭＳデバイス１０１の下面の全面積の１/３程度となるようにしている。
以上説明したように、ＭＥＭＳデバイス１０１をパッケージ１０２に固定する面積を小さくすることにより、ＭＥＭＳデバイス１０１への伝熱面積を小さくできる。また、後述する封止工程において、ＭＥＭＳデバイス１０１の周辺の空間を減圧雰囲気とすることで、ＭＥＭＳデバイス１０１への熱の流入を非常に小さくすることができる。これらのような理由により、封止工程時の加熱の際に生じた熱や外部温度の変化によるＭＥＭＳデバイス１０１の熱ダメージを軽減することができる。
なお、第１の実施形態においては、ＭＥＭＳデバイス１０１とパッケージ１０２とをハンダ接合しているが、金属ペーストを加熱及び加圧して接合するようにしても良い。
次に、図１に示すＭＥＭＳデバイス１０１を減圧雰囲気で封止するための封止工程の説明に移る。
封止工程においては、ＭＥＭＳデバイス１０１がＭＥＭＳデバイス固定用ハンダ１０７を介してパッケージ１０２に固定された状態で、蓋１０３と封止用ハンダ１０８とによりＭＥＭＳデバイス１０１を減圧雰囲気で封止する。
このために、まずパッケージ１０２の封止パッド１０６に封止部材である封止用ハンダ１０８を供給する。そして、パッケージ１０２の全体を包含する雰囲気を減圧して、パッケージ１０２と蓋１０３とに囲まれる雰囲気を減圧雰囲気にした状態で、パルスヒータを用いて蓋１０３の上面とパッケージ１０２の下面とを加熱することにより、封止用ハンダ１０８を溶融させる。ここで、第１の実施形態においては、上述した理由により、この加熱の際において生じた熱や外部の温度変化によるＭＥＭＳデバイス１０１の熱ダメージを軽減することができる。
封止用ハンダ１０８を溶融させた後、パッケージ１０２と蓋１０３とを冷却して封止用ハンダ１０８を凝固させ、パッケージ１０２外の雰囲気を大気圧に戻すことにより封止工程が終了する。
＜第２の実施の形態＞
次に、図４〜図７を参照して本発明の第２の実施形態について説明する。ここで、図４は第２の実施形態に係る半導体デバイスの実装構造を示す断面図である。また、図５は図４に示すＭＥＭＳデバイス２０１の下面図である。図６は図４に示すパッケージ２０２の上面図である。図７は図４に示すパッケージ側金属バンプ２０７とＭＥＭＳデバイス側金属バンプ２０８を拡大して示す断面図である。
なお、以下の説明において、第１の実施形態と重複する部分については説明を省略する。
図４に示す半導体デバイスの実装構造において、まず、半導体デバイスであるＭＥＭＳデバイス２０１の下面の所定の位置には、図５に示すようにＭＥＭＳデバイス側固定パッド２０４が製作されている。
パッケージ２０２は、例えばセラミック材料で製作され、空気より熱伝導率の低い気体であるＡｒ雰囲気での封止が可能なパッケージである。また、また、図６に示すように、パッケージ２０２の所定の位置には、パッケージ側固定パッド２０５と封止パッド２０６とがそれぞれ製作されている。
ここで、第２の実施形態においては、ＭＥＭＳデバイス側固定パッド２０４及びパッケージ側固定パッド２０５が、例えばＡｌの薄膜であり、封止パッド２０６は、例えばＮｉとＡｕからなる薄膜である。これらは、例えばスパッタリングにより成膜される。
ＭＥＭＳデバイス２０１をパッケージ２０２に接合する際には、まずＭＥＭＳデバイス２０１のＭＥＭＳデバイス側金属バンプ２０８及びパッケージ２０２のパッケージ側金属バンプ２０７をそれぞれ製作する。ここで、ＭＥＭＳデバイス側金属バンプ２０８及びパッケージ側金属バンプ２０７は、例えばＡｕバンプである。これら金属バンプを製作した後、パッケージ２０２を固定した上で、ＭＥＭＳデバイス２０１のＭＥＭＳデバイス側金属バンプ２０８とパッケージ側金属バンプ２０７とを接触させ、更にＭＥＭＳデバイス２０１を図示しないヒータヘッドにより加熱及び加圧することにより、ＭＥＭＳデバイス側金属バンプ２０８とパッケージ側金属バンプ２０７とを熱圧着させ、パッケージ２０２にＭＥＭＳデバイス２０１を固定する。
その後は、第１の実施形態で説明した封止工程と同様の工程に従って、ＭＥＭＳデバイス２０１をＡｒ雰囲気中で封止する。
以上説明したように、パッケージ側金属バンプ２０７とＭＥＭＳデバイス側金属バンプ２０８とにより、ＭＥＭＳデバイス２０１をパッケージ２０２に固定し、かつ図５に示すようにしてＭＥＭＳデバイス２０１と接合部材であるＭＥＭＳデバイス側金属バンプ２０８との接触面積を小さくすることにより、第１の実施形態と同様の理由により、封止工程時の加熱や外部の温度変化によるＭＥＭＳデバイス２０１の熱ダメージを軽減することができる。
また、第２の実施形態では、図７に示すように、ＭＥＭＳデバイス２０１とＭＥＭＳデバイス側金属バンプ２０８との接合面積及びパッケージ２０２とパッケージ側金属バンプ２０７の何れの接合面積よりも、パッケージ側金属バンプ２０７とＭＥＭＳデバイス側金属バンプ２０８との接合面積のほうが小さくなるように接合される。したがって、パッケージ２０２からの熱がＭＥＭＳデバイス２０１に伝熱する経路における断面積が小さくなり、第１の実施形態にくらべ、ＭＥＭＳデバイス２０１の熱ダメージの軽減効果が大きくなる。
なお、図７においては、パッケージ側金属バンプ２０７とＭＥＭＳデバイス側金属バンプ２０８との接合面積が最小断面積となるような接合が行われるが、伝熱の経路における断面積を小さくすることができるのであれば、最小断面積となる位置は必ずしもパッケージ側金属バンプ２０７とＭＥＭＳデバイス側金属バンプ２０８との接合面である必要はない。
また、第２の実施形態では、パッケージ２０２内を空気よりも熱伝導率の低いＡｒで封止している。したがって、第１の実施形態と同様にＭＥＭＳデバイス２０１への熱の流入を非常に小さくすることができる。なお、第２の実施形態において、パッケージ２０２内を第１の実施形態と同様に減圧雰囲気で封止するようにしても良い。逆に、第１の実施形態においてパッケージ１０２内をＡｒ雰囲気で封止するようにしても良い。また、第２の実施形態においてパッケージ２０２内の雰囲気は、Ａｒ雰囲気に限るものではない。即ち、空気よりも熱伝導率の低い物質であればＡｒの代わりに用いることができる。この空気よりも熱伝導率の低い物質の例としては、例えばＮ２やＣＯ２がある。
＜第３の実施形態＞
次に、図８〜図１２を参照して本発明の第３の実施形態について説明する。ここで、図８は第３の実施形態に係る半導体デバイスの実装構造を示す断面図である。また、図９は図８に示すＭＥＭＳデバイス３０１の下面図である。図１０は図８に示すパッケージ３０２の上面図である。また、図１１及び図１２はそれぞれ図８に示すガラス基板３０４の上面図及び下面図である。
なお、以下の説明において、第１又は第２の実施形態と重複する部分については説明を省略する。
図８に示す半導体デバイスの実装構造において、まず、半導体デバイスであるＭＥＭＳデバイス３０１の下面の所定の位置には、図９に示すようにＭＥＭＳデバイス側固定パッド３１０が製作されている。
パッケージ３０２は、例えばセラミック材料で製作され、減圧雰囲気での封止が可能なパッケージである。また、図１０に示すように、パッケージ３０２の所定の位置には、パッケージ側固定パッド３１１と封止パッド３１２とがそれぞれ製作されている。
断熱部材であるガラス基板３０４は、例えば石英ガラスで製作されている。また、ガラス基板３０４の上面には、図１１に示すように、ＭＥＭＳデバイス３０１の固定用としてガラス基板上面固定パッド３０８が製作され、ガラス基板３０４の下面には、パッケージ３０２との接合用としてガラス基板下面固定パッド３０９が製作されている。
ここで、第３の実施形態においては、ＭＥＭＳデバイス側固定パッド３１０、パッケージ側固定パッド３１１、封止パッド３１２、ガラス基板上面固定パッド３０８、ガラス基板下面固定パッド３０９が、例えばＮｉとＡｕからなる薄膜である。これらは、例えばスパッタリングにより成膜される。
接合時には、まず、ガラス基板３０４をパッケージ３０２上に固定するため、パッケージ３０２上のパッケージ側固定パッド３１１にガラス基板固定用ハンダ３０５を供給する。そして、ガラス基板固定用ハンダ３０５が供給されたパッケージ側固定パッド３１１に、ガラス基板３０４のガラス基板下面固定パッド３０９を接触させる。その後に、パッケージ３０２及びガラス基板３０４を図示しないヒータヘッドにより加熱することにより、ガラス基板固定用ハンダ３０５を溶融させ、ガラス基板３０４をパッケージ３０２に固定する。
次に、ＭＥＭＳデバイス３０１をガラス基板３０４上に固定するため、ガラス基板３０４上のガラス基板上面固定パッド３０８にＭＥＭＳデバイス固定用ハンダ３０６を供給する。そして、ＭＥＭＳデバイス固定用ハンダ３０６が供給されたガラス基板上面固定パッド３０８に、ＭＥＭＳデバイス３０１のＭＥＭＳデバイス側固定パッド３１０を接触させる。その後に、パッケージ３０２及びガラス基板３０４とＭＥＭＳデバイス３０１とを図示しないヒータヘッドにより加熱することにより、ＭＥＭＳデバイス固定用ハンダ３０６を溶融させ、ＭＥＭＳデバイス３０１をガラス基板３０４に固定する。以後の封止工程は、第１の実施形態と同様にして行われる。
第３の実施形態においては、ＭＥＭＳデバイス３０１とガラス基板３０４との接合面積をＭＥＭＳデバイス３０１の下面の全面積よりも小さくし、ガラス基板３０４とパッケージ３０２との接合面積をガラス基板３０４の下面の全面積よりも小さくしている。したがって、第１の実施の形態と同様に、封止工程時の加熱や外部の温度変化によるＭＥＭＳデバイス３０１の熱ダメージを軽減することができる。
更に、第３の実施形態においては、ＭＥＭＳデバイス３０１とパッケージ３０２との間に、ＭＥＭＳデバイス固定用ハンダ３０６及びガラス基板固定用ハンダ３０５よりも熱伝導率の低いガラス基板３０４が存在するため、第１の実施形態にくらべ、ＭＥＭＳデバイス３０１の熱ダメージ軽減効果は更に大きくなる。
ここで、図８においてはガラス基板３０４に固定するＭＥＭＳデバイスは１つであるが、ガラス基板３０４上に固定するＭＥＭＳデバイスは複数であってもかまわない。また、第３の実施形態においては、断熱部材としてガラス基板を用いているが、ＭＥＭＳデバイス固定用ハンダ３０６及びガラス基板固定用ハンダ３０５よりも熱伝導率の低い物質であれば、ガラス基板以外の物質を利用することもできる。
また、第３の実施形態においてはハンダ接合を行っているが、第２の実施形態と同様に金属バンプによる接合としても良い。
なお、本発明は上述した実施形態のみに限定されない。即ち、本発明の要旨の範囲を逸脱しない範囲において上述した実施形態以外にも種々の変形例が考えられる。
例えば、上述した各実施形態においては、ＭＥＭＳデバイスがその下面でパッケージ若しくはガラス基板に固定される実装構造について説明したが、例えば、図１３に示すようにＭＥＭＳデバイス４０１の側面とパッケージ４０２とを接合部材としてのＭＥＭＳデバイス固定用ハンダ４０５により接合する構造としても良い。この際、ＭＥＭＳデバイスの側面の全部で接合するようにしても良いが、接合面積を小さくするためには、ＭＥＭＳデバイスの側面の一部で接合することがより好ましい。
また、図１４に示すように、ＭＥＭＳデバイス５０１の側面及び下面の一部とパッケージ５０２とを接合部材としてのＭＥＭＳデバイス固定用ハンダ５０５により接合する構造としても良い。
これら図１３又は図１４の実装構造によっても、上述した第１〜３の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
また、上述した各実施形態においては、接合部材として金属ハンダや金属バンプといった金属材料からなる接合部材を用いているが、接合部材は必ずしも金属材料である必要はなく、接着剤のような樹脂材料等を用いることもできる。また、ＭＥＭＳデバイス又はガラス基板をパッケージに固定する際、或いはＭＥＭＳデバイスをガラス基板に固定する際の手法も、加熱や熱圧着に限るものではなく、接合部材の材料等の各種条件に応じて、例えば、超音波接合、表面活性化接合、接着剤を用いた接合法、樹脂を融着させる手法などを適宜利用することができる。
第１の実施形態に係る半導体デバイスの実装構造を示す断面図である。 図１に示すＭＥＭＳデバイス１０１の下面図である。 図１に示すパッケージ１０２の上面図である。 第２の実施形態に係る半導体デバイスの実装構造を示す断面図である。 図４に示すＭＥＭＳデバイス２０１の下面図である。 図４に示すパッケージ２０２の上面図である。 図４に示すパッケージ側金属バンプ２０７とＭＥＭＳデバイス側金属バンプ２０８を拡大して示す断面図である。 第３の実施形態に係る半導体デバイスの実装構造を示す断面図である。 図８に示すＭＥＭＳデバイス３０１の下面図である。 図８に示すパッケージ３０２の上面図である。 図８に示すガラス基板３０４の上面図である。 図８に示すガラス基板３０４の下面図である。 ＭＥＭＳデバイスの側面で接合を行う場合の例を示す図である。 ＭＥＭＳデバイスの側面及び下面で接合を行う場合の例を示す図である。
符号の説明
１０１，２０１，３０１，４０１，５０１…ＭＥＭＳデバイス、１０２，２０２，３０２，４０２，５０２…パッケージ、１０３…蓋、１０４，２０４，３１０…ＭＥＭＳデバイス側固定パッド、１０５，２０５，３１１…パッケージ側固定パッド、１０６，２０６，３１２…封止パッド、１０７，３０６，４０５，５０５…ＭＥＭＳデバイス固定用ハンダ、１０８…封止用ハンダ、２０７…パッケージ側金属バンプ、２０８…ＭＥＭＳデバイス側金属バンプ、３０４…ガラス基板、３０５…ガラス基板固定用ハンダ、３０８…ガラス基板上面固定パッド、３０９…ガラス基板下面固定パッド

Claims (14)

  1. 半導体デバイスと、接合部材を介して前記半導体デバイスが接合されるパッケージと、封止部材を介して前記パッケージに固定される蓋と、を備え、前記パッケージと、前記蓋と、前記封止部材とによって形成される空間内に前記半導体デバイスを包含する雰囲気が封止される半導体デバイスの実装構造であって、
    前記半導体デバイスと前記接合部材との接合面積及び前記パッケージと前記接合部材との接合面積がそれぞれ、前記半導体デバイスの下面の全面積よりも小さいことを特徴とする半導体デバイスの実装構造。
  2. 前記半導体デバイスの、前記接合部材が接合される面は、前記半導体デバイスの下面の一部であることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの実装構造。
  3. 前記半導体デバイスの、前記接合部材が接合される面は、前記半導体デバイスの側面の一部又は全部であることを特徴とする請求項１に記載の半道体デバイスの実装構造。
  4. 前記半導体デバイスの、前記接合部材が接合される面は、前記半導体デバイスの下面の一部及び側面の一部であることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの実装構造。
  5. 前記半導体デバイスを包含する雰囲気は、少なくとも大気圧よりも減圧された雰囲気であることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの実装構造。
  6. 前記半導体デバイスを包含する雰囲気は、空気よりも熱伝導率の低い物質で満たされた雰囲気であることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの実装構造。
  7. 前記接合部材の最小の断面積は、前記半導体デバイスと前記接合部材との接合面積及び前記パッケージと前記接合部材との接合面積よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの実装構造。
  8. 前記接合部材は、金属材料又は樹脂材料からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの実装構造。
  9. 半導体デバイスと、半導体デバイス側接合部材を介して前記半導体デバイスが接合される断熱材と、パッケージ側接合部材を介して前記断熱材が接合されるパッケージと、封止部材を介して前記パッケージに固定される蓋と、を備え、前記パッケージと、前記蓋と、前記封止部材とによって形成される空間内に前記半導体デバイスを包含する雰囲気が封止される半導体デバイスの実装構造であって、
    前記半導体デバイスと前記半導体デバイス側接合部材との接合面積及び前記半導体デバイス側接合部材と前記断熱材との接合面積がそれぞれ、前記半導体デバイスの下面の全面積よりも小さいことを特徴とする半導体デバイスの実装構造。
  10. 前記断熱部材は、前記半導体デバイス側接合部材及び前記パッケージ側接合部材より、熱伝導率が小さいことを特徴とする請求項９に記載の半導体デバイスの実装構造。
  11. 前記断熱材と前記パッケージ側接合部材との接合面積及びパッケージ側接合部材と前記パッケージとの接合面積がそれぞれ、前記断熱材の下面の全面積よりも小さいことを特徴とする請求項９に記載の半導体デバイスの実装構造。
  12. 前記半導体デバイス側接合部材及び前記パッケージ側接合部材は、金属材料又は樹脂材料からなることを特徴とする請求項９に記載の半導体デバイスの実装構造。
  13. 前記金属材料は、ハンダ材料、金属ペースト、金属バンプ、及び金属パッドの何れかを含むことを特徴とする請求項８又は１２に記載の半導体デバイスの実装構造。
  14. 前記樹脂材料は、接着剤であることを特徴とする請求項８又は１２に記載の半導体デバイスの実装構造。
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