JP2015084377A - 電子部品、電子機器および電子部品の製造方法。 - Google Patents

Abstract

【課題】 電子デバイスで発生した熱の放熱性に優れた電子部品を提供する。【解決手段】 電子デバイスと電子デバイスを収容する容器とを備える電子部品であって、容器は、電子デバイスが固定された第一領域および第一領域の周囲の第二領域を有する基体と、空間を介して電子デバイスに対向する蓋体と、空間を囲むように第二領域に固定された枠体とを備え、枠体は、第一部材と、第一部材および基体よりも熱伝導率の低い第二部材とを含んでおり、第一部材は、枠体の内縁から枠体の外縁に向かう方向において、基体の外縁よりも枠体の内縁側に位置する第一部分と基体の外縁よりも枠体の外縁側に位置する第二部分とを含み、第二部材は蓋体と第一部材との間に位置しており、第一部材と基体との最短距離は、第一部材と蓋体との最短距離よりも小さい。【選択図】 図２

Description

本発明は、電子デバイスの実装技術に関する。

近年、撮像デバイスなどの電子デバイスにおいて、電子デバイスの多機能化等に伴い電子デバイスの発熱量が増加している。したがって、電子デバイスを収容する容器（パッケージ）を備える電子部品において、その容器が高い放熱性を有することが求められる。特許文献１には、放熱性に優れる材料を用いた撮像素子パッケージが提案されている。
特許文献２には、樹脂パッケージと金属やセラミックの基板を有する固体撮像装置が提案されているが、放熱性については検討されていない。

特開２００８−２４５２４４号公報 特開２０１１−１７６２２４号公報

金属やセラミック等の一般的に熱伝導率が高い部材と、樹脂等の一般的に熱伝導率が低い部材とを組み合わせて容器を構成する場合、熱伝導率の低い部材が放熱経路に位置するとその部材が容器の放熱性を低下させる要因となる。
本発明は、電子デバイスで発生した熱の放熱性に優れた電子部品を提供することを目的とする。

上記課題を解決するための第一の手段は、電子デバイスと前記電子デバイスを収容する容器とを備える電子部品であって、前記容器は、前記電子デバイスが固定された第一領域および前記第一領域の周囲の第二領域を有する基体と、前記電子デバイスに対向する蓋体と、前記蓋体と前記第一領域の間の空間を囲むように前記第二領域に固定された枠体とを備え、前記枠体は、第一部材と、前記第一部材および前記基体よりも熱伝導率の低い第二部材とを含んでおり、前記第一部材は、前記基体の外縁よりも前記枠体の内縁側に位置する第一部分と前記基体の外縁よりも前記枠体の外縁側に位置する第二部分とを含み、前記第二部材は前記蓋体と前記第一部材との間に位置しており、前記第一部材と前記基体との最短距離は、前記第一部材と前記蓋体との最短距離よりも小さいことを特徴とする。

上記課題を解決するための第二の手段は、電子デバイスと前記電子デバイスを収容する容器とを備える電子部品であって、前記容器は、前記電子デバイスが固定された第一領域および前記第一領域の周囲の第二領域を有するセラミック製の基体と、空間を介して前記電子デバイスに対向する蓋体と、前記空間を囲むように前記第二領域に固定された枠体とを備え、前記枠体は、金属部材および樹脂部材を含んでおり、前記金属部材は、前記基体の外縁よりも前記枠体の内縁側に位置する第一部分と前記基体の外縁よりも前記枠体の外縁側に位置する第二部分とを含み、前記樹脂部材は前記蓋体と前記金属部材との間に位置しており、前記金属部材が前記基体に接触していることを特徴とする。

本発明によれば、放熱性に優れた電子部品を提供することができる。

電子部品の一例の平面模式図。 電子部品の一例の断面模式図。 電子部品の一例の断面模式図。 電子部品の一例の断面模式図。 電子部品の製造方法の一例の断面模式図。 電子部品の製造方法の一例の断面模式図。 電子部品の製造方法の一例の断面模式図。

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態を説明する。なお、以下の説明および図面において、複数の図面に渡って共通の構成については共通の符号を付している。そして、共通する構成について、複数の図面を相互に参照して説明する場合がある。また、共通の符号を付した構成については説明を省略する場合がある。

以下、本発明の第一実施形態として、電子部品１００の一例を説明する。図１（ａ）は電子部品１００を表から見た時の平面模式図であり、図１（ｂ）は電子部品１００を裏から見た時の平面模式図である。図２（ａ）、（ｂ）は電子部品１００の断面模式図である。図２（ａ）は図１（ａ）、（ｂ）のＡ−ａ線における電子部品１００の断面図であり、図２（ｂ）は図１（ａ）、（ｂ）のＢ−ｂ線における電子部品１００の断面図である。図４は電子部品１００に関する製造方法の一例を示した図であり、図１（ａ）、（ｂ）のＡ−ａ線における断面模式図である。以下、同じ部材には共通の符号を付けて、各図面を相互に参照しながら説明を行う。各図にはＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を示している。

電子部品１００は電子デバイス１０と、電子デバイス１０を収容する容器７０を備える。容器７０は、主に基体２０と蓋体３０と枠体６０で構成される。詳しくは後述するが、枠体６０は高熱伝導性部材４０（第一部材）と、高熱伝導性部材４０よりも熱伝導率の低い低熱伝導性部材５０（第二部材）とを含んで構成されている。

容器７０の内で基体２０と枠体６０は電子部品１００を１次実装するための実装部材として機能し得る。蓋体３０は光学部材として機能し得る。電子デバイス１０は基体２０に固定される。蓋体３０は枠体６０を介して基体２０に固定され、内部空間８０を介して電子デバイス１０に対向する。枠体６０は蓋体３０と電子デバイス１０との間の内部空間８０を囲む。

Ｘ方向およびＹ方向は、電子デバイス１０の蓋体３０に対向する表面１０１、表面１０１の反対面であり基体２０に固定される裏面１０２、蓋体３０の外面３０１および蓋体３０の内面３０２に平行な方向である。また、Ｚ方向はこれら表面１０１、裏面１０２、外面３０１、内面３０２に垂直な方向である。典型的な電子デバイス１０および電子部品１００はＸ方向およびＹ方向において矩形を呈する。また、Ｚ方向における寸法はＸ方向、Ｙ方向における寸法よりも小さく、おおむね平板形状である。以下、便宜的にＺ方向における寸法を厚みもしくは高さと呼ぶ。

Ｘ方向およびＹ方向において、電子部品１００の外縁は、基体２０の外縁２０５と枠体６０の外縁６０５と蓋体３０の外縁３０５で規定される。枠体６０は外縁６０５に加えて内縁６０３を有する。

電子デバイス１０の種類は特に限定されないが、典型的には光デバイスである。本例の電子デバイス１０は主領域１と副領域２を有している。典型的には主領域１は電子デバイス１０の中央に位置し、副領域２はその周辺に位置する。電子デバイス１０がＣＣＤイメージセンサーやＣＭＯＳイメージセンサーなどの撮像デバイスであるなら主領域１は撮像領域である。電子デバイス１０が液晶ディスプレイやＥＬディスプレイなどの表示デバイスであるなら主領域１は表示領域である。撮像デバイスの場合、電子デバイス１０の蓋体３０との対向面である表面１０１が光入射面となる。この光入射面は、受光面を有する半導体基板の上に設けられた多層膜の最表層によって構成することができる。多層膜は、カラーフィルタ層やマイクロレンズ層、反射防止層、遮光層などの光学的な機能を有する層、平坦化層等の機械的な機能を有する層、パッシベーション層などの化学的な機能を有する層などを含む。副領域２には主領域１を駆動するための駆動回路や主領域１からの信号（あるいは主領域１への信号）を処理する信号処理回路が設けられる。電子デバイス１０が半導体デバイスであると、このような回路をモノリシックに形成することが容易である。副領域２には電子デバイス１０と外部との信号の通信を行うための電極３（電極パッド）が設けられる。

基体２０は平板状形状を有している。基体２０は、金型成形や切削加工、板材の積層等により形成することができる。基体２０は、金属板などの導電体でもよいが、後述する内部端子５および外部端子７の絶縁を確保する上では、絶縁体であることが好ましい。基体２０は、ポリイミド基板などのフレキシブル基板であってもよいが、ガラスエポキシ基板、コンポジット基板、ガラスコンポジット基板、ベークライト基板、セラミック基板などのリジッド基板であることが好ましい。特にセラミック基板であることが好ましく、基体２０にはセラミック積層体を用いることが好ましい。セラミック材料としては炭化珪素、窒化アルミニウム、サファイア、アルミナ、窒化珪素、サーメット、イットリア、ムライト、フォルステライト、コージライト、ジルコニア、ステアタイト等を用いることが可能である。基体２０をセラミック積層体で構成することで、基体２０の熱伝導性を高くすることができる。基体２０の熱伝導率は１．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましく、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがより好ましい。

基体２０は電子デバイス１０が配置固定される中央領域２１０（第一領域）と、中央領域２１０の周囲に位置する周辺領域２２０（第二領域）を有する。中央領域２１０と周辺領域２２０との間の領域を中間領域と称する。中央領域２１０は電子デバイス１０の正射影領域であり、基体２０の電子デバイス１０とＺ方向において重なる領域である。周辺領域２２０は枠体６０の正射影領域であり、基体２０の枠体６０とＺ方向において重なる領域である。電子デバイス１０は、図２（ａ）、（ｂ）に示す様に、基体２０の中央領域２１０と電子デバイス１０の裏面１０２との間に配された接合材７２を介して固定される。接合材７２は導電性であってもよいし絶縁性であってもよい。また、接合材７２は高い熱伝導性を有することが好ましく、金属粒子を含有するものを用いることもできる。接合材７２の熱伝導率は０．１Ｗ／ｍ・k以上であることが好ましい。

容器７０は、容器７０の内側（内部空間８０）に面する内部端子５と、容器７０の外側に面する外部端子７とを有する。内部端子５と外部端子７は基体２０の内部に内部配線として埋設された埋設部６を介して電気的に連続している。内部端子５と埋設部６と外部端子７は基体２０の表面に設けられ、基体２０に固定されている。

複数の内部端子５が並んで内部端子群を構成している。本例ではＸ方向に沿って列状に並んだ７個の内部端子５からなる内部端子群がＹ方向に２列分（２群）設けられている。また、複数の外部端子７が並んで外部端子群を構成している。本例ではＸ方向およびＹ方向に沿って行列状に並んだ外部端子群が基体２０の裏側に設けられている。内部端子２０１および外部端子２０２は、このような形状に限らず、任意の形状に配置することができる。図２（ａ）、図２（ｂ）に示す様に、内部端子５が設けられた面を基準面２０２と定める。本実施形態では、内部端子５が配される基準面２０２に電子デバイス１０や枠体６０が固定されている。内部端子５は基体２０の中央領域２１０と周辺領域２２０の間の中間領域上に設けられている。

電子部品１００を構成する電子デバイス１０の電極３と容器７０の内部端子５は、接続導体４を介して電気的に接続されている。本例では電極３と内部端子５の接続はワイヤーボンディング接続であって、接続導体４は金属ワイヤー（ボンディングワイヤー）であるが、電極３と内部端子５の接続をフリップチップ接続としてもよい。その場合、電極３は電子デバイス１０の裏面１０２に設けられ、内部端子５や接続導体４は配置領域２１０に位置する。

外部端子７は本例ではＬＧＡ（Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）であるが、ＰＧＡ（Ｐｉｎ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）やＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）、ＬＣＣ（Ｌｅａｄｌｅｓｓ Ｃｈｉｐ Ｃａｒｒｉｅｒ）でもよい。このような形態では、複数の外部端子７は蓋体３０から基体２０への正射影領域に位置し得る。正射影領域とは、蓋体７の主面の垂線の集合が貫く領域である。つまり、外部端子７はＺ方向において、蓋体３０と重なる。複数の外部端子７の一部は、電子デバイス１０から基体２０への正射影領域に位置し得る。内部端子５と埋設部６と外部端子７とをリードフレームを用いて一体化してもよい。リードフレームを用いた形態では、複数の外部端子７は蓋体３０から基体２０への正射影領域の外に位置する。電子部品１００は、その外部端子７がプリント配線板などの配線部材の接続端子と電気的に接続され、同時に、この配線部材に固着される。蓋体３０から基体２０への正射影領域に位置する外部端子７は、はんだペーストを用いたリフローはんだ付けによって外部回路と電気的に接続することができる。このようにして電子部品１００は配線部材に２次実装されて電子モジュールを構成する。実装の形態としては表面実装が好ましい。電子モジュールを筐体に組み込むことで、電子機器を構成する。

電子デバイス１０に対向する蓋体３０は、電子デバイス１０を保護する機能を有する。電子デバイス１０が光を扱うような撮像デバイスや表示デバイスであるならば、それらの光（典型的には可視光）に対して透明であることが求められる。そのような蓋体３０としての好ましい材料はプラスチックやガラス、水晶などが挙げられる。蓋体３０の表面には反射防止コーティングや赤外カットコーティングを設けることもできる。

枠体６０は、中央領域２１０と蓋体３０との間の空間を含むように設けられている。この空間は、内部空間８０の一部である。枠体６０の、内部空間８０に面して内部空間８０を囲む面が内縁６０３である。枠体６０は電子デバイス１０を囲んでいてもよいし、囲んでいなくてもよい。枠体６０が内部空間８０や電子デバイス１０を囲むことは、Ｘ−Ｙ方向において、枠体６０の内縁６０３の全周の９０％の長さに渡って、枠体６０が内部空間８０や電子デバイス１０に面していることを意味する。従って、枠体６０が電子デバイス１０を囲む場合、Ｘ−Ｙ方向において、電子デバイス１０の側面１０５の全周の９０％が枠体６０の内縁９０に面しうる。枠体６０は電子デバイス１０と蓋体４０との間隔を規定する機能を有する。枠体６０は基体２０の周辺領域２２０に固定されている。本実施形態では、枠体６０と基体２０との固定は接合材７１によって行われている。

枠体６０は高熱伝導性部材４０（第一部材）と、高熱伝導性部材４０よりも熱伝導率の低い低熱伝導性部材５０（第二部材）とを含んで構成されている。枠体６０を構成する高熱伝導性部材４０（第一部材）の熱伝導率は枠体６０を構成する低熱伝導性部材５０（第二部材）の熱伝導率よりも高い。さらに、基体２０の熱伝導率は低熱伝導性部材５０の熱伝導率よりも高いことが好ましい。高熱伝導性部材４０の熱伝導率は１．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましく、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがより好ましい。低熱伝導性部材５０の熱伝導率は例えば１０Ｗ／ｍ・Ｋ以下であり、典型的には１Ｗ／ｍ・Ｋ以下である。

枠体６０の強度を確保するために、高熱伝導性部材４０には剛性（ヤング率）の高い材料を用いることが好ましい。例えば、高熱伝導性部材４０のヤング率は５０ＧＰａ以上であり、好ましくは１００ＧＰａ以上である。高熱伝導性部材４０の材料としてはセラミックや金属を用いることができ、特に金属が好ましい。枠体６０を構成する部材の材料に注目した場合、金属製の高熱伝導性部材４０を金属部材と称し、セラミック製の高熱伝導性部材４０をセラミック部材と称することができる。高熱伝導性部材４０に好適な金属材料としては、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、鉄合金などが挙げられる。ステンレスを始めとして、クロムやニッケル、コバルトを含む鉄合金がより好適である。例えば、フェライト系ステンレスであるＳＵＳ４３０やオーステナイト系ステンレスであるＳＵＳ３０４、４２アロイ、コバールなどを用いることができる。

高熱伝導性部材４０の配置について説明する。図２（ａ）、（ｂ）で示した様に、枠体６０を構成する高熱伝導性部材４０は、結合部分４１０（第一部分）と拡張部分４２０（第二部分）とを有する。結合部分４１０は、枠体６０の内縁６０３から枠体６０の外縁６０５に向かう方向において、基体２０の外縁２０５よりも枠体６０の内縁６０３側に位置する。結合部分４１０は、基体２０の周辺領域２２０及び蓋体３０と結合する。拡張部分４２０は、基体２０の外縁２０５よりも枠体６０の外縁６０５側に位置する。枠体６０の、外部空間に露出している拡張部分４２０において、電子部品１００の外縁を規定している面が枠体６０の外縁６０５である。枠体６０の内縁６０３と外縁６０５とを結ぶ２面の内、基体２０側の面を下面、蓋体３０側の面を上面とする。

枠体６０の内縁６０３から枠体６０の外縁６０５に向かう方向（Ｘ，Ｙ方向）における結合部分４１０の長さを結合部分４１０の幅Ｗ１とする。枠体６０の内縁６０３から枠体６０の外縁６０５に向かう方向（Ｘ，Ｙ方向）における拡張部分４２０の長さを拡張部分４２０の幅Ｗ２とする。拡張部分４２０の幅Ｗ２は結合部分４１０の幅Ｗ１よりも大きいことが好ましい。図２（ｂ）には、結合部分４１０の幅Ｗ１よりも大きい幅Ｗ２を有する拡張部分４２０を示している。図２（ａ）でも、高熱伝導性部材４０は結合部分４１０に加えて拡張部分を有しているが、その拡張部分の幅は結合部分４１０の幅よりも小さい。拡張部分４２０には、貫通穴６０６が設けられており、この貫通穴６０６を、電子機器の筐体等に固定するためのねじ止め用の穴として用いたり、位置決め用の穴として用いたりすることができる。

低熱伝導性部材５０は蓋体３０と高熱伝導性部材４０との間に位置している。低熱伝導性部材５０の剛性（ヤング率）は高熱伝導性部材４０のヤング率よりも低いことが好ましい。このように、枠体６０を構成する部材の剛性（ヤング率）に注目した場合、高熱伝導性部材４０を高剛性部材と称し、低熱伝導性部材５０を低剛性部材と称することができる。例えば、低熱伝導性部材５０のヤング率は高熱伝導性部材４０のヤング率の１／２以下であることが好ましく、１／１０以下であることがより好ましい。例えば、低熱伝導性部材５０のヤング率は５０ＧＰａ以下であり、１０ＧＰａ以下であることが好ましく、１ＧＰａ以下であることがより好ましい。低熱伝導性部材５０の剛性（ヤング率）は蓋体３０の剛性（ヤング率）よりも低いことが好ましい。

低熱伝導性部材５０の材料として好ましく使用できるものは一般的に熱伝導率の低い有機材料であり、化学的安定性や加工性を考慮すると、樹脂材料がより好ましい。枠体６０を構成する部材の材料に注目した場合、樹脂製の高熱伝導性部材４０を樹脂部材と称することができる。低熱伝導性部材５０に好適な樹脂材料として例えばエポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ビニル系樹脂などが挙げられる。有機材料としては、溶媒の蒸発による乾燥固化型、光や熱による分子の重合などによって硬化する化学反応型、融解した材料の凝固によって固化する熱溶融（ホットメルト）型などが挙げられる。典型的には、紫外線や可視光で硬化する光硬化型樹脂や、熱で硬化する熱硬化型樹脂を用いることができる。電子デバイス１０に対する耐湿性を重視する場合は、ガラスフィラーを十分に含んだ熱硬化型のエポキシ樹脂を用いることが好ましい。

このように設けられた高熱伝導性部材４０は、電子デバイス１０で発生した熱を外部へ放熱する放熱部材としての機能を有する。すなわち、電子デバイス１０で発生した熱は、高熱伝導性部材４０と同様に高い熱伝導性を有する基体２０を介して高熱伝導性部材４０の結合部分４１０に伝導し、さらにその熱は高熱伝導性部材４０の拡張部分４２０に拡散する。これにより拡張部分４２０から外部へ放熱されるのである。

これに対して、低熱伝導性部材５０が有し得る機能の一つは、断熱である。高熱伝導性部材４０の結合部分４１０に伝導した熱が、蓋体３０に伝導すると、拡張部分４２０での放熱効率が低下する。さらに、蓋体３０に熱が拡散して蓋体３０の温度が上昇すると、蓋体３０の熱膨張によって生じる応力が大きくなるなどの問題がある。低熱伝導性部材５０を蓋体３０と高熱伝導性部材４０との間に設けておくことで、結合部分４１０から蓋体３０へ熱が拡散することを抑制することができる。

また、低剛性部材としての低熱伝導性部材５０が有し得る機能の一つは、緩衝である。蓋体３０と高熱伝導性部材４０の、（１）熱膨張係数の差、（２）温度の差、（３）形状の差、の少なくともいずれかによって、蓋体３０と高熱伝導性部材４０との間には少なからぬ応力が生じる。高熱伝導性部材４０よりも低いヤング率を有する低剛性部材としての低熱伝導性部材５０は、この応力をその変形によって緩和する緩衝部材として機能しうる。

また、樹脂部材としての低熱伝導性部材５０が有し得る機能の一つは、基体２０との接合面を成す枠体６０の下面、蓋体３０との接合面を成す枠体６０の下面の平坦性の向上である。高熱伝導性部材４０が金属部材であると、金属部材は剛性が高い反面、マクロな反りや歪みが存在すると、これを補正して平坦性を向上するためには切削や研磨など非常に複雑な工程を経る必要がある。一方、樹脂材料はその表面形状の制御が容易であり、平坦面を有する金型を用いた成型や熔融によって平坦面を形成することが容易である。このように、樹脂材料は枠体６０の接合面を平坦化するための平坦化部材として機能しうる。

高熱伝導性部材４０の他の部材に対する位置関係をさらに詳細に説明する。図２（ａ）、（ｂ）には、高熱伝導性部材４０と基体２０との距離Ｄ１と、高熱伝導性部材４０と蓋体３０との距離Ｄ２と、電子デバイス１０と基体２０との距離Ｄ３を示している。以下の説明において、二つの部材の「距離」とは最短距離のことを意味する。より詳細には、二つの部材の一方の部材の他方の部材に向かう第一面から、他方の部材の一方の部材に向かう第二面までの最短距離である。

距離Ｄ１は、詳細には、第一部分４１０と基体２０の周辺領域２２０との距離である。距離Ｄ１は、高熱伝導性部材４０と基体２０との間に位置する低熱伝導性部材５０の厚みＴ２と、高熱伝導性部材４０と基体２０との間に位置する接合材７１の厚みの和でありうるが、これらの一方が存在しなくてもよい。

距離Ｄ２は、詳細には、第一部分４１０と蓋体３０の枠体６０に重なる部分との距離である。距離Ｄ２は、高熱伝導性部材４０と蓋体３０との間に位置する低熱伝導性部材５０の厚みＴ３と、高熱伝導性部材４０と蓋体３０との間に位置する接合材７３の厚みの和でありうるが、これらの一方が存在しなくてもよい。

距離Ｄ３は、詳細には、電子デバイス１０と基体２０の中央領域２１０との距離である。距離Ｄ３は、電子デバイス１０と基体２０との間に位置する接合材７２の厚みでありうるが、接合材７２は存在しなくてもよい。

上述した高熱伝導性部材４０による放熱の効果と、低熱伝導性部材５０による断熱の効果を有効に得るために、Ｄ１＜Ｄ２の関係を満足するように枠体６０が設けられている。すなわち、高熱伝導性部材４０と基体２０との距離Ｄ１を小さくして、高熱伝導性部材４０を基体２０に近接させることにより、基体２０から高熱伝導性部材４０への熱の伝導性をＤ１≧Ｄ２の場合に比べて高めることができる。一方、高熱伝導性部材４０と蓋体３０との距離Ｄ２を大きくして、高熱伝導性部材４０を蓋体３０から遠ざけることにより、高熱伝導性部材４０と蓋体３０との間の断熱性をＤ１≧Ｄ２の場合に比べて高めることができる。

また、Ｄ３＜Ｄ１とすることも好ましい。電子デバイス１０と基体２０との距離Ｄ３を小さくして、電子デバイス１０を基体２０に近接させることにより、電子デバイス１０から基体２０への熱の伝導性をＤ３≧Ｄ２の場合に比べて高めることができる。そのためには、低熱伝導性部材５０は、電子デバイス１０と基体２０の中央領域２１０との間に延在しないことが好ましい。

図２（ａ）、（ｂ）には、Ｚ方向における高熱伝導性部材４０の接合部分４１０の長さである厚みＴ１を示している。さらに、Ｚ方向における枠体６０と基体２０との間の低熱伝導性部材５０の長さである厚みＴ２と、Ｚ方向における枠体６０と蓋体３０との間の低熱伝導性部材５０の長さである厚みＴ３を示している。Ｔ１＞Ｔ２、Ｔ１＞Ｔ３、および、Ｔ２＜Ｔ３およびの少なくともいずれかが満たされていることが好ましい。Ｔ２＜Ｔ３を満たすことはＤ１＜Ｄ２の関係を満足させる上で有効である。

厚みＴ１は、０．２ｍｍ以上であることが好ましい。また、厚みＴ１は２ｍｍ以下であることが好ましい。高熱伝導性部材４０の厚みＴ１を０．２ｍｍ以上とすることで、電子機器の筐体等に固定するための剛性を確保できるとともに、十分な放熱性を確保することができる。逆に２ｍｍ以上になると容器７０が不要に大型化してしまう。枠体６０の拡張部分４２０のＺ方向の長さ（厚み）は、結合部分４１０の厚みＴ１よりも大きくてもよい。しかし、拡張部分４２０の厚みは、容器７０の厚みとなる基体２０の裏面から蓋体３０の外面３０１までの長さを超えないことが望ましい。

また、枠体６０と基体２０との間の低熱伝導性部材５０に関して、厚みＴ２は２００μｍ以下であることが好ましい。また、厚みＴ３は７０μｍ以下であることが好ましい。低熱伝導性部材５０の厚みＴ２を７０μｍ以下とすることで、低熱伝導性部材５０が基体２０から高熱伝導性部材４０への熱の伝導を妨げることを抑制できる。

また、枠体６０と蓋体３０との間の低熱伝導性部材５０に関して、厚みＴ３は７０μｍ以上であることが好ましい。また、厚みＴ３は２ｍｍ以下であることが好ましい。低熱伝導性部材５０の厚みＴ２を７０μｍ以上とすることで、製造時の加熱工程や、使用時の環境変化に伴う温度変化に対して、熱膨張／熱収縮によりの発生する応力に対する緩衝材として十分に機能する。そのため、接合面への応力負荷が少なくなり、より高い接合の信頼性を得ることができる。緩衝材としての機能は厚みＴ３が大きくなるほど高くなるが、容器７０が不要に大型化してしまうことを避けるため、Ｔ３を２００μｍ以下にすることが好ましい。低熱伝導性部材５０の厚みＴ３は接合材７３の厚みよりも大きいことが好ましい。つまり、Ｔ３＞Ｄ２−Ｔ３を満たすことが好ましい。

距離Ｄ３に相当する接合材７２の厚みは、５０μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以下であることがより好ましい。接合材７２の熱伝導率が０．１Ｗ／ｍ・k以上かつ接合材７２の厚みが５０μｍ以下であれば、電子デバイス１０から基体２０への熱伝導が非常に良好である。接合材７１の熱伝導率が０．１Ｗ／ｍ・k以上であることが好ましい。接合材７１の厚みは２０μｍ以上２００μｍ以下の範囲とすることができる。接合材７３の厚みは１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲とすることができ、接合材７３の厚みは５０μｍ以下とすることが好ましい。低熱伝導性部材５０の存在により断熱性や接着性の点で有利であるため、接合材７３の厚みを接合材７１の厚みよりも小さくすることができる。接合材７３の厚みを小さくすることで気密性を向上することができる。

内縁６０３の少なくとも一部が低熱伝導性部材５０で構成されていることで、高熱伝導性部材４０から内部空間８０への放熱が低減され、拡張部分４２０を介した放熱効率の向上が図られる。また、内部空間８０の温度上昇が抑制される。低熱伝導性部材５０、内縁６０３の全周が低熱伝導性部材５０で構成されていることがより好ましい。

高熱伝導性部材４０を金属で構成した場合、金属が内縁６０３に露出していると、内縁６０３での光の反射が、撮像画質あるいは表示画質に影響する。そこで、内縁６０３を黒色や灰色等を呈する可視光を吸収する材料で構成することが好ましい。黒色または灰色を呈する低熱伝導性部材５０で内縁６０３を構成することで、枠体６０の内縁６０３での光の反射が抑制される。そのため、枠体６０の内縁６０３で反射した光がデバイスに入射することを低減できるため、画質が向上する。

以下、本発明の第二実施形態として、電子部品１００の一例を説明する。第二実施形態は主に基体２０の形状が第一実施形態と異なる。他の点については第一実施形態と共通であるので説明を省略する。図３（ａ）、（ｂ）は電子部品１００の変形例であり、図２（ａ）、（ｂ）と同様の箇所の断面図である。

図３（ａ）、図３（ｂ）に示した変形例が第一の実施形態の図２の電子部品１００と異なる点は、基体２０は凹形状を有している点である。より具体的には、凹形状の基体２０の中央領域２１０と周辺領域２２０との間の中間領域は、段部と段差部で構成されている。段部とはＸ方向、Ｙ方向に広がる部分であり、段差部とは、Ｚ方向における高さが互いに異なる二つの段部の間に位置し、Ｚ方向に広がる部分である。そのため、本例では、図２（ａ）、図２（ｂ）で云うところの基準面２０２は基準段部２０２と言い換えることができる。図３（ａ）、図３（ｂ）に示す様に、Ｙ方向において内部端子群よりも容器７０の外縁側、つまり基体２０の外縁２０５側に上段部２０４が位置している。そして上段部２０４は基準段部２０２に対して出張っている。つまりＺ方向において上段部２０４は基準段部２０２よりも蓋体３０側に位置する。基準段部２０２と上段部２０４の間には段差部２０３が位置している。段差部２０３は接続導体４と内部空間８０の一部を介して対向している。

また、図３（ａ）、図３（ｂ）に示した例では、基体２０が、基準段部２０２と上段部２０４に加えて、下段部２００を有する。下段部２００は、内部端子群よりも基体２０の外縁２０５から離れて位置する。つまり、下段部２００は内部端子群よりも基体２０の内方に位置する。そして、下段部２００は、段差部２０１を介して基準段部２０２に対して窪んでいる。つまり、下段部２００はＺ方向において段差部２０１を介して、内部端子群よりも蓋体３０から離れて位置する。段差部２０１は電子デバイス１０の外縁１０５と内部空間８０の一部を介して対向している。基準段部２０２は上段部２０４と下段部２０２の間に位置している。したがって、基準段部２０２を中段部と呼ぶこともできる。図３（ｂ）に示す様に、内部端子５が設けられていないＸ方向においては、下段部２００と上段部２０４の間には基準段部２０２は設けられていない。そして段差部２０３が上段部２０４と下段部２００の間に位置している。Ｘ方向においても、Ｙ方向と同様に、上段部２０４と下段部２００の間に中段部を設けることもできるが、このように内部端子５が設けられないような中段部は、容器７０の不要な大型化を招くため、設けないことが好ましい。

凹形状を有するセラミック積層体を作製するためには、実施形態１で説明した基体２０の板材の成形法と同様に、形成されたグリーンシートに枠型の打ち抜き加工を施し、これを複数枚積層して生セラミックの枠材を形成する。これらの板材と枠材を重ねて焼成することで、セラミック積層体を作製することができる。セラミック積層体は、図３（ａ）、図３（ｂ）に示す様な基準段部２０２と上段部２０４とを接続する段差部２０３を有し、さらには、基準段部２０２と下段部２００とを接続する段差部２０１を有する凹形状を有する。このとき、内部端子５は基準段部２０２に設けられている。本構成においても、第一実施形態の構成と同様に、放熱性の高い電子部品を提供することが可能である。

また、第二実施形態では、図３（ａ）に示すように、拡張部分４２０の幅Ｗ２が結合部分４１０の幅Ｗ１よりも短い辺においては、枠体６０の外縁６０５は低熱伝導性部材５０で構成されている。そして図３（ｂ）に示すように、拡張部分４２０の幅Ｗ２が結合部分４１０の幅Ｗ１よりも長い辺においては、枠体６０の外縁６０５は高熱伝導性部材４０で構成されている。そして容器７０の４辺の内、拡張部分４２０の幅Ｗ２が結合部分４１０の幅Ｗ１よりも長い辺においてのみ、拡張部分４２０が外部空間に露出している。幅Ｗ２が幅Ｗ１よりも短い辺においては、外部との熱伝導を行うのではなく、幅Ｗ２が幅Ｗ１よりも長い辺の拡張部分４２０への熱伝導を行う機能が主に求められる。そのため、幅Ｗ２が幅Ｗ１よりも短い辺においては、外縁６０５を低熱伝導性部材５０で外部空間から断熱することで、幅Ｗ２が幅Ｗ１よりも長い辺での放熱の効率を向上できる。

以下、本発明の第三〜五実施形態として、電子部品１００の一例を説明する。第三〜五実施形態は枠体６０の形状が主に第一実施形態と異なる。他の点については第一実施形態と共通であるので説明を省略する。図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は図２（ｂ）と同様の箇所における電子部品１００の断面図である。

図４（ａ）に示す第三実施形態では、枠体６０と基体２０との間に低熱伝導性部材５０が位置しない。そして高熱伝導性部材４０が接合材７１に接している。つまり、図２で示した、基体２０側の低熱伝導性部材５０の厚みＴ２はＴ２＝０となっている。

また、第三実施形態では、低熱伝導性部材５０が高熱伝導性部材４０の結合部分４１０の上面だけでなく、拡張部分４２０の上面をも覆っている。高熱伝導性部材４０の露出部分を高熱伝導性部材４０の下面に設けていることで、下面の露出面から外部との放熱を行うことができる。このように、高熱伝導性部材４０の露出面を高熱伝導性部材４０の下面に限定することで、高熱伝導性部材４０の上面からの不要な放熱を抑制することができる。また、低熱伝導性部材５０を黒色または灰色などを呈する光吸収材料とすることで、撮像装置における光の入射側、表示装置における光の出射側となる、枠体６０の上面での光の反射を抑制して、画質を向上できる。

図４（ｂ）に示す第四実施形態では、枠体６０と基体２０との間に接合材７１が位置しない。そして高熱伝導性部材４０と基体２０との間には低熱伝導性部材５０が位置して、低熱伝導性部材５０が基体２０に接している。つまり、図２で示した、基体２０側の低熱伝導性部材５０の厚みＴ２と距離Ｄ１との関係は、Ｔ２＝Ｄ１となっている。このように接合材７１を設けないことで、接合材７１が基体２０から高熱伝導性部材４０への熱伝導を妨げることがないので、放熱効率を向上することができる。なお、接合材７１を設けない代わりに、低熱伝導性部材５０を基体２０の周辺領域２２０だけでなく、基体２０の外縁２０５にも接するように設けている。このようにすることで、接合材７１を設けないことで生じうる、枠体６０と基体２０との接合強度の低下を抑制することができる。

図５（ｂ）に示す第五実施形態では、枠体６０と基体２０との間に接合材７１も低熱伝導性部材５０も位置しない。そして、高熱伝導性部材４０が基体２０に接している。つまり、図２で示した距離Ｄ１に関して、Ｄ１＝０となっている。このようにすることで、高熱伝導性部材４０が基体２０との間の熱伝導性を向上することができる。なお、高熱伝導性部材４０と基体２０との間に、高熱伝導性部材４０および基体２０よりも熱伝導率の高い部材（超高熱伝導性部材）を配して、高熱伝導性部材４０と基体２０の双方がこの超高熱伝導性部材に接するようにしても同様に高い熱伝導性を実現できる。

本構造においては電子デバイス１０が基体２０に接着固定され、基体２０が高熱伝導性部材４０に接着固定されている為、電子デバイス、基体、高熱伝導性部材の順に放熱経路を有することができる。そして、さらに、高熱伝導性部材の一部が第二部分に金属の露出面を有することにより、例えばカメラボディ等の放熱体に直接接続することができ、より放熱性を高めることが可能である。

本発明の第六実施形態として、電子部品１００に関する製造方法の一例を説明する。図５は図１（ａ）、（ｂ）のＡ−ａ線における断面模式図である。図５から理解されるように、電子部品１００はあらかじめ用意された電子デバイス１０と基体２０と蓋体３０と高熱伝導性部材４０と低熱伝導性部材５０から成る枠体６０をＺ方向に重ね合わせて構成されている。

図５（ａ）は、基体２０を用意する工程ａを示す。上述したように基体２０は、内部端子５と埋設部６と外部端子７を有している。また基体２０は、基準面２０２を有し、内部端子５は基準面２０２に設けられている。

このような基体２０は、ドクターブレード法やカレンダーロール法等のシート成形法を用いて形成されたグリーンシートに板型の打ち抜き加工を施し、これを複数枚積層して生セラミックの板材を形成する。

内部端子５、埋設部６および外部端子７は、グリーンシートを積層する過程でスクリーン印刷法等により形成された導電ペーストパターンを、焼成することで形成することができる。

図５（ｂ）は、枠体６０を用意する工程ｂを示す。まず、枠状の高熱伝導性部材４０を金型１００１と金型１００２の間に配置する。高熱伝導性部材４０は、のちに基体２０側に位置することになる下面４０１と、のちに蓋体３０側に位置することになる上面４０２を有する。また、枠状の高熱伝導性部材４０は、内縁４０３と外縁４０５を有する。

金型１００１、１００２を用いたトランスファーモールド法などの樹脂モールド法によって、樹脂からなる低熱伝導性部材５０を、高熱伝導性部材４０の表面に密着させて形成する。これによって高熱伝導性部材４０と低熱伝導性部材５０とを有する枠体６０を作製する。本例では、低熱伝導性部材５０は高熱伝導性部材４０の上面４０２の上に形成され、枠体６０の上面６０２を構成する。また、低熱伝導性部材５０は高熱伝導性部材４０の内縁６０３の上に形成され、枠体６０の内縁６０３を構成する。

図５（ｃ）は、基体２０と枠体６０を接着する工程ｃを示す。基体２０の周辺領域２２０と枠体６０の少なくとも一方（本例では枠体６０）に接着剤７１０を塗布する。図５（ｃ）に示す様に、枠体６０の下面６０１のみに接着剤７１０を塗布すると良い。基体２０よりも枠体６０の方が平坦性が高く、接着剤７１０の塗布量を制御しやすいためである。典型的な接着剤７１０は熱硬化性樹脂である。接着剤７１０の塗布には印刷法やディスペンス法等を用いることができる。

図５（ｄ）は、基体２０と枠体６０を接着する工程ｄを示す。枠体６０を基体２０の周辺領域２２０に乗せる。その後、塗布された接着剤７１０を適用な方法で固化させる。好適な接着剤７１０は熱硬化性樹脂であり、加熱によって熱硬化させる。これにより、液体である接着剤７１０は固体である接合材７１となり、接合材７１を介して枠体６０と基体２０とが接着される。枠体６０の高熱伝導性部材４０には、基体２０の外縁２０５よりも枠体６０の内縁側に位置し、基体２０と接着する結合部分４１０と、基体の外縁２０５よりも外縁側に位置する拡張部分４２０が形成される。このようにして、枠体６０と基体２０を備える実装部材２４を製造することができる。

図６（ｅ）は、基体２０に電子デバイス１０を固定する工程ｅを示す。電子デバイス１０は電極３を有している。基体２０の中央領域２１０と電子デバイス１０の裏面１０２の少なくとも一方（典型的には基体２０の中央領域２１０のみ）にダイボンドペーストなどの接着剤７２０を塗布する。そして、電子デバイス１０を接着剤７２０の上に配置する。この後、図６（ｆ）で示す様に、接着剤７２０を固化して接合材７２を形成して、電子デバイス１０と基体２０を接着した後の状態である。

図６（ｆ）は、電子デバイス１０と基体２０とを電気的に接続する工程ｆを示す。本例ではワイヤーボンディング接続を用いている。キャピラリ３４５の先端から供給される金属ワイヤーの一端を電極３に接続し、次いで、金属ワイヤーの他端を内部端子５に接続する。この金属ワイヤーにより接続導体４が形成される。なお、フリップチップ接続採用する場合には、バンプが接合材７２と接続導体４とを兼ねることもできる。

図６（ｇ）は、蓋体３０を枠体６０に接着する工程ｇを示す。なお、図６（ｇ）は、全ての内部端子５と全ての電極３とを接続導体４で接続した後の状態である。枠体６０の下面６０２と蓋体３０の内面３０２の少なくとも一方（本例では内面３０２）に接着剤７３０を塗布する。図６（ｇ）に示す様に、蓋体３０の内面３０２のみに接着剤７３０を塗布すると良い。枠体６０よりも蓋体３０の方が平坦性が高く、接着剤７３０の塗布量を制御しやすいためである。典型的な接着剤７３０は光硬化性樹脂である。接着剤７３０の塗布には印刷法やディスペンス法等を用いることができる。

図６（ｈ）も、蓋体３０を枠体６０に接着する工程ｈを示す。蓋体３０を枠体６０の結合部分４１０上に乗せる。当然、この時点で、接着剤７３０は液体である。そのため、蓋体３０の自重あるいは押圧により蓋体３０が枠体６０に押し付けられることにより、余分な接着剤７３０は枠体６０と蓋体３０の間からはみ出す。その後、塗布された接着剤７３０を適当な方法で固化させる。これにより、液体である接着剤７３０は固体である接合材７３となり、接合材７３を介して枠体６０と蓋体３０とが接着される。接着剤７３０として光硬化性樹脂を用いるのは以下の理由が挙げられる。接着剤７３０を接合面の全周に形成される場合、接着剤７３０として熱硬化性接着剤を用いると、加熱時に内部空間８０が熱膨張して、内圧により液体状態の接着剤７３０を押し出してしまう可能性があるためである。光硬化性接着剤を用いるとこのような可能性はなくなる。なお、光硬化性接着剤を光硬化によって半硬化させた後であれば、後硬化として補助的に熱硬化を用いることができる。光硬化性の接着剤７３０を好適に用いるうえでは、蓋体３０は紫外線などの接着剤７３０が反応する波長に対して十分な光透過性を有することが好ましい。以上の様にして、電子部品１００を製造することができる。

上記工程において、基体２０と枠体６０は、接合材７１によってそれらの接合面の全周で接合されることが好ましい。また、蓋体３０と枠体６０も接合材７３によってそれらの接合面の全周で接合されることが好ましい。このように、全周を接着領域として、電子デバイス１０の周囲の内部空間８０を外部の空気に対して気密な空間とすることにより、内部空間８０への異物の侵入が抑制され、信頼性が向上する。気密性を確保するためには、十分な量の接着剤を用いればよい。

本発明の第七実施形態として、電子部品１００に関する製造方法の一例を説明する。図７は図４と同様の図１（ａ）、（ｂ）のＡ−ａ線における断面模式図である。

図７（ａ）は、基体２０を用意する工程ａを示す。上述したように基体２０は、内部端子５と埋設部６と外部端子７を有している。また基体２０は、基準面２０２を有し、内部端子５は基準面２０２に設けられている。基体２０の成形方法については、第一の実施形態で説明したものと同様である。

図７（ｂ）は、基体２０の周辺領域２２０の上に高熱伝導性部材４０を配置する工程ｂを示す。枠体６０を構成する高熱伝導性部材４０を用意し、基体２０の周辺領域２２０の上方に高熱伝導性部材４０を接触させる。高熱伝導性部材４０は接合部分４１０と不図示の拡張部分４２０を有するように、基体２０の上に配置される。高熱伝導性部材４０は、のちに基体２０側に位置することになる下面４０１と、のちに蓋体３０側に位置することになる上面４０２を有する。また、枠状の高熱伝導性部材４０は、内縁４０３と外縁４０５を有する。下面４０１が基体２０の周辺領域２２０に接触する。

このような、基体２０と高熱伝導性部材４０の配置は金型１００３と金型１００４との間においてなされる。金型１００３、１００４は後述する、樹脂からなる低熱伝導性部材５０の形状に応じた凹凸を有する。金型１００３は、外部端子７にモールド樹脂が付着しないように、外部端子７を低熱伝導性部材５０から隔離する隔壁部１０１３を有している。また、金型１００４は、内部端子５や中央領域２１０にモールド樹脂が付着しないように、内部端子５や中央領域２１０をモールド樹脂から隔離する隔壁１０１４を有している。

図７（ｃ）は、工程（ｂ）で高熱伝導性部材４０を基体２０に接触させた状態で、注入口１０００を介して樹脂を金型１００３と金型１００４の間に注入する。このように、トランスファーモールド法などの樹脂モールド法によって、樹脂からなる低熱伝導性部材５０を、高熱伝導性部材４０の表面に密着させて形成する。この時、低熱伝導性部材５０を基体２０にも接するように形成することによって、枠体６０の形成と、基体２０と枠体６０との固定を同時に実現できる。

図７（ｃ）で示した様に、高熱伝導性部材４０の上面４０１を覆う様に形成された低熱伝導性部材５０が枠体６０の上面６０１を構成する。高熱伝導性部材４０の内縁４０３を覆う様に形成された低熱伝導性部材５０が枠体６０の内縁６０３を構成する。高熱伝導性部材４０の外縁４０５を覆う様に形成された低熱伝導性部材５０が枠体６０の外縁６０５を構成する。また、高熱伝導性部材４０は、基体２０の外縁２０５を覆う様に形成されており、枠体６０と基体２０との接合強度を高めることができる。

低熱伝導性部材５０は、隔壁１０１３、１０１４によって、外部端子７や内部端子５や中央領域２１０を覆うことなく、形成される。従って、後で電子デバイス１０を配置する際に、低熱伝導性部材５０が電子デバイス１０と中央領域２１０の間に延在することがない。また、外部端子７や内部端子５の接続不良が抑制される。

その後の製造工程は、第六実施形態において図６（ｅ）〜（ｈ）を用いて説明した製造工程と同様に行えるため、説明を省略する。

本実施形態においては、基体２０と枠体６０の間に接合材７１を介さないことによって、接合材７１を介する形態と比較して、より放熱効率を向上させた電子部品１００を提供することができる。

また、基体２０と枠体６０の間に接合材７１を介さず、基体２０と枠体６０とを樹脂でモールドし、一体成形して形成することにより、基体２０と枠体６０との接合信頼性を向上させることができる。さらに、接合材７１を塗布する工程、接着、硬化させる工程が不要となるため、接合材７１にかかるコスト及び工程の削減が可能となる。

以上、第一〜七実施形態について説明したが、本発明には、いくつかの実施形態を組み合わせた実装部品や電子部品、電子機器およびこれらの製造方法が含まれる。

１０ 電子デバイス
２０ 基体
３０ 蓋体
４０ 高熱伝導性部材
４１０ 結合部分
４２０ 拡張部分
５０ 低熱伝導性部材
６０ 枠体
６０３ 枠体の内縁
６０５ 枠体の外縁
７０ 容器
１００ 電子部品

Claims (17)

1. 電子デバイスと前記電子デバイスを収容する容器とを備える電子部品であって、
   前記容器は、前記電子デバイスが固定された第一領域および前記第一領域の周囲の第二領域を有する基体と、空間を介して前記電子デバイスに対向する蓋体と、前記空間を囲むように前記第二領域に固定された枠体とを備え、
   前記枠体は、第一部材と、前記第一部材および前記基体よりも熱伝導率の低い第二部材とを含んでおり、
   前記第一部材は、前記基体の外縁よりも前記枠体の内縁側に位置する第一部分と前記基体の外縁よりも前記枠体の外縁側に位置する第二部分とを含み、
   前記第二部材は前記蓋体と前記第一部材との間に位置しており、前記第一部材と前記基体との最短距離は、前記第一部材と前記蓋体との最短距離よりも小さいことを特徴とする電子部品。
2. 前記第二部材のヤング率は前記第一部材のヤング率よりも低い、請求項１に記載の電子部品。
3. 前記電子デバイスと前記第一領域との最短距離は前記蓋体と前記枠体との最短距離よりも小さい、請求項１または２に記載の電子部品。
4. 前記第二部材は前記電子デバイスと前記第一領域との間に延在していない、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子部品。
5. 前記枠体は、前記第一部材と前記基体との間に設けられた接合材を介して、前記基体に固定されている、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子部品。
6. 前記第一部分が前記基体に接している、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子部品。
7. 前記基体は絶縁体であって、前記容器は、前記電子デバイスに接続された内部端子と、前記基体に埋設された埋設部を介して前記内部端子と電気的に接続され前記容器の外側に露出した外部端子と、を有しており、前記外部端子は、前記蓋体から前記基体への正射影領域に位置している、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子部品。
8. 前記枠体の内縁から前記枠体の外縁に向かう前記方向において、前記第二部分の長さが前記第一部分の長さよりも大きい、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電子部品。
9. 前記第二部分が前記容器の外側に露出していること、および、前記第二部分には貫通穴が設けられていることの少なくとも一方を満たす、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電子部品。
10. 前記枠体の前記内縁が前記第二部材で構成されている、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子部品。
11. 前記第一領域から前記蓋体に向かう方向において、前記第一部材の厚みが前記第二部材の厚みよりも大きい、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の電子部品。
12. 前記蓋体は、前記第二部材と前記蓋体との間に設けられた接合材を介して、前記枠体に固定されている、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の電子部品。
13. 前記第一部材は金属製であり、前記第二部材は樹脂製であり、前記基体はセラミック製である、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の電子部品。
14. 電子デバイスと前記電子デバイスを収容する容器とを備える電子部品であって、
    前記容器は、前記電子デバイスが固定された第一領域および前記第一領域の周囲の第二領域を有するセラミック製の基体と、空間を介して前記電子デバイスに対向する蓋体と、前記空間を囲むように前記第二領域に固定された枠体とを備え、
    前記枠体は、金属部材および樹脂部材を含んでおり、
    前記金属部材は、前記基体の外縁よりも前記枠体の内縁側に位置する第一部分と前記基体の外縁よりも前記枠体の外縁側に位置する第二部分とを含み、
    前記樹脂部材は前記蓋体と前記金属部材との間に位置しており、前記金属部材が前記基体に接していることを特徴とする電子部品。
15. 前記電子デバイスは撮像デバイスまたは表示デバイスである、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の電子部品。
16. 請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の電子部品と、前記第二部分が固定された筐体と、を備える電子機器。
17. 請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法であって、前記枠体を樹脂モールド法によって成形する、電子部品の製造方法。

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