JPS5860872A - 長尺読取センサ - Google Patents
長尺読取センサInfo
- Publication number
- JPS5860872A JPS5860872A JP56158630A JP15863081A JPS5860872A JP S5860872 A JPS5860872 A JP S5860872A JP 56158630 A JP56158630 A JP 56158630A JP 15863081 A JP15863081 A JP 15863081A JP S5860872 A JPS5860872 A JP S5860872A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reading
- sensors
- long
- sensor
- read
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
- H04N1/19—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays
- H04N1/195—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays the array comprising a two-dimensional array or a combination of two-dimensional arrays
- H04N1/19505—Scanning picture elements spaced apart from one another in at least one direction
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は適当な大きさの短尺素子を複数枚並べる事によ
り大きなビットが得られる長尺読取センサに関するもの
である。
り大きなビットが得られる長尺読取センサに関するもの
である。
現在ファクシミリ等の読取装置としては０σＤ型やＭＯ
Ｓ型が用いられているが、これら半導体センサではチッ
プの大きさに制限がある為に縮少光学素を用いる必要が
あり光路長が長くなり装置の小形化には不利である。ま
た結像調整が複雑であるなどの欠点を有している。これ
らを根本的に解決する方法として原稿幅と同一寸法をも
ち原稿にほぼ密着させて読みとる事の出来る紙幅長読取
素子が考案されている。しかしＡ４１１ｍ（２１０ｍｍ
）、１４幅（２５６ｍ ｍ）で全く欠陥のないセンサア
レイを作る事は容易でない。
Ｓ型が用いられているが、これら半導体センサではチッ
プの大きさに制限がある為に縮少光学素を用いる必要が
あり光路長が長くなり装置の小形化には不利である。ま
た結像調整が複雑であるなどの欠点を有している。これ
らを根本的に解決する方法として原稿幅と同一寸法をも
ち原稿にほぼ密着させて読みとる事の出来る紙幅長読取
素子が考案されている。しかしＡ４１１ｍ（２１０ｍｍ
）、１４幅（２５６ｍ ｍ）で全く欠陥のないセンサア
レイを作る事は容易でない。
本発明は前記した困難さを取り除く為に短尺の素子をつ
なぎあわす事によって紙幅長読取センサを提供するもの
である。
なぎあわす事によって紙幅長読取センサを提供するもの
である。
短尺素子をつなぎあわして紙幅長読取装置を作る事によ
って従来の紙幅長読取装置を作る方法に比して製造装置
の小型化、且つあらかじめ選別した短尺素子を用いるた
め歩留の向上等の改良がはかれると共に例えば０ＯＩ）
あるいはＭＯＳ型の様な半導体センサなどの本来は紙幅
長に出来ないものからも紙幅長読取センサを作る事を可
能にするものである。
って従来の紙幅長読取装置を作る方法に比して製造装置
の小型化、且つあらかじめ選別した短尺素子を用いるた
め歩留の向上等の改良がはかれると共に例えば０ＯＩ）
あるいはＭＯＳ型の様な半導体センサなどの本来は紙幅
長に出来ないものからも紙幅長読取センサを作る事を可
能にするものである。
本発明は以下の事を特徴としている。
（１）短尺素子と紙幅長藁板上の位置合わせをフォトリ
ソグラフィーのパターンによって行なう為に高精度に出
来る事。
ソグラフィーのパターンによって行なう為に高精度に出
来る事。
（２）接着をマスクアライメントのコンタクト方式即ち
基板とマスクを２００μ程度迄近接させ顕微鏡で見なが
ら位置合せをおこない、これが終了後両者を密着させこ
の時端部から接着剤をしみ込ませるか又はあらかじめマ
スク又は基板上に接着層を設けておき接着する方法と類
似な方式で行なう為に高精度な位置合わせにより接着が
出来る事。
基板とマスクを２００μ程度迄近接させ顕微鏡で見なが
ら位置合せをおこない、これが終了後両者を密着させこ
の時端部から接着剤をしみ込ませるか又はあらかじめマ
スク又は基板上に接着層を設けておき接着する方法と類
似な方式で行なう為に高精度な位置合わせにより接着が
出来る事。
（３）短尺素子を２つの役割に分は主部分とそれをつな
ぎあわせる部分にして、つなぎの部分のビット数を十分
小さくしそのための必要なメモリ容量を少なくしている
事、等の特徴を有するものである。
ぎあわせる部分にして、つなぎの部分のビット数を十分
小さくしそのための必要なメモリ容量を少なくしている
事、等の特徴を有するものである。
以下に図を参照して本発明による読取センサの製法及び
動作の概略を示す。
動作の概略を示す。
第１図は紙幅基板上に短尺素子（５１２ビツトぐらいの
非晶質薄膜センサ）をつなぎ合わせた例を示している。
非晶質薄膜センサ）をつなぎ合わせた例を示している。
非晶質薄膜センサは、例えばアモルファスカルコゲナイ
ドを常温下で真空蒸着法で形成する。
ドを常温下で真空蒸着法で形成する。
あらかじめ２−１．２−２・・・の様な主部分短尺上ン
サと３−１．５−２・・・の様なつなぎ部分短尺上ンサ
を作っておきこれをあらかじめ読ａＨ１号５、電源ライ
ン９、クロックパルス入力ライン７．８スタートパルス
入カラインなどをバタ＞ニングした紙幅長藁板１の上に
それぞれのあわせマーク１１に従って接着する。その後
以上述べたラインと短尺センサ２，３のラインを接続し
紙幅長読取七ンサを作るものである。
サと３−１．５−２・・・の様なつなぎ部分短尺上ンサ
を作っておきこれをあらかじめ読ａＨ１号５、電源ライ
ン９、クロックパルス入力ライン７．８スタートパルス
入カラインなどをバタ＞ニングした紙幅長藁板１の上に
それぞれのあわせマーク１１に従って接着する。その後
以上述べたラインと短尺センサ２，３のラインを接続し
紙幅長読取七ンサを作るものである。
この際つなぎ部分のセンサからの出力は−たんＲＡＭ４
に内蔵しておき主部分で読む時に先に読′んでいた信号
を出す様にする。
に内蔵しておき主部分で読む時に先に読′んでいた信号
を出す様にする。
第２図に示す様に例えばつなぎ部分をｍビット、つなぎ
部分と主部分とのセンサ間隔をｈビット、つなぎ部分の
センサ数をＰ個とすればＲＡＭ４としてはＩＩＩＸ立Ｘ
Ｐビット以上のメモリがあれば良い０ 例えば上記の様に主部分センサ２（５１２ビツトの薄膜
センサ）４個を用いるとすれば６個のつなぎ部分センサ
３が必要となり１０ビツト／ ｍ ｍの読取密度として
つなぎの間隔を例えば主部分間の間隔を１０−１１１１
．主部分つなぎ部分間隔を５ｍｍとすればそれぞれｍ、
ｎは１００ビツト、５０ビツトとなりＲＡＭとしては１
００Ｘ５０Ｘ３−１５．０００ビツト容量があれば良い
。
部分と主部分とのセンサ間隔をｈビット、つなぎ部分の
センサ数をＰ個とすればＲＡＭ４としてはＩＩＩＸ立Ｘ
Ｐビット以上のメモリがあれば良い０ 例えば上記の様に主部分センサ２（５１２ビツトの薄膜
センサ）４個を用いるとすれば６個のつなぎ部分センサ
３が必要となり１０ビツト／ ｍ ｍの読取密度として
つなぎの間隔を例えば主部分間の間隔を１０−１１１１
．主部分つなぎ部分間隔を５ｍｍとすればそれぞれｍ、
ｎは１００ビツト、５０ビツトとなりＲＡＭとしては１
００Ｘ５０Ｘ３−１５．０００ビツト容量があれば良い
。
また紙幅長当りの総読取りビット数は５１２ビット×４
個＋１００ビット×６個−２６４８ビツトとなる。
個＋１００ビット×６個−２６４８ビツトとなる。
第６Ｆｌ！Ｊに本構成の素子を働かすにセル７オツクレ
ンズアレイを示す。セルフォックアレイは１ビツト対応
の画素読取りに有利な光学系であり、円柱状のレンズを
複数領た−ばねたちのであり、図に示す様にセル７オツ
クを設計すればセルフォックレンズアレイとして全く無
駄のない光学系を組む事が出来る。
ンズアレイを示す。セルフォックアレイは１ビツト対応
の画素読取りに有利な光学系であり、円柱状のレンズを
複数領た−ばねたちのであり、図に示す様にセル７オツ
クを設計すればセルフォックレンズアレイとして全く無
駄のない光学系を組む事が出来る。
本発明による１実施例を第３図を用いて説明するに、図
は短尺の薄膜読取素子を用いて紙幅長の読取素子を作成
する場合を示す。基板１上にセンサ基板位置合わせマー
ク１１をセンサ基板当り複数箇所フォトリソグラフィー
で作る。またセンサ基板１６にも片面にその位置合わせ
マークに相当する接着の為の位置合わせマーク１５と片
面にセンサパターン１４をそれぞれフォトリソグラフィ
ーでパターニングする（両面露光）。
は短尺の薄膜読取素子を用いて紙幅長の読取素子を作成
する場合を示す。基板１上にセンサ基板位置合わせマー
ク１１をセンサ基板当り複数箇所フォトリソグラフィー
で作る。またセンサ基板１６にも片面にその位置合わせ
マークに相当する接着の為の位置合わせマーク１５と片
面にセンサパターン１４をそれぞれフォトリソグラフィ
ーでパターニングする（両面露光）。
続いてセンサ基板に所定の方法でセンサ及び駆動回路を
形成する。この後基板１上のパターンとセンサ基板１６
裏側の合わせマーク１５を用いて密着露光の要領で割基
板をコンタクトして接着さ。
形成する。この後基板１上のパターンとセンサ基板１６
裏側の合わせマーク１５を用いて密着露光の要領で割基
板をコンタクトして接着さ。
せる。この際あらかじめ短尺側にエポキシ系速乾性接着
剤を塗布しておき位置あわせの後フンタクトして一定時
間（３０〜６０８θＣ）保持して接層する。
剤を塗布しておき位置あわせの後フンタクトして一定時
間（３０〜６０８θＣ）保持して接層する。
最後にあらかじめ基板１上に設けておいた配線パターン
とセンサ基板上のパッドをワイヤーボンディング等で結
んで完成する。尚、表面のパッシベーション、即ち索子
表面の保護膜作成（ポリイミド等を用いた）はセンサ基
板作成時に既に形成本実施例では短尺センサ（主部）５
１２ビット×４個（読取密度１０ピツ）７ｍｍ）、短尺
センサ（つなぎ部）１２８ビツト（読取密度１０ビツト
／ ｍ ｍ） Ｘ ５個により２４３２ビツト（５１２
ｘ４＋１２８ｘ３）即ち有効読取長さ２４３ｍｍの長尺
−次元センサが得られる。
とセンサ基板上のパッドをワイヤーボンディング等で結
んで完成する。尚、表面のパッシベーション、即ち索子
表面の保護膜作成（ポリイミド等を用いた）はセンサ基
板作成時に既に形成本実施例では短尺センサ（主部）５
１２ビット×４個（読取密度１０ピツ）７ｍｍ）、短尺
センサ（つなぎ部）１２８ビツト（読取密度１０ビツト
／ ｍ ｍ） Ｘ ５個により２４３２ビツト（５１２
ｘ４＋１２８ｘ３）即ち有効読取長さ２４３ｍｍの長尺
−次元センサが得られる。
また他の実施例として、ＯＯＤあるいはＭＯＳ型の半導
体読取り素子を多数個つなぎあわせて紙幅長あるいは多
ビットのマツチチップ型読取素子を作る方法にも応用で
きる。不透明結晶よりなる半導体センサでは前に示した
様にセンサ基板の裏面に合わせマークを作って接着する
方法は用いられないが、例えば既に知られたシリコンウ
ェハーのエツチング法により第５図に示す様に異方性エ
ツチングによって貫通マーク１７を作りそれを下地の基
板側の合わせマーク１１とあわせる事で数μの精度で位
置合わせと接着が出来る。これは、ＩＢＭにより提案さ
れたシリコンウェハーのエツチング法でシリコン結晶（
１１０）面をエツチングすること、により、第５図で示
した如く反対側の面に中心位置の一致した正確なスルー
ホールを形成することのできる方法である。
体読取り素子を多数個つなぎあわせて紙幅長あるいは多
ビットのマツチチップ型読取素子を作る方法にも応用で
きる。不透明結晶よりなる半導体センサでは前に示した
様にセンサ基板の裏面に合わせマークを作って接着する
方法は用いられないが、例えば既に知られたシリコンウ
ェハーのエツチング法により第５図に示す様に異方性エ
ツチングによって貫通マーク１７を作りそれを下地の基
板側の合わせマーク１１とあわせる事で数μの精度で位
置合わせと接着が出来る。これは、ＩＢＭにより提案さ
れたシリコンウェハーのエツチング法でシリコン結晶（
１１０）面をエツチングすること、により、第５図で示
した如く反対側の面に中心位置の一致した正確なスルー
ホールを形成することのできる方法である。
本発明は短尺あるいは少ビットのセンサを基板１上にフ
ォトリソグラフィーで作った合わせマークをもとにして
コンタクト露光の方式を転用した接着によってつなぎあ
わす事で長尺・多ビットのマルチチップ読取素子を提供
する事であり、予め選別した短尺センサを世いる為、長
尺読取素子としての歩留りの著しい向上がはかれる。
ォトリソグラフィーで作った合わせマークをもとにして
コンタクト露光の方式を転用した接着によってつなぎあ
わす事で長尺・多ビットのマルチチップ読取素子を提供
する事であり、予め選別した短尺センサを世いる為、長
尺読取素子としての歩留りの著しい向上がはかれる。
また、製造時には短尺のセンサを作れば良い為に製造設
備の小型化もはかる事が出来る。
備の小型化もはかる事が出来る。
第１図は短尺素子を並べて構成した長尺読取素子構成図
。 第２図は短尺素子の主部分とつなぎ部の配置図。 第６図は位置合わせマーク、配線パターンを形成した長
尺基板図。 第４図は片面に位置合わせマーク、片面にセンサパター
ンを形成輸だ短尺素子概略図。 第５図は接着の為の位置合わせマークとして異方性エツ
チングの電通孔を利用した半導体センサへの応用図。 第６図は結像用セルフォックレンズアレイの配置図。 図中符号説明； １・・紙幅長基板 ２・・短尺センサ（主部分）６
・・短尺センサ（つなぎ部） ４・・つなぎ部分用ＲＡＭ ５．６・・読出し信号 ７・・駆動用クロック８・
・駆動用クロック ９・・電源ライン１１・・位置合わ
せマーク １２・・配線パターン １６・・センサ基板１４・・短
尺用センサパターン １５・・接着用合わせマーク １６・・半導体センサチップ １７・・異方性エツチングによる貫適合わせマーク１８
・・主部分セルフォックレンズアレイ１９・・つなぎ部
セルフォックレンズアレイ２０・・レンズスウント １０１−１・・主部分センサ部 １０１−２−・つなぎ部センサ部 １０２・・駆動回路部 特開昭５８−６０８７２（４） １１ｒ１図 第 ３ ― 第４図 ４ 第５図
。 第２図は短尺素子の主部分とつなぎ部の配置図。 第６図は位置合わせマーク、配線パターンを形成した長
尺基板図。 第４図は片面に位置合わせマーク、片面にセンサパター
ンを形成輸だ短尺素子概略図。 第５図は接着の為の位置合わせマークとして異方性エツ
チングの電通孔を利用した半導体センサへの応用図。 第６図は結像用セルフォックレンズアレイの配置図。 図中符号説明； １・・紙幅長基板 ２・・短尺センサ（主部分）６
・・短尺センサ（つなぎ部） ４・・つなぎ部分用ＲＡＭ ５．６・・読出し信号 ７・・駆動用クロック８・
・駆動用クロック ９・・電源ライン１１・・位置合わ
せマーク １２・・配線パターン １６・・センサ基板１４・・短
尺用センサパターン １５・・接着用合わせマーク １６・・半導体センサチップ １７・・異方性エツチングによる貫適合わせマーク１８
・・主部分セルフォックレンズアレイ１９・・つなぎ部
セルフォックレンズアレイ２０・・レンズスウント １０１−１・・主部分センサ部 １０１−２−・つなぎ部センサ部 １０２・・駆動回路部 特開昭５８−６０８７２（４） １１ｒ１図 第 ３ ― 第４図 ４ 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、同一基板上に第１読取用センナを複数個配列し、更
に該ｖＩ数の第１読取用センナ間の情報を読み取る少く
とも１個の第２読取用七ンサを設け、該複数の第１の１
取用センサと該第２の読取用量ンサで読み取った信号を
つなぎ合せて主走査を完結する事を特徴とする長尺読取
用センサ。 ２、特許請求の範囲第１項記載の第−及び第二の短尺読
取センサは夫々同一直線上に配列さ１れ、各々の直線は
平行である事を特徴とする長尺読取用センサ。 ３、特許請求の範囲第１項あるいは第２項記載の長尺読
取センサは該基板上に記憶素子が設けられ、該記憶素子
の記憶容量は少くとも第１及び第２の読取センナ間に存
在する読取るべきビット数以上である事を特徴とする長
尺読取センサ。 ４、特許請求の範囲第１項乃至第６項記載の長尺読取セ
ンサは該基板と該第１及び該第２の読取センサをフォト
リソグラフィーによる位置合せマークを用いて位置合せ
をおこない装着することを特徴とする長尺読取センサ。 ５、特許請求の範囲第１項乃至第６項記載の長尺読取セ
ンサは該基板に設けたフォトリングラフによる位置合せ
マークと第１及び第２の短尺読取センサに異方性エツチ
ングにより設けられた位置合せ穴とにより位置合せをお
こない装着することを特徴とする長尺読取センナ。 ６、特許請求の範囲第１項記載の長尺読取センサの各読
取センナ中５の素子の位置に合致して七ル７オツクレン
ズを配置した事を特徴とする長尺読取センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56158630A JPS5860872A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 長尺読取センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56158630A JPS5860872A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 長尺読取センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5860872A true JPS5860872A (ja) | 1983-04-11 |
Family
ID=15675903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56158630A Pending JPS5860872A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 長尺読取センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5860872A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61166267A (ja) * | 1985-01-18 | 1986-07-26 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 原稿読取りセンサ |
-
1981
- 1981-10-07 JP JP56158630A patent/JPS5860872A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61166267A (ja) * | 1985-01-18 | 1986-07-26 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 原稿読取りセンサ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4999077A (en) | Method of fabricating full width scanning or imaging arrays from subunits | |
| CN101494232B (zh) | 背照式固态图像拾取器件及使用该器件的相机模块 | |
| JP2002290842A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JP6003283B2 (ja) | 赤外線検知素子の製造方法、および赤外線検知素子 | |
| WO1993022787A1 (en) | Arrangement for mounting a lens to a solid state image sensor | |
| JP3120778B2 (ja) | 固体撮像装置およびその検査方法および製造方法 | |
| JPS5860872A (ja) | 長尺読取センサ | |
| JPH07121045B2 (ja) | 小型の走査アレイを組み合せて長尺のアレイを形成する方法 | |
| JP2918423B2 (ja) | 画像装置 | |
| JPH088414A (ja) | 画像読取装置の駆動回路チップ接続構造 | |
| JP2901223B2 (ja) | 画像装置 | |
| JPS60218870A (ja) | フオトセンサアレイ | |
| TW565920B (en) | Light emitting element array module and printer head and micro-display using the same | |
| JP3322979B2 (ja) | 画像装置 | |
| US7129529B2 (en) | Light emitting module | |
| JPH0125277B2 (ja) | ||
| JPS5879757A (ja) | カラ−イメ−ジセンサの製造方法 | |
| JP2004119602A (ja) | 半導体チップ、光半導体モジュール、および半導体チップの製造方法 | |
| JPH0749808Y2 (ja) | イメージセンサ | |
| JP2523880B2 (ja) | 密着型イメ―ジセンサ | |
| JPH0324823B2 (ja) | ||
| JPH0223782A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2813117B2 (ja) | 画像装置 | |
| JPH0462998A (ja) | 画像素子アレイチップの搭載方法 | |
| JPH03231478A (ja) | 発光素子または受光素子のアレイ、そのアレイを用いる印画または読取りのための装置、およびそのアレイの製造方法 |