JPS5879757A - カラ−イメ−ジセンサの製造方法 - Google Patents
カラ−イメ−ジセンサの製造方法Info
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- JPS5879757A JPS5879757A JP56178614A JP17861481A JPS5879757A JP S5879757 A JPS5879757 A JP S5879757A JP 56178614 A JP56178614 A JP 56178614A JP 17861481 A JP17861481 A JP 17861481A JP S5879757 A JPS5879757 A JP S5879757A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004040 coloring Methods 0.000 claims 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 241000255925 Diptera Species 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体素子を利用したカラーカメラなどのカ
ラーイメージセンサを製造する方法に関するもので弗る
。
ラーイメージセンサを製造する方法に関するもので弗る
。
周知のように、イメージセンサ（以下「センサ」と略称
する）には、大きく分けて、電荷結合素子（Ｏｈａｒｇ
ｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ ：０ＯＤ）を利用
したＯＯＤ形センサと、ＭＯ日トラ／ジスタ（以下ｒＭ
ＯＥＩＴＪと略称する）を利用したＭＯＢ形センナとが
ある。
する）には、大きく分けて、電荷結合素子（Ｏｈａｒｇ
ｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ ：０ＯＤ）を利用
したＯＯＤ形センサと、ＭＯ日トラ／ジスタ（以下ｒＭ
ＯＥＩＴＪと略称する）を利用したＭＯＢ形センナとが
ある。
以下ＭＯＢ形センナを例にとシ説明する。
第１図および第２図はそれぞれＭＯｆｌ形センサチップ
の一例の等価回路図および平面図である０図において、
実線で囲む（１）はＭＯ８形センサチップ、（２）は受
光ダイオ−） （２５Ｌ）がソースに接続されたＭＯ８
Ｔ（２ｂ）からなる受光セル、一点鎖線で囲む（３）は
複数個の受光セル（２）が水平（行）方向および垂直（
列）方向に配列され九光電変換部、（４）は光電変換部
（３）の各列の受光セル群毎に設けられ水平方向に配列
されたＭＯ８Ｔで、このＭＯ８Ｔ（４）のソースは尚蚊
列の受光セル群の各受光セル（２）のＭＯ８Ｔ（２ｂ）
のドレインに共通に接続されている。（６）はＭＯ８Ｔ
（４）のソースと接地点との間に接続されたコンデンサ
、（６）は水平方向に配列された各Ｍ ＯＳ、 Ｔ （
４）の共通ドレイン点と接地点との間に接続されたコン
デンサ、（７）はコンデンサ（６）の端子に接続され九
ポンディングパッド、（８）はポンディングパッド（７
）に入力側が接続された増幅回路、（９）は増幅回路（
８）の入力側に抵抗ａＯを介して接続されたバイアス電
源である。Ｑｌ）は各Ｍ ＯＢ Ｔ （４）のゲートが
接続されこれらのＭ Ｏ８Ｔ （４）を順次オン状態に
する水平方向のシフトレジスタ、（２）はシフトレジス
タα乃に接続されたポンディングパッド、（至）は光電
変換部（３）の各行の受光セル群の受光セル（２）のＭ
Ｏ８Ｔ（２１））のゲートが共通に接続され各行の受光
セル群の受光セル（２）のＭＯ８Ｔ（２１１１）を順次
垂直方向にオン状態にする垂直方向のシフトレジスタ、
α◆はシフトレジスタ（至）に接続されたポンディング
パッドである。第２図において、（２）はＭＯＢ形セン
サチップ（１）の表面の垂直側の両端縁中央部に設けら
れこのセンサチップ（１）の作成時に用いられるパター
ンマスクなどの位置合わせ用マークである。なお、ポン
ディングパッド（２）、（７）およびポンディングパッ
ドα→はそれぞれＭＯＢ形センサチップ（１）の表面の
水平側の両端縁部に設けられている。
の一例の等価回路図および平面図である０図において、
実線で囲む（１）はＭＯ８形センサチップ、（２）は受
光ダイオ−） （２５Ｌ）がソースに接続されたＭＯ８
Ｔ（２ｂ）からなる受光セル、一点鎖線で囲む（３）は
複数個の受光セル（２）が水平（行）方向および垂直（
列）方向に配列され九光電変換部、（４）は光電変換部
（３）の各列の受光セル群毎に設けられ水平方向に配列
されたＭＯ８Ｔで、このＭＯ８Ｔ（４）のソースは尚蚊
列の受光セル群の各受光セル（２）のＭＯ８Ｔ（２ｂ）
のドレインに共通に接続されている。（６）はＭＯ８Ｔ
（４）のソースと接地点との間に接続されたコンデンサ
、（６）は水平方向に配列された各Ｍ ＯＳ、 Ｔ （
４）の共通ドレイン点と接地点との間に接続されたコン
デンサ、（７）はコンデンサ（６）の端子に接続され九
ポンディングパッド、（８）はポンディングパッド（７
）に入力側が接続された増幅回路、（９）は増幅回路（
８）の入力側に抵抗ａＯを介して接続されたバイアス電
源である。Ｑｌ）は各Ｍ ＯＢ Ｔ （４）のゲートが
接続されこれらのＭ Ｏ８Ｔ （４）を順次オン状態に
する水平方向のシフトレジスタ、（２）はシフトレジス
タα乃に接続されたポンディングパッド、（至）は光電
変換部（３）の各行の受光セル群の受光セル（２）のＭ
Ｏ８Ｔ（２１））のゲートが共通に接続され各行の受光
セル群の受光セル（２）のＭＯ８Ｔ（２１１１）を順次
垂直方向にオン状態にする垂直方向のシフトレジスタ、
α◆はシフトレジスタ（至）に接続されたポンディング
パッドである。第２図において、（２）はＭＯＢ形セン
サチップ（１）の表面の垂直側の両端縁中央部に設けら
れこのセンサチップ（１）の作成時に用いられるパター
ンマスクなどの位置合わせ用マークである。なお、ポン
ディングパッド（２）、（７）およびポンディングパッ
ドα→はそれぞれＭＯＢ形センサチップ（１）の表面の
水平側の両端縁部に設けられている。
次に、ＭＯ８形センサチップ（１）の動作について説明
する。
する。
このＭＯＢ形センサチップ（１）の光電変換部（３）に
画像を照射すると、光電変換部（３）を構成する各受光
セル（２）の受光ダイオード（２ａ） Ｋこれらの受光
ダイオード（２ａ） Ｋ照射された上記画像の画素の光
量に対応した電荷量が発生する０このような状態におい
て、例えばシフトレジスタ（至）の作用によって光電変
換部（３）の第１行の受光セル群の各受光セル（２）の
ｎｏｓＴ（２ｂ）をオン状態にすると、この第１行の受
光セル群の各受光セル（２）の受光ダイオード（２ａ）
に発生した電荷量がこれらの受光セル（２）Ｋ対応する
コンデンサ（５）にそれぞれ蓄積される。次に、シフト
レジスタ（２）の作用によってＭＯ８Ｔ（４）を順次オ
ン状態にすると、コンデンサ（５）に蓄積された電荷量
が順次コンデンサ（６）に移動される。この移動された
電荷量によるコンデンサ（６）の電圧が順次増幅回路（
８）を通して外部に取シ出される。このようなシフトレ
ジスタ（至）および（２）の作用を繰返すことによって
、光電変換部（３）に照射された上記画像を垂直方向お
よび水平方向に走査し、上記画像の画素信号を外部に取
り出すことができる０ このＭＯＢ形センサチップ（１）を用いて赤（ロ）、緑
口）、青（ロ）の三原色の画像の画素信号が得られるよ
うＫしたＭＯａ形カラーセンサチップを作成する従来の
方法では、まず、第３図に平面図を示すように、第２図
に示したＭＯａ形センサチップ（１）を水平（行）方向
および垂直（列）方向に互いに隣接するように複数個そ
れぞれ作り込んだチップ形成ウェーハａ・を作成する。
画像を照射すると、光電変換部（３）を構成する各受光
セル（２）の受光ダイオード（２ａ） Ｋこれらの受光
ダイオード（２ａ） Ｋ照射された上記画像の画素の光
量に対応した電荷量が発生する０このような状態におい
て、例えばシフトレジスタ（至）の作用によって光電変
換部（３）の第１行の受光セル群の各受光セル（２）の
ｎｏｓＴ（２ｂ）をオン状態にすると、この第１行の受
光セル群の各受光セル（２）の受光ダイオード（２ａ）
に発生した電荷量がこれらの受光セル（２）Ｋ対応する
コンデンサ（５）にそれぞれ蓄積される。次に、シフト
レジスタ（２）の作用によってＭＯ８Ｔ（４）を順次オ
ン状態にすると、コンデンサ（５）に蓄積された電荷量
が順次コンデンサ（６）に移動される。この移動された
電荷量によるコンデンサ（６）の電圧が順次増幅回路（
８）を通して外部に取シ出される。このようなシフトレ
ジスタ（至）および（２）の作用を繰返すことによって
、光電変換部（３）に照射された上記画像を垂直方向お
よび水平方向に走査し、上記画像の画素信号を外部に取
り出すことができる０ このＭＯＢ形センサチップ（１）を用いて赤（ロ）、緑
口）、青（ロ）の三原色の画像の画素信号が得られるよ
うＫしたＭＯａ形カラーセンサチップを作成する従来の
方法では、まず、第３図に平面図を示すように、第２図
に示したＭＯａ形センサチップ（１）を水平（行）方向
および垂直（列）方向に互いに隣接するように複数個そ
れぞれ作り込んだチップ形成ウェーハａ・を作成する。
次に１チップ形成りエーハ（至）を互いに隣接するＭＯ
Ｂ形センサチップ（１）間の境界線で切断分割して個々
のＭＯ８形センサチップ（１）にする。一方、第４図に
平面図を示すように、第２図に示したＭＯ８形センサチ
ップ（１）の光電変換部（３）の受光セル（２）に対応
する部分をＲ，Ｇ、 Ｈの三原色からなる市松模様で着
色し九着色部（１７ａ）とＭＯ８形センサチップ（１）
の位置合わせマーク（至）に対応する部分に設けられた
位置合わせ用マーク（１７１）とを有するカラーフィル
タαηを作成する。次に、個々に分割され九ＭＯａ形セ
ンサチップ（１）の表面上にカラーフィルタＱ？ｌを、
位置合わせ用マーク゛（ト）と位置合わせ用マーク（１
７１））とが一致するようにして、接着剤で接着する０
このようにしソ、第５図（Ａ）および（Ｂ） Ｋそれぞ
れ平面図および側面図を示すようなＭＯＢ形カラーセン
サチップ（至）が得られる。
Ｂ形センサチップ（１）間の境界線で切断分割して個々
のＭＯ８形センサチップ（１）にする。一方、第４図に
平面図を示すように、第２図に示したＭＯ８形センサチ
ップ（１）の光電変換部（３）の受光セル（２）に対応
する部分をＲ，Ｇ、 Ｈの三原色からなる市松模様で着
色し九着色部（１７ａ）とＭＯ８形センサチップ（１）
の位置合わせマーク（至）に対応する部分に設けられた
位置合わせ用マーク（１７１）とを有するカラーフィル
タαηを作成する。次に、個々に分割され九ＭＯａ形セ
ンサチップ（１）の表面上にカラーフィルタＱ？ｌを、
位置合わせ用マーク゛（ト）と位置合わせ用マーク（１
７１））とが一致するようにして、接着剤で接着する０
このようにしソ、第５図（Ａ）および（Ｂ） Ｋそれぞ
れ平面図および側面図を示すようなＭＯＢ形カラーセン
サチップ（至）が得られる。
ところで、この従来の方法では、チップ形成ウェーハＱ
時を分割した個々のＭＯ８形センサチップ（１）毎に、
その表面上に、カラーフィルタＱ’／ｌを位置合わせし
て接着剤で接着するので、作業性が極めて悪いという欠
点があった。また、ＭＯ８形センサチップ（１）とカラ
ーフィルタαηとの位置合わせに１通常、１００〜２０
０倍の高拡大倍率を有する双眼顕微鏡が用いられている
が、この双眼顕微鏡の両対物レンズ間の間隔を１２〜１
５ ｍｍ程度以下にすることができないので、ＭＯ８形
センサチップ（１）の大きさが１０ｍｍ角以下である場
合には、このＭＯａ形センサチップ（１）の全体像を上
記双眼顕微鏡の視野内に捕えることができず、上記双眼
顕微鏡でＭＯ８形センサチップ（１）とカラーフィルタ
ａカとの正確な位置合わせは不可能であるという欠点も
あった。
時を分割した個々のＭＯ８形センサチップ（１）毎に、
その表面上に、カラーフィルタＱ’／ｌを位置合わせし
て接着剤で接着するので、作業性が極めて悪いという欠
点があった。また、ＭＯ８形センサチップ（１）とカラ
ーフィルタαηとの位置合わせに１通常、１００〜２０
０倍の高拡大倍率を有する双眼顕微鏡が用いられている
が、この双眼顕微鏡の両対物レンズ間の間隔を１２〜１
５ ｍｍ程度以下にすることができないので、ＭＯ８形
センサチップ（１）の大きさが１０ｍｍ角以下である場
合には、このＭＯａ形センサチップ（１）の全体像を上
記双眼顕微鏡の視野内に捕えることができず、上記双眼
顕微鏡でＭＯ８形センサチップ（１）とカラーフィルタ
ａカとの正確な位置合わせは不可能であるという欠点も
あった。
この発明は、上述の欠点に鑑みてなされたもので、複数
個のイメージセンサチップを行方向および列方向にそれ
ぞれ作り込んだチップ形成ウェーハの各行（または各列
）のイメージセンサチップ群の表面上に、上記各行（ｔ
たは上記各列）の上記イメージセンサチップの個数と同
一個数のカラーフィルタを一列に帯状に作り込んだ上記
各行（または上記各列）のカラーフィルタ群をそれぞれ
接着することによって、作業性を向上させることができ
、しかも高拡大倍率を有する双眼顕微鏡を用いて上記各
行（ｔたは上記各列）のイメージセンナチップ群と上記
各行（または上記各列）のカラーフィルタ群とのそれぞ
れの位置合わせを正確に行うことができるようにしたカ
ラーイメージセンサの製造方法を提供することを目的と
する０以丁、ＭＯＢ形カラーセンサチップを作成するこ
の発明の一実施例の方法を第２図ないし第７図について
説明する。
個のイメージセンサチップを行方向および列方向にそれ
ぞれ作り込んだチップ形成ウェーハの各行（または各列
）のイメージセンサチップ群の表面上に、上記各行（ｔ
たは上記各列）の上記イメージセンサチップの個数と同
一個数のカラーフィルタを一列に帯状に作り込んだ上記
各行（または上記各列）のカラーフィルタ群をそれぞれ
接着することによって、作業性を向上させることができ
、しかも高拡大倍率を有する双眼顕微鏡を用いて上記各
行（ｔたは上記各列）のイメージセンナチップ群と上記
各行（または上記各列）のカラーフィルタ群とのそれぞ
れの位置合わせを正確に行うことができるようにしたカ
ラーイメージセンサの製造方法を提供することを目的と
する０以丁、ＭＯＢ形カラーセンサチップを作成するこ
の発明の一実施例の方法を第２図ないし第７図について
説明する。
まず、第２図に示したＭＯＥＩ形センサチップ（１）を
行方向および列方向にそれぞれ複数個作り込んだ第３図
に示したチップ形成ウエーノ１０・を作成１７、このチ
ップ形成ウェーハ〇時の第ｍ行（ｍはユ、２．３−−−
−の行番号）のＭＯＢ形センサチップ群のＭＯＢ形セン
サチップ（１）の個数と同一個数の第４図に示したカラ
ーフィルタＱ′ｈが、第６図に平面図を示すように、−
列に帯状に作り込まれたカラーフィルタ群（１７−ｍ）
を作成する。次にチップ形成ウェーハ（６）の第ｍ行の
ＭＯ８形センサチップ群の表面上に、１００〜２００倍
の高拡大倍率を有する双眼顕微鏡を用いて第ｍ行のＭＯ
Ｂ形センサチップ群の両端のＭＯ８形センサチップ（１
）の位置合わせ用マーク（ト）とカラーフィルタ群（１
７−ｍ）の両端のカラーフィルタα力の位置合わせ用マ
ーク（１７１））とが一致するようにして、カラーフィ
ルタ群（１７−ｍ）を接着剤で接着すると、第７図に平
面図を示すように、チップ形成ウェーハα・のすべての
ＭＯＢ形センサチップ（１）の表面上にカラーフィルタ
Ｑ７）が接着されたカラーセンサチップ形成ウェーハ（
１６ａ）が得られる。しかるのち、カラーセンサチップ
形成ウェーハ（１６ａ）をカラーフィルタαηが表面上
に接着された個々のＭＯａ形センサチップ（１）に切断
分割すると、第５図に示したＭＯａ形カラーセンサチッ
プ（至）が得られる。
行方向および列方向にそれぞれ複数個作り込んだ第３図
に示したチップ形成ウエーノ１０・を作成１７、このチ
ップ形成ウェーハ〇時の第ｍ行（ｍはユ、２．３−−−
−の行番号）のＭＯＢ形センサチップ群のＭＯＢ形セン
サチップ（１）の個数と同一個数の第４図に示したカラ
ーフィルタＱ′ｈが、第６図に平面図を示すように、−
列に帯状に作り込まれたカラーフィルタ群（１７−ｍ）
を作成する。次にチップ形成ウェーハ（６）の第ｍ行の
ＭＯ８形センサチップ群の表面上に、１００〜２００倍
の高拡大倍率を有する双眼顕微鏡を用いて第ｍ行のＭＯ
Ｂ形センサチップ群の両端のＭＯ８形センサチップ（１
）の位置合わせ用マーク（ト）とカラーフィルタ群（１
７−ｍ）の両端のカラーフィルタα力の位置合わせ用マ
ーク（１７１））とが一致するようにして、カラーフィ
ルタ群（１７−ｍ）を接着剤で接着すると、第７図に平
面図を示すように、チップ形成ウェーハα・のすべての
ＭＯＢ形センサチップ（１）の表面上にカラーフィルタ
Ｑ７）が接着されたカラーセンサチップ形成ウェーハ（
１６ａ）が得られる。しかるのち、カラーセンサチップ
形成ウェーハ（１６ａ）をカラーフィルタαηが表面上
に接着された個々のＭＯａ形センサチップ（１）に切断
分割すると、第５図に示したＭＯａ形カラーセンサチッ
プ（至）が得られる。
この実施例の方法では、第ｍ行のＭｏｌ形センサチップ
群の表面上にカラーフィルタ群（ｌツーｍ）を接着する
ので、第ｍ行の複数個のＭＯＢ形センサチップ（１）の
表面上に同時にカラーフィルタαηを接着することがで
きる。従って、作業性の向上を図ることができる。また
、ＭＯＢ形センサチップ（１）の大きさが１０ｍｍ角程
度以下である場合でも、第ｍ行のＭＯＢ形センサチップ
群とカラーフィルタ群（１７−ｍ）とをそれぞれの両端
において位置合わせするので、この位置合わせを、１０
０〜２００倍の高拡大倍率を有する双眼顕微鏡を用いて
正確に行うことができる。
群の表面上にカラーフィルタ群（ｌツーｍ）を接着する
ので、第ｍ行の複数個のＭＯＢ形センサチップ（１）の
表面上に同時にカラーフィルタαηを接着することがで
きる。従って、作業性の向上を図ることができる。また
、ＭＯＢ形センサチップ（１）の大きさが１０ｍｍ角程
度以下である場合でも、第ｍ行のＭＯＢ形センサチップ
群とカラーフィルタ群（１７−ｍ）とをそれぞれの両端
において位置合わせするので、この位置合わせを、１０
０〜２００倍の高拡大倍率を有する双眼顕微鏡を用いて
正確に行うことができる。
この実施例では、チップ形成ウエーノ〜の各行のＭＯ８
形センサチップ群を用いる場合について述べたが、この
発明はチップ形成ウエーノ１の各列のＭＯＢ形センサチ
ップ群を用いる場合にも適用することができる。
形センサチップ群を用いる場合について述べたが、この
発明はチップ形成ウエーノ１の各列のＭＯＢ形センサチ
ップ群を用いる場合にも適用することができる。
なお、これまで、ＭＯＢ形カラーセ／サチップを作成す
る方法を例にとり述べたが、この発明はこれに限らず、
００Ｄ形カラーセンサチツプを作成する方法にも適用す
ることができる。
る方法を例にとり述べたが、この発明はこれに限らず、
００Ｄ形カラーセンサチツプを作成する方法にも適用す
ることができる。
以上、説明したように、この発明のカラーイメージセン
ナの製造方法では、被数個のイメージセンサチップを行
方向および列方向にそれぞれ作り込んだチップ形成ウェ
ーハの各行（または各列）のイメージセンサチップ群の
表面上に、上記各行（または上記各列）の上記イメージ
センサチップの個数と同一個数の力２−フィルタを一列
に帯状に作り込んだ上記各行（ｔたは上記各列）のカラ
ーフィルタ群を、それぞれの両端において位置合わせし
て接着剤でそれぞれ接着して上記チップ形成ウェーハの
すべての上記イメージセンサチップの表面上に上記カラ
ーフィルタが接着されたカラーイメージセンサチップ形
成ウェーハを作成し、このカラーイメージセンサチップ
形成ウェーハを、表面上に上記カラーフィルタを有する
個々のカラーイメージセンサチップに切断分離するので
、上記各行（または上記各列）の複数個の上記イメージ
センサチップの表面上に同時に上記カラーフィルタを接
着することができ、作業性の向上を図ることができる。
ナの製造方法では、被数個のイメージセンサチップを行
方向および列方向にそれぞれ作り込んだチップ形成ウェ
ーハの各行（または各列）のイメージセンサチップ群の
表面上に、上記各行（または上記各列）の上記イメージ
センサチップの個数と同一個数の力２−フィルタを一列
に帯状に作り込んだ上記各行（ｔたは上記各列）のカラ
ーフィルタ群を、それぞれの両端において位置合わせし
て接着剤でそれぞれ接着して上記チップ形成ウェーハの
すべての上記イメージセンサチップの表面上に上記カラ
ーフィルタが接着されたカラーイメージセンサチップ形
成ウェーハを作成し、このカラーイメージセンサチップ
形成ウェーハを、表面上に上記カラーフィルタを有する
個々のカラーイメージセンサチップに切断分離するので
、上記各行（または上記各列）の複数個の上記イメージ
センサチップの表面上に同時に上記カラーフィルタを接
着することができ、作業性の向上を図ることができる。
また、上記イメージセンサチップの大きさが１０ｍｍ角
程度以下である場合でも、上記各行（または上記各列）
のイメージセンサチップ群と上記各行（または上記各列
）のカラーフィルタ群とのそれぞれの位置合わせを、１
００〜２００倍の高拡大倍率を有する双成顕微鏡を用い
て正確に行うことができる。
程度以下である場合でも、上記各行（または上記各列）
のイメージセンサチップ群と上記各行（または上記各列
）のカラーフィルタ群とのそれぞれの位置合わせを、１
００〜２００倍の高拡大倍率を有する双成顕微鏡を用い
て正確に行うことができる。
第１図および第２図はそれぞれＭＯ８形センサチップの
一例の等価回路図および平面図、第５図はチップ形成ウ
ェーハを示す平面図、第４図はカラーフィルタを示す平
面図、第５図（Ａ）および（Ｂ）はそれぞれＭＯＢ形カ
ラーセンサチップを示す平面図および側面図、第６図は
カラーフィルタ群を示す平面図、第７図はカラーセンサ
チップ形成ウェーハを示す平面図である。 図において、（１）はＭＯＢ形センサチップ（イメージ
センサチップ） 、（２）は受光セル、（３）は光電変
換部、α呻はチップ形成ウェーハ、（１６ａ）はカラー
センサチップ形成ウェーハ、α力はカラーフィルタ、α
ｔｉ’ａ）は着色部、（１７−ｍ）は第ｍ行のカラーフ
ィルタ群、（至）はＭＯ８Ｏ８形−センサチップ（カラ
ーイメージセンサチップ）である〇 なお、図中同一符号はそれぞれ同一もしくは相当部分を
示す。 代理人 葛 野 信 〒（外１名） 第２図 第３図
一例の等価回路図および平面図、第５図はチップ形成ウ
ェーハを示す平面図、第４図はカラーフィルタを示す平
面図、第５図（Ａ）および（Ｂ）はそれぞれＭＯＢ形カ
ラーセンサチップを示す平面図および側面図、第６図は
カラーフィルタ群を示す平面図、第７図はカラーセンサ
チップ形成ウェーハを示す平面図である。 図において、（１）はＭＯＢ形センサチップ（イメージ
センサチップ） 、（２）は受光セル、（３）は光電変
換部、α呻はチップ形成ウェーハ、（１６ａ）はカラー
センサチップ形成ウェーハ、α力はカラーフィルタ、α
ｔｉ’ａ）は着色部、（１７−ｍ）は第ｍ行のカラーフ
ィルタ群、（至）はＭＯ８Ｏ８形−センサチップ（カラ
ーイメージセンサチップ）である〇 なお、図中同一符号はそれぞれ同一もしくは相当部分を
示す。 代理人 葛 野 信 〒（外１名） 第２図 第３図
Claims (1)
- （１） 照射光量に対応した電荷量を発生する複数個
の受光セルが水平（行）方向および垂直（列）方向にそ
れぞれ配列さられた光電変換部を有するイメージセンサ
チップを上記行方向および上記列方向に互いに隣接する
ように複数個作り込んだチップ形成ウェーハを作成する
工程、上記イメージセンサチップの上記光電変換部の上
記複数個の受光セルにそれぞれ対応する部分を所定の色
に着色した着色部を有、するカラーフ・イルタを上記チ
ップ形成ウェーハの各行（または各列）の上記イメージ
センサチップの個数と同一個数上記行方向（ｔたは上記
列方向）に−列に帯状に作り込んだ上記各行（または上
記各列）のカラーフィルタ群を作成する工程、上記チッ
プ形成ウェーへの上記各行（ｔシーフィルタ群をそれぞ
れの両端において位置合わせして接着剤でそれぞれ接着
して上記チップ形成ウェーハのすべての上記イメージセ
ンサチップの表面上に上記カラーフィルタが接着された
カラーイメージセンサチップ形成ウェーハを作成する工
程、およびこのカラーイメージセンサチップ形成ウェー
ハを表面上に上記カラーフィルタを有する個々やカラー
イメージセンサチップに切断分割する工程を備えたカラ
ーイメージセンサの製造方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56178614A JPS5879757A (ja) | 1981-11-07 | 1981-11-07 | カラ−イメ−ジセンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56178614A JPS5879757A (ja) | 1981-11-07 | 1981-11-07 | カラ−イメ−ジセンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5879757A true JPS5879757A (ja) | 1983-05-13 |
Family
ID=16051519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56178614A Pending JPS5879757A (ja) | 1981-11-07 | 1981-11-07 | カラ−イメ−ジセンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5879757A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60117867A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イメ−ジ・センサ |
| JPS6362267A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-18 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | レンズ付きモジユ−ルの製造方法 |
| EP1369743A2 (en) * | 2002-06-07 | 2003-12-10 | Brion Technologies, Inc. | Characterisation of lithography apparatus |
| US7053355B2 (en) | 2003-03-18 | 2006-05-30 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography process monitoring and control |
-
1981
- 1981-11-07 JP JP56178614A patent/JPS5879757A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60117867A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イメ−ジ・センサ |
| JPS6362267A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-18 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | レンズ付きモジユ−ルの製造方法 |
| EP1369743A2 (en) * | 2002-06-07 | 2003-12-10 | Brion Technologies, Inc. | Characterisation of lithography apparatus |
| EP1369743A3 (en) * | 2002-06-07 | 2005-11-30 | Brion Technologies, Inc. | Characterisation of lithography apparatus |
| US7053355B2 (en) | 2003-03-18 | 2006-05-30 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography process monitoring and control |
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