JPS60218870A - フオトセンサアレイ - Google Patents
フオトセンサアレイInfo
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- JPS60218870A JPS60218870A JP59074909A JP7490984A JPS60218870A JP S60218870 A JPS60218870 A JP S60218870A JP 59074909 A JP59074909 A JP 59074909A JP 7490984 A JP7490984 A JP 7490984A JP S60218870 A JPS60218870 A JP S60218870A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は画像情報処理装置の読取部として用いられる光
電変換装置において光信号の取出しのために用いられる
フォトセンサアレイに関する。
電変換装置において光信号の取出しのために用いられる
フォトセンサアレイに関する。
従来、ファクシミリやデジタルコピー等の画像情報処理
装置の読取部に用いられる光電変換装置において、結晶
シリコンからなる１次元のフォトダイオード屋長尺フォ
トセンサアレイが用いられていた。しかして、このフォ
トセンサアレイは、作製できるシリコン単結晶の大きさ
及び加工精度の点から、その長さに制限があった。そこ
で、読取原稿の幅が大きい場合には光学系を用いて原画
をフォトセンサアレイ上に縮小結像することが行なわれ
ていた。しかしながら、この様な縮小光学系を用いると
読取部の・小型化が困難になるという欠点があった。
装置の読取部に用いられる光電変換装置において、結晶
シリコンからなる１次元のフォトダイオード屋長尺フォ
トセンサアレイが用いられていた。しかして、このフォ
トセンサアレイは、作製できるシリコン単結晶の大きさ
及び加工精度の点から、その長さに制限があった。そこ
で、読取原稿の幅が大きい場合には光学系を用いて原画
をフォトセンサアレイ上に縮小結像することが行なわれ
ていた。しかしながら、この様な縮小光学系を用いると
読取部の・小型化が困難になるという欠点があった。
これに対し、最近ではグロー放電法、スノ母ッタリ１ン
グ法、イオンブレーティング法、真空蒸着法等の膜形成
法や結着樹脂と半導体材料とを混合して塗布する方法等
の開発が進められ、この技術を利用して長尺化及び大面
積化されたフォトセンサアレイが提供される様になった
。この様な長尺フオドセンサアレイを構成するフォトセ
ンサの一例としては、光導電材料として非晶質シリコン
、カルコゲナイド、ＣｄＳ 、 Ｃｄ５−８ｅ等を含む
光導電層上に光電変換部となる間隙を形成する様に対向
して設けられた一対の金属等からなる電極が設けられて
いるプレナー型の光導電型フォトセンサを挙げることが
できる。
グ法、イオンブレーティング法、真空蒸着法等の膜形成
法や結着樹脂と半導体材料とを混合して塗布する方法等
の開発が進められ、この技術を利用して長尺化及び大面
積化されたフォトセンサアレイが提供される様になった
。この様な長尺フオドセンサアレイを構成するフォトセ
ンサの一例としては、光導電材料として非晶質シリコン
、カルコゲナイド、ＣｄＳ 、 Ｃｄ５−８ｅ等を含む
光導電層上に光電変換部となる間隙を形成する様に対向
して設けられた一対の金属等からなる電極が設けられて
いるプレナー型の光導電型フォトセンサを挙げることが
できる。
第１図はこの様なプレナー型フォトセンサアレイの一例
を示す概略部分平面図でアシ、第２図はその■−■断面
図である。図において、１は基板であシ、２は該基板１
上に設けられたアモルファスシリコン光導電層であシ、
３は共通電極であり、４は個別電極である。各個別電極
４が共通電極３と対向せる間隙部分が光電変換部（即ち
画素）である。図において、画素は７ Ｘ ５ （＝３
５）個アレイ状に配列されている。該画素は７個にブロ
ック化され、各プロ、りには５個の画素が含まれている
。共通電極３は各プロ、り毎に１つ設けられている。ま
た、個別電極４の光電変換部と反対側の部分には絶縁層
５が付されておシ、該絶縁層５にはスルーホール６が形
成され、該絶縁層５上に設けられた５本の信号取出配線
７の各々に各ブロックの１つの個別電極が上記スルーホ
ール部において接続されている。従って、共通電極３の
７個の端子と取出配線の５個の端子とを駆動回路に接続
してマトリックス駆動を行なうことができる。
を示す概略部分平面図でアシ、第２図はその■−■断面
図である。図において、１は基板であシ、２は該基板１
上に設けられたアモルファスシリコン光導電層であシ、
３は共通電極であり、４は個別電極である。各個別電極
４が共通電極３と対向せる間隙部分が光電変換部（即ち
画素）である。図において、画素は７ Ｘ ５ （＝３
５）個アレイ状に配列されている。該画素は７個にブロ
ック化され、各プロ、りには５個の画素が含まれている
。共通電極３は各プロ、り毎に１つ設けられている。ま
た、個別電極４の光電変換部と反対側の部分には絶縁層
５が付されておシ、該絶縁層５にはスルーホール６が形
成され、該絶縁層５上に設けられた５本の信号取出配線
７の各々に各ブロックの１つの個別電極が上記スルーホ
ール部において接続されている。従って、共通電極３の
７個の端子と取出配線の５個の端子とを駆動回路に接続
してマトリックス駆動を行なうことができる。
ところで、第１図及び第２図においては画素数が３５個
の場合を例示したが、高画素密度の長尺フォトセンサア
レイにおいてはこの画素数がたとえば６４Ｘ３２＝（２
０４Ｂ）個となる。第３図はこの様なフォトセンサアレ
イの等価回路図である。第３図において、Ｃ１” Ｃ６
４は６４個の共通電極端子であシ、１１〜Ｉ３２は３２
個の個別電極の信号取出配線端子でｓｂ、Ｒ１−Ｒ２゜
４８は ′２０４８個の光電変換部である。このフォト
センサアレイにおいては、共通電極端子Ｃ１〜Ｃ６４に
順次電圧を印加し、個別電極の信号取出配線端子１１〜
ｌ１１２を順次駆動することによｐ出力を取出すことが
できる。このフォトセンサアレイにおいては端子Ｃ１〜
Ｃ６４及び１１〜Ｉ３−は駆動回路と接続されるが、従
来のこの種の７オトセンサアレイにおいては、第１図に
示されると同様な端子配置が採用されていた。即ち、第
４図に概略平面図を示す如く、フォトセンサのアレイ配
列方向の基板端部に端子Ｃｌ−Ｃ６４及びＩｌ〜Ｉ ３
’２が配置されている。
の場合を例示したが、高画素密度の長尺フォトセンサア
レイにおいてはこの画素数がたとえば６４Ｘ３２＝（２
０４Ｂ）個となる。第３図はこの様なフォトセンサアレ
イの等価回路図である。第３図において、Ｃ１” Ｃ６
４は６４個の共通電極端子であシ、１１〜Ｉ３２は３２
個の個別電極の信号取出配線端子でｓｂ、Ｒ１−Ｒ２゜
４８は ′２０４８個の光電変換部である。このフォト
センサアレイにおいては、共通電極端子Ｃ１〜Ｃ６４に
順次電圧を印加し、個別電極の信号取出配線端子１１〜
ｌ１１２を順次駆動することによｐ出力を取出すことが
できる。このフォトセンサアレイにおいては端子Ｃ１〜
Ｃ６４及び１１〜Ｉ３−は駆動回路と接続されるが、従
来のこの種の７オトセンサアレイにおいては、第１図に
示されると同様な端子配置が採用されていた。即ち、第
４図に概略平面図を示す如く、フォトセンサのアレイ配
列方向の基板端部に端子Ｃｌ−Ｃ６４及びＩｌ〜Ｉ ３
’２が配置されている。
以上の様なフォトセンサアレイにおいては、特に共通電
極端子ＣＩ’＝ＣＩ！４の配列ピッチを小さくすること
が要求される。即ち、この配列ピッチが大きいと基板１
上における共通電極３の引回し面積がかなシ大きくなシ
アレイのコンパクト化が実現できないからである。しか
るに、端子Ｃ１〜Ｃ６４及びＩＩ””ＩＩ２と駆動回路
との接続はフレキシブル配線板等によシ行なわれるが、
端子ピッチをあま夛小さくすると接続作業が困難となシ
エ数増大や歩留シ低下をまねくという欠点があった。
極端子ＣＩ’＝ＣＩ！４の配列ピッチを小さくすること
が要求される。即ち、この配列ピッチが大きいと基板１
上における共通電極３の引回し面積がかなシ大きくなシ
アレイのコンパクト化が実現できないからである。しか
るに、端子Ｃ１〜Ｃ６４及びＩＩ””ＩＩ２と駆動回路
との接続はフレキシブル配線板等によシ行なわれるが、
端子ピッチをあま夛小さくすると接続作業が困難となシ
エ数増大や歩留シ低下をまねくという欠点があった。
本発明線、以上の如き従来技術に鑑み、駆動回路との接
続作業性が良好で且つコンパクトなフォトセンサアレイ
を提供することを目的と、する。
続作業性が良好で且つコンパクトなフォトセンサアレイ
を提供することを目的と、する。
本発明によれば、以上の如き目的は、共通電極の電気的
接続端子を基板のアレイ配列方向に沿う辺部分に集結配
置せしめることによシ達成される。
接続端子を基板のアレイ配列方向に沿う辺部分に集結配
置せしめることによシ達成される。
以下、図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。
第５図は本発明フォトセンサアレイの実施例を示す概略
平面図である。図において、１は基板であシ、３は共通
電極であシ、４は個別電極である。
平面図である。図において、１は基板であシ、３は共通
電極であシ、４は個別電極である。
本実施例においては、画素数が第４図のものと同じ＜２
０４８個でワシ、図示はしないが共通電極３及び個別電
極４の間にそれらの配列方向に沿って１列に配列されて
いる。Ｃ１〜Ｃａ４及び■１〜Ｉ３．はそれぞれ共通電
極端子及び個別電極信号取出マトリックス配線端子であ
る。本実施例においては共通電極端子は８個ずつグルー
プ化されて基板１のプレイ配列方向に沿う辺部分に８ケ
所にわたって０１〜Ｇ８として集結配置せしめられてい
る。
０４８個でワシ、図示はしないが共通電極３及び個別電
極４の間にそれらの配列方向に沿って１列に配列されて
いる。Ｃ１〜Ｃａ４及び■１〜Ｉ３．はそれぞれ共通電
極端子及び個別電極信号取出マトリックス配線端子であ
る。本実施例においては共通電極端子は８個ずつグルー
プ化されて基板１のプレイ配列方向に沿う辺部分に８ケ
所にわたって０１〜Ｇ８として集結配置せしめられてい
る。
ここで、本実施例と第４図の従来例との比較を行なって
みる。共通電極端子配列ピッチが駆動回路との接続作業
性の極めて良好な１堵である場合には、第４図における
基板ｌの共通電極引回し部幅り、は約６４ｔｍ必要とな
るが、本実施例における共通電極引回し部幅Ｌ２は約５
ｍで十分である◇仮に、第４図においてＬ１＝５■の場
合には端子の配列密度が１３個／篩となシ、これは実質
上接続困難である。
みる。共通電極端子配列ピッチが駆動回路との接続作業
性の極めて良好な１堵である場合には、第４図における
基板ｌの共通電極引回し部幅り、は約６４ｔｍ必要とな
るが、本実施例における共通電極引回し部幅Ｌ２は約５
ｍで十分である◇仮に、第４図においてＬ１＝５■の場
合には端子の配列密度が１３個／篩となシ、これは実質
上接続困難である。
本実施例においては、共通電極端子と駆動回路との接続
をヒートシールコネクターを用いて作業者の目視による
位置合せによシ十分有効に行なうことができ、また一括
のホットスタンプに接続することができる。
をヒートシールコネクターを用いて作業者の目視による
位置合せによシ十分有効に行なうことができ、また一括
のホットスタンプに接続することができる。
以上の如き本発明によれば、駆動回路との接続作業性が
良好で且つコンパクトなフォトセンサアレイを提供する
ことができる。
良好で且つコンパクトなフォトセンサアレイを提供する
ことができる。
第１図は従来の７オトセンサアレイの部分平面図であシ
、第２図はその■−■断面図である。第３図はフォトセ
ンサアレイの等価回路図である。 第４図は従来のフォトセンサアレイの部分平面図である
。第５図は本発明フォトセンサアレイめ部分平面図であ
る。 １・・・基板、２・・・光導電層、３・・・共通電極、
４・・・個別電極、Ｃ・・・共通電極端子、■・・・個
別電極端子。 第１図 箪 ２ 図 ＠３図 ＠４図 第５図
、第２図はその■−■断面図である。第３図はフォトセ
ンサアレイの等価回路図である。 第４図は従来のフォトセンサアレイの部分平面図である
。第５図は本発明フォトセンサアレイめ部分平面図であ
る。 １・・・基板、２・・・光導電層、３・・・共通電極、
４・・・個別電極、Ｃ・・・共通電極端子、■・・・個
別電極端子。 第１図 箪 ２ 図 ＠３図 ＠４図 第５図
Claims (3)
- （１）基板上に複数の共通電極と該共通電極のそれぞれ
に対向して複数配置された個別電極とを有するフォトセ
ンサアレイにおいて、共通電極の電気的接続端子が基板
のアレイ配列方向に沿う辺部分に集結配置せしめられて
いることを特徴とする、フォトセンサアレイ。 - （２）共通電極の電気的接続端子が複数個ずつの複数の
グループ毎に集結配置せしめられている、第１項の７オ
トセンサアレイ。 - （３）個別電極が各共通電極に対応するブロック毎にマ
トリックス配線せしめられている、第１項のフォトセン
サアレイ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074909A JPS60218870A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | フオトセンサアレイ |
| US07/093,149 US4792671A (en) | 1984-04-16 | 1987-09-02 | Photosensor array having grouped electrodes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074909A JPS60218870A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | フオトセンサアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60218870A true JPS60218870A (ja) | 1985-11-01 |
Family
ID=13560981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59074909A Pending JPS60218870A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | フオトセンサアレイ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4792671A (ja) |
| JP (1) | JPS60218870A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5060071A (en) * | 1989-07-24 | 1991-10-22 | Ricoh Company, Ltd. | Full-size optical sensor device having improved driving means |
| US5905264A (en) * | 1996-08-14 | 1999-05-18 | Imarad Imaging Systems Ltd. | Semiconductor detector |
| US6034373A (en) * | 1997-12-11 | 2000-03-07 | Imrad Imaging Systems Ltd. | Semiconductor radiation detector with reduced surface effects |
| US11092701B1 (en) | 2020-07-07 | 2021-08-17 | GE Precision Healthcare LLC | Systems and methods for improved medical imaging |
| US11320545B2 (en) | 2020-07-07 | 2022-05-03 | GE Precision Healthcare LLC | Systems and methods for improved medical imaging |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02305064A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-18 | Nippon Steel Corp | 完全密着型イメージセンサ |
| US5231281A (en) * | 1990-09-12 | 1993-07-27 | Scabbard Technology, Inc. | Super-CCD with default distribution and its fabrication |
| US6346699B1 (en) * | 2000-01-04 | 2002-02-12 | Hewlett-Packard Company | Optical assembly having a reduced width |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4247874A (en) * | 1978-09-28 | 1981-01-27 | Northern Telecom Limited | Photoconductor device for imaging a linear object |
| JPS5582562A (en) * | 1978-12-18 | 1980-06-21 | Fuji Xerox Co Ltd | Pick up unit for original read-in |
| DE3112907A1 (de) * | 1980-03-31 | 1982-01-07 | Canon K.K., Tokyo | "fotoelektrischer festkoerper-umsetzer" |
| DE3177297T2 (de) * | 1980-12-10 | 1993-06-03 | Fuji Xerox Co Ltd | Laenglicher duennfilm-lesesensor. |
| JPH102990A (ja) * | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Gootec:Kk | チャンネルボックス用グラップル |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP59074909A patent/JPS60218870A/ja active Pending
-
1987
- 1987-09-02 US US07/093,149 patent/US4792671A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5060071A (en) * | 1989-07-24 | 1991-10-22 | Ricoh Company, Ltd. | Full-size optical sensor device having improved driving means |
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| US6034373A (en) * | 1997-12-11 | 2000-03-07 | Imrad Imaging Systems Ltd. | Semiconductor radiation detector with reduced surface effects |
| US11092701B1 (en) | 2020-07-07 | 2021-08-17 | GE Precision Healthcare LLC | Systems and methods for improved medical imaging |
| US11320545B2 (en) | 2020-07-07 | 2022-05-03 | GE Precision Healthcare LLC | Systems and methods for improved medical imaging |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4792671A (en) | 1988-12-20 |
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