JPS6269671A - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS6269671A JPS6269671A JP60208908A JP20890885A JPS6269671A JP S6269671 A JPS6269671 A JP S6269671A JP 60208908 A JP60208908 A JP 60208908A JP 20890885 A JP20890885 A JP 20890885A JP S6269671 A JPS6269671 A JP S6269671A
- Authority
- JP
- Japan
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- photodiodes
- read
- output circuit
- successively
- signal
- Prior art date
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- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 229920000136 polysorbate Polymers 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光の像を電気信号に変換するイメージセンサ
に関するものである。
に関するものである。
（従来の技術）
近年、イメージセンサは、情報処理機器のセンサとして
、重要視されてきた。
、重要視されてきた。
５９年度電子通信学会通信部門１全国大会８５７゜ＰＰ
３−２５２ ｒ ２次元、新密着型イメージセンサの検
討Ｊで報告されたものは、垂直方向信号線と水平方向信
号線との交点に光導電材料（アモルファスシリコン）に
よる抵抗体が設けられてなるものであり、各画素に対応
する光導電材料による抵抗体は、光が当ると抵抗値が減
少するという特性を持っている。この特性を利用して光
イメージの検出が行なえる。
３−２５２ ｒ ２次元、新密着型イメージセンサの検
討Ｊで報告されたものは、垂直方向信号線と水平方向信
号線との交点に光導電材料（アモルファスシリコン）に
よる抵抗体が設けられてなるものであり、各画素に対応
する光導電材料による抵抗体は、光が当ると抵抗値が減
少するという特性を持っている。この特性を利用して光
イメージの検出が行なえる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記のような構成では、まだ感度が十分
高くなく、また読み出し速度がおそいという欠点を有し
ていた。
高くなく、また読み出し速度がおそいという欠点を有し
ていた。
本発明の目的は、さらに高感度で読み出し速度の速いイ
メージセンサを提供するものである。
メージセンサを提供するものである。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決するために、本発明のイメージセンサ
は、基板上に設けられた相互に交差する第１および第２
の導電線の交点において、２個のフォトダイオードが逆
方向に直列接続されてなる光感応素子を上記第１および
第２の導電線間に設けるものである。
は、基板上に設けられた相互に交差する第１および第２
の導電線の交点において、２個のフォトダイオードが逆
方向に直列接続されてなる光感応素子を上記第１および
第２の導電線間に設けるものである。
（作 用）
上記の構成において、垂直方向の信号線に正のＡ？ルス
信号を印加することによって、２個のフォトダイオード
は逆方向バイアスに印加され、光電変換によって発生し
た電荷が逆バイアスによって作られたフォトダイオード
の容量に信号電荷として蓄積される。この結果、蓄積モ
ードの信号読み出しが可能となり、感度が大幅に増大し
、読み出し速度も速くなる。
信号を印加することによって、２個のフォトダイオード
は逆方向バイアスに印加され、光電変換によって発生し
た電荷が逆バイアスによって作られたフォトダイオード
の容量に信号電荷として蓄積される。この結果、蓄積モ
ードの信号読み出しが可能となり、感度が大幅に増大し
、読み出し速度も速くなる。
（実施例）
以下、実施例について、図面を参照しながら説明する。
、第１図は、本発明の一実施例における二次元イメージ
センサの等何回路を示したものである。第１図において
、ガラス基板１上に複数の垂直信号線２、水平信号線３
が配設され、それらの交点において、２個のフォトダイ
オード４が互いに逆方向直列接続されて構成された光感
応素子が、両信号線２，３に接続されている。
センサの等何回路を示したものである。第１図において
、ガラス基板１上に複数の垂直信号線２、水平信号線３
が配設され、それらの交点において、２個のフォトダイ
オード４が互いに逆方向直列接続されて構成された光感
応素子が、両信号線２，３に接続されている。
第２図は、イメージセンサの単位画素の模式的断面を示
したものであり、ガラス基板１上に垂直信号線２と透明
導電膜１１が設けられ、透明導電膜１１」二ニ、アモル
ファスシリコン（ａ−８ｔ）１２のＰ層、■層、Ｎ層が
順次積層されてなるフォトダイオード４が形成されてい
る。２つのフォトダイオード４は互いに逆方向に直列接
続され・るように上部電極１３がＡｔ配線１４によって
電気的に接続され、フォトダイオード４の一方は透明導
電膜１１を介して垂直信号線２に、他方は他の透明導電
膜１１を介して水平信号線３にそれぞれ接続されている
。
したものであり、ガラス基板１上に垂直信号線２と透明
導電膜１１が設けられ、透明導電膜１１」二ニ、アモル
ファスシリコン（ａ−８ｔ）１２のＰ層、■層、Ｎ層が
順次積層されてなるフォトダイオード４が形成されてい
る。２つのフォトダイオード４は互いに逆方向に直列接
続され・るように上部電極１３がＡｔ配線１４によって
電気的に接続され、フォトダイオード４の一方は透明導
電膜１１を介して垂直信号線２に、他方は他の透明導電
膜１１を介して水平信号線３にそれぞれ接続されている
。
以上のように構成された二次元イメージセンサについて
、以下その動作を説明する。
、以下その動作を説明する。
２個のフォトダイオード４は、逆／？イアスにセットさ
れ、フォトダイオードで光電変換が行なわれて信号電荷
が蓄積される。そして、垂直走査スイッチ５が、ＶＴ電
源（例えば７Ｖ）に接続され、さらに、水平走査スイッ
チ６が出力回路７に、接続された時、２つの信号線の交
点にあるフォトダイオード４に蓄積された信号電荷が出
力回路８に読み出される。
れ、フォトダイオードで光電変換が行なわれて信号電荷
が蓄積される。そして、垂直走査スイッチ５が、ＶＴ電
源（例えば７Ｖ）に接続され、さらに、水平走査スイッ
チ６が出力回路７に、接続された時、２つの信号線の交
点にあるフォトダイオード４に蓄積された信号電荷が出
力回路８に読み出される。
従って、水平走査スイッチ６を順次出力回路に接続し、
さらに垂直走査スイッチ５も順次■アに接続することに
より、二次元的に配列されたフォトダイオード４に蓄積
された信号電荷を順次読み出すことができる。
さらに垂直走査スイッチ５も順次■アに接続することに
より、二次元的に配列されたフォトダイオード４に蓄積
された信号電荷を順次読み出すことができる。
以上のように、本実施例によれば、蓄積モード型の信号
読み出しが可能であるため、より高感度で高速読み出し
が可能な二次元イメージセンサを実現することができる
。
読み出しが可能であるため、より高感度で高速読み出し
が可能な二次元イメージセンサを実現することができる
。
なお、本実施例ではフォトダイオードの下部電極に透明
材料を使用して、入射光はガラス基板方向としたがフォ
トダイオードの上部電極に透明金属材料を使用して、こ
の上部電極側から入射しても同様の効果が得られる。
材料を使用して、入射光はガラス基板方向としたがフォ
トダイオードの上部電極に透明金属材料を使用して、こ
の上部電極側から入射しても同様の効果が得られる。
（発明の効果）
以上のように、本発明によれば、蓄積モードの読み出し
が可能になり、感度も増大し、さらに読み出し速度も速
くすることができ、その実用的効果は大なるものがある
。
が可能になり、感度も増大し、さらに読み出し速度も速
くすることができ、その実用的効果は大なるものがある
。
第１図は、本発明の一実施例における二次元イメージセ
ンサの等価回路図、第２図は、同実施例における単位画
素の模式的断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・垂直信号線、３・・・水
平信号線、４・・・フォトダイオード、５・・・垂直走
査スイッチ、６・・・水平走査スイッチ。 第１図 第２図 ｉｇｈｔ ５・ ゼ慮灸會叉４．ヂ ６・赤子灸ｔ４＾、ｒ
ンサの等価回路図、第２図は、同実施例における単位画
素の模式的断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・垂直信号線、３・・・水
平信号線、４・・・フォトダイオード、５・・・垂直走
査スイッチ、６・・・水平走査スイッチ。 第１図 第２図 ｉｇｈｔ ５・ ゼ慮灸會叉４．ヂ ６・赤子灸ｔ４＾、ｒ
Claims (1)
- 基板上に第１及び第２の導電線が互いに交差して設けら
れ、その交点において、２個のフォトダイオードが互い
に逆方向に直列接続されてなる素子が、前記第１及び第
２の導電線にそれぞれ接続するように設けられているこ
とを特徴とするイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60208908A JPH0738437B2 (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60208908A JPH0738437B2 (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6269671A true JPS6269671A (ja) | 1987-03-30 |
| JPH0738437B2 JPH0738437B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=16564113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60208908A Expired - Fee Related JPH0738437B2 (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738437B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5276400A (en) * | 1989-09-23 | 1994-01-04 | University Of Edinburgh | Test circuit for imaging sensing integrated circuits |
| EP0622851A1 (en) * | 1993-04-24 | 1994-11-02 | Philips Electronics Uk Limited | Image sensor |
| JPH07147200A (ja) * | 1993-11-11 | 1995-06-06 | Alps Electric Co Ltd | 高周波マグネトロンプラズマ装置 |
| EP1061732A1 (fr) * | 1999-06-15 | 2000-12-20 | Commissariat A L'energie Atomique | Procédé de polarisation des photodiodes d'un capteur matriciel par leurs diodes/photodiodes connexes |
-
1985
- 1985-09-24 JP JP60208908A patent/JPH0738437B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5276400A (en) * | 1989-09-23 | 1994-01-04 | University Of Edinburgh | Test circuit for imaging sensing integrated circuits |
| EP0622851A1 (en) * | 1993-04-24 | 1994-11-02 | Philips Electronics Uk Limited | Image sensor |
| JPH07147200A (ja) * | 1993-11-11 | 1995-06-06 | Alps Electric Co Ltd | 高周波マグネトロンプラズマ装置 |
| EP1061732A1 (fr) * | 1999-06-15 | 2000-12-20 | Commissariat A L'energie Atomique | Procédé de polarisation des photodiodes d'un capteur matriciel par leurs diodes/photodiodes connexes |
| FR2795271A1 (fr) * | 1999-06-15 | 2000-12-22 | Commissariat Energie Atomique | Procede de polarisation des photodiodes d'un capteur matriciel par leurs pixels connexes |
| US6707497B1 (en) | 1999-06-15 | 2004-03-16 | Commissariat A L'energie Atomique | Method of biasing the photodiodes of a matrix sensor through associated pixels thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0738437B2 (ja) | 1995-04-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |