JPS6386564A - 読取装置 - Google Patents
読取装置Info
- Publication number
- JPS6386564A JPS6386564A JP61232143A JP23214386A JPS6386564A JP S6386564 A JPS6386564 A JP S6386564A JP 61232143 A JP61232143 A JP 61232143A JP 23214386 A JP23214386 A JP 23214386A JP S6386564 A JPS6386564 A JP S6386564A
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- JP
- Japan
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- thin film
- photoconductive thin
- electrode
- individual
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、たとえば画像処理装置の画像情報入力部に使
用される読取装置に関する。
用される読取装置に関する。
（従来の技術）
近年、光電変換部に光導電薄膜を用いた読取装置は、フ
ァクシミリやＯＣＲ等のＯＡ機器の画像情報入力部に採
用されつつある。
ァクシミリやＯＣＲ等のＯＡ機器の画像情報入力部に採
用されつつある。
このような読取装置は、光電変換部として絶縁基板上に
多数の光電変換画素を列設させてなる。
多数の光電変換画素を列設させてなる。
第４図および第５図はこのような光電変換画素の一例を
示すものである。同図において、符号１は絶縁基板であ
り、この絶縁基板１上に光導電薄膜２が形成されている
。そして、光導電薄膜２の両側から対向するように共通
型ｔｆ！３と個別電極４とが形成されてなるものである
。
示すものである。同図において、符号１は絶縁基板であ
り、この絶縁基板１上に光導電薄膜２が形成されている
。そして、光導電薄膜２の両側から対向するように共通
型ｔｆ！３と個別電極４とが形成されてなるものである
。
第６図は上記した光電変換画素を有する読取装置の光電
変換部の等価回路を示す図である。同図において、符号
５・・・は上記した光電変換画素における各光導電薄膜
であり、これら光導電薄ｖ４５の一方は同一の共通電極
６に接続され、他方はそれぞれ個別電極７・・・に接続
されている。そして共通電極６は電源端子（図示せず）
に接続され、また各個別電ｗ１．７は各スイッチング素
子８ａ、８１〕・・・を介して、同一の出力抵抗９に接
続されている。
変換部の等価回路を示す図である。同図において、符号
５・・・は上記した光電変換画素における各光導電薄膜
であり、これら光導電薄ｖ４５の一方は同一の共通電極
６に接続され、他方はそれぞれ個別電極７・・・に接続
されている。そして共通電極６は電源端子（図示せず）
に接続され、また各個別電ｗ１．７は各スイッチング素
子８ａ、８１〕・・・を介して、同一の出力抵抗９に接
続されている。
そして、スイッチング素子８ａ、８ｂ・・・は順次ＯＮ
状態にされていくが、その際、ＯＮ状態にされたスイッ
チング素子８の光導電薄膜５においては光の照度に応じ
た電流が電源端子側からこのスイッチング素子８側に流
れる。そして、この電流はスイッチング素子８を介して
、出力抵抗９に流れ、この出力抵抗９により電圧値とし
て検出される。すなわちこのような電圧値の検出を各ス
イッチング素子８ａ、８ｂ・・・のＯＮ状態時に行なう
ことにより、画像読取りが行なわれる。
状態にされていくが、その際、ＯＮ状態にされたスイッ
チング素子８の光導電薄膜５においては光の照度に応じ
た電流が電源端子側からこのスイッチング素子８側に流
れる。そして、この電流はスイッチング素子８を介して
、出力抵抗９に流れ、この出力抵抗９により電圧値とし
て検出される。すなわちこのような電圧値の検出を各ス
イッチング素子８ａ、８ｂ・・・のＯＮ状態時に行なう
ことにより、画像読取りが行なわれる。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで−ト記したような読取装置においては、スイッ
チング素子８の０Ｎ−ＯＦＦ動作により光導電薄ＷＡ５
に印加される電圧はパルス状のものになる。このため対
向する共通電極３（６）と個別電極４（７）間の寄生容
量に基因して光電変換部自体の応答速度が遅延するとい
う問題がある。
チング素子８の０Ｎ−ＯＦＦ動作により光導電薄ＷＡ５
に印加される電圧はパルス状のものになる。このため対
向する共通電極３（６）と個別電極４（７）間の寄生容
量に基因して光電変換部自体の応答速度が遅延するとい
う問題がある。
また、光の照度に応じて光導電薄Ｍ２（５）がら流出さ
れた電流を出力抵抗９により電圧値として検出している
ため、配線容量の１０（第６図参照）に基因して応答速
度が遅延するという問題がある。
れた電流を出力抵抗９により電圧値として検出している
ため、配線容量の１０（第６図参照）に基因して応答速
度が遅延するという問題がある。
本発明はこのような問題を解決するためになされたもの
で、高速の読取り速度を有する読取装置を提供すること
を目的としている。
で、高速の読取り速度を有する読取装置を提供すること
を目的としている。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
すなわち本発明の読取装置は、光導電薄膜と、この光導
電薄膜の一方側に接続されかつ電源に接続された共通電
極と、前記光導電薄膜の他方側に接続されかつスイッチ
ング素子に接続された個別電極とを有する読取装置にお
いて、前記個別電極が、抵抗を介して接地されているこ
とを特徴としている。
電薄膜の一方側に接続されかつ電源に接続された共通電
極と、前記光導電薄膜の他方側に接続されかつスイッチ
ング素子に接続された個別電極とを有する読取装置にお
いて、前記個別電極が、抵抗を介して接地されているこ
とを特徴としている。
また第２の発明は、光導電薄膜と、この光導電薄膜の一
方側に接続されかつ電源に接続された共通電極と、前記
光導電薄膜の他方側に接続されがつ抵抗を介して接地さ
れた個別ｖＬ極とを有する読取装置において、前記個別
電極が、インピーダンス変換回路を介してスイッチング
素子に接続されていることを特徴としている。
方側に接続されかつ電源に接続された共通電極と、前記
光導電薄膜の他方側に接続されがつ抵抗を介して接地さ
れた個別ｖＬ極とを有する読取装置において、前記個別
電極が、インピーダンス変換回路を介してスイッチング
素子に接続されていることを特徴としている。
（作 用）
本発明の読取装置において、個別電極が、抵抗を介して
接地されているので、寄生容量に基因する応答速度の遅
延を防止することができる。
接地されているので、寄生容量に基因する応答速度の遅
延を防止することができる。
また第２の発明において、個別電極が、インピーダンス
変換回路を介してスイッチング素子に接続されているの
で、配線容量に基因する応答速度の遅延を防止すること
ができる。
変換回路を介してスイッチング素子に接続されているの
で、配線容量に基因する応答速度の遅延を防止すること
ができる。
しかして、高速の読取り速度が実現可能となる。
（実施例）
以下、本発明の実施例の詳細を図面に基づいて説明する
。
。
この実施例の読取装置は、光電変換部として絶縁基板上
に多数の光電変換画素を列設させてなるものであり、第
１図および第２図はその光電変換画素を示す国である。
に多数の光電変換画素を列設させてなるものであり、第
１図および第２図はその光電変換画素を示す国である。
同図において、符号１１は絶縁基板であり、この絶縁基
板１１」−に光導電薄膜１２が形成されている。そして
、この光導電薄膜１２の両側から対向するよう共通電極
１３と個別電極１４とが形成されている。また、個別電
極１４は絶縁基板１１上に形成されグランドに接地され
たグランド電極１５と抵抗体層１６を介して接続されて
いる。なお、共通電極１３と個別電極１４とはそれぞれ
相手電極に向けてくし歯形状とされ、かつ、これらが交
差するように配置されており、これら電極間の対向幅を
大きくすることによりこれら電極間を流れる電流の増加
を図っている。
板１１」−に光導電薄膜１２が形成されている。そして
、この光導電薄膜１２の両側から対向するよう共通電極
１３と個別電極１４とが形成されている。また、個別電
極１４は絶縁基板１１上に形成されグランドに接地され
たグランド電極１５と抵抗体層１６を介して接続されて
いる。なお、共通電極１３と個別電極１４とはそれぞれ
相手電極に向けてくし歯形状とされ、かつ、これらが交
差するように配置されており、これら電極間の対向幅を
大きくすることによりこれら電極間を流れる電流の増加
を図っている。
第３図は上記した光電変換画素を有する読取装置の光電
変換部の等価回路を示す図である。同図において、符号
１７・・・は上記した光電変換画素における各光導電薄
膜であり、これら光導電薄膜１７の一方は同一の共通電
極１８に接続され、他方はそれぞれ個別電極１９・・・
に接続されている。そして、共通型ｖｉ！１８は電源端
子（図示せず）に接続され、また個別電極１９は、それ
ぞれポルチージフォロア２０・・・、スイッチング素子
２１ａ、２１ｂ・・・を介して同一の出力端子２２に接
続されている。さらに、各個別電極１つはそれぞれ第１
図および第２国に示した抵抗体層１６としての固定抵抗
２３を介して同一のグランド電極２４（１５）に接地さ
れている。
変換部の等価回路を示す図である。同図において、符号
１７・・・は上記した光電変換画素における各光導電薄
膜であり、これら光導電薄膜１７の一方は同一の共通電
極１８に接続され、他方はそれぞれ個別電極１９・・・
に接続されている。そして、共通型ｖｉ！１８は電源端
子（図示せず）に接続され、また個別電極１９は、それ
ぞれポルチージフォロア２０・・・、スイッチング素子
２１ａ、２１ｂ・・・を介して同一の出力端子２２に接
続されている。さらに、各個別電極１つはそれぞれ第１
図および第２国に示した抵抗体層１６としての固定抵抗
２３を介して同一のグランド電極２４（１５）に接地さ
れている。
次に、このように構成された本実施例の読取装置の動作
を第３国に基づいて説明する。
を第３国に基づいて説明する。
まず、共通型！１ｉ１１８は図示しない電源端子に接続
され、また各個別電極１９は固定抵抗２３を介してグラ
ンド電極２４に接地されているため、各光導電薄膜１７
においては照度に応じた電流が定常的に流れている。一
方、各個別電極１９の電位は各光導電薄膜１７と各固定
抵抗２３との比により決定されるものがあるが、各光導
電薄膜１７は照度に応じて抵抗値が変化する可変抵抗の
機能を有しているものであるため、各個別電極１９の電
位は照度に応じて変化することになる。そしてこの各個
別電極１９の電位を各ボルテージフォロア２０でインピ
ーダンス変換を行なったものを順次スイッチング素子２
１ａ、２１ｂ・・・・・・を介して同一の出力端子２２
から出力させ、各光導電薄Ｍ１７かへのシリアル信号を
得ている。
され、また各個別電極１９は固定抵抗２３を介してグラ
ンド電極２４に接地されているため、各光導電薄膜１７
においては照度に応じた電流が定常的に流れている。一
方、各個別電極１９の電位は各光導電薄膜１７と各固定
抵抗２３との比により決定されるものがあるが、各光導
電薄膜１７は照度に応じて抵抗値が変化する可変抵抗の
機能を有しているものであるため、各個別電極１９の電
位は照度に応じて変化することになる。そしてこの各個
別電極１９の電位を各ボルテージフォロア２０でインピ
ーダンス変換を行なったものを順次スイッチング素子２
１ａ、２１ｂ・・・・・・を介して同一の出力端子２２
から出力させ、各光導電薄Ｍ１７かへのシリアル信号を
得ている。
しかして、各光導電薄膜１７には定常的に電圧が印加さ
れいるため、対向する共通電極１８と個別型ｆｆ１１９
間の寄生容量に基因する光電変換部自体の応答速度の遅
延は無視することができる程度に小さなものとなり、ま
た出力端子２２から出力される信号はボルテージフォロ
ア２０によりインピーダンス変換されたものすなわち低
抵抗出力とされているため、配線容量２５（第３図参照
）に基因する応答速度の遅延も非常に小さなものとなる
。
れいるため、対向する共通電極１８と個別型ｆｆ１１９
間の寄生容量に基因する光電変換部自体の応答速度の遅
延は無視することができる程度に小さなものとなり、ま
た出力端子２２から出力される信号はボルテージフォロ
ア２０によりインピーダンス変換されたものすなわち低
抵抗出力とされているため、配線容量２５（第３図参照
）に基因する応答速度の遅延も非常に小さなものとなる
。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の読取装置によれば、寄生容
量および配線容量に基因する応答速度の遅延を防止して
いるので、高速の応答速度を得ることが可能となる。
量および配線容量に基因する応答速度の遅延を防止して
いるので、高速の応答速度を得ることが可能となる。
第１図は本発明の一実施例に係る読取装置の光電変換画
素を示す正面図、第２図は第１図の縦断面図、第３図は
この実施例に係る読取装置の光電変換部の等価回路を示
す回路図、第４図は従来の読取装置の光電変換画素を示
す正面図、第５図は第４図の縦断面図、第６図は従来の
光電変換部の等価回路を示す回路図である。 １２．１７・・・・・・・・・光導電薄膜１３．１８・
・・・・・・・・共通電極１４．１９・・・・・・・・
・個別電極１５．２４・・・・・・・・・グランド電極
１６・・・・・・・・・抵抗体層 ２０・・・・・・・・・ボルテージフォロア２１・・・
・・・スイッチング素子 ２３・・・・・・・・・固定抵抗 出願人 株式会社 東芝 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第１図 ン 第２図 第５図 第３図 第６図
素を示す正面図、第２図は第１図の縦断面図、第３図は
この実施例に係る読取装置の光電変換部の等価回路を示
す回路図、第４図は従来の読取装置の光電変換画素を示
す正面図、第５図は第４図の縦断面図、第６図は従来の
光電変換部の等価回路を示す回路図である。 １２．１７・・・・・・・・・光導電薄膜１３．１８・
・・・・・・・・共通電極１４．１９・・・・・・・・
・個別電極１５．２４・・・・・・・・・グランド電極
１６・・・・・・・・・抵抗体層 ２０・・・・・・・・・ボルテージフォロア２１・・・
・・・スイッチング素子 ２３・・・・・・・・・固定抵抗 出願人 株式会社 東芝 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第１図 ン 第２図 第５図 第３図 第６図
Claims (2)
- （１）光導電薄膜と、この光導電薄膜の一方側に接続さ
れかつ電源に接続された共通電極と、前記光導電薄膜の
他方側に接続されかつスイッチング素子に接続された個
別電極とを有する読取装置において、前記個別電極が、
抵抗を介して接地されていることを特徴とする読取装置
。 - （２）光導電薄膜と、この光導電薄膜の一方側に接続さ
れかつ電源に接続された共通電極と、前記光導電薄膜の
他方側に接続されかつ抵抗を介して接地された個別電極
とを有する読取装置において、前記個別電極が、インピ
ーダンス変換回路を介してスイッチング素子に接続され
ていることを特徴とする読取装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61232143A JPS6386564A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61232143A JPS6386564A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 読取装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6386564A true JPS6386564A (ja) | 1988-04-16 |
Family
ID=16934667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61232143A Pending JPS6386564A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6386564A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007198709A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Toyox Co Ltd | 流体保温多束ホース |
| KR102012588B1 (ko) * | 2018-03-19 | 2019-08-20 | 김찬한 | 다중의 열교환유로구가 구성된 다중열교환장치의 구조와 그를 이용한 다양한 다중열교환장치와 그 방법 |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP61232143A patent/JPS6386564A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007198709A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Toyox Co Ltd | 流体保温多束ホース |
| KR102012588B1 (ko) * | 2018-03-19 | 2019-08-20 | 김찬한 | 다중의 열교환유로구가 구성된 다중열교환장치의 구조와 그를 이용한 다양한 다중열교환장치와 그 방법 |
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