KR890011120A - 고체촬상소자 - Google Patents

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KR890011120A
KR890011120A KR1019880016107A KR880016107A KR890011120A KR 890011120 A KR890011120 A KR 890011120A KR 1019880016107 A KR1019880016107 A KR 1019880016107A KR 880016107 A KR880016107 A KR 880016107A KR 890011120 A KR890011120 A KR 890011120A
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semiconductor substrate
signal line
impurity region
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하지메 아끼모도
싱야 오오바
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미따 가쯔시게
가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼
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Abstract

내용 없음

Description

고체촬상소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 일실시예인 고체촬상장치의 1화소당의 단면구조 및 그 평면레이아우트를 표시한 도면.
제5도는 본 발명의 일실시예인 고체촬상장치의 구성을 표시한 회로도.

Claims (17)

  1. 제1도전형의 반도체기판내에 매트릭스형상으로 배열되고, 입사광에 대응한 신호전하를 축적하는 복수개의 광전변환소자와, 소정 방향열의 상기 광전변환소자의 상기 신호전하를 그 소정방향으로 전송하기 위한 제1의 신호선과, 상기 관전변환소자에 축적되어 있는 상기 신호 전하를 상기 제1의 신호선으로 전송하기 위한 제1의 스위치 수단과, 상기 제1의 신호선으로 부터의 상기 신호전하를 출력단부에 전송하는 제2의 신호선과, 상기 제1의 신호선의 상기 신호전하를 상기 제2의 신호선으로 전송하기 위한 제2의 스위치수단과, 상기 제1 및 제2의 스위치 수단을 소정의 순서로 주사하기 위한 주사 수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1의 스위치수단은, 적어도 1개의 MOS형 트랜지스터로 구성되고, 이 MOS형 트랜지스터는 상기 광전변환소자에 대한 상기 입사광의 통과경로내에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 촬상장치.
  3. 제1도전형의 반도체기판내에 매트릭스형상으로 배열되고, 입사광에 대응한 신호전하를 축적하는 복수개의 광전변환소자와, 소정 방향렬의 상기 광전변환소자의 상기 신호전하를 그 소정방향으로 전송하기 위한 제1의 신호선과, 상기 광전변환소자에 축적되어 있는 상기 신호 전하를 상기 제1의 신호선으로 전송하기 위한 제1의 스위치수단과, 상기 제1의 신호선으로부터의 상기 신호전하를 출력단부로 전송하는 제2의 신호선과, 상기 제1의 신호선의 상기 신호전하를 상기 제2의 신호선으로 전송하기 위한 제2의 스위치수단과, 상기 제1및 제2의 스위치 수단을 소정의 순서로 주사하기 위한 주사수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 스위치수단은 상기 광전변환소자의 일부를 제1의 전극으로 하는 제1의 MOS형 트래지스터와, 이 제1의 MOS형 트랜지스터의 제2의 전극에 제1의 전극이 접속되고, 상기 제1의 신호선에 제2의 전극이 접속된 제2의 MOS트랜지스터로 구성되고, 상기 제1의 MOS형 트랜지스터는 상기 반도체기판내에 형성되고, 상기 제2의 MOS형 트랜지스터는 상기 반도체기판상에서, 또한 상기 광전변환소자에 대한 상기 입사광의 통과경로내 절연막을 개재해서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  5. 제3항 및 제4항에 있어서, 상기 광전변환소자는, 상기 반도체기판과, 그속에 형성된 제2도전형의 제1의 불순물영역으로 이루어진 pn접합으로 구성되고, 상기 제1의 MOS형 트랜지스터는, 상기 제1의 불순물영역으로 이루어진 제1의 전극과, 상기 반도체기판속에 형성된 제2도전형의 제2의 불순물영역으로 이우러진 전극과, 상기 반도체 기판상에 절연막을 개재해서 형성된 게이트전극으로 이루어지고, 상기 제2의 MOS형 트랜지스터는 상기 반도체기판상에 절연막을 개재해서 형성된 제1도전형의 반도체막속에 형성된 제2도전형의 제3및 제4의 불순물 영역으로 이루어진 제1 및 제2의 전극과, 상기 반도체막상에 절연막을 개재해서 형성된 게이트 전극으로 형성된 것을 특징으로 하는 고체 촬상장치.
  6. 제1도전형의 반도체기판내에 매트릭스형상으로 배열되고, 입사광에 대응한 전호전하를 축적하는 복수개의 광전변환소자와, 소정방향렬의 상기 광전변환소자의 상기 신호전하에 의해서 발생하는 신호를 그소정방향으로 전송하기 위한 제1의 신호선과, 상기 광전변환소자에 축적되어 있는 상기 신호전하에 의해서 발생하는 신호를 상기 제1의 신호선으로 전송하기 위한 제1의 스위치수단과, 상기 제1의 신호선으로부터의 상기 신호전하를 출력단부로 전송하는 제2의 신호선고, 상기 제1의 신호선의 상기 신호전하를 상기 제2의 신호선으로 전송하기 위한 제2의 스위치 수단과, 상기 제1 및 제2의 스위치 수단을 소정의 순서로 주사하기 위한 주사수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1의 스위치 수단은, 상기 광전변환소자에 축적되어있는 상기 신호전하를 전류 또는 전압으로 변환증폭하고, 상기 제1의 신호선으로 출력하기 위한 증폭수단과, 상기 복수개의 광전변화소자중에서 소정의 것을 선택하고, 선택된 광선변환소자의 전화를 상기 증폭수단의 입렵구에 공급하기 위한 선택스위치 수단과, 상기 증폭수단의 입력부의 전하를 리세트하기 위한 리세트수단으로 구성되고, 상기 선택스위치수단은 상기 반도체 기판내에 형성되고, 상기 증폭수단 및 리세트수단은 상기 반도체기판상에서, 또한 상기 광전변환소자에 대한 상기입사광의 통과경로내에 절연막을 개재해서 형성되어 있는 것을 특징으로하는 고체촬상장치.
  8. 제6항 및 제7항에 있어성, 상기 광전변환소자는, 상기 반도체기판과, 그속에 형성된 제2도전형의 제1의 불순물 영역으로 이루어진 pn접합으로 구성되고, 상기 선택스위치수단은, 상기 제1의 불순물영역으로 이루어진 제1의 전극과, 상기 반도체기판속에 형섣된 제2도전형의 제2의 불순물 영역으로부터 이루어진 2의 전극과, 상기 반도체기판상에 절연막을 개재해서 형성된 게이트전극으로 이루어진 제1의 MOS형 트랜지스터로 구성되고, 상기 리세트수단은 상기 반도체기판상에 절연막을 개재해서 형성된 제1도전형의 제1의 반도체막속에 형성된 제2도전형의 제3 및 제4의 불순물영역으로 이루어진 제1 및 제2의 전극과, 상기 제1의 반도체막상에 절연막을 개재해서 형성된 게이트전극으로 이루어진 제2의 MOS형 트랜지스터로 구성되고, 상기 제3의 불순물영역과 상기 제2의 불순물영역은 상호접속되고, 상기 증폭수단은 상기 제3의 불순물영역의 일부로 이루어진 게이트전극과, 상기 반도체기판상에서 상기 제1의 반도체막에 대하여 절연막을 개재해서 형성된 제2의 반도체막속에 형성된 제5 및 제6의 불순물 영역으로 이루어진 제1 및 제2의 전극으로 이루어진 제3의 MOS트랜지스터로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  9. 제6항 및 제7항에 있어서, 상기 광전변환소자는, 상기 반도체기판과, 그속에 형성된 제2도전형의 제1의 불순물영역으로 이루어진 pn 접합으로 구성되고, 상기 선택스위치수단은, 상기 제1의 불순물영역으로 이루어진 제1의 전극과, 상기 제1의 불순물영역속에 형성된 제1도전형의 제2의 불순물영역(100)속에 형성된 제2도전형의 제3의 불순물영역으로 이루어진 제2의 전극과, 상기 반도체기판상에 절연막을 개재해서 형성된 게이트전극으로 이루어진 제1의 MOS형 트랜지스터로 구성되고, 상기 리세트수단은 상기 제3의 불순물영역으로 이루어진 제1의 전극과, 상기 제2의 불순물영역 속에 형성된 제2도전형의 제4의 불순물영역으로 이루어진 제2의 전극과, 상기 반도체기판상에 절연막을 개재해서 형성된 게이트전극으로 이루어진 제2의 MOS형 트랜지스터로 구성되고, 상기 증폭수단은 상기 제2의 불순물 영역속에 형성된 제2도전형의 제5 및 제6의 불순물 영역으로 이루어진 제1 및 제2의 전극과, 상기 반도체기판상에 절연막을 개재해서 형성된 게이트 전극으로 이루어진 제3의 MOS트랜지스터로 구성되고, 상기 게이트전극과 상기 제3의 불순물영역과는 상호 접속되어서 이루어진 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  10. 제1도전형의 반도체기판내에 매트릭스형상으로 배열되고, 입사광에 대응한 신호전하를 축적하는 복수개의 광전변환소자와, 소정방향렬의 상기 광전변환소자의 상기 신호전하를 그 소정방향으로 전송하기 위한 제1의 신호선과, 상기 광전변환소자에 축적되어 있는 상기 신호 전하를 상기 제1의 신호선으로 전송하기 위한 제1의 스위치 수단과, 상기 제1의 신호선으로부터의 상기 신호전하를 출력단부로 전송하는 제2의 신호선과, 상기 제1의 신호선의 상기 신호전하를 상기 제2의 신호선으로 전송하기 위한 제2의 스위치수단과, 상기 제1 및 제2의 스위치수단을 소정의 순서로 주사하기 위한 주사수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제1의 스위치수단은 상기 광전변환소자의 일부를 제1의 전극으로하는 MOS형 트랜지스터로 구성되고, 이 MOS형 트랜지스터는 상기 광전병환소자에 대한 상기 입사광의 통과경로 내에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  12. 제10항 및 제11항에 있어서, 상기 광전변환소자는, 상기 반도체기판과, 그속에 형성된 제2도전형의 제1불순물 영역으로 이루어진 pn접합으로 구성되고, 상기 MOS형 트랜지스터는, 상기 제1의 불순물영역으로 이루어진 제1의 전극과, 상기 제1의 불순물영역속에 형성된 제1도전형이 제2의 불순물영역속에 형성된 제2도전형의 제3의 불순물영역으로 이루어진 제2의 전극과, 상기 반도체기판상에 절연막을 개재해서 형성된 게이트전극으로 구성된 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  13. 반도체기판의 표면에 2차원 형상으로 광정보에 대응한 신호전하를 축적하는 복수개의 광전변환소자와, 이광전변환소자와는 별개로 형성되어, 이 광전변환소자에 축적한 상기 신호전하를 읽어내는 수단으로 이루어진 고체촬상장치에 있어서, 상기 읽어내는 수단을 구성하는 소자의 적어도 1개를 상기 반도체기판의 광전변환소자 영역상에 가진 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 읽어내기 수단을 구성하는 소자의 적어도 1개는, 상기 반도체 기판상에 절연물을 개재해서 형성된 반도체 영역내에 형성되있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  15. 제13항에 있어서, 상기 읽어내기 수단을 구성하는 소자의 적어도 1개는, 상기 광전변환소자를 구성하기 위하여 상기 반도체기판내에 형성된 불순물 영역내에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  16. 제14항에 있어서, 상기 반도체영역의 일부 또는 전부의 광의 입사방향의 두께가 100Å이하인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  17. 제14항에 있어서, 상기 읽어내기 수단은, 상기 광전변환소자에 대응해서 형성된 능동 소자 및 스위치소자로 이루어지고, 이 스위치소자는 상기 광전변환 소자에 인접된 상기 반도체기판내에 형성되고, 상기 능동소자는 상기 반도체영역내에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880016107A 1987-12-04 1988-12-03 고체촬상소자 KR890011120A (ko)

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