KR970068511A - 증폭형 고체촬상장치 - Google Patents

증폭형 고체촬상장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 증폭형고체촬상장치는 매트릭스상으로 배열된 증폭형 광전변환 소자들을 포함한다. 상기 증폭형 광전변환 소자들이 각각; 반도체기판의 표면에 형성되는 트랜지스터로서, 입사되는 광에 의해 발생되는 신호 전하를 상기 반도체기판 표면의 트랜지스터 부분상에 축적하고 그 축적된 신호 전하에 대응하는 전기신호의 변화를 포함하는 출력신호를 출력하는 트랜지스터; 상기 트랜지스터에 인접하게 형성되어, 상기 반도체기판의 일부, 상기 반도체 기판의 일부상에 형성된 절연막, 및 그 절연막상에 형성된 게이트전극을 포함하며, 상기 축적된 신호전하를 상기 반도체기판의 표면에서 반도체기판의 내부로 이동시키는 게이트영역; 및 상기 증폭형광전변환소자들에 접속되어 그 광전변환 소자에서의 출력신호를 차례로 수신하며, 상기 출력신호에 의해 구동되는 구동 트랜지스터와 부하 트랜지스터를 가진 출력임피던스 변환수단을 포함한다.

Description

증폭형 고체촬상장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도1은 본 발명에 의한 실시예 1,4및 5에 있어서의 증폭형 고체촬상장치의 구성을 등가회로도와 블럭도를 조합하여보인 개략도.

Claims (7)

  1. 매트릭상으로 배열된 증폭형 광전변환 소자들을 포함하는 증폭형고체촬상 장치에 있어서, 상기 증폭형 광전변환 소자들이 각각: 반도체기판의 표면에 형성되는 트랜지스터로서, 입사되는 광에 의해 발생되는 신호전하를 상기 반도체기판표면의 트랜지스터 부분상에 축적하고 그 축적된 신호 전하에 대응하는 전기신호의 변화를 포함하는 출력신호를 출력하는 트랜지스터; 상기 트랜지스터에 인접하게 형성되어, 상기 반도체기판의 일부, 상기 반도체기판의 일부상에 형성된 절연막, 및 그 절연막상에 형성된 게이트전극을 포함하며, 상기 축적된 신호전하를 상기 반도체기판의 표면에서 반도체기판의 내부로 이동시키는 게이트영역; 및 상기 증폭형 광전변환소자들에 접속되어 그 광전변환 소자에서의 출력신호를 차례로 수신하며, 상기 출력신호에 의해 구동되는 구동 트랜지스터와 부하 트랜지스터를 가진 출력임피던스 변환수단을 포함하는 증폭형고체촬상장치.
  2. 매트릭상으로 배열된 증폭형 광전변환 소자들을 포함하는 증폭형고체촬상 장치에 있어서, 상기 증폭형 광전변환 소자들이 각각: 광전변화에 의해 발생된 신호전하를 축적하여 그 신호전하에 대응하는 출력신호를 출력하는 반도체기판 표면부분과 그 반도체 기판의 제1게이트 영역 표면부분상에 형성된 제1게이트전국을 가진 제1게이트영역, 각각 상기 반도체기판의 표면영역에 형성된 그 반도체기판의 불순물농도보다 높은 불순물농도를 갖는 불순물층을 갖는 소스, 및 드레인을 포함하는 트랜지스터; 상기 제1게이트영역에 인접한 반도체기판의 표면부분과 상기 반도체기판의 제2게이트영역 표면부분상에 절연막을 통해 형성되어 일부분이 상기 제1게이트 전극에 인접해 있는 제2게이트전국을 가진 제2게이트영역, 및 상기 반도체기판의 표면영역에 형성되며, 상기 제1게이트 전극과 제2게이트전극이 서로 인접하게 형성된 부분에서 반도체기판 표면 방향을 따라 소정 거리를 두고 떨어져 있으며, 상기 반도체기판의 불순물농도보다 고농도로 된 불순물층으로 형성되며, 상기 축적된 신호전하가 배출되는 전하 배출용 드레인을 포함하는 전하배출부; 및 상기 증폭형 광전변환소자들에 접속되어 그 광전변환 소자에서의 출력신호를 차례로 수신하며, 상기 출력신호에 의해 구동되는 구동 트랜지스터와 부하 트랜지스터를 가진 출력 임피던스 변환수단을 포함하는 증폭형고체촬상장치.
  3. 매트릭상으로 배열된 증폭형 광전변환 소자들을 갖는 화소 부분을 포함하는 증폭형고체촬상장치에 이어서,상기 증폭형 광전변환 소자들이 각각: 광전변화에 의해 발생된 신호전하를 축적하여 그 신호전하에 대응하는 출력신호를 출력하는 반도체기판 표면부분과 그 반도체기판의 제1게이트 영역 표면부분상에 형성된 제1게이트전국을 가진 제1게이트영역, 각각 상기 반도체기판의 표면 영역에 형성된 그 반도체기판의 불순물농도보다 높은 불순물농도를 갖는 불순물층을 형성되는 소스, 및 드레인을 포함하는 트랜지스터; 상기 제1게이트영역에 인접한 반도체기판의 표면부분과 상기 반도체기판의 제2게이트영역 표면부분상에 절연막을 통해 형성되어 일부분이 상기 제1게이트 전극에 인접해 있는 제2게이트전극을 가진 제2게이트 영역을 포함하며, 상기 제1게이트영역에 축적된 신호전하를 제2게이트영역을 통해 반도체기판으로 배출하는 전하배출부; 특정 광전변환소자의 전하배출부와 그 특정 광변환소자에 인접한 광전변환소자의 트랜지스터 사이의 적어도 일부분상에 형성된 전계차단부; 및 상기 증폭형 광전변환소자에 인접한 광전 변환소자의 트랜지스터 사이의 적어도 일부분상에 형성된 전계차단부; 및 상기 증폭형 광전변환소자들에 접속되어 그 광전 변화노자에서의 출력신호를 차례로 수신하며, 상기 출력신호에 의해 구동되는 구동 트랜지스터와 부하 트랜지스터를 가진 출력임피던스 변환수단을 포함하는 증폭형고체촬상장치.
  4. 매트릭스상으로 배열된 증폭형 광전변환 소자들을 포함하는 증폭형고체촬상 장치에 있어서, 상기 증폭형 광전변환 소자들이 각각: 반도체기판의 표면영역에 형성된 반도체영역; 광전변환에 의해 발생된 신호전하가 축적되는 상기 반도체기판의 제1표면부분 및 상기 반도체기판의 표면부분상에 형성된 제1게이트전극을 포함하는 제1게이트영역; 상기 제1게이트영역에 인접한 반도체기판의 제2표면부분 및 상기 제2표면부분상에 절연막을 통해 형성된 제2게이트전극을 포함하는 제2게이트영역; 상기 반도체 영역과 반도체기판 사이에서 상기 제1게이트영역의 표면부분을 태널로 하여 형성된 능동소자로서, 상기 신호전하에 의해 발생되는 능동소자의 특성변화가 출력신호로서 이용되는 능동소자; 및 상기 증폭형 광전변환소자들에 접속되어 그 광전변환 소자에서의 출력신호를 차례로 수신하며, 상기 출력신호에 의해 구동되는 구동 트랜지스터와 부하 트랜지스터를 가진 출력임피던스 변환수단을 포함하는 증폭형고체촬상장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 출력임피던스 변환수단에 접속되며 일방향으로 배열된 다수의 증폭형 광전변환소자들이 접속되는 각 신호라인에 대해 배치된 정전류 부하수단을 더 포함하는 증폭형고체촬상장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 각 증폭형 광전변환소자가 상기 출력신호를 출력하여 그 출력신호가 출력 임피던스 변환수단으로 차례로 안내되도록 하는 주사수단을 더 포함하며, 상기 출력임피던스 변환수단의 구동 트랜지스터의 임계전압이 상기 주사수단에 이용되는 트랜지스터의 임계전압보다 작은 증폭형 고체촬상장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 출력임피던스 변환수단의 구동 트랜지스터가 디플레션형인 증폭형고체촬상장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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