KR970077710A - 고체촬상장치 - Google Patents

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KR970077710A
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가네꼬 히사시
닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
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Abstract

고체촬상장치는, 수직 전하 전송부(102) 및 수평 전하 전송부(103)로부터 배출된 불필요한 전하를 수용하는 불요 전하 배출부(106)가 배치된 어떤 영역을 갖는다. P형 웰 층(302)은 상기 영역에 배치되지 않으며, N-형 반도체 기판(301)에 대해 불필요한 전하를 배출하도록 P형 웰 층에 인가되는 전압과 반대방향으로, 전압이 N-형 반도체 기판(301)에 인가된다. 고체촬상장치의 제조를 위한 제조 공정의 회수를 증가시키지 않고서, 불요 전하 배출부가 제조될 수 있다.

Description

고체촬상장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제9(a)도는 제7도의 Ⅸ(a)-Ⅸ(a)라인을 따라 취해진 단면도, 제9(b)도는 제7도에 보인 고체촬상장치에서의 전위를 나타내는 다이아그램.

Claims (7)

  1. 제1전도형의 반도체 기판; 상기 제1전도형의 반도체 기판 상에 배치되는 제2전도형의 반도체 웰 층; 상기 제2전도형의 반도체 웰 층이 배치되는 영역 내에 배치되며, 광학 정보를 전기 신호로 변환하는, 광전 변환기; 상기 제 2전도형의 반도체 웰 층이 배치되는 상기 영역 내에 배치되며, 상기 광전 변화기에 인접하며, 상기 광전 변환기로부터 출력된 전기 신호의 수직 전하를 전송하는, 수직 전하 전송부; 상기 제2전도형의 반도체 웰 층이 배치되는 상기 영역 내에 배치되며, 상기 수직 전하 전송부에 인접하며, 상기 광전 변환기로부터 출력된 전기 신호의 수평전하를 전송하는, 수평 전하 전송부; 상기 제2전도형의 반도체 웰 층이 배치되는 상기 영역 내에 배치되며, 상기 수직 전하 전송부에 인접하며, 상기 광전 변환기로부터 출력된 전기 신호의 수평 전하를 전송하는, 수평 전하 전송부; 상기 수직 전하 전송부 및 수평 전하 전송부에 의해 전송된 전하를 출력하는 출력 회로; 상기 수직 전하 전송부로부터 이격되어 상기 수평 전하 전송부의 일측에 배치되며, 상기 수직 전하 전송부 및 수평 전하 전송부로부터 배출된 불요(unwanted) 전하를 수용하는, 불요 전하 배출부; 및 상기 제2전도형의 반도체 웰 층이 배치되는 영역 내에 배치되며, 상기 수평 전하 전송부 및 상기 불요 전하 배출부의 사이에서, 상기 수평 전하 전송부 및 상기 불요 전하 배출부를 이격시키는, 전위 장벽을 포함하되, 상기 제2전도형의 반도체 웰 층은, 상기 불요 전하 배출부가 배치되는 영역내에는 배치되지 않는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전위 장벽 및 상기 불요 전하 배출부의 사이에 삽입된 절연막과 더불어 상기 전위 장벽 및 상기 불요 전하 배출부 상에 배치되며, 상기 수평 전하 전송부 내의 전하를 전송하는, 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1전도형의 반도체 기판 상에 배치되며, 상기 수평 전하 전송부의 매립 채널로서 기능하는, 제1전도형의 반도체 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제1전도형의 반도체 기판 상에 배치되며, 상기 수평 전하 전송부의 매립 채널로서 기능하는, 제1전도형의 반도체 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상소장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 불요 전하 배출부에 인가되는 전압 및 상기 전위 장벽의 전위 사이의 전위 차는 최소한 0.5V인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 불요 전하 배출부에 인가되는 전압 및 상기 전위 장벽의 전위 사이의 전위 차는 최소한 0.5V인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  7. 제3항에 있어서, 상기 불요 전하 배출부에 인가되는 전압 및 상기 전위 장벽의 전위 사이의 전위 차는 최소한 0.5V인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019970018569A 1996-05-15 1997-05-13 고체촬상장치 KR100256280B1 (ko)

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