KR970067922A - 증폭형 고체촬상소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 증폭형 고체촬상장치에서는 이미지 센서부 및 그 이미지 센서부를 구동하거나 또는 신호처리를 실행하는 구동회로부가 동일 반도체기판의 분리된 반도체영역들에 형성된다.

Description

증폭형 고체촬상장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 실시예1의 증폭형 고체촬상장치를 나타내는 도 17의 선 PQR의 단면에 대응하는 단면도.

Claims (8)

  1. 증폭형 광전변환소자를 가지며, 제1도전형의 반도체기판내의 제2도전형의 제1반도체층에 형성된 이미지 센서부; 및 상기 반도체기판의 제2도전형의 제2반도체층에 형성되어, 사이 이미지 센서부를 구동하는 구동회로부를 포함하며 상기 증푹형 광전변환소자가; 상기 제1반도체층의 표면으로 입사되는 광으로부터 발생된 신호전하를 축적하여 그 축적된 신호전하에 따른 전기신호의 변화를 출력하는 트랜지스터; 및 상기 트랜지스터에 인접하게 제공되어, 상기 제1반도체층의 일부분; 상기 제1반도체층이 일부분상에 형성된 제1절연막; 및 상기 제1절연막상에 제공된 게이트전극을 포함하며 상기 축적된 신호전하를 상기 게이트전극에 인가되는 전압에 따라 제1반도체층의 표면에서 제1반도체층의 내부로 이동시키는 게이트전극을 가진 게이트영역을 포함하며 상기 제1반도체층과 제2반도체층이 상기 반도체기판상에서 서로 분리되도록 형성되는 증폭형 고체촬상장치.
  2. 증폭형 광전변환소자를 가지며, 제1도전형의 반도체기판내의 제2도전형의 제1반도체층에 형성된 이미지 센서부; 및 상기 반도체기판의 제2도전형의 제2반도체층에 형성되어, 사이 이미지 센서부를 구동하는 구동회로부를 포함하며 상기 증푹형 광전변환소자가; 광전변환에 의해 발생된 신호전하가 축적되는 제1반도체층의 표면영역의 일부분과 제1반도체층의 표면영역상에 형성된 제1게이트전극을 갖는 제1게이트영역; 및 제1반도체층의 표면상에 상기 제1반도체층보다 높은 불순물농도를 가진 층으로 형성된 소스 및 드레인을 포함하는 트랜지스터; 및 상기 제1게이트영역에 인접한 제1반도체층의 표면영역의 일부분과 상기 제1반도체층의 표면영역 표면영역에 절연층을 사이에 두고 제1게이트전극과 인접하도록 형성된 제2게이트전극을 가진 제2게이트영역; 및 상기 제1반도체층의 표면방향을 따라 제1 및 제2게이트전극에 인접한 부분에서 소정거리를 두고 있는 상기 제1반도체기판의 표면상의 일부분에 상기 제1반도체층보다 높은 불순물 농도를 가진 층으로 형성된 전하배출용 제2드레인을 갖는 전하배출부를 포함하며 상기 축적된 신호전하는 상기 전하배출용 제2드레인으로 배출되며, 상기 제1 및 제2 반도체층은 상기 반도체기판상에서 서로 분리되도록 형성되는 증폭형 고체촬상장치.
  3. 제1도전형의 반도체기판내의 제2도전형의 제1반도체층에 형성되어 1차원 또는 2차원으로 배열된 다수의 증폭형 광전변환소자를 가진 이미지 센서부; 및 상기 반도체기판의 제2도전형의 제2반도체층에 형성되어 상기 이미지 센서부를 구동하는 구동회로부를 포함하며 상기 증폭형 광전변환소자가 각각; 광전변환에 의해 발생된 신호전하가 축적되는 제1반도체층의 표면영역의 일부분 및 제1반도체층의 표면영역상에 형성된 제1게이트전극을 가진 제1게이트영역; 및 상기 제1반도체층보다 높은 불순물농도를 가진 층으로 되어 제1반도체층의 표면상에 형성된 소스 및 드레인을 포함하는 트랜지스터; 및 상기 제1게이트영역에 인접한 제1반도체층의 표면영역의 일부분 및 상기 반도체층의 표면영역에 절연막을 사이에 두고 제1게이트전극과 인접하도록 형성된 제2게이트 전극을 가진 제2게이트영역을 포함하며, 상기 제1게이트영역에 축적된 신호전하를 제2게이트영역을 통해 제1반도체층으로 배출하는 전하배출부를 포함하며, 제1 증폭형 광전변환소자의 전하배출부와 그 제1증폭형 광전변환 소자에 인접한 제2증폭형 광전변환 소자의 트랜지스터 사이에 전계차단부가 제공되며, 상기 제1 및 제2반도체층은 상기 반도체기판상에서 서로 분리되도록 형성되는 증폭형 고체촬상장치.
  4. 증폭형 광전변환소자를 가지며, 제1도전형의 반도체기판내의 제2도전형의 제1반도체층에 형성된 이미지 센서부; 및 상기 반도체기판의 제2도전형의 제2반도체층에 형성되어, 상기 이미지 센서부를 구동하는 구동회로부를 포함하며 상기 증푹형 광전변환소자가; 상기 제1반도체층의 표면상에 제공된 반도체영역; 광전변환에 의해 발생된 신호전하가 축적되는 제1반도체층의 표면영역의 일부분 및 제1잔도체층의 표면영역의 상기 부분상에 형성된 제1게이트전극을 가진 제1게이트영역; 및 제1게이트영역에 인접한 제1반도체층의 표면영역상에 상기 부분상에 절연막을 사이에 두고 형성된 제2게이트영역을 포함하는 트래지스터를 포함하며, 상기 반도체영역가 제1반도체층 사이의 제1게이트영역의 표면 근방부에 채널이 형성되어 신호전하에 의한 트랜지스터의 특성변화를 출력하며; 상기 제1 및 제2 반도체층이 반도체기판상에서 서로 분리되도록 형성되는 증폭형 고체촬상장치.
  5. 제1항에 있어서 상기 제1 및 제2 반도체층보다 높은 불순물 농도를 가진 제2도전형의 반도체층이 제1반도체층과 반도체기판 사이 및 제2반도체층과 반도체기판 사이에 형성되는 증폭형 고체촬상장치.
  6. 제2항에 있어서 상기 제1 및 제2 반도체층보다 높은 불순물 농도를 가진 제2도전형의 반도체층이 제1반도체층과 반도체기판 사이 및 제2반도체층과 반도체기판 사이에 형성되는 증폭형 고체촬상장치.
  7. 제3항에 있어서 상기 제1 및 제2 반도체층보다 높은 불순물 농도를 가진 제2도전형의 반도체층이 제1반도체층과 반도체기판 사이 및 제2반도체층과 반도체기판 사이에 형성되는 증폭형 고체촬상장치.
  8. 제4항에 있어서 상기 제1 및 제2 반도체층보다 높은 불순물 농도를 가진 제2도전형의 반도체층이 제1반도체층과 반도체기판 사이 및 제2반도체층과 반도체기판 사이에 형성되는 증폭형 고체촬상장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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