KR960003651A - 절연 게이트형 트랜지스터 및 고체 촬상 소자 - Google Patents

절연 게이트형 트랜지스터 및 고체 촬상 소자 Download PDF

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KR960003651A
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Abstract

본 발명은 잡음이 적고 아날로그적인 용도로 사용할 수 있는 절연 게이트형 트랜지스터를 제공하는 것을 목적으로 한다. 디플리션형의 MOS 트랜지스터(7a,8a)에는 부유 게이트(27)과 제어 게이트(28)로 이루어진 2중 게이트 구조로 형성되어 있다. 그 채널에는 N형 불순물이 주입되어 N형 반전층(25)가 형성된다. 부유 게이트(27)에는 소정양의 전하를 축적하고, 그 축적된 전하량을 기초로 하여 제어 게이트(28)에 인가되는 게이트 전압이 보상되어 정전압으로 DpNMOS 트랜지스터(7a,8a)는 온·오프 제어된다.

Description

절연 게이트형 트랜지스터 및 고체 촬상 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명을 구체화한 일실시예의 CCD 고체 촬상 소자의 목식도,
제2도는 일실시예의 출력부의 회로도,
제3도는 본 발명의 DpNMOS 트랜지스터의 단면도,
제4도는 제3도의 등가 회로도.

Claims (3)

  1. 반도체 기판(21), 반도체 기판(21)의 일주면(一主面)에 서로 소정의 거리를 두고 형성되는 드레인 영역(23) 및 소스 영역(24), 이들 드레인 영역(23) 및 소스 영역(24)사이에 상기 반도체 기판(21)의 표면 영역에 형성되는 반전층(25), 상기 반전층(25)를 피복하여 상기 반도체 기판(21) 상에 배치되는 부유 게이트(27) 및 상기 부유 게이트(27)상에 배치되는 제어 게이트(28)을 구비하고, 상기 부유 게이트(27)에 축적되는 전하량에 따라 동작점이 변경되는 것을 특징으로 하는 절연 게이트형 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 드레인 영역(23) 및 소스 영역(24)가 N형의 도전 특성을 이룸과 동시에, 상기 반전층(25)가 상기 드레인 영역(23) 및 소스 영역(24)보다 저농도의 N형의 도전 특성을 갖고, 상기 부유 게이트(27)에 일정량의 전하가 축적되며, 상기 제어게이트(28)이 상기 소스 영역(24)에 대하여 소정의 정전압을 초과했을 때에 상기 드레인 영역(23)과 상기 소스 영역(24) 사이가 도통하는 것을 특징으로 하는 절연 게이트형 트랜지스터.
  3. 피사체 영상을 받아 그 피사체 영상에 따라 발생하는 정보 전하를 행열 배치된 복수의 수광 화소에 축적하고, 상기 수광 화소로부터 전송 출력되는 정보 전하를 출력부(5)에서 전압치로 변환시켜 영상 신호(Yt)를 출력하는 고체 촬상 소자에 있어서, 상기 출력부(5)에서 취출되는 전압치를 받는 출력 회로(7,8)을 구비하고, 상기 출력 회로(7,8)이 제1 또는 2항에 기재된 절연 게이트형 트랜지스터(7a,8a)로 이루어진 소스 플로워 회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950019401A 1994-07-05 1995-07-04 고체 촬상 소자에 사용되는 출력 회로 KR0172015B1 (ko)

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