KR930024467A - 증폭형 고체 촬상장치 - Google Patents

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KR930024467A
KR930024467A KR1019930008026A KR930008026A KR930024467A KR 930024467 A KR930024467 A KR 930024467A KR 1019930008026 A KR1019930008026 A KR 1019930008026A KR 930008026 A KR930008026 A KR 930008026A KR 930024467 A KR930024467 A KR 930024467A
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imaging device
state imaging
gate region
amplifying solid
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KR1019930008026A
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Inventor
가쯔야 요네모또
Original Assignee
오오가 노리오
소니 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명의 목적은 수광 영역에 있어서 입사광의 감쇠를 없애고, 감도의 향상 및 분광 감도 특성의 적정화를 가능하게한 증폭형 고체 촬상 장치를 제공한다.
본 발명은 구성은 매트리스상에 2차원 배치된 복수의 화소 각각을 N형 반도체 기판(11)의 기판 표면측에 N+불순물 영역으로된 소스 영역(12)을 형성하고, 그 주위에는 P+형 불순물 영역으로된 환상의 게이트 영역(13)을 깊이 방향으로 폭이 가늘게 또한 깊게 형성하여, 다시 소스 영역(12)과 환상의 게이트 영역(13)에 둘러 쌓이도록 P형의 센서영역(14)을 형성하여 기판 표면을 소스, 기판 이면을 드레인으로 하는 종형JFET 구조로 한다.

Description

증폭형 고체 촬상장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 JFET형 고체 촬상 장치의 이미지 센서부에 있어서 1단위 화소(pixel)의 한 실시예의 단면 구조도, 제2도는 본 발명에 의한 증폭형 고체 촬상 장치인 JFET형 고체 촬상 장치의 구성도, 제3도는 본 발명에 관한 JFET형 고체 촬상 장치의 구동 타이밍을 나타내는 타이밍 챠트.

Claims (4)

  1. 제1도전형의 반도체 기판에 수평 및 수직 방향으로 매트릭스상에 2차원 배역되어 형성된 복수의 화소의 각각이, 상기 반도체 기판의 기판 표면으로부터 깊이 방향으로 환상으로 형성된 제2도전형의 게이트 영역과, 상기 게이트 영역내에 위치하도록 형성된 제2도전형의 센서 영역으로서 되고, 상기 반도체 기판의 기판 표면을 소스, 기판 이면을 드레인으로 한 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 게이트 영역과 상기 센서 영역 사이의 영역을 드레인으로부터 소스로 채널 전류가 흐르는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 장치.
  3. 제1항에 있어서, 신호 읽어내기가 종료한 화소의 상기 게이트 영역에 리세트 전압을 인가함으로써 상기 센서 영역에 축적된 전하를 상기 게이트 영역에 버리는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상장치.
  4. 제1항에 있어서, 과잉으로 광전 변화되어서 상기 센서 영역에 축적된 전하를, 상기 게이트 영역에 향해서 채널에 직교해서 오버플로우 하는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930008026A 1992-05-12 1993-05-11 증폭형 고체 촬상장치 KR930024467A (ko)

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JPH05328225A (ja) 1993-12-10

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