KR950021737A - 씨씨디(ccd)형 고체촬상소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 메몰형 전송게이트 체널영역과 단계적 농도분포를 갖는 리벳형 포토다이오드영역을 갖는 고체촬상소자로서, 제1도전형의 실리콘기판과, 실리콘기판상에 형성된 제2도전형의 제1웰과, 제1웰내에 서로 일정 간격을 두고 넓고 깊게 형성된 복수개의 제1도전형의 포토다이오드영역과, 해당 포토다이오드영역 및 상기 포토다이오드 영역과 인접하는 이전단의 포토다이오드영역과 오버랩되어 제1웰내에 형성된 제2도전형의 제2웰과, 상기 제2웰내에 형성된 복수개의 제1도전형의 VCCD 체널영역과, 포토다이오드영역과 VCCD 체널영역사이의 제2웰내에 형성된 제2도전형의 전송 게이트 체널영역과, 해당 VCCD 채널영역과 상기 이전단의 포토다이오드영역간을 격리시켜 주기 위한 제2웰내에 형성된 제2도전형의 체널스톱영역과, 각 포토다이오드 영역의 표면아래에 형성된 제2도전형의 불순물영역과, 기판의 전면상에 형성된 박막의 절연막과, 제2웰상부의 절연막상에 형성된 전송게이트 전국과, 상기 전국게이트 전국을 감싸도록 절연막상에 형성된 충간절연막과, 각 포토다이오드영역을 제외한 기판 전면에 형성된 광차폐막을 포함한다.

Description

씨씨디(CCD)형 고체촬상소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명의 실시예에 따른 CCD형 고체촬상소자의 단면도.
제7도는 제6도의 C-C´간의 전위분포도(신호 전하 축적시).
제8도는 제6도의 C-C´간의 전위분포도(신호 전하 독출시).

Claims (12)

  1. 제1도전형의 실리콘기판(31)과, 실리콘기판(31)상에 형성된 제2도전형의 제1웰(32)과, 제1웰(32)내에 서로 일정 간격을 두고 넓고 깊게 형성된 복수개의 제1도전형의 포토다이오드영역(35)과, 해당 포토다이오드영역(35) 및 상기 포토다이오드영역(35)과 인접하는 이전단의 포토다이오드영역(35')과 오버랩되어 제1 웰(32)내에 형성된 제2도전형의 제2웰(39)과, 상기 제2웰(39)내에 형성된 복수개의 제1도전형의 VCCD 채널영역(43)과, 포토다이오드영역(35)과 VCCD 채널영역(43)사이의 제2p웰(39)내에 형성된 제2도전형의 전송게이트 채널영역(39')과, 해당 VCCD채널영역(43)과 상기 이전단의 포토다이오드영역(35')간을 격리시켜 주기 위한 제2p웰(39)내에 형성된 제2도전형의 채널스톱영역(41)과, 각 포토다이오드영역(35)의 표면 아래에 형성된 제2전형의 불순물영역(45)과, 기판전면에 형성된 박막의 절연막(33)과, 제2웰(39)상부의 절연막(33)상에 형성된 전송게이트전극(44), 상기 전송게이트전극(44)을 감사도록 절연막(44)상에 형성된 층간절연막(46)과 각 포토다이오드영역(35) 상부를 제외한 기판 전면에 형성된 광차폐막(47)을 포함하는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체촬상장치.
  2. 제1항에 있어서, 각 포토다이오드영역(35)은 상대적으로 고농도의 포토다이오드영역(35-3), 중간 농도의 포토다이오드(35-2) 및 상대적으로 저농도의 포토다이오드(35-1)로 이루어지며, VCCD채널영역(43)쪽으로 갈수록 농도가 높아지는 단계적 농도 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체촬상장치.
  3. 제2항에 있어서, 각 포토다이오드영역(35)은 1.5~3.5㎛ 정도의 접합깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체촬상소자.
  4. 제1항에 있어서, 제2웰(39)은 n형 포토다이오드영역(35)보다 고농도의 불순물영역인것을 특징으로 하는 CCD형 고체촬상소자.
  5. 제4항에 있어서, 제2웰(39)은 1.0~1.2㎛정도의 접합깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 CCD 고체촬상소자.
  6. 제1항에 있어서, 제1도전형의 실리콘기판(31)은 10~100Ω·㎝정도의 저항치를 갖는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체촬상소자.
  7. 제1항에 있어서, 제1웰(32)은 3~6㎛정도의 접합 깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체촬상소자.
  8. 제1항에 있어서, 전송게이트 채널영역(39')은 제2웰(39)보다 낮은 불순물 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체촬상소자.
  9. 제1항에 있어서, 절연막(33)으로 산화막 또는 질화막중 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체촬상소자.
  10. 제1항에 있어서, 제2도전형의 불순물영역(45)은 0.1~0.2㎛ 정도의 접합 깊이를 갖으며, 포토다이오드영역(35)보다 10~100배 높은 물순물 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체촬상소자.
  11. 제1항에 있어서, 전송게이트전극(44)은 불순물이 도우핑된 폴리실리콘막으로 된 것을 특징으로 하는 CCD형 고체촬상소자.
  12. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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