JPH07202158A - Ｃｃｄ型固体撮像素子 - Google Patents
Ｃｃｄ型固体撮像素子Info
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- JPH07202158A JPH07202158A JP6090747A JP9074794A JPH07202158A JP H07202158 A JPH07202158 A JP H07202158A JP 6090747 A JP6090747 A JP 6090747A JP 9074794 A JP9074794 A JP 9074794A JP H07202158 A JPH07202158 A JP H07202158A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 感度、信号遅延、スミア及びノイズ特性と、
製造工程時における発生される不都合を除去したＣＣＤ
型固体撮像素子を提供する。 【構成】 フォトダイオード領域の不純物の濃度が一定
でなく、濃度の異なる複数の領域によってフォトダイオ
ード領域を構成させた。
製造工程時における発生される不都合を除去したＣＣＤ
型固体撮像素子を提供する。 【構成】 フォトダイオード領域の不純物の濃度が一定
でなく、濃度の異なる複数の領域によってフォトダイオ
ード領域を構成させた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣＣＤ型固体撮像素子に
関し、特に埋込み型転送ゲートチャネル領域と段階的な
濃度分布を有する、リベット型フォトダイオード領域を
有する固体撮像素子に関する。
関し、特に埋込み型転送ゲートチャネル領域と段階的な
濃度分布を有する、リベット型フォトダイオード領域を
有する固体撮像素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は従来インタレース方式のＣＣＤ型
固体撮像素子の断面図である。従来のＣＣＤ型固体撮像
素子は、ｎ型基板１１と、ｎ型基板１１上に形成された
ｐ型ウェル１２と、ｎ型不純物のイオン注入により０．
５〜０．７μｍ深さでｐ型ウェル１２上に形成された複
数のｎ型フォトダイオード領域１３と、ｎ型フォトダイ
オード領域１３の表面ノイズを低減するために、０．１
〜０．２μｍ深さでｎ型フォトダイオード領域１３上に
形成された高濃度のｐ++層１４と、このｎ型フォトダイ
オード領域１３と一定距離をおいて０．３〜０．７μｍ
深さでｐ型ウェル１３内に形成され、信号転送のための
垂直転送チャネルとしての役割を果たす複数のｎ型ＶＣ
ＣＤチャネル領域１５と、ｐ型ウェル１２内のｎ型ＶＣ
ＣＤチャネル領域１５とｎ型フォトダイオード領域１３
との間に形成されたｐ- 型転送チャネル領域１６と、ｎ
型フォトダイオード領域１３と前段のｎ型ＶＣＣＤチャ
ネル領域１５を絶縁するために、それらの間に形成され
たｐ型チャネルストップ領域１７と、基板の全ての領域
に亘って形成された薄膜の絶縁膜１８と、ｐ型チャネル
ストップ領域１７、ｐ- 型転送ゲートチャネル領域１６
及びｎ型ＶＣＣＤチャネル領域１５上に形成され、ｎ型
不純物がドーピングされたポリシリコン膜からなる転送
ゲート（ｔｒａｎｓｆｅｒ ｇａｔｅ；ＴＧ）１９と、
ｎ型フォトダイオード領域１３にのみ開口部２２を介し
て光を入射させるために、このｎ型フォトダイオード領
域１３が選択的に除去された金属遮光膜２１と、金属遮
光膜２１と転送ゲート１９とを絶縁するための層間絶縁
膜２０と、からなる。
固体撮像素子の断面図である。従来のＣＣＤ型固体撮像
素子は、ｎ型基板１１と、ｎ型基板１１上に形成された
ｐ型ウェル１２と、ｎ型不純物のイオン注入により０．
５〜０．７μｍ深さでｐ型ウェル１２上に形成された複
数のｎ型フォトダイオード領域１３と、ｎ型フォトダイ
オード領域１３の表面ノイズを低減するために、０．１
〜０．２μｍ深さでｎ型フォトダイオード領域１３上に
形成された高濃度のｐ++層１４と、このｎ型フォトダイ
オード領域１３と一定距離をおいて０．３〜０．７μｍ
深さでｐ型ウェル１３内に形成され、信号転送のための
垂直転送チャネルとしての役割を果たす複数のｎ型ＶＣ
ＣＤチャネル領域１５と、ｐ型ウェル１２内のｎ型ＶＣ
ＣＤチャネル領域１５とｎ型フォトダイオード領域１３
との間に形成されたｐ- 型転送チャネル領域１６と、ｎ
型フォトダイオード領域１３と前段のｎ型ＶＣＣＤチャ
ネル領域１５を絶縁するために、それらの間に形成され
たｐ型チャネルストップ領域１７と、基板の全ての領域
に亘って形成された薄膜の絶縁膜１８と、ｐ型チャネル
ストップ領域１７、ｐ- 型転送ゲートチャネル領域１６
及びｎ型ＶＣＣＤチャネル領域１５上に形成され、ｎ型
不純物がドーピングされたポリシリコン膜からなる転送
ゲート（ｔｒａｎｓｆｅｒ ｇａｔｅ；ＴＧ）１９と、
ｎ型フォトダイオード領域１３にのみ開口部２２を介し
て光を入射させるために、このｎ型フォトダイオード領
域１３が選択的に除去された金属遮光膜２１と、金属遮
光膜２１と転送ゲート１９とを絶縁するための層間絶縁
膜２０と、からなる。
【０００３】前記構造の従来ＩＴ方式のＣＣＤ型固体撮
像素子の動作は開口部２２を介して入射された光によ
り、ｎ型フォトダイオード領域１３から発生される信号
電荷を蓄積する蓄積モードと、ｎ型フォトダイオード領
域１３に蓄積された信号電荷をｎ型ＶＣＣＤチャネル領
域１５に転送する読み出しモードとに分けられる。蓄積
モードはＩＴ方式において一定時間信号電荷を集まる動
作であって、固体撮像素子の各部分の電位が図２に示す
ように分布する。したがって、ｐ- 型転送ゲートチャネ
ル領域１６及びｐ型ウェル１２により形成された電位障
壁によって入射された光により発生された信号電荷がｎ
型フォトダイオード領域１３内に一定時間、例えば１／
６０〜１／３０秒間蓄積される。蓄積モード時転送ゲー
ト１９には、０Ｖの電圧を印加して図２に示すように、
ｐ- 型転送ゲートチャネル領域１６は、ｎ型フォトダイ
オード領域１３に蓄積される信号電荷が移動しないよう
に、確実な電位障壁を形成する。
像素子の動作は開口部２２を介して入射された光によ
り、ｎ型フォトダイオード領域１３から発生される信号
電荷を蓄積する蓄積モードと、ｎ型フォトダイオード領
域１３に蓄積された信号電荷をｎ型ＶＣＣＤチャネル領
域１５に転送する読み出しモードとに分けられる。蓄積
モードはＩＴ方式において一定時間信号電荷を集まる動
作であって、固体撮像素子の各部分の電位が図２に示す
ように分布する。したがって、ｐ- 型転送ゲートチャネ
ル領域１６及びｐ型ウェル１２により形成された電位障
壁によって入射された光により発生された信号電荷がｎ
型フォトダイオード領域１３内に一定時間、例えば１／
６０〜１／３０秒間蓄積される。蓄積モード時転送ゲー
ト１９には、０Ｖの電圧を印加して図２に示すように、
ｐ- 型転送ゲートチャネル領域１６は、ｎ型フォトダイ
オード領域１３に蓄積される信号電荷が移動しないよう
に、確実な電位障壁を形成する。
【０００４】一方、読み出しモードは、ｎ型フォトダイ
オード領域１３に蓄積された信号電荷をｎ型ＶＣＣＤチ
ャネル領域１５に転送する動作であって、固体撮像素子
の各部分の電位が図１のＡ−Ａ′線においては図３のよ
うに分布し、図１のＢ−Ｂ′線においては図４のように
分布する。読み出しモードの際、転送ゲート１９に、１
５Ｖ程の電圧を印加する。これによりｎ型ＶＣＣＤチャ
ネル領域１５の電位は非常に低くなり、ｐ- 型転送ゲー
トチャネル領域１６の電位も一緒に低くなって図３、図
４に示すようなこととなる。したがって、フォトダイオ
ード領域１３に蓄積されていた信号電荷は、ｐ- 型転送
ゲートチャネル領域１６を介してｎ型ＶＣＣＤチャネル
領域１５に移動することにより信号電荷が読み出され
る。
オード領域１３に蓄積された信号電荷をｎ型ＶＣＣＤチ
ャネル領域１５に転送する動作であって、固体撮像素子
の各部分の電位が図１のＡ−Ａ′線においては図３のよ
うに分布し、図１のＢ−Ｂ′線においては図４のように
分布する。読み出しモードの際、転送ゲート１９に、１
５Ｖ程の電圧を印加する。これによりｎ型ＶＣＣＤチャ
ネル領域１５の電位は非常に低くなり、ｐ- 型転送ゲー
トチャネル領域１６の電位も一緒に低くなって図３、図
４に示すようなこととなる。したがって、フォトダイオ
ード領域１３に蓄積されていた信号電荷は、ｐ- 型転送
ゲートチャネル領域１６を介してｎ型ＶＣＣＤチャネル
領域１５に移動することにより信号電荷が読み出され
る。
【０００５】従来の固体撮像素子は、ｎ型フォトダイオ
ード領域１３に蓄積された信号電荷が転送ゲートチャネ
ル領域１９を介してＶＣＣＤチャネル領域１５に移動す
るので、転送ゲート１９の表面積が広ければならないと
いう短所があり、かつＶＣＣＤチャネル領域１５に転送
された信号電荷の中、ノイズ電荷が含まれる恐れがある
などの問題点があった。また、フォトダイオード領域１
３の接合深さが浅いので、感度特性がよくなかった。こ
れによりスミア特性がよくなかった。
ード領域１３に蓄積された信号電荷が転送ゲートチャネ
ル領域１９を介してＶＣＣＤチャネル領域１５に移動す
るので、転送ゲート１９の表面積が広ければならないと
いう短所があり、かつＶＣＣＤチャネル領域１５に転送
された信号電荷の中、ノイズ電荷が含まれる恐れがある
などの問題点があった。また、フォトダイオード領域１
３の接合深さが浅いので、感度特性がよくなかった。こ
れによりスミア特性がよくなかった。
【０００６】また、フォトダイオード領域１３の幅が広
くなると、転送ゲート１９がターンオンされたとして
も、フリンジ電界が大きく作用しないので映像特性もよ
くないこととなる。しかも強い光が開口部２２を介して
フォトダイオード領域１３に入射されたとすれば、基板
１１に剰余電荷を導くための電荷通路（ｐａｔｈ）が狭
くなって、ブルーミング特性が悪くなる問題点が発生さ
れる。
くなると、転送ゲート１９がターンオンされたとして
も、フリンジ電界が大きく作用しないので映像特性もよ
くないこととなる。しかも強い光が開口部２２を介して
フォトダイオード領域１３に入射されたとすれば、基板
１１に剰余電荷を導くための電荷通路（ｐａｔｈ）が狭
くなって、ブルーミング特性が悪くなる問題点が発生さ
れる。
【０００７】図５はブルーミング特性を向上させた従来
の固体撮像素子の断面図である。ｐ型不純物を高エネル
ギーイオン注入法によりイオン注入して第２ｐ型ウェル
２３をｎ型ＶＣＣＤチャネル領域１５の下方に形成した
ものである。これはＩＴＥＪ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒ
ｃｐｏｒｔ Ｖｏｌ．１６，Ｎｏ．１８，ｐｐ７−１
２．ＩＰＵ９２＿８−９２．９（Ｆｅｂ＿１９９２）に
よく開示されている。
の固体撮像素子の断面図である。ｐ型不純物を高エネル
ギーイオン注入法によりイオン注入して第２ｐ型ウェル
２３をｎ型ＶＣＣＤチャネル領域１５の下方に形成した
ものである。これはＩＴＥＪ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒ
ｃｐｏｒｔ Ｖｏｌ．１６，Ｎｏ．１８，ｐｐ７−１
２．ＩＰＵ９２＿８−９２．９（Ｆｅｂ＿１９９２）に
よく開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、２重ウ
ェル構造の固体撮像素子は、図１のブルーミング特性は
向上させることができるが、図１と同様に、接合深さが
浅いフォトダイオード領域及び転送ゲートチャネル領域
を介する信号電荷移動によって発生される問題点は解決
することができなかった。本発明は上記問題点を解消す
るためのもので、感度、信号遅延、スミア及びノイズ特
性と、製造工程時における発生される不都合を除去した
ＣＣＤ型固体撮像素子を提供することを目的とする。
ェル構造の固体撮像素子は、図１のブルーミング特性は
向上させることができるが、図１と同様に、接合深さが
浅いフォトダイオード領域及び転送ゲートチャネル領域
を介する信号電荷移動によって発生される問題点は解決
することができなかった。本発明は上記問題点を解消す
るためのもので、感度、信号遅延、スミア及びノイズ特
性と、製造工程時における発生される不都合を除去した
ＣＣＤ型固体撮像素子を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明によれば、第１導電型のシリコン基板と、シリ
コン基板上に形成された第２導電型の第１ウェルと、第
１ウェル内に互いに一定距離をおいて広く形成された複
数の第１導電型のフォトダイオード領域と、そのフォト
ダイオード領域及び前記フォトダイオード領域と前段の
フォトダイオード領域にオーバラップして第１ウェル内
に形成された第２導電型の第２ウェルと、前記第２ウェ
ル内に形成された複数の第１導電型のＶＣＣＤチャネル
領域と、フォトダイオード領域とＶＣＣＤチャネル領域
間の第２ウェル内に形成された第２導電型の転送ゲート
チャネル領域と、前記ＶＣＣＤチャネル領域と前記前段
のフォトダイオード領域間を隔離するための第２ウェル
内に形成された第２導電型のチャネルストップ領域と、
各フォトダイオード領域の表面下方に形成された第２導
電型不純物領域と、基板の全面にわたって形成された薄
膜の絶縁膜と、第２ウェル上方に形成された転送ゲート
電極と、前記ゲート電極を覆うように絶縁膜上に形成さ
れた層間絶縁膜と、各フォトダイオード領域を除いた基
板全面に形成された光遮蔽膜と、を含むＣＣＤ型固体撮
像素子が提供される。
の本発明によれば、第１導電型のシリコン基板と、シリ
コン基板上に形成された第２導電型の第１ウェルと、第
１ウェル内に互いに一定距離をおいて広く形成された複
数の第１導電型のフォトダイオード領域と、そのフォト
ダイオード領域及び前記フォトダイオード領域と前段の
フォトダイオード領域にオーバラップして第１ウェル内
に形成された第２導電型の第２ウェルと、前記第２ウェ
ル内に形成された複数の第１導電型のＶＣＣＤチャネル
領域と、フォトダイオード領域とＶＣＣＤチャネル領域
間の第２ウェル内に形成された第２導電型の転送ゲート
チャネル領域と、前記ＶＣＣＤチャネル領域と前記前段
のフォトダイオード領域間を隔離するための第２ウェル
内に形成された第２導電型のチャネルストップ領域と、
各フォトダイオード領域の表面下方に形成された第２導
電型不純物領域と、基板の全面にわたって形成された薄
膜の絶縁膜と、第２ウェル上方に形成された転送ゲート
電極と、前記ゲート電極を覆うように絶縁膜上に形成さ
れた層間絶縁膜と、各フォトダイオード領域を除いた基
板全面に形成された光遮蔽膜と、を含むＣＣＤ型固体撮
像素子が提供される。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を図面を参照して詳述する。図
６は本発明の実施例によるＣＣＤ型固体撮像素子の断面
図である。本発明のＣＣＤ型固体撮像素子は、ｐ型ウェ
ル３２がｎ型基板３１上に形成され、ｐ型ウェル３２に
はｎ型フォトダイオード領域３５が形成されている。ｎ
型フォトダイオード領域３５は相対的に高濃度のフォト
ダイオード３５−３、中間濃度のフォトダイオード３５
−２、及び相対的に低濃度のフォトダイオード３５−１
からなる。すなわち全領域にわたって不純物濃度が一定
ではなく、ＶＣＣＤチャネル領域４３から遠ければ遠い
ほど不純物濃度が段階的に低くなる濃度分布を有する。
また、ｎ型フォトダイオード領域３２上には、表面ノイ
ズを減少するための高濃度のｐ++型層４５が形成されて
いる。
６は本発明の実施例によるＣＣＤ型固体撮像素子の断面
図である。本発明のＣＣＤ型固体撮像素子は、ｐ型ウェ
ル３２がｎ型基板３１上に形成され、ｐ型ウェル３２に
はｎ型フォトダイオード領域３５が形成されている。ｎ
型フォトダイオード領域３５は相対的に高濃度のフォト
ダイオード３５−３、中間濃度のフォトダイオード３５
−２、及び相対的に低濃度のフォトダイオード３５−１
からなる。すなわち全領域にわたって不純物濃度が一定
ではなく、ＶＣＣＤチャネル領域４３から遠ければ遠い
ほど不純物濃度が段階的に低くなる濃度分布を有する。
また、ｎ型フォトダイオード領域３２上には、表面ノイ
ズを減少するための高濃度のｐ++型層４５が形成されて
いる。
【００１１】また、隣りのｎ型フォトダイオード領域３
５との間、すなわちｎ型フォトダイオード領域３５の
中、高濃度のフォトダイオード３５−３と前段のｎ型フ
ォトダイオード領域３５′の中、低濃度のフォトダイオ
ード３５′−１間に、これらとオーバラップされた第２
ｐウェル３９が形成され、この第２ｐウェル３９内に前
記ｎ型転送ゲートチャネル領域４３、ｐ型転送ゲートチ
ャネル領域３９′及びｐ型チャネルストップ領域４１が
形成された。このｐ型チャネルストップ領域４１は前段
のｎ型フォトダイオード領域３５′の低濃度のフォトダ
イオード３５′−１とｎ型転送ゲートチャネル領域４３
とを分離させる。ｐ型転送ゲートチャネル領域３９′は
ｎ型フォトダイオード領域３５の高濃度のフォトダイオ
ード３５−３とｎ型ＶＣＣＤチャネル領域４３間に形成
されている。
５との間、すなわちｎ型フォトダイオード領域３５の
中、高濃度のフォトダイオード３５−３と前段のｎ型フ
ォトダイオード領域３５′の中、低濃度のフォトダイオ
ード３５′−１間に、これらとオーバラップされた第２
ｐウェル３９が形成され、この第２ｐウェル３９内に前
記ｎ型転送ゲートチャネル領域４３、ｐ型転送ゲートチ
ャネル領域３９′及びｐ型チャネルストップ領域４１が
形成された。このｐ型チャネルストップ領域４１は前段
のｎ型フォトダイオード領域３５′の低濃度のフォトダ
イオード３５′−１とｎ型転送ゲートチャネル領域４３
とを分離させる。ｐ型転送ゲートチャネル領域３９′は
ｎ型フォトダイオード領域３５の高濃度のフォトダイオ
ード３５−３とｎ型ＶＣＣＤチャネル領域４３間に形成
されている。
【００１２】基板３１全表面上には酸化膜のような薄膜
の絶縁膜３３が形成され、その絶縁膜３３上にｐ型チャ
ネルストップ領域４１、ｎ型ＶＣＣＤチャネル領域４３
及びｐ型転送ゲートチャネル領域３９′にわたって転送
ゲート４４が形成される。またフォトダイオード領域３
５の上方を除いた基板全面に金属からなる光遮蔽層４７
が形成され、光遮蔽層４７と転送ゲート４４とを絶縁す
るための層間絶縁膜４６が形成されている。
の絶縁膜３３が形成され、その絶縁膜３３上にｐ型チャ
ネルストップ領域４１、ｎ型ＶＣＣＤチャネル領域４３
及びｐ型転送ゲートチャネル領域３９′にわたって転送
ゲート４４が形成される。またフォトダイオード領域３
５の上方を除いた基板全面に金属からなる光遮蔽層４７
が形成され、光遮蔽層４７と転送ゲート４４とを絶縁す
るための層間絶縁膜４６が形成されている。
【００１３】前記固体撮像素子において、第２ウェル３
９とｐ++型ウェル層４５はフォトダイオード領域３５よ
り不純物濃度が高い、ｐ型転送ゲートチャネル領域３
９′はｐ型チャネルストップ領域４１より不純物濃度が
低い、かつフォトダイオード領域３５は第１ｐ型ウェル
３２より不純物濃度が高い。
９とｐ++型ウェル層４５はフォトダイオード領域３５よ
り不純物濃度が高い、ｐ型転送ゲートチャネル領域３
９′はｐ型チャネルストップ領域４１より不純物濃度が
低い、かつフォトダイオード領域３５は第１ｐ型ウェル
３２より不純物濃度が高い。
【００１４】前記固体撮像素子の動作を図７及び図８を
参照して説明する。まず、図６のＢ−Ｂ′間の電位分布
を示した図７を参照して蓄積モード時の動作を説明す
る。蓄積モード時には、フォトダイオード領域３５が各
位置毎に濃度分布が異なり、これによりピンチオフの電
位が異なるので、転送ゲートチャネル領域３９′におい
て電位のピーク値もバルクの方へ深く形成される（略
１．２μｍ〜１．７μｍ）。
参照して説明する。まず、図６のＢ−Ｂ′間の電位分布
を示した図７を参照して蓄積モード時の動作を説明す
る。蓄積モード時には、フォトダイオード領域３５が各
位置毎に濃度分布が異なり、これによりピンチオフの電
位が異なるので、転送ゲートチャネル領域３９′におい
て電位のピーク値もバルクの方へ深く形成される（略
１．２μｍ〜１．７μｍ）。
【００１５】したがって、赤色波長帯の強度特性が良好
となる。また、フォトダイオード領域３５内に電位が階
段状で分布されるので少量の電荷が先にフォトダイオー
ド領域３５の中、濃度の最高値部分３５−３へ移動され
て蓄積される。したがって転送ゲート４４のターンオン
の時、ＶＣＣＤチャネル領域４３へ容易に読み出すこと
が出来る。
となる。また、フォトダイオード領域３５内に電位が階
段状で分布されるので少量の電荷が先にフォトダイオー
ド領域３５の中、濃度の最高値部分３５−３へ移動され
て蓄積される。したがって転送ゲート４４のターンオン
の時、ＶＣＣＤチャネル領域４３へ容易に読み出すこと
が出来る。
【００１６】次に、読み出しの動作について説明する。
転送ゲート４４に１５Ｖ程の電圧が印加されてターンオ
ンすると電位分布は図８に示すようになる。ｎ型フォト
ダイオード領域３５に蓄積されている電荷がバルクの側
の転送ゲートチャネル領域３９′を介してｎ型ＶＣＣＤ
チャネル領域４３へ移動して読み出される。この時蓄積
された信号電荷が高濃度の第２ｐウェル３９の存在によ
り転送ゲートチャネル領域３９′の表面へ向かわずに、
バルクに移動してノイズの影響を受けない完全な信号電
荷を読み出すことが出来る。つまり信号遅延特性が向上
される。
転送ゲート４４に１５Ｖ程の電圧が印加されてターンオ
ンすると電位分布は図８に示すようになる。ｎ型フォト
ダイオード領域３５に蓄積されている電荷がバルクの側
の転送ゲートチャネル領域３９′を介してｎ型ＶＣＣＤ
チャネル領域４３へ移動して読み出される。この時蓄積
された信号電荷が高濃度の第２ｐウェル３９の存在によ
り転送ゲートチャネル領域３９′の表面へ向かわずに、
バルクに移動してノイズの影響を受けない完全な信号電
荷を読み出すことが出来る。つまり信号遅延特性が向上
される。
【００１７】フォトダイオード領域３５が広く、かつ深
く形成されているので、剰余電荷がフォトダイオード領
域３５に存在する場合、ｎ型基板３１へ剰余電荷を流出
するための電荷通路が従来より非常に広く形成されて側
壁拡散（ｓｉｄｅ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）による効果は
減少する。したがってアンチブルーミング（ａｎｔｉ−
ｂｌｏｏｍｉｎｇ）特性が向上される。
く形成されているので、剰余電荷がフォトダイオード領
域３５に存在する場合、ｎ型基板３１へ剰余電荷を流出
するための電荷通路が従来より非常に広く形成されて側
壁拡散（ｓｉｄｅ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）による効果は
減少する。したがってアンチブルーミング（ａｎｔｉ−
ｂｌｏｏｍｉｎｇ）特性が向上される。
【００１８】図９及び図１０は本発明の固体撮像素子に
おいて、フォトダイオード領域３５とＶＣＣＤチャネル
領域４３間の電位分布についてのシミュレーション結果
値を示した図で、図９は転送ゲート４４に０Ｖが印加さ
れてターンオフされた場合の分布図であり、図１０は転
送ゲート４４に１５Ｖが印加されてターンオンされた場
合の分布図である。
おいて、フォトダイオード領域３５とＶＣＣＤチャネル
領域４３間の電位分布についてのシミュレーション結果
値を示した図で、図９は転送ゲート４４に０Ｖが印加さ
れてターンオフされた場合の分布図であり、図１０は転
送ゲート４４に１５Ｖが印加されてターンオンされた場
合の分布図である。
【００１９】図１１〜１９は本発明の実施例による固体
撮像素子の製造工程図である。図１１のように、ｎ型シ
リコン基板３１上に、ｐ型エピタキシャル層を形成する
か、ｐ型不純物をイオン注入し熱拡散して第１ｐウェル
３２を３〜６μｍ厚さで形成する。ｎ型シリコン基板３
１は１０〜１００Ωcmの抵抗値を有する。第１ｐウェル
３２上に絶縁膜の薄膜の酸化膜３３を形成する。また絶
縁膜として酸化膜の代わりに質化膜を用いることができ
る。
撮像素子の製造工程図である。図１１のように、ｎ型シ
リコン基板３１上に、ｐ型エピタキシャル層を形成する
か、ｐ型不純物をイオン注入し熱拡散して第１ｐウェル
３２を３〜６μｍ厚さで形成する。ｎ型シリコン基板３
１は１０〜１００Ωcmの抵抗値を有する。第１ｐウェル
３２上に絶縁膜の薄膜の酸化膜３３を形成する。また絶
縁膜として酸化膜の代わりに質化膜を用いることができ
る。
【００２０】図１２〜１４は本発明のｎ型フォトダイオ
ードを形成するための工程図である。まず、図１２のよ
うに、酸化膜３３上にフォトレジスト膜３４を塗布しパ
ターニングしてフォトダイオードが形成される部分の酸
化膜３３を露出させる。露出させた酸化膜３３を介して
第１ｐウェル３２にｎ型不純物をイオン注入して、相対
的に低濃度のｎ型フォトダイオード３５−１を形成す
る。
ードを形成するための工程図である。まず、図１２のよ
うに、酸化膜３３上にフォトレジスト膜３４を塗布しパ
ターニングしてフォトダイオードが形成される部分の酸
化膜３３を露出させる。露出させた酸化膜３３を介して
第１ｐウェル３２にｎ型不純物をイオン注入して、相対
的に低濃度のｎ型フォトダイオード３５−１を形成す
る。
【００２１】図１３のように、前記フォトレジスト膜３
４を除去し、さらにフォトレジスト膜３６を塗布しパタ
ーニングして、低濃度のｎ型フォトダイオード３５−１
上の酸化膜３３の一部を露出する。露出された酸化膜を
介して低濃度のｎ型フォトダイオード３５−２にｎ型不
純物をイオン注入してｎ型フォトダイオード３５−１よ
り濃度が高いｎ型フォトダイオード３５−２を形成す
る。
４を除去し、さらにフォトレジスト膜３６を塗布しパタ
ーニングして、低濃度のｎ型フォトダイオード３５−１
上の酸化膜３３の一部を露出する。露出された酸化膜を
介して低濃度のｎ型フォトダイオード３５−２にｎ型不
純物をイオン注入してｎ型フォトダイオード３５−１よ
り濃度が高いｎ型フォトダイオード３５−２を形成す
る。
【００２２】図１４のように、フォトレジスト膜３６を
除去し、新しいフォトレジスト膜３７を塗布しパターニ
ングして、中間濃度のｎ型フォトダイオード３５−２上
の酸化膜３３の一部を露出させる。露出させた酸化膜３
３を介して中間濃度のｎ型フォトダイオード３５−２に
ｎ型不純物をイオン注入して中間濃度のｎ型フォトダイ
オード３５−２より相対的に濃度が高い高濃度のｎ型フ
ォトダイオード３５−３を形成する。
除去し、新しいフォトレジスト膜３７を塗布しパターニ
ングして、中間濃度のｎ型フォトダイオード３５−２上
の酸化膜３３の一部を露出させる。露出させた酸化膜３
３を介して中間濃度のｎ型フォトダイオード３５−２に
ｎ型不純物をイオン注入して中間濃度のｎ型フォトダイ
オード３５−２より相対的に濃度が高い高濃度のｎ型フ
ォトダイオード３５−３を形成する。
【００２３】前述したように、選択的な写真エッチング
によりｎ型不純物を、位置に応じてその濃度を異なって
イオン注入し熱拡散して、位置に応じる階段状の濃度分
布を有するｎ型フォトダイオード３５を形成する。フォ
トダイオード３５は１．５μｍ〜３．５μｍ程の深さを
有し、第１ｐウェル３２より不純物濃度が高い。
によりｎ型不純物を、位置に応じてその濃度を異なって
イオン注入し熱拡散して、位置に応じる階段状の濃度分
布を有するｎ型フォトダイオード３５を形成する。フォ
トダイオード３５は１．５μｍ〜３．５μｍ程の深さを
有し、第１ｐウェル３２より不純物濃度が高い。
【００２４】図１５のように、前記フォトレジスト膜３
７を除去し、新しいフォトレジスト膜３８を塗布しパタ
ーニングして、フォトレジスト膜３５間の酸化膜３３及
びフォトダイオード３５上の酸化膜３３の一部を露出さ
せる。露出させた酸化膜３３を介して高濃度のｐ型不純
物をイオン注入し熱拡散して、第２ｐウェル３９を形成
する。第２ｐウェル３９は高濃度のｎ型フォトダイオー
ド３５−３及びこの高濃度のｎ型フォトダイオード３５
−３に隣接するフォトダイオードの低濃度のｎ型フォト
ダイオード３５′−１間にこれらの領域とオーバラップ
されるように形成する。第２ｐウェル３９はｎ型フォト
ダイオード３５より高い不純物を濃度を有し、１．０μ
ｍ〜１．５μｍ程の接合深さを有する。
７を除去し、新しいフォトレジスト膜３８を塗布しパタ
ーニングして、フォトレジスト膜３５間の酸化膜３３及
びフォトダイオード３５上の酸化膜３３の一部を露出さ
せる。露出させた酸化膜３３を介して高濃度のｐ型不純
物をイオン注入し熱拡散して、第２ｐウェル３９を形成
する。第２ｐウェル３９は高濃度のｎ型フォトダイオー
ド３５−３及びこの高濃度のｎ型フォトダイオード３５
−３に隣接するフォトダイオードの低濃度のｎ型フォト
ダイオード３５′−１間にこれらの領域とオーバラップ
されるように形成する。第２ｐウェル３９はｎ型フォト
ダイオード３５より高い不純物を濃度を有し、１．０μ
ｍ〜１．５μｍ程の接合深さを有する。
【００２５】図１６のように、前記フォトレジスト膜３
７を除去し、さらにフォトレジスト膜４０を塗布しパタ
ーニングして、低濃度のフォトレジスト膜３５−１にオ
ーバラップした第２ｐウェル３９上の酸化膜３３の一部
を露出させる。露出させた酸化膜３３を介してｐ型不純
物を第２ｐウェル３９にイオン注入して高濃度のｐ型チ
ャネルストップ領域４１を、前記第２ｐウェル３９内に
形成する。
７を除去し、さらにフォトレジスト膜４０を塗布しパタ
ーニングして、低濃度のフォトレジスト膜３５−１にオ
ーバラップした第２ｐウェル３９上の酸化膜３３の一部
を露出させる。露出させた酸化膜３３を介してｐ型不純
物を第２ｐウェル３９にイオン注入して高濃度のｐ型チ
ャネルストップ領域４１を、前記第２ｐウェル３９内に
形成する。
【００２６】さらに、図１７のように、前記フォトレジ
スト膜４０を除去し、さらにフォトレジスト膜４２を塗
布しパターニングして、前記チャネルストップ領域４１
に隣接した第２ｐウェル３９上の酸化膜３３の一部を露
出させる。露出させた酸化膜３３を介してｎ型不純物を
第２ｐウェル３９にイオン注入して、前記チャネルスト
ップ領域４１に隣接して第２ｐウェル３９内にＶＣＣＤ
領域４３を形成する。前段のフォトダイオード領域３
５′の中、低濃度のフォトダイオード領域３５′−１と
ＶＣＣＤチャネル領域４３とは高濃度のｐ型チャネルス
トップ領域４１により隔離されることとなる。ＶＣＣＤ
チャネル領域４３は、第２ｐウェル３９より不純物濃度
が高く、０．２μｍ〜１．２μｍ程の接合深さを有す
る。
スト膜４０を除去し、さらにフォトレジスト膜４２を塗
布しパターニングして、前記チャネルストップ領域４１
に隣接した第２ｐウェル３９上の酸化膜３３の一部を露
出させる。露出させた酸化膜３３を介してｎ型不純物を
第２ｐウェル３９にイオン注入して、前記チャネルスト
ップ領域４１に隣接して第２ｐウェル３９内にＶＣＣＤ
領域４３を形成する。前段のフォトダイオード領域３
５′の中、低濃度のフォトダイオード領域３５′−１と
ＶＣＣＤチャネル領域４３とは高濃度のｐ型チャネルス
トップ領域４１により隔離されることとなる。ＶＣＣＤ
チャネル領域４３は、第２ｐウェル３９より不純物濃度
が高く、０．２μｍ〜１．２μｍ程の接合深さを有す
る。
【００２７】図１８のように、不純物がドーピングされ
たポリシリコン膜４４を酸化膜３３上に形成し写真エッ
チングして前記第２ｐウェル３９の上部にのみ転送ゲー
ト電極を形成する。不純物がドーピングされたポリシリ
コン膜からなる転送ゲート４４をマスクとしてセルフア
ラインメントさせてｐ型不純物をフォトダイオード領域
３５にイオン注入して高濃度のｐ++層４５を形成する。
このｐ++層４５は、フォトダイオード領域３５の表面下
方に０．１μｍ〜０．２μｍ程の接合深さで形成され、
その不純物濃度は１０〜１００倍程高い。
たポリシリコン膜４４を酸化膜３３上に形成し写真エッ
チングして前記第２ｐウェル３９の上部にのみ転送ゲー
ト電極を形成する。不純物がドーピングされたポリシリ
コン膜からなる転送ゲート４４をマスクとしてセルフア
ラインメントさせてｐ型不純物をフォトダイオード領域
３５にイオン注入して高濃度のｐ++層４５を形成する。
このｐ++層４５は、フォトダイオード領域３５の表面下
方に０．１μｍ〜０．２μｍ程の接合深さで形成され、
その不純物濃度は１０〜１００倍程高い。
【００２８】したがって、ｐ型埋込み転送ゲートチャネ
ル領域３９′が、ＶＣＣＤチャネル領域４３とフォトダ
イオード領域３５間に形成される。この時第２ｐウェル
３９の上部にＶＣＣＤチャネル領域４３がカウントドー
ピングされ、フォトダイオード領域３５の低濃度のフォ
トダイオード領域３５−１の側面拡散によるカウントド
ーピングにより第２ｐウェル３９よりは不純物濃度は低
い。
ル領域３９′が、ＶＣＣＤチャネル領域４３とフォトダ
イオード領域３５間に形成される。この時第２ｐウェル
３９の上部にＶＣＣＤチャネル領域４３がカウントドー
ピングされ、フォトダイオード領域３５の低濃度のフォ
トダイオード領域３５−１の側面拡散によるカウントド
ーピングにより第２ｐウェル３９よりは不純物濃度は低
い。
【００２９】図１９のように、基板全面に層間絶縁膜４
６として酸化膜を塗布し、前記転送ゲート電極４４のみ
を覆うようにパターニングする。さらに基板全面にアル
ミニウムのような金属を全面蒸着しパターニングして光
遮蔽膜４７を形成しフォトダイオード領域３５上の酸化
膜３３を露出させる。酸化膜からなる層間絶縁膜４６
は、転送ゲート電極４４と光遮蔽膜４７とを絶縁するた
めのものであり、光遮蔽膜４７はフォトダイオード領域
３５以外の部分への光入射を遮断するための物である。
６として酸化膜を塗布し、前記転送ゲート電極４４のみ
を覆うようにパターニングする。さらに基板全面にアル
ミニウムのような金属を全面蒸着しパターニングして光
遮蔽膜４７を形成しフォトダイオード領域３５上の酸化
膜３３を露出させる。酸化膜からなる層間絶縁膜４６
は、転送ゲート電極４４と光遮蔽膜４７とを絶縁するた
めのものであり、光遮蔽膜４７はフォトダイオード領域
３５以外の部分への光入射を遮断するための物である。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＣＣＤ型
固体撮像素子によれば、フォトダイオード領域が従来構
造に比べて深く広く形成されて、赤色波長帯の光に対す
る感度特性が向上され、側面拡散による３次元効果も小
さいので、アンチブルーミング特性が向上される。ま
た、垂直転送チャネル領域であるＶＣＣＤチャネル領域
がカップ状の第２ｐウェル内に存在するから、拡散スミ
ア特性が向上され、転送ゲートのターンオンの際、バル
ク方へ信号電荷が移動されるから雑音特性が向上され
る。しかも、フォトダイオード領域の位置に応じて濃度
が段階的に分布し、蓄積モードの際、大部分の信号電荷
がＶＣＣＤチャネル領域にもっとも近い高濃度のフォト
ダイオードに蓄積されるから、読み出しにより発生する
映像−遅延特性が従来の固体撮像より優れた利点があ
る。
固体撮像素子によれば、フォトダイオード領域が従来構
造に比べて深く広く形成されて、赤色波長帯の光に対す
る感度特性が向上され、側面拡散による３次元効果も小
さいので、アンチブルーミング特性が向上される。ま
た、垂直転送チャネル領域であるＶＣＣＤチャネル領域
がカップ状の第２ｐウェル内に存在するから、拡散スミ
ア特性が向上され、転送ゲートのターンオンの際、バル
ク方へ信号電荷が移動されるから雑音特性が向上され
る。しかも、フォトダイオード領域の位置に応じて濃度
が段階的に分布し、蓄積モードの際、大部分の信号電荷
がＶＣＣＤチャネル領域にもっとも近い高濃度のフォト
ダイオードに蓄積されるから、読み出しにより発生する
映像−遅延特性が従来の固体撮像より優れた利点があ
る。
【図１】 従来のＣＣＤ型固体撮像素子の断面図であ
る。
る。
【図２】 図１のＡ−Ａ′線による信号電荷の蓄積時の
電位分布図である。
電位分布図である。
【図３】 図１のＡ−Ａ′線による信号電荷の読み出し
時の電位分布図である。
時の電位分布図である。
【図４】 図１のＢ−Ｂ′線による信号電荷の読み出し
時の電位分布図である。
時の電位分布図である。
【図５】 改善された従来のＣＣＤ型固体撮像素子の断
面図である。
面図である。
【図６】 本発明の実施例によるＣＣＤ型固体撮像素子
の断面図である。
の断面図である。
【図７】 図６のＣ−Ｃ′線による信号電荷の蓄積時の
電位分布図である。
電位分布図である。
【図８】 図６のＣ−Ｃ′線による信号電荷の読み出し
時の電位分布図である。
時の電位分布図である。
【図９】 本発明の固体撮像素子において、転送ゲート
のターンオフの際、フォトダイオードとＶＣＣＤチャネ
ル領域間の電位分布についてのシミュレーション結果値
を示した図である。
のターンオフの際、フォトダイオードとＶＣＣＤチャネ
ル領域間の電位分布についてのシミュレーション結果値
を示した図である。
【図１０】 本発明の固体撮像素子において、転送ゲー
トのターンオンの際、フォトダイオードとＶＣＣＤチャ
ネル領域間の電位分布についてのシミュレーション結果
値を示した図である。
トのターンオンの際、フォトダイオードとＶＣＣＤチャ
ネル領域間の電位分布についてのシミュレーション結果
値を示した図である。
【図１１】 図６のＣＣＤ型固体撮像素子の製造工程図
である。
である。
【図１２】 図６のＣＣＤ型固体撮像素子の製造工程図
である。
である。
【図１３】 図６のＣＣＤ型固体撮像素子の製造工程図
である。
である。
【図１４】 図６のＣＣＤ型固体撮像素子の製造工程図
である。
である。
【図１５】 図６のＣＣＤ型固体撮像素子の製造工程図
である。
である。
【図１６】 図６のＣＣＤ型固体撮像素子の製造工程図
である。
である。
【図１７】 図６のＣＣＤ型固体撮像素子の製造工程図
である。
である。
【図１８】 図６のＣＣＤ型固体撮像素子の製造工程図
である。
である。
【図１９】 図６のＣＣＤ型固体撮像素子の製造工程図
である。
である。
３１…シリコン基板、３２…第１ウェル、３３…絶縁
膜、３４，３６，３７，３８，４０，４２…フォトダイ
オード膜、３５…フォトダイオード領域、３９…第２ウ
ェル、４２…チャネルストップ領域、４３…ＶＣＣＤチ
ャネル領域、４４…転送ゲート、４５…ｐ++、４６…層
間絶縁膜、４７…光遮蔽膜。
膜、３４，３６，３７，３８，４０，４２…フォトダイ
オード膜、３５…フォトダイオード領域、３９…第２ウ
ェル、４２…チャネルストップ領域、４３…ＶＣＣＤチ
ャネル領域、４４…転送ゲート、４５…ｐ++、４６…層
間絶縁膜、４７…光遮蔽膜。
Claims (11)
- 【請求項１】 第１導電型のシリコン基板（３１）と、 シリコン基板（３１）上に形成された第２導電型の第１
ウェル（３２）と、 第１ウェル（３２）内に互いに一定距離をおいて広く形
成された複数の第１導電型のフォトダイオード領域（３
５）と、 そのフォトダイオード領域（３５）及びそれの隣りの前
段のフォトダイオード領域（３５′）にオーバラップし
て第１ウェル（３２）内に形成された第２導電型の第２
ウェル（３９）と、 前記第２ウェル（３９）内に形成された複数の第１導電
型のＶＣＣＤチャネル領域（４３）と、 フォトダイオード領域（３５）とＶＣＣＤチャネル領域
（４３）間の第２ウェル（３９）内に形成された第２導
電型の転送ゲートチャネル領域（３９′）と、前記ＶＣ
ＣＤチャネル領域（４３）と前記前段のフォトダイオー
ド領域（３５′）間を隔離するための第２ウェル（３
９）内に形成された第２導電型のチャネルストップ領域
（４１）と、 各フォトダイオード領域（３５）の表面下方に形成され
た第２導電型不純物領域（４５）と、 基板の全面にわたって形成された薄膜の絶縁膜（３３）
と、 第２ウェル（３９）上方の絶縁膜（３３）上に形成され
た転送ゲート電極（４４）と、 前記ゲート電極（４４）を覆うように絶縁膜（３３）上
に形成された層間絶縁膜（４６）と各フォトダイオード
領域（３５）上方を除いた基板全面に形成された光遮蔽
膜（４７）と、 を含むＣＣＤ型固体撮像素子。 - 【請求項２】 各フォトダイオード領域（３５）は、相
対的に高濃度のフォトダイオード（３５−３）と、中間
濃度のフォトダイオード（３５−２）と、相対的に低濃
度のフォトダイオード（３５−１）とからなり、ＶＣＣ
Ｄチャネル領域（４３）の方へ次第に高くなる段階的な
濃度分布を有する請求項１記載のＣＣＤ型固体撮像素
子。 - 【請求項３】 各フォトダイオード領域（３５）は、
１．５μｍ〜３．５μｍ程の深さを有する請求項２記載
のＣＣＤ型固体撮像素子。 - 【請求項４】 第２ウェル（３９）は、ｎ型フォトダイ
オード領域（３５）より高濃度の不純物領域である請求
項１記載のＣＣＤ型固体撮像素子。 - 【請求項５】 第２ウェル（３９）は、０．２μｍ〜
１．２μｍ程の深さを有する請求項４記載のＣＣＤ型固
体撮像素子。 - 【請求項６】 第１導電型のシリコン基板（３１）は、
１０〜１００Ωcm程の抵抗値を有する請求項１記載のＣ
ＣＤ型固体撮像素子。 - 【請求項７】 第１ウェル（３２）は、３μｍ〜６μｍ
程の深さを有する請求項１記載のＣＣＤ型固体撮像素
子。 - 【請求項８】 転送ゲートチャネル領域（３９′）は、
第２ウェル（３９）より低い不純物濃度を有する請求項
１記載のＣＣＤ型固体撮像素子。 - 【請求項９】 絶縁膜として、酸化膜または窒化膜のい
ずれかを用いる請求項１記載のＣＣＤ型固体撮像素子。 - 【請求項１０】 第２導電型の不純物領域（４５）は、
０．１μｍ〜０．２μｍ程の深さを有し、フォトダイオ
ード領域（３５）より１０〜１００倍高い不純物濃度を
有する請求項１記載のＣＣＤ型固体撮像素子。 - 【請求項１１】 転送ゲート電極（４４）は、不純物が
ドーピングされたポリシリコン膜からなる請求項１記載
のＣＣＤ型固体撮像素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR27491/1993 | 1993-12-13 | ||
| KR1019930027491A KR970011376B1 (ko) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 씨씨디(ccd)형 고체촬상소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07202158A true JPH07202158A (ja) | 1995-08-04 |
| JP3111212B2 JP3111212B2 (ja) | 2000-11-20 |
Family
ID=19370759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06090747A Expired - Fee Related JP3111212B2 (ja) | 1993-12-13 | 1994-04-06 | Ｃｃｄ型固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5446297A (ja) |
| JP (1) | JP3111212B2 (ja) |
| KR (1) | KR970011376B1 (ja) |
| DE (1) | DE4413988C2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004031878A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JP2008166735A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサ |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0123048Y1 (ko) * | 1994-07-08 | 1998-10-01 | 구본준 | 씨씨디 영상소자 |
| JP2797993B2 (ja) * | 1995-02-21 | 1998-09-17 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
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