KR970067917A - 증폭형 고체촬상소자 및 그의 제조방법 - Google Patents

증폭형 고체촬상소자 및 그의 제조방법 Download PDF

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Abstract

입사광의 광전변환에 의해 신호전하를 얻고, 이 신호전하를 축적하며, 이 축적된 신호전하에 대응하는 전기 신호를 출력하기 위한 트랜지스터를 갖는 본 발명의 증폭형 고체촬상소자는, 트랜지스터의 소스 영역과 드레인 영역중 적어도 하나와 광전변환영역간에 전계 강도를 저하시키기 위한 전계 강도 완화 영역을 포함한다.

Description

증폭형 고체촬상소자 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예1에 의한 증폭형 고체촬상소자의 화소부의 단면도

Claims (9)

  1. 입사광의 광전변환에 의해 신호전하를 얻고, 이 신호전하를 축적하며, 이 축적된 신호전하에 대응하는 전기 신호를 출력하기 위한 트랜지스터를 갖는 증폭형 고체촬상소자에 있어서 상기 트랜지스터의 소스 영역 및드레인 영역중 적어도 하나와 광전변환영역간에 전계 강도를 저하시키기 위한 전계 강도 완화 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체촬상소자.
  2. 제1항에 있어서 상기 트랜지스터는 광전변환에 의해 얻어진 신호전하를 측적하기 위해 반도체 바이스의 표면부에 형성된 제1게이트 영역을 포함하고, 제2게이트 영역이 상기 제1게이트 영역에 인접한 반도체 베이스의 표면부에 형성되며, 상기 신호전하는 상기 제2게이트 영역을 통해 상기 반도체 베이스로 배출되는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체촬상소자.
  3. 제1항에 있어서 상기 트랜지스터는 광전변환에 의해 얻어진 신호전하를 측적하기 위해 반도체 베이스의 표면부에 형성된 제1게이트 영역을 포함하며, 드레인 영역은 반도체 베이스로 구성되고, 제2게이트 영역이 상기 제1게이트 영역에 인접한 반도체 베이스의 표면부에 형성되며, 제2 드레인이 상기 제2 게이트 영역을 신호전하를 배출하기 위해 상기 제2게이트 영역에 인접한 상기 반도체 베이스의 표면부에 형성되고, 트랜지스터의 소스 영역 부근에 전계 강도 완화 영역이 형성되는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체촬상소자.
  4. 제1항에 있어서 상기 트랜지스터는 광전변환에 의해 얻어진 신호전하를 측적하기 위해 반도체 베이스의 표면부에 형성된 제1게이트 영역을 포함하며, 제2게이트 영역이 상기 제1게이트 영역에 인접한 반도체 베이스의 표면부에 형성되고, 제2드레인이 상기 제2게이트 영역을 통해 상기 신호전하를 배출하기 위해 상기 반도체베이스의 표면부의 제2게이트 영역내에 형성되는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체촬상소자.
  5. 제2항에 있어서 상기 제1게이트 영역에 인접한 부분의 반대측의 상기 제2게이트 영역의 일측에 위치된 상기 반도체 베이스의 표면부에 전계 저지부가 형성되는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체촬상소자.
  6. 제1항에 있어서 상기 반도체 베이스의 표면으로부터의 상기 전계 강도 완화 영역의 깊이는 상기 광전변환영역의 표텐셜의 극대점의 위치 이상인 것을 특징으로 하는 증폭형 고체촬상소자.
  7. 입사광의 광전변환에 의해 신호전하를 얻고, 이 신호전하를 축적하며, 이 축적된 신호전하에 대응하는 전기 신호를 출력하기 위한 트랜지스터를 갖는 증폭형 고체촬상소자의 제조방법에 있어서 상기 트랜지스터의 소스 영역및 드레인 영역으로 되는 영역중 적어도 하나의 영역에 확산 계수가 상이한 복수의 불순물 원소의 이온을 주입하는 공정; 및 상기 소스 영역 및 드레인 영역의 적어도 하나에 형성된 고농도 불순물 영역과 광전변환영역간에 전계 강도를 저하시키기 위한 전계 강도 완화 영역을 열처리에 의해 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체촬상소자의 제조방법.
  8. 입사광의 광전변환에 의해 신호전하를 얻고, 이 신호전하를 축적하며, 이 축적된 신호전하에 대응하는 전기 신호를 출력하기 위한 트랜지스터를 갖는 증폭형 고체촬상소자의 제조방법에 있어서 상기 트랜지스터의 소스 영역및 드레인 영역으로 되는 영역중 적어도 하나의 영역에 저농도로 소정 원소의 이온을 주입하는 공정; 상기 트랜지스터의 소스 영역 및 드레인 영역으로 되는 영역중 적어도 하나의 영역상의 제어 전극의 측벽에 소정 두께로 절연막을 형성하는 공정; 및 고농도로 상기 제어 전극의 측벽에 형성된 절연막으로 둘러싸인 개구를 통해 소정 원소의 이온을 주입함으로써 상기 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하여 상기 트랜지스터의 소스 영역 및 드레인 영역중 적어도 하나와 광전변환영역간에 전계 강도를 저하시키기 위한 전계 강도 완화 영역을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체촬상소자.
  9. 제8항에 있어서 상기 트랜지스터의 소스 영역 및 드레인 영역인 영역의 하나를 둘러싸도록 제어 영역이 형성되며 이 제어 영역을 둘러싸도록 다른 영역이 형성되는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체촬상소자의 제조방법.
KR1019970007930A 1996-03-06 1997-03-05 신호 전하를 제어하는 트랜지스터를 갖는 증폭형 고체촬상소자 및 그의 제조방법 KR100261349B1 (ko)

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