JP2005142470A - 光電変換装置及びイメージセンサーic - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1導電型の第1半導体領域と、第1半導体領域内に設けられた第2導電型の第2半導体領域と、第2半導体領域に近接して、絶縁体を介して設けられたゲート電極とからなる受光素子からなる光電変換装置において、ゲート電極の下の第1半導体領域の表面状態が、反転状態と、蓄積状態の2つの状態に制御可能なことを特徴とする光電変換装置。
【選択図】 図1
Description
Vp=Qp/Cpd (1)
となる。したがって、受光素子の感度向上のためには、受光エリアで発生する光生成キャリアQpを充分にPN接合で捕らえることと、フォトダイオード部の容量Cpdを小さくすることが重要である。そこで、図17に示すように、遮光膜3により囲まれた複数の開口部4それぞれの受光領域(N型半導体基板)内に、小さい拡散領域であるP型領域1、1‘を複数設けている。受光領域にて発生された光生成キャリアQpをできるだけ拡散領域であるP型領域1、1‘に捕らえて、なおかつフォトダイオード部の容量Cpdを小さくする試みがある(例えば、特許文献1参照。)。
リセットノイズVnは、
Vn=√(kT/Cpd) (2)
(k:ボルツマン定数、T:温度(K°))
となる。そして、S/N比は、(1)、(2)より
Vp/Vn=Qp・√(1/(kTCpd)) (3)
となる。したがって、S/N比向上のためには、光生成キャリアQpを大きくし、フォトダイオード部の容量Cpdを小さくすることが重要である。
また、埋め込みダイオードは接合容量が大きくなるので、フォトダイオード部の容量Cpdが大きく、感度が下がる。
そこで、リセットノイズを回路的に回避するために、図18に示すように、ノイズ信号保持手段を設けて、リセットノイズを相殺する試みがある(例えば、特許文献2参照。)。
また、受光素子にフォトトランジスタを使った場合は、フォトトランジスタに増幅機能があるので高感度が得られるが、ベース・エミッタ間に電荷が残ってしまうので、残像が出てしまうという欠点があった。フォトダイオードにおいては,このような欠点はない。
図17の光電変換装置の場合、拡散領域が小さいため、受光領域の外周近辺で発生した光電荷を、拡散領域で捕獲する比率が下がる。したがって、光生成キャリアQpが小さくなってしまう。
高感度を得るためには、後段の信号処理回路の増幅率を高くして感度を上げなくてはならない。この場合、リセット回路以外の各回路の熱雑音も同じように増幅されるので、高いS/N比を得ることが困難である。
また、前記受光素子が光電荷蓄積時は、前記ゲート電極の下の前記第1半導体領域の表面が反転状態にあり、前記受光素子が光信号読み出し時には、前記ゲート電極の下の前記第1半導体領域の表面が蓄積状態にある電変換装置とした。
または、前記受光素子が初期化するときは、前記ゲート電極の下の前記第1半導体領域の表面が蓄積状態にある光電変換装置とした。
さらに、上記の光電変換装置を有するイメージセンサーICとした。
ゲート電極をポリシリコンで形成するので、ゲート電極を光の一部が透過するので光生成キャリアQpの低下を最小限に留められる。
また、ゲート電極を検出したい波長に対して透明な導電膜で形成すれば、ゲート電極での透過率の低下を防ぎ、さらに高い光生成キャリアQpを得られるので、高いS/N比が得られる。
以上から、低コストで高いS/N比の光電変換装置を提供することができる。
図1は、本発明の光電変換装置の受光素子の平面図であり、図2は、図1のA−A’部の断面図である。
光電荷蓄積時は、制御信号線67により、ゲート電極56を基板領域60の電位に高電位にする。このとき、ゲート電極56の下の基板電位がN型に反転し、チャネル71が形成され、N型半導体領域54と電気的に接続する。この状態では、チャネル71とP型基板領域60の間に空乏層があり、入射光により発生した光電荷を捕獲する。
初期化動作時には、制御信号線67により、ゲート電極56を基板領域60の電位に対して高電位にする。このとき、ゲート電極56の下の基板電位がN型に反転し、チャネル71が形成される。この状態でリセット回路58により、N型半導体領域54の電位を初期化する。このとき、N型半導体領域54とチャネル71は電気的に共通のため、フォトダイオード部の容量Cpdには、ゲート電極56とチャネル71の容量が加わり、非常に大きな値となる。したがって、(2)式より、リセットノイズVnは小さくなる。
また、ゲート電極56はポリシリコンではなく、入射光の波長に対して透過性のある別の導電膜でもよい。例えば、ITO等の導電膜を形成しても良い。また、ゲート電極56の電位は、高電位と低電位でそれぞれ適当に設定する。P型基板を利用した本実施例の場合は、ゲート電極56に印加される高電位とはゲート電極56直下に反転層が出来る電圧、低電位とは反転層が消滅する電圧を意味する。
リセットスイッチ102の片方の端子は、Vreset端子につながっており、図6に示すように全ての光電変換ブロックAnのVreset端子は共通である。
アンプ手段103はMOSソースフォロアやボルテージフォロアアンプ等で形成し、動作状態を選択するアンプイネーブル端子110を設けても良い。
この光電変換装置の出力端子VOUTは、信号処理回路42の入力端子VINに入力する。光電変換装置と信号処理回路は、1つの半導体基板上に形成することができる。
以下に、本発明の実施形態例の光電変換装置43と信号処理回路42の4種類の動作方法について説明する。
φPGを低電位にしたまま、φRのパルスR1により初期化スイッチ102がオンすると、フォトダイオード101の出力端子Vdiは基準電圧Vresetに固定され、初期化スイッチ102がオフすると、Vdiの電圧はVresetにオフノイズが加算された値になる。初期化スイッチ102がオフした直後、φRINのR1の位置のパルスにより転送スイッチ114をオンして、フォトダイオード101の初期化後の基準信号を容量112に読み出す。
φSINのパルスS1により転送スイッチ115をオンして、フォトダイオード101及びNMOSゲート118で捕獲した光電荷の蓄積を行った後に得られる光生成キャリアQpを容量113に読み出す。このとき、φPGの電位を低電位にしておく。
この後第2タイミングTS2における光電荷蓄積動作に先立ち前記初期化を繰り返した後に、φPGの電位を高電位にし、次の蓄積動作を繰り返す。
φRINをオンする前にφPGをオンオフさせ、φRINをオフした後、φRをオンオフさせる。これによりφSINにより信号電圧を読み出すときと、φRINにより基準電圧を読み出すときに、同じノイズの状態を作っている。
φRをオフするときに、φPGをオンしている。これにより、リセット動作時に、チャネル71を形成し、フォトダイオード部の容量Cpdを大きくできるので、式(2)により、リセット時のノイズを小さくできる。
φRINをオフしφPGをオンした後、φRをオンオフさせる。これによりφSINにより信号電圧を読み出すときと、φRINにより基準電圧を読み出すときに、同じノイズの状態を作っている。
以上の本発明のイメージセンサーの説明で、信号処理回路42は、ICに内蔵されていなくともよい。
以上の説明は、主にリニアイメージセンサーICに関して行ったが、図1及び図3の構成はエリアイメージセンサーICにも適用できる。
以上の説明で、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
102 リセットスイッチ
103 アンプ
106 MOSトランジスタ
107 チャンネル選択スイッチ
108 電流源
110 アンプイネーブル端子
111 共通信号線
112、113 容量
114、115、116、117 転送スイッチ
118 NMOSゲート
21 サンプルホールド回路
22 バッファーアンプ
23 バッファーアンプ
24 減算器
25 クランプ回路
26 バッファーアンプ
27 サンプルホールド回路
28 バッファーアンプ
29 トランスミッションゲート
30 トランスミッションゲート
31 ダミースイッチ
32 オペアンプ
33 クランプ容量
41 イメージセンサーIC
42 信号処理回路
43 光電変換装置
44 基準電圧回路
47 信号出力端子
51 画素領域
52 LOCOS酸化膜境界
53 AL配線
54 N型半導体領域(第2半導体領域)
55 AL
56 ゲート電極
57 ソースフォロア回路
58 リセット回路
60 P型半導体基板領域(第1半導体領域)
61 コンタクト
62 ポリシリコン配線
63 コンタクト
64 中間絶縁膜
65 N型拡散層
67 制御配線
68 パッシベーション膜
69 LOCOS酸化膜
70 コンタクト
71 チャネル
Claims (9)
- 半導体基板表面に形成された素子分離により囲まれた第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域内表面に設けられた第2導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域に近接して前記第1半導体領域表面に絶縁体を介して設けられたゲート電極とからなり、
前記ゲート電極への電圧の印加を切り替えることにより、前記ゲート電極下の前記第1半導体領域の表面状態を、反転状態と、蓄積状態の2つの状態に制御することが可能な受光素子を有することを特徴とする光電変換装置。 - 前記ゲート電極の下の前記第1半導体領域に形成されたチャネルが、前記第2半導体領域と電気的に接続する請求項1記載の光電変換装置。
- 前記第2半導体領域を初期化するリセット手段と、前記第2半導体領域の信号に基づく増幅信号を生成する増幅手段とを有する請求項1記載の光電変換装置。
- 前記受光素子が光電荷蓄積時は、前記ゲート電極の下の前記第1半導体領域の表面が反転状態にあり、前記受光素子が光信号読み出し時には、前記ゲート電極下の前記第1半導体領域の表面が蓄積状態にある請求項1から3のいずれかに記載の光電変換装置。
- 前記受光素子が初期化するときは、前記ゲート電極の下の前記第1半導体領域の表面が反転状態にある請求項1から4のいずれかに記載の光電変換装置。
- 前記受光素子が初期化するときは、前記ゲート電極の下の前記第1半導体領域の表面が蓄積状態にあることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の光電変換装置。
- 前記ゲート電極は、ポリシリコンであることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の光電変換装置。
- 前記ゲート電極は、透明導電膜であることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の光電変換装置。
- 請求項1から8のいずれかに記載の光電変換装置を有するイメージセンサーIC。
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