JPH05328225A - 増幅型固体撮像装置 - Google Patents
増幅型固体撮像装置Info
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- JPH05328225A JPH05328225A JP4148595A JP14859592A JPH05328225A JP H05328225 A JPH05328225 A JP H05328225A JP 4148595 A JP4148595 A JP 4148595A JP 14859592 A JP14859592 A JP 14859592A JP H05328225 A JPH05328225 A JP H05328225A
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 14
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 9
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
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- H01L27/14654—Blooming suppression
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/7722—Field effect transistors using static field induced regions, e.g. SIT, PBT
Abstract
(57)【要約】
【目的】 受光領域における入射光の減衰を無くし、感
度の向上および分光感度特性の適正化を可能とした増幅
型固体撮像装置を提供する。 【構成】 マトリクス状に２次元配置された複数の画素
の各々を、Ｎ型半導体基板１１の基板表面側にＮ+ 不純
物領域からなるソース領域１２を形成し、その周りには
Ｐ+ 型不純物領域からなる環状のゲート領域１３を深さ
方向に幅細くかつ深く形成し、さらにソース領域１２と
環状のゲート領域１３に取り囲まれるようにＰ型のセン
サ領域１４を形成し、基板表面をソース、基板裏面をド
レインとする縦型ＪＦＥＴ構造とする。
度の向上および分光感度特性の適正化を可能とした増幅
型固体撮像装置を提供する。 【構成】 マトリクス状に２次元配置された複数の画素
の各々を、Ｎ型半導体基板１１の基板表面側にＮ+ 不純
物領域からなるソース領域１２を形成し、その周りには
Ｐ+ 型不純物領域からなる環状のゲート領域１３を深さ
方向に幅細くかつ深く形成し、さらにソース領域１２と
環状のゲート領域１３に取り囲まれるようにＰ型のセン
サ領域１４を形成し、基板表面をソース、基板裏面をド
レインとする縦型ＪＦＥＴ構造とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、増幅型固体撮像装置に
関し、特に増幅型固体撮像装置の画素構造に関する。
関し、特に増幅型固体撮像装置の画素構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】増幅型固体撮像装置は、画素内で信号を
増幅してから走査して読み出すものであって、その画素
構造には種々のタイプのものがあり、その１タイプとし
てＣＭＤ(Charge Modulation Device)型固体撮像装置が
知られている。このＣＭＤ型固体撮像装置などでは、単
位画素をＭＯＳフォトトランジスタで構成し、ＭＯＳゲ
ートに光電荷を蓄積するＭＯＳ‐ＦＥＴ型を採用してい
る。
増幅してから走査して読み出すものであって、その画素
構造には種々のタイプのものがあり、その１タイプとし
てＣＭＤ(Charge Modulation Device)型固体撮像装置が
知られている。このＣＭＤ型固体撮像装置などでは、単
位画素をＭＯＳフォトトランジスタで構成し、ＭＯＳゲ
ートに光電荷を蓄積するＭＯＳ‐ＦＥＴ型を採用してい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＭＯＳ
‐ＦＥＴ型の固体撮像装置では、受光領域にポリシリコ
ンなどからなるゲート電極が配された構成となっている
ので、入射光がゲート電極を透過する際に減衰してしま
い、可視光領域短波長側の感度（青感度）が低下してし
まうという欠点があった。これを防止するために、ゲー
ト電極の厚さを薄くする努力がなされているが、ゲート
電極を薄くするにも限界がある。すなわち、ＭＯＳ‐Ｆ
ＥＴ型固体撮像装置においては、ゲート電極に透明電極
を使用しない限り、ゲート電極で入射光の減衰があり、
感度の低下を来すことになる。
‐ＦＥＴ型の固体撮像装置では、受光領域にポリシリコ
ンなどからなるゲート電極が配された構成となっている
ので、入射光がゲート電極を透過する際に減衰してしま
い、可視光領域短波長側の感度（青感度）が低下してし
まうという欠点があった。これを防止するために、ゲー
ト電極の厚さを薄くする努力がなされているが、ゲート
電極を薄くするにも限界がある。すなわち、ＭＯＳ‐Ｆ
ＥＴ型固体撮像装置においては、ゲート電極に透明電極
を使用しない限り、ゲート電極で入射光の減衰があり、
感度の低下を来すことになる。
【０００４】本発明は、上述した点に鑑みてなされたも
のであり、受光領域における入射光の減衰を無くし、感
度の向上および分光感度特性の適正化を可能とした増幅
型固体撮像装置を提供することを目的とする。
のであり、受光領域における入射光の減衰を無くし、感
度の向上および分光感度特性の適正化を可能とした増幅
型固体撮像装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による増幅型固体
撮像装置は、第１導電型の半導体基板に水平及び垂直方
向にマトリクス状に２次元配列されて形成された複数の
画素の各々が、半導体基板の基板表面から深さ方向に環
状に形成された第２導電型の一対のゲート領域と、この
ゲート領域内に位置するように形成された第２導電型の
センサ領域とからなり、半導体基板の基板表面をソー
ス、基板裏面をドレインとした構成となっている。
撮像装置は、第１導電型の半導体基板に水平及び垂直方
向にマトリクス状に２次元配列されて形成された複数の
画素の各々が、半導体基板の基板表面から深さ方向に環
状に形成された第２導電型の一対のゲート領域と、この
ゲート領域内に位置するように形成された第２導電型の
センサ領域とからなり、半導体基板の基板表面をソー
ス、基板裏面をドレインとした構成となっている。
【０００６】
【作用】第１導電型の半導体基板の裏面をドレイン、基
板表面をソースとし、半導体基板に第２導電型のゲート
領域を環状に埋め込むとともに、このゲート領域内に第
２導電型のセンサを形成することにより、縦型接合ＦＥ
Ｔ構造の単位画素が構成される。この縦型接合ＦＥＴ構
造の単位画素において、光電変換された電荷はセンサ領
域に蓄積され、センサ領域のポテンシャルが変化する。
このセンサ領域のポテンシャルによってゲート領域とセ
ンサ領域に挟まれたチャネルに流れる電流を制御する。
これにより、このチャネル電流がセンサ領域に蓄積され
た電荷に応じて変化し、各画素の信号として出力され
る。
板表面をソースとし、半導体基板に第２導電型のゲート
領域を環状に埋め込むとともに、このゲート領域内に第
２導電型のセンサを形成することにより、縦型接合ＦＥ
Ｔ構造の単位画素が構成される。この縦型接合ＦＥＴ構
造の単位画素において、光電変換された電荷はセンサ領
域に蓄積され、センサ領域のポテンシャルが変化する。
このセンサ領域のポテンシャルによってゲート領域とセ
ンサ領域に挟まれたチャネルに流れる電流を制御する。
これにより、このチャネル電流がセンサ領域に蓄積され
た電荷に応じて変化し、各画素の信号として出力され
る。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図２は、本発明による増幅型固体撮像装置
であるＪ（接合）ＦＥＴ型固体撮像装置の構成図であ
る。図２において、ＴＶ（テレビジョン）信号を得るた
めに、例えば、水平７６８個、垂直４９２個の画素トラ
ンジスタ２１が、平面上にマトリクス状に２次元配列さ
れてイメージセンサ部を構成している。この画素トラン
ジスタ２１のゲートは、垂直選択線（…，Ｖn ，
Ｖn+1 ，…）２２に接続され、ドレインは電源ＶDDに、
ソースは垂直信号線２３にそれぞれ接続されている。
に説明する。図２は、本発明による増幅型固体撮像装置
であるＪ（接合）ＦＥＴ型固体撮像装置の構成図であ
る。図２において、ＴＶ（テレビジョン）信号を得るた
めに、例えば、水平７６８個、垂直４９２個の画素トラ
ンジスタ２１が、平面上にマトリクス状に２次元配列さ
れてイメージセンサ部を構成している。この画素トラン
ジスタ２１のゲートは、垂直選択線（…，Ｖn ，
Ｖn+1 ，…）２２に接続され、ドレインは電源ＶDDに、
ソースは垂直信号線２３にそれぞれ接続されている。
【０００８】垂直走査回路である垂直シフトレジスタ２
４により、垂直選択線（…，Ｖn ，Ｖn+1 ，…）２２の
うち、ＴＶ信号の水平走査線に相当する画素列の垂直選
択線（Ｖn ）に高い電圧φＨを与え、その画素列の画素
トランジスタ２１に電流が流れるようにする。垂直選択
線（Ｖn ）以外の垂直選択線（…，Ｖn-1 ，Ｖn+1 ，
…）に接続されたその他の画素トランジスタには中位の
電圧φＭが印加され、よってこれら画素トランジスタに
電流は流れない。
４により、垂直選択線（…，Ｖn ，Ｖn+1 ，…）２２の
うち、ＴＶ信号の水平走査線に相当する画素列の垂直選
択線（Ｖn ）に高い電圧φＨを与え、その画素列の画素
トランジスタ２１に電流が流れるようにする。垂直選択
線（Ｖn ）以外の垂直選択線（…，Ｖn-1 ，Ｖn+1 ，
…）に接続されたその他の画素トランジスタには中位の
電圧φＭが印加され、よってこれら画素トランジスタに
電流は流れない。
【０００９】垂直選択線（…，Ｖn ，Ｖn+1 ，…）２２
の各々の一端と水平信号線２５の間には、水平スイッチ
２６が接続されている。垂直シフトレジスタ２４によっ
て選択された画素列の画素トランジスタのうちの１個
が、水平走査回路である水平シフトレジスタ２７で選択
された水平スイッチ２６により選択され、水平信号線２
５に接続される。
の各々の一端と水平信号線２５の間には、水平スイッチ
２６が接続されている。垂直シフトレジスタ２４によっ
て選択された画素列の画素トランジスタのうちの１個
が、水平走査回路である水平シフトレジスタ２７で選択
された水平スイッチ２６により選択され、水平信号線２
５に接続される。
【００１０】その結果、水平７６８個、垂直４９２個の
画素トランジスタ２１のうちの１個だけが選択され、水
平信号線２５の出力端子２８に接続された電流検出アン
プ２９に画素トランジスタ２１の電流が流れ込む。した
がって、ＴＶ信号の水平走査および垂直走査に合わせて
水平シフトレジスタ２７および垂直シフトレジスタ２４
を動作させると、各画素の電流が電流検出アンプ２９に
流れ、これにより映像信号が得られる。
画素トランジスタ２１のうちの１個だけが選択され、水
平信号線２５の出力端子２８に接続された電流検出アン
プ２９に画素トランジスタ２１の電流が流れ込む。した
がって、ＴＶ信号の水平走査および垂直走査に合わせて
水平シフトレジスタ２７および垂直シフトレジスタ２４
を動作させると、各画素の電流が電流検出アンプ２９に
流れ、これにより映像信号が得られる。
【００１１】図１は、本発明に係るＪＦＥＴ型固体撮像
装置のイメージセンサ部における１ピクセル（単位画
素）の一実施例の断面構造図である。図１において、Ｎ
型半導体基板１１の基板表面側には、Ｎ+ 不純物領域か
らなるソース領域１２が形成されている。ソース領域１
２の周りには、Ｐ+ 型不純物領域からなるゲート領域１
３が、平面形状の円環状若しくは矩形環状となるよう
に、深さ方向に幅細くかつ深く形成されている。さら
に、ソース領域１２と環状のゲート領域１３に取り囲ま
れるようにＰ型のセンサ領域１４が形成されている。そ
して、Ｎ型半導体基板１１の基板表面がソース、基板裏
面がドレインとなる。以上により、図２に示すように画
素単位で２次元配置された画素トランジスタ２１が構成
されている。
装置のイメージセンサ部における１ピクセル（単位画
素）の一実施例の断面構造図である。図１において、Ｎ
型半導体基板１１の基板表面側には、Ｎ+ 不純物領域か
らなるソース領域１２が形成されている。ソース領域１
２の周りには、Ｐ+ 型不純物領域からなるゲート領域１
３が、平面形状の円環状若しくは矩形環状となるよう
に、深さ方向に幅細くかつ深く形成されている。さら
に、ソース領域１２と環状のゲート領域１３に取り囲ま
れるようにＰ型のセンサ領域１４が形成されている。そ
して、Ｎ型半導体基板１１の基板表面がソース、基板裏
面がドレインとなる。以上により、図２に示すように画
素単位で２次元配置された画素トランジスタ２１が構成
されている。
【００１２】かかる構造の画素において、光電変換され
たホール（正孔）はセンサ領域１４に蓄積され、センサ
領域１４のポテンシャル（電位）が変化する。すると、
基板裏面のドレインから基板表面のソースへ、ゲート領
域１３とセンサ領域１４に挟まれたチャネルを流れるチ
ャネル電流が、センサ領域１４に蓄積されたホールに比
例して変化する。すなわち、チャネル電流はセンサ領域
１４のポテンシャルで制御されることになる。このチャ
ネル電流が各画素の信号電流としてソースを介して電流
検出アンプ２９（図２参照）に出力される。また、過剰
に光電変換されたホールは、センサ領域１４からゲート
領域１３に向かってチャネルに直交してオーバーフロー
する。
たホール（正孔）はセンサ領域１４に蓄積され、センサ
領域１４のポテンシャル（電位）が変化する。すると、
基板裏面のドレインから基板表面のソースへ、ゲート領
域１３とセンサ領域１４に挟まれたチャネルを流れるチ
ャネル電流が、センサ領域１４に蓄積されたホールに比
例して変化する。すなわち、チャネル電流はセンサ領域
１４のポテンシャルで制御されることになる。このチャ
ネル電流が各画素の信号電流としてソースを介して電流
検出アンプ２９（図２参照）に出力される。また、過剰
に光電変換されたホールは、センサ領域１４からゲート
領域１３に向かってチャネルに直交してオーバーフロー
する。
【００１３】信号が一度読み出された画素は、残像を防
止するために、センサ領域１４に蓄積されたホールを捨
てるリセット動作が行われる。すなわち、信号の読出し
が終了した画素については、その画素トランジスタ２１
のゲートに低い電圧φＬを与え、センサ領域１４に蓄積
されたホールをゲート領域１３にパンチスルー動作で排
出する。このとき、センサ領域１４のホールは、すべて
ゲート領域１３に排出され、空乏化する。その結果、残
像のない映像信号が得られる。
止するために、センサ領域１４に蓄積されたホールを捨
てるリセット動作が行われる。すなわち、信号の読出し
が終了した画素については、その画素トランジスタ２１
のゲートに低い電圧φＬを与え、センサ領域１４に蓄積
されたホールをゲート領域１３にパンチスルー動作で排
出する。このとき、センサ領域１４のホールは、すべて
ゲート領域１３に排出され、空乏化する。その結果、残
像のない映像信号が得られる。
【００１４】本発明に係る画素構造を有する固体撮像装
置を駆動するタイミングを、図３に示す。図３におい
て、水平走査期間ａの最初の水平ブランキング期間に、
垂直選択線（Ｖn-1)を低い電圧φＬにして既に読み出さ
れたｎ−１列目の画素をリセットする。水平走査有効期
間では、ｎ列目の画素トランジスタ２１のゲートに高い
電圧φＨを印加することにより、水平シフトレジスタ２
７および水平スイッチ２６によって各画素の出力を順次
水平信号線２５から読み出す。このｎ列目の画素トラン
ジスタ２１については、次の水平走査期間ｂの水平ブラ
ンキング期間にリセットを行う。この信号読出しを全画
素列について繰り返して行うことにより、１枚分の撮像
信号が得られる。
置を駆動するタイミングを、図３に示す。図３におい
て、水平走査期間ａの最初の水平ブランキング期間に、
垂直選択線（Ｖn-1)を低い電圧φＬにして既に読み出さ
れたｎ−１列目の画素をリセットする。水平走査有効期
間では、ｎ列目の画素トランジスタ２１のゲートに高い
電圧φＨを印加することにより、水平シフトレジスタ２
７および水平スイッチ２６によって各画素の出力を順次
水平信号線２５から読み出す。このｎ列目の画素トラン
ジスタ２１については、次の水平走査期間ｂの水平ブラ
ンキング期間にリセットを行う。この信号読出しを全画
素列について繰り返して行うことにより、１枚分の撮像
信号が得られる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第１導電型の半導体基板の裏面をドレイン、基板表面を
ソースとし、半導体基板に第２導電型のゲート領域を環
状に埋め込むとともに、このゲート領域内に第２導電型
のセンサ領域を形成し、単位画素を縦型接合ＦＥＴ構造
としたことにより、受光領域における入射光の減衰が無
くなるため、感度の向上および分光感度特性の適正化が
図れる効果がある。
第１導電型の半導体基板の裏面をドレイン、基板表面を
ソースとし、半導体基板に第２導電型のゲート領域を環
状に埋め込むとともに、このゲート領域内に第２導電型
のセンサ領域を形成し、単位画素を縦型接合ＦＥＴ構造
としたことにより、受光領域における入射光の減衰が無
くなるため、感度の向上および分光感度特性の適正化が
図れる効果がある。
【００１６】また、信号読出しが終了した画素の画素ト
ランジスタのゲートにリセット電圧を印加し、センサ領
域に蓄積された電荷をゲート領域に捨てるようにしたこ
とにより、残像のない映像信号を得ることができる効果
もある。
ランジスタのゲートにリセット電圧を印加し、センサ領
域に蓄積された電荷をゲート領域に捨てるようにしたこ
とにより、残像のない映像信号を得ることができる効果
もある。
【図１】本発明に係るＪＦＥＴ型固体撮像装置のイメー
ジセンサ部における１ピクセル（単位画素）の一実施例
の断面構造図である。
ジセンサ部における１ピクセル（単位画素）の一実施例
の断面構造図である。
【図２】本発明による増幅型固体撮像装置であるＪＦＥ
Ｔ型固体撮像装置の構成図である。
Ｔ型固体撮像装置の構成図である。
【図３】本発明に係るＪＦＥＴ型固体撮像装置の駆動タ
イミングを示すタイミングチャートである。
イミングを示すタイミングチャートである。
１１ Ｎ型半導体基板 １２ ソース領域 １３ ゲート領域 １４ センサ領域 ２１ 画素トランジスタ ２４ 垂直シフトレジスタ ２７ 水平シフトレジスタ ２９ 電流検出アンプ
Claims (4)
- 【請求項１】 第１導電型の半導体基板に水平及び垂直
方向にマトリクス状に２次元配列されて形成された複数
の画素の各々が、 前記半導体基板の基板表面から深さ方向に環状に形成さ
れた第２導電型のゲート領域と、 前記ゲート領域内に位置するように形成された第２導電
型のセンサ領域とからなり、 前記半導体基板の基板表面をソース、基板裏面をドレイ
ンとしたことを特徴とする増幅型固体撮像装置。 - 【請求項２】 前記ゲート領域と前記センサ領域の間の
領域を、ドレインからソースへチャネル電流が流れるこ
とを特徴とする請求項１記載の増幅型固体撮像装置。 - 【請求項３】 信号読出しが終了した画素の前記ゲート
領域にリセット電圧を印加することにより、前記センサ
領域に蓄積された電荷を前記ゲート領域に捨てることを
特徴とする請求項１記載の増幅型固体撮像装置。 - 【請求項４】 過剰に光電変換されて前記センサ領域に
蓄積された電荷を、前記ゲート領域に向かってチャネル
に直交してオーバーフローすることを特徴とする請求項
１記載の増幅型固体撮像装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4148595A JPH05328225A (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 増幅型固体撮像装置 |
| US08/053,443 US5298778A (en) | 1992-05-15 | 1993-04-28 | Solid state image pickup device |
| KR1019930008026A KR930024467A (ko) | 1992-05-12 | 1993-05-11 | 증폭형 고체 촬상장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4148595A JPH05328225A (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 増幅型固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05328225A true JPH05328225A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15456274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4148595A Pending JPH05328225A (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-15 | 増幅型固体撮像装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5298778A (ja) |
| JP (1) | JPH05328225A (ja) |
| KR (1) | KR930024467A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Cited By (3)
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