JP3070146B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 6-oxabicyclo[3.2.1]oct-3-en-7-one Chemical compound C1C2C(=O)OC1C=CC2 TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100115215 Caenorhabditis elegans cul-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/762—Charge transfer devices
- H01L29/765—Charge-coupled devices
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- H01L29/76816—Output structures
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置に関し、
特に水平転送部の転送電荷を検出する電荷検出器として
フローティングディフュージョン（浮遊拡散）アンプを
用いた構成の固体撮像装置に関する。
特に水平転送部の転送電荷を検出する電荷検出器として
フローティングディフュージョン（浮遊拡散）アンプを
用いた構成の固体撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３に、固体撮像装置の一例としてイン
ターライン転送方式のＣＣＤ固体撮像装置の構成を示
す。同図において、画素単位で２次元配列されて入射光
量に応じた信号電荷を蓄積する複数個のフォトセンサ１
と、これらフォトセンサ１の垂直列毎に配されかつ読出
しゲート２を介して垂直ブランキング期間の一部で瞬時
に読み出された信号電荷を垂直転送する複数本の垂直Ｃ
ＣＤ（垂直転送部）３とによって撮像領域４が構成され
ている。
ターライン転送方式のＣＣＤ固体撮像装置の構成を示
す。同図において、画素単位で２次元配列されて入射光
量に応じた信号電荷を蓄積する複数個のフォトセンサ１
と、これらフォトセンサ１の垂直列毎に配されかつ読出
しゲート２を介して垂直ブランキング期間の一部で瞬時
に読み出された信号電荷を垂直転送する複数本の垂直Ｃ
ＣＤ（垂直転送部）３とによって撮像領域４が構成され
ている。
【０００３】この撮像領域４の出力側には水平ＣＣＤ
（水平転送部）５が設けられている。この水平ＣＣＤ５
は、撮像領域４の垂直ＣＣＤ３から１ライン分ずつ転送
されてきた信号電荷をテレビジョン信号の水平走査期間
にあわせて水平転送する。水平ＣＣＤ５で転送された信
号電荷は、電荷検出器６によって検出されて電気信号と
して導出される。
（水平転送部）５が設けられている。この水平ＣＣＤ５
は、撮像領域４の垂直ＣＣＤ３から１ライン分ずつ転送
されてきた信号電荷をテレビジョン信号の水平走査期間
にあわせて水平転送する。水平ＣＣＤ５で転送された信
号電荷は、電荷検出器６によって検出されて電気信号と
して導出される。
【０００４】従来、この種のＣＣＤ固体撮像装置におい
ては、図４に示すように、水平ＣＣＤ５での取扱い電荷
量を十分に取るために、水平ＣＣＤチャネル領域１０の
チャネル幅が広く設計される一方、ＣＣＤ固体撮像装置
の感度を高めるために、電荷検出器６としてのフローテ
ィングディフュージョン（ＦＤ）アンプのＦＤ領域７が
できるだけ小さく形成されている。
ては、図４に示すように、水平ＣＣＤ５での取扱い電荷
量を十分に取るために、水平ＣＣＤチャネル領域１０の
チャネル幅が広く設計される一方、ＣＣＤ固体撮像装置
の感度を高めるために、電荷検出器６としてのフローテ
ィングディフュージョン（ＦＤ）アンプのＦＤ領域７が
できるだけ小さく形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように構成された
従来のＣＣＤ固体撮像装置では、図４から明らかなよう
に、水平ＣＣＤチャネル領域１０のチャネル幅いっぱい
に広がった信号電荷を水平ＣＣＤ５の水平出力ゲート
（ＨＯＧ）８で急激に絞ってＦＤ領域７に転送するよう
になっていることにより、水平出力ゲート８の出口部分
のチャネル幅ＷがＦＤ領域７の微細化に伴って狭くなる
ため、いわゆる狭チャネル効果が発生することになる。
従来のＣＣＤ固体撮像装置では、図４から明らかなよう
に、水平ＣＣＤチャネル領域１０のチャネル幅いっぱい
に広がった信号電荷を水平ＣＣＤ５の水平出力ゲート
（ＨＯＧ）８で急激に絞ってＦＤ領域７に転送するよう
になっていることにより、水平出力ゲート８の出口部分
のチャネル幅ＷがＦＤ領域７の微細化に伴って狭くなる
ため、いわゆる狭チャネル効果が発生することになる。
【０００６】この狭チャネル効果の発生により、図４の
Ａ‐Ａ′矢視断面図である図５において、水平出力ゲー
ト８の出口部分（図に破線Ｐで囲った部分）で図に示す
ようにポテンシャルが浅くなり、ポテンシャルバリアが
形成されるため、水平ＣＣＤ５を経て水平出力ゲート８
に転送されてきた信号電荷の一部が当該ゲート部に溜ま
って残り、ＦＤ領域７に転送されないことになる。
Ａ‐Ａ′矢視断面図である図５において、水平出力ゲー
ト８の出口部分（図に破線Ｐで囲った部分）で図に示す
ようにポテンシャルが浅くなり、ポテンシャルバリアが
形成されるため、水平ＣＣＤ５を経て水平出力ゲート８
に転送されてきた信号電荷の一部が当該ゲート部に溜ま
って残り、ＦＤ領域７に転送されないことになる。
【０００７】すなわち、ＦＤ領域７の微細化に対応した
水平出力ゲート８の出口部分のチャネル幅Ｗの狭小化に
伴う狭チャネル効果により、水平出力ゲート８の出口部
分に形成されたポテンシャルバリアが転送劣化の要因と
なっていた。また逆に、この水平出力ゲート８の転送劣
化が、ＣＣＤ固体撮像装置の感度を高めるためのＦＤ領
域７の微細化の妨げとなっていた。
水平出力ゲート８の出口部分のチャネル幅Ｗの狭小化に
伴う狭チャネル効果により、水平出力ゲート８の出口部
分に形成されたポテンシャルバリアが転送劣化の要因と
なっていた。また逆に、この水平出力ゲート８の転送劣
化が、ＣＣＤ固体撮像装置の感度を高めるためのＦＤ領
域７の微細化の妨げとなっていた。
【０００８】そこで、本発明は、水平出力ゲートの出口
部分の幅を見掛け上広くすることにより、ＦＤ領域の微
細化を妨げることなく、狭チャネル効果による転送劣化
を防止した固体撮像装置を提供することを目的とする。
部分の幅を見掛け上広くすることにより、ＦＤ領域の微
細化を妨げることなく、狭チャネル効果による転送劣化
を防止した固体撮像装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による固体撮像装
置は、画素単位で２次元配列されて入射光量に応じた信
号電荷を蓄積する複数個のフォトセンサ及びこれらフォ
トセンサから垂直列毎に読み出された信号電荷を垂直転
送する複数の垂直転送部を含む撮像領域と、この撮像領
域から転送された信号電荷を水平転送する水平転送部
と、この水平転送部の水平出力ゲートに接続されたＦＤ
（浮遊拡散）領域を有しかつ水平転送部で転送された信
号電荷を検出する電荷検出器とを具備し、水平出力ゲー
トのチャネル幅が浮遊拡散領域側で狭くなるように設け
られており、水平出力ゲートにおけるＦＤ領域に隣接す
る領域の基板表面側の不純物濃度を、その前半領域より
もチャネルポテンシャルが深くなるように設定した構成
となっている。
置は、画素単位で２次元配列されて入射光量に応じた信
号電荷を蓄積する複数個のフォトセンサ及びこれらフォ
トセンサから垂直列毎に読み出された信号電荷を垂直転
送する複数の垂直転送部を含む撮像領域と、この撮像領
域から転送された信号電荷を水平転送する水平転送部
と、この水平転送部の水平出力ゲートに接続されたＦＤ
（浮遊拡散）領域を有しかつ水平転送部で転送された信
号電荷を検出する電荷検出器とを具備し、水平出力ゲー
トのチャネル幅が浮遊拡散領域側で狭くなるように設け
られており、水平出力ゲートにおけるＦＤ領域に隣接す
る領域の基板表面側の不純物濃度を、その前半領域より
もチャネルポテンシャルが深くなるように設定した構成
となっている。
【００１０】
【作用】本発明による固体撮像装置において、チャネル
幅がＦＤ領域側で狭くなるように設けられた水平出力ゲ
ートにおけるＦＤ領域に隣接する領域の基板表面側の不
純物濃度を、その前半領域よりもチャネルポテンシャル
が適度に深くなるようにしたことにより、ＦＤ領域に隣
接する領域のポテンシャルが、その前半領域のポテンシ
ャルとＦＤ領域の深いポテンシャルにより２次元変調を
受ける。その結果、水平出力ゲートの出口部分の幅が狭
いことに伴う狭チャネル効果によるポテンシャルバリア
が打ち消される。
幅がＦＤ領域側で狭くなるように設けられた水平出力ゲ
ートにおけるＦＤ領域に隣接する領域の基板表面側の不
純物濃度を、その前半領域よりもチャネルポテンシャル
が適度に深くなるようにしたことにより、ＦＤ領域に隣
接する領域のポテンシャルが、その前半領域のポテンシ
ャルとＦＤ領域の深いポテンシャルにより２次元変調を
受ける。その結果、水平出力ゲートの出口部分の幅が狭
いことに伴う狭チャネル効果によるポテンシャルバリア
が打ち消される。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図１は、本発明の一実施例を示す構成図で
あり、図（Ａ）に水平転送出力部分の概略平面図を、図
（Ｂ）に図（Ａ）のＢ‐Ｂ′矢視断面図をそれぞれ示
す。先ず、図１（Ａ）において、斜線付きの実線が水平
ＣＣＤ５のチャネル領域１０を示しており、実線の第１
ポリシリコン(1Poly) からなるストレージゲート１１及
び一点鎖線の第２ポリシリコン(2Poly) からなるトラン
スファゲート１２を交互に繰り返した電極対によって水
平ＣＣＤ５が形成されている。
に説明する。図１は、本発明の一実施例を示す構成図で
あり、図（Ａ）に水平転送出力部分の概略平面図を、図
（Ｂ）に図（Ａ）のＢ‐Ｂ′矢視断面図をそれぞれ示
す。先ず、図１（Ａ）において、斜線付きの実線が水平
ＣＣＤ５のチャネル領域１０を示しており、実線の第１
ポリシリコン(1Poly) からなるストレージゲート１１及
び一点鎖線の第２ポリシリコン(2Poly) からなるトラン
スファゲート１２を交互に繰り返した電極対によって水
平ＣＣＤ５が形成されている。
【００１２】水平ＣＣＤ５の左端には水平出力ゲート８
が設けられ、この水平出力ゲート８には電荷検出器６を
構成するフローティングディフュージョンアンプのＦＤ
領域７が接続されている。ＦＤ領域７の電位を１画素ず
つリセットするために、リセットゲート１３及びリセッ
トドレイン１４が配置されている。また、ＦＤ領域７に
ＭＯＳトランジスタのゲートが接続されたソースフォロ
ワ回路１５が設けられており、転送されてきた信号電荷
を出力信号として導出する。
が設けられ、この水平出力ゲート８には電荷検出器６を
構成するフローティングディフュージョンアンプのＦＤ
領域７が接続されている。ＦＤ領域７の電位を１画素ず
つリセットするために、リセットゲート１３及びリセッ
トドレイン１４が配置されている。また、ＦＤ領域７に
ＭＯＳトランジスタのゲートが接続されたソースフォロ
ワ回路１５が設けられており、転送されてきた信号電荷
を出力信号として導出する。
【００１３】続いて、図１（Ｂ）において、シリコン基
板１６の表面側には水平ＣＣＤ５のチャネル領域１０が
形成され、シリコン基板１６上にはゲート絶縁膜１７を
介して第１ポリシリコン(1Poly) からなるストレージゲ
ート１１及び第２ポリシリコン(2Poly) からなるトラン
スファゲート１２で形成した転送電極が配置され、水平
転送クロックφH1，φH2が印加されるトランスファゲー
ト１２の電極下部には２相駆動を実現するためにポテン
シャルを浅くするイオン注入領域（Ｐ- ）１８が形成さ
れている。
板１６の表面側には水平ＣＣＤ５のチャネル領域１０が
形成され、シリコン基板１６上にはゲート絶縁膜１７を
介して第１ポリシリコン(1Poly) からなるストレージゲ
ート１１及び第２ポリシリコン(2Poly) からなるトラン
スファゲート１２で形成した転送電極が配置され、水平
転送クロックφH1，φH2が印加されるトランスファゲー
ト１２の電極下部には２相駆動を実現するためにポテン
シャルを浅くするイオン注入領域（Ｐ- ）１８が形成さ
れている。
【００１４】水平ＣＣＤ５の左端の水平出力ゲート８
は、通常、接地レベルなどのＤＣ電位に保たれている。
また、リセットゲート１３は１画素毎の信号電荷による
ＦＤ領域７の電位変化をリセットするためのものであ
り、これによりＦＤ領域７がリセットドレイン１４の電
位にリセットされる。
は、通常、接地レベルなどのＤＣ電位に保たれている。
また、リセットゲート１３は１画素毎の信号電荷による
ＦＤ領域７の電位変化をリセットするためのものであ
り、これによりＦＤ領域７がリセットドレイン１４の電
位にリセットされる。
【００１５】一方、水平ＣＣＤ５の水平出力ゲート８に
おいて、ＦＤ領域７に隣接しかつ好ましくは略半分程度
の領域（図１（Ａ）に斜線で示す領域）１９の基板表面
側に対し例えばイオン注入することにより、その前半領
域２０よりもチャネルポテンシャルが適度に深くなるよ
うに不純物濃度が設定されている。このイオン注入領域
（Ｎ- ）１９は、チャネルポテンシャルが数百ｍＶ〜数
Ｖ程度深くなるような条件で形成されている。
おいて、ＦＤ領域７に隣接しかつ好ましくは略半分程度
の領域（図１（Ａ）に斜線で示す領域）１９の基板表面
側に対し例えばイオン注入することにより、その前半領
域２０よりもチャネルポテンシャルが適度に深くなるよ
うに不純物濃度が設定されている。このイオン注入領域
（Ｎ- ）１９は、チャネルポテンシャルが数百ｍＶ〜数
Ｖ程度深くなるような条件で形成されている。
【００１６】このように、水平出力ゲート８におけるＦ
Ｄ領域７に隣接する領域１９の基板表面側の不純物濃度
を、その前半領域２０よりもチャネルポテンシャルが適
度に深くなるようにしたことにより、図１（Ｂ）の断面
図に対応する図２のポテンシャル図に示すように、イオ
ン注入領域１９のポテンシャルが、水平出力ゲート８の
前半領域２０のポテンシャルとＦＤ領域７の深いポテン
シャルにより２次元変調を受けるため、水平出力ゲート
８の出口部分のチャネル幅Ｗが狭いことに伴う狭チャネ
ル効果によるポテンシャルバリアが打ち消されることに
なる。
Ｄ領域７に隣接する領域１９の基板表面側の不純物濃度
を、その前半領域２０よりもチャネルポテンシャルが適
度に深くなるようにしたことにより、図１（Ｂ）の断面
図に対応する図２のポテンシャル図に示すように、イオ
ン注入領域１９のポテンシャルが、水平出力ゲート８の
前半領域２０のポテンシャルとＦＤ領域７の深いポテン
シャルにより２次元変調を受けるため、水平出力ゲート
８の出口部分のチャネル幅Ｗが狭いことに伴う狭チャネ
ル効果によるポテンシャルバリアが打ち消されることに
なる。
【００１７】しかも、水平出力ゲート８のチャネル長
は、水平出力ゲート８のポテンシャルの浅い前半領域２
０で決まるため実効チャネル長が短く、また水平出力ゲ
ート８の出口のチャネル幅が、図１（Ａ）の概略平面図
に示すように、幅Ｗから幅ＷN に見掛け上広くなる。
は、水平出力ゲート８のポテンシャルの浅い前半領域２
０で決まるため実効チャネル長が短く、また水平出力ゲ
ート８の出口のチャネル幅が、図１（Ａ）の概略平面図
に示すように、幅Ｗから幅ＷN に見掛け上広くなる。
【００１８】よって、狭チャネル効果によるポテンシャ
ルバリアが打ち消されることと、実効チャネル長が短く
かつチャネル幅が見掛け上広くなったことにより、水平
ＣＣＤ５における転送効率が画期的に向上し、またハイ
ビジョンに対応可能な転送スピードが得られることにな
る。
ルバリアが打ち消されることと、実効チャネル長が短く
かつチャネル幅が見掛け上広くなったことにより、水平
ＣＣＤ５における転送効率が画期的に向上し、またハイ
ビジョンに対応可能な転送スピードが得られることにな
る。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電荷検出器としてフローティングディフュージョンアン
プを用いた固体撮像装置において、チャネル幅がＦＤ領
域側で狭くなるように設けられた水平出力ゲートにおけ
るＦＤ領域に隣接する領域の基板表面側の不純物濃度
を、その前半領域よりもチャネルポテンシャルが適度に
深くなるように設定したことにより、狭チャネル効果に
よるポテンシャルバリアの形成を阻止でき、かつ水平出
力ゲートの出口部分のチャネル幅を見掛け上広くできる
ため、ＦＤ領域の微細化を妨げることなく、狭チャネル
効果による転送劣化を防止できる効果がある。
電荷検出器としてフローティングディフュージョンアン
プを用いた固体撮像装置において、チャネル幅がＦＤ領
域側で狭くなるように設けられた水平出力ゲートにおけ
るＦＤ領域に隣接する領域の基板表面側の不純物濃度
を、その前半領域よりもチャネルポテンシャルが適度に
深くなるように設定したことにより、狭チャネル効果に
よるポテンシャルバリアの形成を阻止でき、かつ水平出
力ゲートの出口部分のチャネル幅を見掛け上広くできる
ため、ＦＤ領域の微細化を妨げることなく、狭チャネル
効果による転送劣化を防止できる効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す構成図であり、図
（Ａ）に水平転送出力部分の概略平面図を、図（Ｂ）に
図（Ａ）のＢ‐Ｂ′矢視断面図をそれぞれ示す。
（Ａ）に水平転送出力部分の概略平面図を、図（Ｂ）に
図（Ａ）のＢ‐Ｂ′矢視断面図をそれぞれ示す。
【図２】水平転送出力部分の断面に対応するポテンシャ
ル図である。
ル図である。
【図３】インターライン転送方式のＣＣＤ固体撮像装置
の一例を示す構成図である。
の一例を示す構成図である。
【図４】水平転送出力部分の従来例を示す概略平面図で
ある。
ある。
【図５】図４のＡ‐Ａ′矢視断面に対応するポテンシャ
ル図である。
ル図である。
１ フォトセンサ ３ 垂直ＣＣＤ ４ 撮像領域 ５ 水平ＣＣＤ ６ 電荷検出器（フローティングディフュージョンアン
プ） ７ ＦＤ（フローティングディフュージョン）領域 ８ 水平出力ゲート １０ 水平ＣＣＤチャネル領域 １５ ソースフォロワ回路 １６ シリコン基板 １８，１９ イオン注入領域
プ） ７ ＦＤ（フローティングディフュージョン）領域 ８ 水平出力ゲート １０ 水平ＣＣＤチャネル領域 １５ ソースフォロワ回路 １６ シリコン基板 １８，１９ イオン注入領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 27/148 H01L 21/339 H01L 29/762 H04N 5/335
Claims (1)
- 【請求項１】 画素単位で２次元配列されて入射光量に
応じた信号電荷を蓄積する複数個のフォトセンサ及びこ
れらフォトセンサから垂直列毎に読み出された信号電荷
を垂直転送する複数の垂直転送部を含む撮像領域と、 前記撮像領域から転送された信号電荷を水平転送する水
平転送部と、 前記水平転送部の水平出力ゲートに接続された浮遊拡散
領域を有しかつ前記水平転送部で転送された信号電荷を
検出する電荷検出器とを具備し、前記水平出力ゲートはチャネル幅が前記浮遊拡散領域側
で狭くなるように設けられてなり、 前記水平出力ゲートにおける前記浮遊拡散領域に隣接す
る領域の基板表面側の不純物濃度を、その前半領域より
もチャネルポテンシャルが深くなるように設定したこと
を特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3174627A JP3070146B2 (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 固体撮像装置 |
| KR1019920010270A KR100259437B1 (ko) | 1991-06-19 | 1992-06-13 | 고체촬상장치 |
| US07/901,099 US5286989A (en) | 1991-06-19 | 1992-06-19 | Solid state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3174627A JP3070146B2 (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04370972A JPH04370972A (ja) | 1992-12-24 |
| JP3070146B2 true JP3070146B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=15981903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3174627A Expired - Fee Related JP3070146B2 (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 固体撮像装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5286989A (ja) |
| JP (1) | JP3070146B2 (ja) |
| KR (1) | KR100259437B1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2704978B1 (fr) * | 1993-05-07 | 1995-06-09 | Thomson Csf Semiconducteurs | Dispositif à transfert de charges à grille d'étraînement. |
| US5612554A (en) * | 1993-06-23 | 1997-03-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Charge detection device and driver thereof |
| JP2699841B2 (ja) * | 1993-12-10 | 1998-01-19 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP3482689B2 (ja) * | 1994-05-27 | 2003-12-22 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びこれを用いたバーコード読取り装置 |
| US5514886A (en) * | 1995-01-18 | 1996-05-07 | Eastman Kodak Company | Image sensor with improved output region for superior charge transfer characteristics |
| FR2732847B1 (fr) * | 1995-04-04 | 1997-05-16 | Thomson Csf Semiconducteurs | Registre de lecture a transfert de charges a sorties multiples |
| JPH08298624A (ja) * | 1995-04-25 | 1996-11-12 | Sony Corp | Ｃｃｄ撮像装置 |
| JP2768311B2 (ja) * | 1995-05-31 | 1998-06-25 | 日本電気株式会社 | 電荷転送装置 |
| JPH10335628A (ja) * | 1997-06-03 | 1998-12-18 | Sony Corp | Ｃｃｄ型固体撮像素子 |
| JPH11274462A (ja) * | 1998-03-23 | 1999-10-08 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| JP2000174252A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-23 | Sony Corp | 光電変換装置 |
| JP4471677B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2010-06-02 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置及び電荷転送部 |
| JP2008148083A (ja) * | 2006-12-12 | 2008-06-26 | Nec Electronics Corp | 固体撮像装置 |
| CN109212400B (zh) * | 2018-08-23 | 2021-04-23 | 宁波飞芯电子科技有限公司 | 光电二极管内部光生电荷转移效率的测试方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2578615B2 (ja) * | 1987-10-16 | 1997-02-05 | 三洋電機株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2991432B2 (ja) * | 1988-08-23 | 1999-12-20 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| JPH0728031B2 (ja) * | 1989-02-11 | 1995-03-29 | 日本電気株式会社 | 電荷転送装置 |
| US4949183A (en) * | 1989-11-29 | 1990-08-14 | Eastman Kodak Company | Image sensor having multiple horizontal shift registers |
-
1991
- 1991-06-19 JP JP3174627A patent/JP3070146B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-06-13 KR KR1019920010270A patent/KR100259437B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-06-19 US US07/901,099 patent/US5286989A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04370972A (ja) | 1992-12-24 |
| US5286989A (en) | 1994-02-15 |
| KR100259437B1 (ko) | 2000-06-15 |
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