JP2699841B2 - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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JP2699841B2
JP2699841B2 JP5310513A JP31051393A JP2699841B2 JP 2699841 B2 JP2699841 B2 JP 2699841B2 JP 5310513 A JP5310513 A JP 5310513A JP 31051393 A JP31051393 A JP 31051393A JP 2699841 B2 JP2699841 B2 JP 2699841B2
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/148Charge coupled imagers
    • H01L27/14831Area CCD imagers

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電荷転送装置を用いた
固体撮像装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の固体撮像装置は、図5に
示したような構成となっている。
【0003】図5は固体撮像装置のうち、インターライ
ン転送方式と呼ばれるものの概略図であり、複数列の電
荷転送装置からなる垂直電荷転送部501と、前記垂直
電荷転送部501の片側に隣接して配置された光電変換
部502と、前記各垂直電荷転送部501の一端に電気
的に結合した水平電荷転送部503と、その一端に設け
られた出力部504から構成されている。
【0004】図6は図5に示す固体撮像装置のうち垂直
電荷転送部01と水平電荷転送部503との結合領域5
05の第1の従来例の拡大図である。図6において点線
で囲まれた部分はチャンネル領域であり、垂直電荷転送
部のチャンネル領域601および水平電荷転送部のチャ
ンネル領域605とからなる。垂直電荷転送部のチャン
ネル領域601は、第1の垂直電荷転送電極602,6
04と、第2の垂直電荷転送電極603に被われてお
り、最終の電極である第1の垂直電荷転送電極604
は、垂直電荷転送部501から水平電荷転送部503へ
信号電荷を転送する。
【0005】水平電荷転送部のチャンネル領域605は
第1の水平電荷転送電極606,607と第2の水平電
荷転送電極608,609で被われている。一般にこれ
らの電極は2層のポリシリコンにて形成されており、細
線で示した第1の水平電荷転送電極606,607と第
1の水平電荷転送電極602,604は第1層目のポリ
シリコンで形成され、太線で示した第2の水平電荷転送
電極608,609と第2の垂直電荷転送電極603は
第2層目のポリシリコンで形成されており、これらの電
極606,607,608および609を一単位とし
て、水平方向に繰り返し形成されている。水平電荷転送
部のチャンネル領域605は、蓄積領域となる水平電荷
転送部のチャンネル領域の第1の領域611と、障壁領
域となる水平電荷転送部のチャンネル領域6の第2の領
域612とからなる。
【0006】水平電荷転送電極606と608、607
と609はそれぞれ対の電極であり、図7に示したよう
なそれぞれ180度位相の異なるクロックパルスが印加
される。第1の水平電荷転送電極606と第2の水平電
荷転送電極608には同一のパルス信号が印加されるこ
とになるが、第1の水平電荷転送電極606が蓄積領域
となる水平電荷転送部のチャンネル領域の第1の領域6
11を被い、第2の水平電荷転送電極608が障壁領域
となる水平電荷転送部のチャンネル領域の第2の領域6
12を被うことによって、同一のパルス信号が印加され
てもチャンネル領域では電位ポテンシャルに差が生じる
ため、これによって電荷の転送に方向性をもたせてい
る。さらに、垂直電荷転送部のチャンネル領域601の
末端は、垂直電荷転送部のチャンネル領域の末端の第1
の領域613と、垂直電荷転送部のチャンネル領域の末
端の第2の領域614からなり、垂直電荷転送部のチャ
ンネル領域の末端の第1の領域613は第1の水平電荷
転送電極606の一部に被われており、垂直電荷転送部
のチャンネル領域の末端の第2の領域614は第2の水
平電荷転送電極608の一部に被われている。第2の水
平電荷転送電極608は、第1の垂直電荷転送電極60
4と、垂直電荷転送部のチャンネル領域の末端の第1の
領域613を覆っている第1の水平電荷転送電極606
の一部とのすき間を被うように、くの字に折り曲げられ
ており、かかる折り曲げ部分が垂直電荷転送部のチャン
ネル領域の末端の第2の領域614を被っている部分で
ある。
【0007】垂直電荷転送部のチャンネル領域の末端の
第2の領域614は、垂直電荷転送部501と水平電荷
転送部503との結合部分における障壁領域としての役
割を果たしている。このように、障壁領域である、かか
る部分を駆動する電極に第2の水平電荷転送電極608
を用いることによって、かかる障壁領域の電位ポテンシ
ャルを、第1の水平電荷転送電極606および第2の水
平電荷転送電極608に印加されるパルス信号と同調さ
せている。したがって、第2の水平電荷転送電極60
6,608に印加される電位がハイレベルからローレベ
ルに変化するとき、すなわち第1の水平電荷転送電極6
06に蓄積された電荷が水平方向に転送されるときに
は、同時にかかる障壁領域の電位ポテンシャルも浅くな
るので、転送されるべき電荷がかかる障壁領域を越えて
垂直電荷転送部501へ逆戻りするようなことがない。
これについては、特開昭58−125969号公報に詳
細に記載されている。
【0008】図8は図6に示す結合領域I−I’線上
の断面を模式的に示したものである。半導体基板801
の主表面には絶縁膜802を介して上述した第1および
第2の水平電荷転送電極606,608が形成されてお
り、上記の第1および第2の垂直電荷転送電極604,
603、第1の水平電荷転送電極606下の蓄積領域と
なる第1の領域611,613には、前記半導体基板と
は反対の導電型を持つ埋め込みチャンネル層(N型半導
体領域)803が形成されている。また、第2の水平電
荷転送電極608下の隔壁領域となる第2の領域61
1,613には、前記半導体基板とは反対の導電型を持
つ埋め込みチャンネル層(N ̄型半導体領域)804が
形成されており、電位ポテンシャルが蓄積領域となる第
1の領域611,613に比較して小さくなっている。
チャンネル領域の外側には半導体基板801と同一導電
型の不純物をドーピングした素子分離領域805が形成
されている。この様な構造の固体撮像装置の動作は、図
5において光電変換部502群に入射光量に応じて蓄積
された信号電荷が映像信号のフレーム周期、もしくはフ
ィールド周期毎に対応して垂直電荷転送部501に読み
だされた後、映像信号の水平操作周期毎に前記垂直電荷
転送部501内を並列に下方向に順次転送される。垂直
電荷転送部501群の末端まで転送された信号電荷は、
水平操作周期毎に水平電荷転送部503へ並列に転送さ
れる。水平電荷転送部503へ転送された信号電荷は、
次の周期で垂直電荷転送部501群から信号電荷が転送
されてくる間に、水平方向に順次転送され、信号出力部
504から映像信号として外部に取り出される。
【0009】次に、図9を用いて垂直電荷転送部501
から水平電荷転送部503への電荷転送の模様を説明す
る。図9(b)は図9(a)に示したI−I’面の結合
領域の電位ポテンシャル分布を模式的に示したものであ
る。垂直電荷転送部の最終電極がオン状態にあるとき
(破線表示)に蓄積されていた信号電荷は、最終電極が
オフ状態(実線表示)になると同時に領域614および
613を介して、蓄積領域である611へ転送されるこ
とになる。ここで611と613とは共に第1の水平電
荷転送電極606が被っているチャンネル領域である
が、611と613の電位ポテンシャルは図9(b)に
示すとおり異なっており、階段状の電位ポテンシャルが
形成されている。これは、613が垂直電荷転送部のチ
ャンネル領域にあるため、611よりもチャンネル幅が
狭くなっていることに起因するものである。図9に示す
H は水平電荷転送部のチャンネル幅、すなわち611
のチャンネル幅であり、WV2は613のチャンネル幅で
ある。チャンネル幅が狭くなると、電界がチャンネルの
両脇に漏れて無駄に費やされる部分が無視できなくなる
ため、チャンネル幅が狭くなるにつれて電位ポテンシャ
ルが小さくなる傾向が表れる。これを狭チャンネル効果
といい、このような電位ポテンシャルがチャンネル幅に
依存する様子を図10に示す。図10から分かるとお
り、それぞれのチャンネル幅における電位ポテンシャル
は狭チャンネル効果により異なっており、そのために電
位ポテンシャルが階段状に形成されているのである。
【0010】このように、狭チャンネル効果を用いて垂
直電荷転送部501から水平電荷転送部503へ向かっ
て階段状の電位ポテンシャルを形成することによりフリ
ンジ電界を形成し、垂直電荷転送部501から水平電荷
転送部503への信号電荷の転送時間(効率)を短縮
し、黒縦線の発生を抑制していた。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような構造では固体撮像装置の高画素化、小型化に際
して、垂直電荷転送部の単位面積当たりの電荷転送能力
向上策として用いられる埋め込みチャンネルの浅接合化
が進むにつれ、垂直電荷転送部から水平電荷転送部へ向
かってのフリンジ電界強度不足により垂直電荷転送部か
ら水平電荷転送部への信号電荷の転送時間(効率)が長
くなり、黒縦線の発生率が増加していくという欠点があ
った。
【0012】この様な現象の対策の一つとして垂直電荷
転送電極604のチャンネル幅を広げることにより電荷
転送時のフリンジ電界を大きくする手法(特開昭63−
14467号公報参照)が提案されているが、この様な
手法を上記従来例に用いた場合、図11においてWV
で示すように、ほとんどチャンネル幅を広げることはで
きず、効果が期待できない。一方、図12に示すとお
り、これをWV ”のように大きく広げようとすれば、必
然的に第1の水平電荷転送電極606の電極幅LもL’
と広げる必要があり、光電変換部間隔WがW’と広げず
Wの間隔を保つためには、その他の電極の電極幅を狭く
する必要があり、水平電荷転送部の電極構成がアンバラ
ンスとなって電荷転送容量の低下や転送速度の低下など
の設計上・特性上の大きな制約を受けることになるとい
う欠点があった。
【0013】本発明は、フリンジ電界の増強を上記のよ
うな欠点のあるチャンネル幅の拡大という方法ではな
く、チャンネル領域の不純物イオン注入層の形状によっ
ても増強可能であるという発見に基づき、電極幅に制約
をもたせることなくフリンジ電界の増強を行い、これに
よって垂直電荷転送部から水平電荷転送部への信号電荷
の転送時間(効率)を向上するものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明による固体撮像装
置は、狭チャンネル効果による電位ポテンシャルの差に
すべり台状の勾配を設け、フリンジ電界を増強してい
る。本発明では、かかるすべる台状の電位ポテンシャル
勾配を、垂直電荷転送部のチャンネル領域の末端の蓄積
領域を徐々に広げることにより実現している。
【0015】したがって、垂直電荷転送部のチャンネル
領域の末端をチャンネル幅は一定のままで、フリンジ電
界を増強することができる。
【0016】
【実施例】本発明第1の実施例を図1に示す。
【0017】図1は図5に示す固体撮像装置のうち垂直
電荷転送部501と水平電荷転送部503との結合領域
505の拡大図であり、従来例に本発明を適用したもの
である。
【0018】図1において点線で囲まれた部分はチャン
ネル領域であり、垂直電荷転送部のチャンネル領域10
1および水平電荷転送部のチャンネル領域105とから
なる。垂直電荷転送部のチャンネル領域101は、第1
の垂直電荷転送電極102、104と、第2の垂直電荷
転送電極103に被われており、最終の電極である第1
の垂直電荷転送電極104は、垂直電荷転送部501か
ら水平電荷転送部503へ信号電荷を転送する。水平電
荷転送部のチャンネル領域105は第1の水平電荷転送
電極106,107と第2の水平電荷転送電極108,
109で被われている。一般にこれらの電極は2層のポ
リシリコンにて形成されており、細線で示した第1の水
平電荷転送電極106,107と第1の水平電荷転送電
極102,104は第1層目のポリシリコンで形成さ
れ、太線で示した第2の水平電荷転送電極108,10
9と第2の垂直電荷転送電極103は第2層目のポリシ
リコンで形成されており、これらの電極106,10
7,108および109を一単位として、水平方向に繰
り返し形成されている。水平電荷転送部のチャンネル領
域105は、蓄積領域となる水平電荷転送部のチャンネ
ル領域の第1の領域111と、障壁領域となる水平電荷
転送部のチャンネル領域の第2の領域112とからな
る。水平電荷転送電極106と108,107と109
はそれぞれ対の電極であり、図7に示したようなそれぞ
れ180度位相の異なるクロックパルスが印加される。
第1の水平電荷転送電極106と第2の水平電荷転送電
極108には同一のパルス信号が印加されることになる
が、第1の水平電荷転送電極106が蓄積領域となる水
平電荷転送部のチャンネル領域の第1の領域111を被
い、第2の水平電荷転送電極108が障壁領域となる水
平電荷転送部のチャンネル領域の第2の領域112を被
うことによって、同一のパルス信号が印加されてもチャ
ンネル領域では電位ポテンシャルに差が生じるため、こ
れによって電荷の転送に方向性をもたせている。さら
に、垂直電荷転送部のチャンネル領域101の末端は、
チャンネル領域内に形成されて第1の領域113と、同
じくチャンネル領域内に形成された第2の領域114か
らなる。これらの領域は、第1図において異なる斜線で
示された2つの領域であり、第1の領域113はN型半
導体領域であり、第2の領域114はN ̄型半導体領域
である。これら斜線で示された第1の 領域113と第2
の領域114を第1図上に重複して示すのは、電極の位
置とチャンネル内における第1の領域113と第2の領
域114との関係を分かり易くする目的でなされたもの
である。第1の領域113および第2の領域114のそ
れぞれのチャンネル幅は相補的に水平電荷転送部に向か
い変化している。さらに、垂直電荷転送部のチャンネル
領域の末端の第1の領域113は第1の水平電荷転送電
極106の一部に被われており、垂直電荷転送部のチャ
ンネル領域の末端の第2の領域114は第2の水平電荷
転送電極108の一部に被われている。第2の水平電荷
転送電極108は、第1の垂直電荷転送電極104と、
垂直電荷転送部のチャンネル領域の末端の第1の領域1
13を被っている第1の水平電荷転送電極106の一部
とのすき間を被うように、くの字に折り曲げられてお
り、かかる折り曲げ部分が垂直電荷転送部のチャンネル
領域の末端の第2の領域114を被っている部分であ
る。
【0019】この様な構造の固体撮像装置の動作も前述
した従来例と同様な動作により入射光量に応じて蓄積さ
れた信号電荷が信号出力部504から映像信号として外
部に取り出される。
【0020】次に図2を用いて垂直電荷転送部501か
ら水平電荷転送部503への電荷転送の模様を説明す
る。図2(b)は図2(a)に示したI−I’面の結合
領域の電位ポテンシャル分布を模式的に示したものであ
る。垂直電荷転送部の最終電極がオン状態にあるとき
(破線表示)に蓄積されていた信号電荷は、最終電極が
オフ状態(実線表示)になると同時に114および11
3を介して、蓄積領域である111へ転送されることに
なる。このとき、垂直電荷転送部のチャンネル領域の末
端の第1の領域113は、水平電荷転送部のチャンネル
領域の第1の領域111に向かって、徐々にチャンネル
幅が広くなるように形成されている。図2中のWV1は、
垂直電荷転送部のチャンネル領域の末端の第1の領域1
13において最も狭い部分のチャンネル幅を示し、かか
る部分は第1の垂直電荷転送電極104に被われたチャ
ンネル領域から最も近い位置にある。またWV2は、垂直
電荷転送部のチャンネル領域の末端の第1の領域113
において最も広い部分のチャンネル幅を示し、かかる部
分は水平電荷転送部のチャンネル領域の第1の領域11
1と隣接している部分である。第1および第2の水平電
荷転送電極106,108の形状は、上述のように徐々
にチャンネル幅が広くなるように形成されたチャンネル
領域の形状に対応している。つまり、第1の水平電荷転
送電極106も垂直電荷転送部から水平電荷転送部へ向
かって徐々に広がるように形成されている。
【0021】図2(b)から分かるとおり、このような
形状とすることによって、チャンネル幅がWV1からWV2
へと徐々に広げられた、垂直電荷転送部のチャンネル領
域の末端の第1の領域113の電位ポテンシャルは、水
平電荷転送部のチャンネル領域の第1の領域111へ向
かうにつれて、狭チャンネル効果による電位ポテンシャ
ルの現象が徐々に和げられるため、滑り台状に徐々に深
く形成されることになる。これにより、かかる部分のフ
リンジ電界は従来例に比べより強くなるため、垂直電荷
転送部から水平電荷転送部への信号電荷の転送時間(効
率)が向上されることになる。
【0022】尚、このような効果を得るためには、チャ
ンネル幅WV1およびWV2の値は、狭チャンネル効果によ
ってチャンネル幅WV1における電位ポテンシャルとWV2
における電位ポテンシャルが異なるような値であればよ
い。好ましくは、WV1がゼロで、WV2が垂直電荷転送部
のチャンネル領域101のチャンネル幅WV もしくは狭
チャンネル効果による電位ポテンシャルの低下が現れな
い幅であれば、最大の効果が得られることになる。
【0023】また、本実施例では、蓄積領域となる水平
電荷転送部のチャンネル領域の第1の領域111と、障
壁領域となる水平電荷転送部のチャンネル領域の第2の
領域112とを、同一のパルス信号が印加される2つの
電極によって被っていたが、これを同一の電極で被って
も同様の効果が得られることは言うまでもない。本発明
の第2の実施例はこれを適用したものであり、その構成
を図3に示す。
【0024】図3は図5に示す固体撮像装置のうち垂直
電荷転送部501と水平電荷転送部503との結合領域
505の拡大図である。図3において点線で囲まれた部
分はチャンネル領域であり、垂直電荷転送部のチャンネ
ル領域301および水平電荷転送部のチャンネル領域3
05とからなる。垂直電荷転送部のチャンネル領域30
1は、第1の垂直電荷転送電極302、304と、第2
の垂直電荷転送電極303に被われており、最終の電極
である第1の垂直電荷転送電極304は、垂直電荷転送
部501から水平電荷転送部503へ信号電荷を転送す
る。水平電荷転送部502のチャンネル領域305は第
1の水平電荷転送電極306と第2の水平電荷転送電極
308,309で被われている。一般にこれらの電極は
2層のポリシリコンにて形成されており、細線で示した
第1の水平電荷転送電極306と第1の垂直電荷転送電
極302,304は第1層目のポリシリコンで、太線で
示した第2の水平電荷転送電極308,309と第2の
垂直電荷転送電極303は第2層目のポリシリコンで形
成されている。第1の水平電荷転送電極306は、第2
の水平電荷転送電極308と309との間に設けられて
おり、水平方向に繰り返し形成されている。水平電荷転
送部のチャンネル領域305は、蓄積領域となる水平電
荷転送部のチャンネル領域の第1の領域311と、障壁
領域となる水平電荷転送部のチャンネル領域の第2の領
域312と、第1の水平電荷転送電極306で被われた
ノンアクティブな障壁領域となる第3の領域310とか
らなる。第3の領域310は、第2の領域312と同一
のドーピング濃度でよい。水平電荷転送電極308と3
09はそれぞれ対の電極であり、それぞれ180度位相
の異なるクロックパルスが印加され、水平電荷転送電極
306には所望の低電位が印加されている。本実施例に
おいては、蓄積領域となる水平電荷転送部のチャンネル
領域の第1の領域311と、障壁領域となる水平電荷転
送部のチャンネル領域の第2の領域312は共に同一の
電極によって被われているが、それぞれのチャンネル領
域の電位ポテンシャルには差があるため、これによって
電荷の転送に方向性をもたせている。さらに、垂直電荷
転送部のチャンネル領域301の末端は、垂直電荷転送
部のチャンネル領域の末端の第1の領域313と、垂直
電荷転送部のチャンネル領域の末端の第2の領域314
からなり、かかる領域313、314は共に第2の水平
電荷転送電極308の一部に被われている。すなわち、
かかる水平電荷転送電極308の一部が、第1の垂直電
荷転送電極304が被っているチャンネル領域と水平電
荷転送部のチャンネル領域305とをつないでいる。
【0025】この様な構造の固体撮像装置の動作も前述
した従来例と同様な動作により入射光量に応じて蓄積さ
れた信号電荷が信号出力部504から映像信号として外
部に取り出される。
【0026】次に、図4を用いて垂直電荷転送部501
から水平電荷転送部503への電荷転送の模様を説明す
る。図4(b)は図4(a)に示したI−I’面の結合
領域の電位ポテンシャル分布を模式的に示したものであ
る。垂直電荷転送部の最終電極がオン状態にあると(破
線表示)に蓄積されていた信号電荷は、最終電極がオフ
状態(実線表示)になると同時に領域314および31
3を介して、蓄積領域である311へ転送されることに
なる。このとき、垂直電荷転送部のチャンネル領域の末
端の第1の領域313は、水平電荷転送部のチャンネル
領域の第1の領域311に向かって、徐々にチャンネル
幅が広くなるように形成されている。図4中のWV1は、
垂直電荷転送部のチャンネル領域の末端の第1の領域3
13において最も狭い部分のチャンネル幅を示し、かか
る部分は第1の垂直電荷転送電極304に覆われたチャ
ンネル領域から最も近い位置にある。またWV2は、垂直
電荷転送部のチャンネル領域の末端の第1の領域313
において最も広い部分のチャンネル幅を示し、かかる部
分は水平電荷転送部のチャンネル領域の第1の領域31
1と隣接している部分である。
【0027】図4(b)から分かるとおり、相補的にチ
ャンネルの有効幅を変化させたチャンネルの形状をとる
ことによって、チャンネル幅がWV1からWV2へと徐々に
広げられた、垂直電荷転送部のチャンネル領域の末端の
第1の領域313の電位ポテンシャルは、水平電荷転送
部のチャンネル領域の第1の領域311へ向かうにつれ
て、狭チャンネル効果による電位ポテンシャルの現象が
徐々に和げられるため、滑り台状に徐々に深く形成され
ることになる。これにより、かかる部分のフリンジ電界
は従来例に比べより強くなるため、垂直電荷転送部から
垂直電荷転送部への信号電荷の転送時間(効率)が向上
されることになる。
【0028】尚、このような効果を得るためには、チャ
ンネル幅WV1およびWV2の値は、狭チャンネル効果によ
ってチャンネル幅WV1における電位ポテンシャルとWV2
における電位ポテンシャルが異なるような値であればよ
い。好ましくは、WV1がゼロで、WV2が垂直電荷転送部
のチャンネル領域301のチャンネル幅WV もしくは狭
チャンネル効果による電位ポテンシャルの低下が現れな
い幅であれば、最大の効果が得られることになる。
【0029】尚、ここではインタライン転送方式の固体
撮像装置を用いて説明したが、フレーム転送方式の固体
撮像装置についても同様に実現できる。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の固体撮像
装置は、第1の実施例に示したように垂直電荷転送部と
水平電荷転送部の接続部を構成する垂直電荷転送部の領
域に入り込んだ第1の水平電荷転送電極で被われる、垂
直電荷転送部のチャンネル領域の末端の第1の領域11
3を狭チャンネル効果を生じる程度の幅内で、水平電荷
転送部に向かい徐々に広がった形状に形成することによ
り、また、第2の実施例に示したように垂直電荷転送部
と水平電荷転送部の接続部を構成する垂直電荷転送部の
領域に入り込んだ第2の水平電荷転送電極で被われる、
垂直電荷転送部のチャンネル領域内の末端の第1の領域
313を狭チャンネル効果を生じる程度の幅内で、水平
電荷転送部に向かい徐々に広がった形状に形成すること
により、電極幅やチャンネル幅を広げることなく、狭チ
ャンネル効果を積極的に利用して垂直電荷転送部から水
平電荷転送部へ向かって電位ポテンシャル勾配をすべり
台状に形成することにより、更にフリンジ電界を増強す
ることが出来、垂直電荷転送部から水平電荷転送部への
信号電荷の転送時間(効率)が向上し、黒縦線の発生を
抑制することが出来る。また、上述のように、電極幅や
チャンネル幅を広げる必要がないため、水平電荷転送部
の電荷転送容量の低下、転送速度の低下などの設計上・
特性上の大きな制約を受けることもない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す垂直電荷転送部と
水平電荷転送部の結合領域の平面図。
【図2】本発明の第1の実施例を示す垂直電荷転送部か
ら水平電荷転送部への信号電荷転送時の電位ポテンシャ
ルを示す図。
【図3】本発明の第2の実施例を示す垂直電荷転送部と
水平電荷転送部の結合領域の平面図。
【図4】本発明の第2の実施例を示す垂直電荷転送部か
ら水平電荷転送部への信号電荷転送時の電位ポテンシャ
ルを示す図。
【図5】インターライン型固体撮像装置の構成概略図。
【図6】従来例を示す垂直電荷転送部と水平電荷転送部
の結合領域の平面図。
【図7】従来例の水平電荷転送部に印加されるクロック
パルスの一例。
【図8】従来例における垂直電荷転送部と水平電荷転送
部の結合領域の断面図。
【図9】従来例における垂直電荷転送部と水平電荷転送
部の結合領域の断面図。
【図10】狭チャンネル効果を示す図。
【図11】従来例において電極幅を広げずにチャンネル
幅を広げた図。
【図12】従来例において電極幅を広げることによって
チャンネル幅を広げた図。
【符号の説明】
101 垂直電荷転送部のチャンネル領域 102 第1の垂直電荷転送電極 103 第2の垂直電荷転送電極 104 第1の垂直電荷転送電極 105 水平電荷転送部のチャンネル領域 106,107 第1の水平電荷転送電極 108,109 第2の水平電荷転送電極 111 水平電荷転送部の第1の領域 112 水平電荷転送部の第2の領域 113 垂直電荷転送部のチャンネル領域の末端の第
1の領域 114 垂直電荷転送部のチャンネル領域の末端の第
2の領域 301 垂直電荷転送部のチャンネル領域 302 第1の垂直電荷転送電極 303 第2の垂直電荷転送電極 304 第1の垂直電荷転送電極 305 水平電荷転送部のチャンネル領域 306 第1の水平電荷転送電極 308,309 第2の水平電荷転送電極 310 水平電荷転送部の第3の領域 311 水平電荷転送部の第1の領域 312 水平電荷転送部の第2の領域 313 垂直電荷転送部のチャンネル領域の末端の第
1の領域 314 垂直電荷転送部のチャンネル領域の末端の第
2の領域 501 垂直電荷転送部 502 光電変換部 503 水平電荷転送部 504 出力部 505 垂直電荷転送部と水平電荷転送部の結合領域

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】信号電荷を垂直方向へ転送する複数列の垂
    直電荷転送部と、前記垂直電荷転送部の端部に設けら
    れ、前記垂直電荷転送部からの信号電荷を電極に印加さ
    れるクロックパルスにより水平に転送する水平電荷転送
    部とを有する固体撮像装置において、前記水平電荷転送部と垂直電荷転送部との間に設けられ
    たチャンネル領域は、電位ポテンシャルの深い一導電型
    の第1の領域および前記第1の領域よりも電位ポテンシ
    ャルの浅い前記一導電型の第2の領域とによって構成さ
    れ、 前記チャンネル領域は、チャンネルの幅を一定にしたま
    ま前記第1の領域が前記垂直電荷転送部から前記水平電
    荷転送部に向かって徐々に拡げられていると共に前記第
    1の領域に対応して前記第2の領域が前記垂直電荷転送
    部から前記水平電荷転送部に向かって徐々に狭められて
    いる ことを特徴とする固体撮像装置。
  2. 【請求項2】前記チャンネル領域の前記第1の領域は、
    前記水平電荷転送部の第1の電極で覆われており、前記
    チャンネル領域の前記第2の領域は前記水平電荷転送部
    の第2の電極で覆われていることを特徴とする請求項1
    記載の固体撮像装置。
  3. 【請求項3】前記第1の電極と第2の電極とには、同相
    のクロックパルスが入力されていることを特徴とする請
    求項2記載の固体撮像装置。
  4. 【請求項4】前記チャンネル領域の第1の領域および第
    2の領域は共通の前記水平電荷転送部の電極で覆われて
    いることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
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