JPH03116841A - 電荷結合素子 - Google Patents
電荷結合素子Info
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- JPH03116841A JPH03116841A JP25435189A JP25435189A JPH03116841A JP H03116841 A JPH03116841 A JP H03116841A JP 25435189 A JP25435189 A JP 25435189A JP 25435189 A JP25435189 A JP 25435189A JP H03116841 A JPH03116841 A JP H03116841A
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 241000276457 Gadidae Species 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は電荷結合素子に関し、特に、電荷検出手段にフ
ローティング拡散法を用いた電荷結合素子に関する。
ローティング拡散法を用いた電荷結合素子に関する。
[従来の技術]
この種従来の電荷転送素子(以下、CCDと記す)の平
面図と、そのX−Y線断面図を第3図(a)、(b)に
示す、これは、CODをインターライン転送型固体撮像
素子の水平CODに用いた例であって、ここでは2相駆
動型CCDが用いられている。
面図と、そのX−Y線断面図を第3図(a)、(b)に
示す、これは、CODをインターライン転送型固体撮像
素子の水平CODに用いた例であって、ここでは2相駆
動型CCDが用いられている。
第3図(a)、(b)に示すように、半導体基板11上
には、水平CCDのチャネル領域1が設けられており、
チャネル領域1には、その適宜個所において垂直COD
のチャネル領域2が接続されている。チャネル領域1の
後段にはフローティング拡散層8とリセットドレイン1
0が設けられている。チャネル領域1上には、ゲート絶
縁膜を介して蓄積ゲート電極3、障壁ゲート電極4、最
終段蓄積ゲート電極5、最終段障壁ゲート電極6が設け
られ、そしてチャネル領域1の最終部分上にはゲート絶
縁膜を介して出力ゲート7が設けられている。また、フ
ローティング拡散層8とリセットドレイン10との間の
基板上にはリセットゲート9が設けられている。蓄積ゲ
ート電極3.5は、それぞれその右の障壁ゲート電極4
.6と接続されて一つの転送電極として動作する。なお
、本明細書では蓄積電極ゲートとはその電極下に信号電
荷を一時的に蓄積することのできる転送電極または転送
電極の電荷蓄積可能部分を意味するものとする。
には、水平CCDのチャネル領域1が設けられており、
チャネル領域1には、その適宜個所において垂直COD
のチャネル領域2が接続されている。チャネル領域1の
後段にはフローティング拡散層8とリセットドレイン1
0が設けられている。チャネル領域1上には、ゲート絶
縁膜を介して蓄積ゲート電極3、障壁ゲート電極4、最
終段蓄積ゲート電極5、最終段障壁ゲート電極6が設け
られ、そしてチャネル領域1の最終部分上にはゲート絶
縁膜を介して出力ゲート7が設けられている。また、フ
ローティング拡散層8とリセットドレイン10との間の
基板上にはリセットゲート9が設けられている。蓄積ゲ
ート電極3.5は、それぞれその右の障壁ゲート電極4
.6と接続されて一つの転送電極として動作する。なお
、本明細書では蓄積電極ゲートとはその電極下に信号電
荷を一時的に蓄積することのできる転送電極または転送
電極の電荷蓄積可能部分を意味するものとする。
而して、このようなCCDを設計するに際しては、各蓄
積ゲート電極下に十分に大きな加速電界が形成されるこ
とと各ゲート電極下において蓄積される電荷量に差を生
じさせないようにすることが考慮される。また、一方で
、フローティング拡散層は、出力電圧、信号電荷比を大
きくするために、その面積は極力狭くなされている。フ
ローティング拡散層が小面積となったことにより、チャ
ネル領域はその手前で徐々に幅が狭められる。そして、
その場合に前述したように各蓄積グーl電極下下の蓄積
可能電荷量に差異が生じないようにする考慮が払われる
ので、各蓄積グーl−電極のチャネル領域上での面積が
ほぼ同一となるようになされる。その結果、最終段蓄積
ゲート電極5のゲート長L 、が他の蓄積ゲート電極3
より長く設定されることになり、例えば蓄積ゲート電極
3のゲート長L2が5μmであるときに最終段のそれは
9μmとなされる。
積ゲート電極下に十分に大きな加速電界が形成されるこ
とと各ゲート電極下において蓄積される電荷量に差を生
じさせないようにすることが考慮される。また、一方で
、フローティング拡散層は、出力電圧、信号電荷比を大
きくするために、その面積は極力狭くなされている。フ
ローティング拡散層が小面積となったことにより、チャ
ネル領域はその手前で徐々に幅が狭められる。そして、
その場合に前述したように各蓄積グーl電極下下の蓄積
可能電荷量に差異が生じないようにする考慮が払われる
ので、各蓄積グーl−電極のチャネル領域上での面積が
ほぼ同一となるようになされる。その結果、最終段蓄積
ゲート電極5のゲート長L 、が他の蓄積ゲート電極3
より長く設定されることになり、例えば蓄積ゲート電極
3のゲート長L2が5μmであるときに最終段のそれは
9μmとなされる。
[発明が解決しようとする課頚]
近年、特に固体撮像素子においてはその駆動電圧を低く
することが求められており、例えば5V程度の低電圧電
源が用いられるようになってきたので、チャネル領域に
おける電荷加速電界が低下される傾向にある。特に最終
ゲートでは、出力ゲートにはCCDのパルス振幅の中間
レベルの直流電位を印加することが多いので、その部分
での電界は、他のCODゲートにおける電界よりもいっ
そう弱くなる。
することが求められており、例えば5V程度の低電圧電
源が用いられるようになってきたので、チャネル領域に
おける電荷加速電界が低下される傾向にある。特に最終
ゲートでは、出力ゲートにはCCDのパルス振幅の中間
レベルの直流電位を印加することが多いので、その部分
での電界は、他のCODゲートにおける電界よりもいっ
そう弱くなる。
その上、上述した従来のCCDにおいては、その最終段
蓄積ゲート電極のゲート長が長くなされているので、出
力ゲート下とのポテンシャル差が小さくなり、そのため
、所定の時間内に電荷を次段に転送することが困難にな
ってきており、転送効率の低下を招いている。その結果
、例えば固体撮像素子においては、色変調度の低下や低
照度における感度不足が問題となる。
蓄積ゲート電極のゲート長が長くなされているので、出
力ゲート下とのポテンシャル差が小さくなり、そのため
、所定の時間内に電荷を次段に転送することが困難にな
ってきており、転送効率の低下を招いている。その結果
、例えば固体撮像素子においては、色変調度の低下や低
照度における感度不足が問題となる。
第4図は、水平510画素の2次元固体撮像素子におい
て出力電圧を500mVとしたときの最終段蓄積ゲート
電極のゲート長しに対する色変調度の依存性を示した図
であり、第5図は、同じ撮像素子を用いて5Luxの低
照度時のゲート長しに対する出力依存性を示す図である
。これらは、駆動電圧を5Vとし、通常のチャネル幅を
30μmとしたときのデータである。第4図および第5
図から明らかなように、最終段蓄積ゲート電極のゲ−7
−長しが9μmを越えると、すなわち、蓄積ゲート電極
の面積比が1を越えると、転送効率の低下に起因して色
変調度と出力が低下する。
て出力電圧を500mVとしたときの最終段蓄積ゲート
電極のゲート長しに対する色変調度の依存性を示した図
であり、第5図は、同じ撮像素子を用いて5Luxの低
照度時のゲート長しに対する出力依存性を示す図である
。これらは、駆動電圧を5Vとし、通常のチャネル幅を
30μmとしたときのデータである。第4図および第5
図から明らかなように、最終段蓄積ゲート電極のゲ−7
−長しが9μmを越えると、すなわち、蓄積ゲート電極
の面積比が1を越えると、転送効率の低下に起因して色
変調度と出力が低下する。
[課題を解決するための手段]
本発明のCCDは、電荷転送領域(チャネル領域)上に
複数のM積ゲート電極を有し出力機構にフローティング
拡散法を用いるものであって、最終段の蓄積グー1−電
極の電荷転送領域上の面積は他の蓄積ゲート電極の電荷
転送領域上の面積より狭くなされている。
複数のM積ゲート電極を有し出力機構にフローティング
拡散法を用いるものであって、最終段の蓄積グー1−電
極の電荷転送領域上の面積は他の蓄積ゲート電極の電荷
転送領域上の面積より狭くなされている。
[作用]
第4図および第5図において、色変調度および出力が低
下しないのは最終段蓄積ゲート電極のゲート長が8.7
5μm以下の範囲であるが、これはチャネル領域上の面
積が他の蓄積ゲート電極のそれの0.9倍以下に相当し
ている。すなわち、駆動電圧5V、一般の蓄積ゲート電
極長5μmである場合には、最終段蓄積ゲート電極の他
のゲート電極に対する面積比が1以下であるときに、よ
り望ましくは0.9以下であるときに良好な転送効率が
得られる。
下しないのは最終段蓄積ゲート電極のゲート長が8.7
5μm以下の範囲であるが、これはチャネル領域上の面
積が他の蓄積ゲート電極のそれの0.9倍以下に相当し
ている。すなわち、駆動電圧5V、一般の蓄積ゲート電
極長5μmである場合には、最終段蓄積ゲート電極の他
のゲート電極に対する面積比が1以下であるときに、よ
り望ましくは0.9以下であるときに良好な転送効率が
得られる。
ところで、前述したように、各蓄積ゲート電極は低電圧
でも大きな加3!!電界が得られるようなゲート長にな
されるので、駆動電圧が低下したときには、さらにゲー
ト長を短くする必要がある。そして、駆動電圧を下げた
ことによる効果は一般のM積ゲート電極に対しても最終
ゲート電極に対しても等しく作用するものであるから、
一般の蓄積ゲート電極のゲート長を短くしたときには、
最終ゲート電極のゲート長もそれに比例して短くすれば
よいことになる。そして、本発明者等によるシミュレー
ション結果によれば、駆動電源電圧および蓄積ゲート電
極のゲート長を変化させた場合にも最終段蓄積ゲート電
極と他の蓄積ゲート電極との面積比が0.9倍以下のと
きに良好な転送効率を確保できることが判明した。
でも大きな加3!!電界が得られるようなゲート長にな
されるので、駆動電圧が低下したときには、さらにゲー
ト長を短くする必要がある。そして、駆動電圧を下げた
ことによる効果は一般のM積ゲート電極に対しても最終
ゲート電極に対しても等しく作用するものであるから、
一般の蓄積ゲート電極のゲート長を短くしたときには、
最終ゲート電極のゲート長もそれに比例して短くすれば
よいことになる。そして、本発明者等によるシミュレー
ション結果によれば、駆動電源電圧および蓄積ゲート電
極のゲート長を変化させた場合にも最終段蓄積ゲート電
極と他の蓄積ゲート電極との面積比が0.9倍以下のと
きに良好な転送効率を確保できることが判明した。
なお、面積比の下限については最終段ゲート電極の電荷
蓄積能力の低下を防ぐ意味から0.6以上にとどめるこ
とが望ましい。
蓄積能力の低下を防ぐ意味から0.6以上にとどめるこ
とが望ましい。
[実施例]
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は、本発明の一実施例を示す平面図である。同図
において、第3図の従来例の部分と対応する部分には同
一の参照番号が付されているので重複した説明は省略す
るが、この実施例では最終段M積ゲート電極5のゲート
長L1が7μmになされている。ここで、他の蓄積ゲー
ト電極3のゲート長L2が5μmであるので、この場合
ゲート長比は1.4となっている(ゲート面積比は0゜
7である)。
において、第3図の従来例の部分と対応する部分には同
一の参照番号が付されているので重複した説明は省略す
るが、この実施例では最終段M積ゲート電極5のゲート
長L1が7μmになされている。ここで、他の蓄積ゲー
ト電極3のゲート長L2が5μmであるので、この場合
ゲート長比は1.4となっている(ゲート面積比は0゜
7である)。
第2図は、本発明の他の実施例を示す平面図である。こ
の実施例では、最終段蓄積ゲート電極5のゲート長は7
μmであるが、チャネル領域が、先の実施例の場合のよ
うに一定割合で狭くなっているのではなく、2段階に分
けて狭小化されている。そのため、ゲート長比は1.4
と先の実施例と変わらないが、ゲート面積比は0.75
と増大している。この実施例によれば、ゲート長を長く
することなく蓄積可能電荷量を増加させることができる
ので、より高い転送効率を実現することができる。
の実施例では、最終段蓄積ゲート電極5のゲート長は7
μmであるが、チャネル領域が、先の実施例の場合のよ
うに一定割合で狭くなっているのではなく、2段階に分
けて狭小化されている。そのため、ゲート長比は1.4
と先の実施例と変わらないが、ゲート面積比は0.75
と増大している。この実施例によれば、ゲート長を長く
することなく蓄積可能電荷量を増加させることができる
ので、より高い転送効率を実現することができる。
なお、以上の実施例では、転送電極が蓄積ゲート電極と
障壁ゲート電極とに別れていたが、これらを一体化した
転送電極を用いてもよい、その場合には、先に指摘した
ように本明細書では、転送電極の信号電荷が一時的にN
Hされる部分が蓄積ゲート電極と呼ばれる。
障壁ゲート電極とに別れていたが、これらを一体化した
転送電極を用いてもよい、その場合には、先に指摘した
ように本明細書では、転送電極の信号電荷が一時的にN
Hされる部分が蓄積ゲート電極と呼ばれる。
また、本発明は、3相以上のクロックにより駆動される
CODにも適用することができる。この場合、各転送電
極下に障壁が設けられていないときには各転送電極が、
障壁が設けられているときには各転送電極の障壁の設け
られていない部分が蓄積ゲート電極になる。
CODにも適用することができる。この場合、各転送電
極下に障壁が設けられていないときには各転送電極が、
障壁が設けられているときには各転送電極の障壁の設け
られていない部分が蓄積ゲート電極になる。
[発明の効果コ
以上説明したように、本発明は、従来例のように各蓄積
ゲート電極下の蓄積電荷量を揃えるのではなく、最終段
蓄積ゲート電極の面積を他の蓄積ゲート電極より狭くし
て転送効率の向上を図ったものであるので、本発明によ
れば、低電圧で駆動されるCCDにおいても、最終段に
おいて高い転送効率を実現することができる。したがっ
て、本発明によるCCDを固体撮像素子に用いる場合に
は、感度不足を防止し高い色変調度を得ることができる
。
ゲート電極下の蓄積電荷量を揃えるのではなく、最終段
蓄積ゲート電極の面積を他の蓄積ゲート電極より狭くし
て転送効率の向上を図ったものであるので、本発明によ
れば、低電圧で駆動されるCCDにおいても、最終段に
おいて高い転送効率を実現することができる。したがっ
て、本発明によるCCDを固体撮像素子に用いる場合に
は、感度不足を防止し高い色変調度を得ることができる
。
第1図、第2図は、それぞれ本発明の実施例を示す平面
図、第3図(a)は、従来例を示す平面図、第3図(b
)は、そのX−Y線断面図、第4図および第5図は、従
来例および本発明の詳細な説明するための特性曲線図で
ある。 1.2・・・チャネル領域、 3・・・蓄積ゲート電
極、 4・・・障壁ゲート電極、 5・・・最終段
蓄積ゲート電極、 6・・・最終段障壁ゲート電極、
7・・・出力ゲート、 8・・・フローティング拡散層
、9・・・リセットゲート、 10・・・リセット
ドレイン、 11・・・半導体基板。
図、第3図(a)は、従来例を示す平面図、第3図(b
)は、そのX−Y線断面図、第4図および第5図は、従
来例および本発明の詳細な説明するための特性曲線図で
ある。 1.2・・・チャネル領域、 3・・・蓄積ゲート電
極、 4・・・障壁ゲート電極、 5・・・最終段
蓄積ゲート電極、 6・・・最終段障壁ゲート電極、
7・・・出力ゲート、 8・・・フローティング拡散層
、9・・・リセットゲート、 10・・・リセット
ドレイン、 11・・・半導体基板。
Claims (1)
- 半導体基板の表面領域に形成された電荷転送領域と、該
電荷転送領域の後段の半導体基板の表面領域に形成され
一定期間毎に一定電位にリセットされるフローティング
拡散層と、前記電荷転送領域上に絶縁膜を介して配置さ
れた複数の蓄積ゲート電極と、前記電荷転送領域の最終
部分の領域上に絶縁膜を介して配置された一定電位に保
持された出力ゲートとを有する電荷結合素子において、
前記蓄積ゲート電極のうち最終段のものはその前記電荷
転送領域上の面積が他の蓄積ゲート電極の前記電荷転送
領域上の面積より狭いことを特徴とする電荷結合素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25435189A JP2870046B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 電荷結合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25435189A JP2870046B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 電荷結合素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03116841A true JPH03116841A (ja) | 1991-05-17 |
JP2870046B2 JP2870046B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=17263788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25435189A Expired - Lifetime JP2870046B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 電荷結合素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2870046B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0535905A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バーコードリーダ |
US6091092A (en) * | 1993-05-07 | 2000-07-18 | Thomson-Csf Semiconducteurs Specifiques | Driving-gate charge-coupled device |
JP2006245069A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Sharp Corp | 固体撮像装置および電子情報機器 |
-
1989
- 1989-09-29 JP JP25435189A patent/JP2870046B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0535905A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バーコードリーダ |
US6091092A (en) * | 1993-05-07 | 2000-07-18 | Thomson-Csf Semiconducteurs Specifiques | Driving-gate charge-coupled device |
JP2006245069A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Sharp Corp | 固体撮像装置および電子情報機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2870046B2 (ja) | 1999-03-10 |
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